1.一种已还原的氧化石墨烯膜，其包括二维石墨烯片材的连续三维网络，所述连续三维网络形成包括小于1,000nm的大小的孔隙，其中所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少
0.1g/cm3的密度和低于26ms的时间常数。
2.根据权利要求1所述的已还原的氧化石墨烯膜，其中所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少1,000S/m的电导率。
3.根据权利要求1所述的已还原的氧化石墨烯膜，其中所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少4Wh/kg的重量能量密度。
4.根据权利要求1所述的已还原的氧化石墨烯膜，其中所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少25kW/kg的重量功率密度。
5.根据权利要求1所述的已还原的氧化石墨烯膜，其中在1A/g的电流密度下，所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少90F/g的重量电容。
6.根据权利要求1所述的已还原的氧化石墨烯膜，其中在1000次充电循环后，所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少50％的电容保持。
7.根据权利要求1所述的已还原的氧化石墨烯膜，其中所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少25mF/cm2的面积电容。
8.一种超级电容器装置，其包括：
(a)两个电极，其中至少一个电极包括已还原的氧化石墨烯膜，所述已还原的氧化石墨烯膜包括二维石墨烯片材的连续三维网络，所述连续三维网络形成包括小于1,000nm的大小的孔隙，其中所述已还原的氧化石墨烯膜具有至少0.1g/cm3的密度和低于26ms的时间常数；
(b)电解质；以及
(c)隔板，其设置在第一电极与第二电极之间。
9.根据权利要求8所述的超级电容器装置，其中包括已还原的氧化石墨烯膜的所述至少一个电极具有6μm至60μm的厚度。
10.根据权利要求8所述的超级电容器装置，其中所述电解质包括强酸，所述强酸包括高氯酸、氢碘酸、氢溴酸、盐酸、硫酸、对甲苯磺酸、甲磺酸或其任何组合。
11.根据权利要求8所述的超级电容器装置，其中所述隔板包含聚合物，所述聚合物包括氯丁橡胶、尼龙、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯腈、聚乙烯醇缩丁醛、硅树脂、或其任何组合。
12.根据权利要求8所述的超级电容器装置，前提是所述超级电容器具有至少0.1Wh/L的体积能量密度。
13.根据权利要求8所述的超级电容器装置，前提是所述超级电容器具有至少3kW/L的体积功率密度。
14.一种制造氧化石墨烯膜的方法，其包括：
(a)使氧化石墨烯悬浮在第一溶剂中以形成氧化石墨烯悬浮液；
(b)使所述氧化石墨烯悬浮液分散在第二溶剂中以形成氧化石墨烯分散体；
(c)使所述氧化石墨烯分散体还原；
(d)通过薄膜过滤所述氧化石墨烯分散体以便在所述薄膜上形成氧化石墨烯膜；以及(e)将所述氧化石墨烯膜冷冻铸造在所述薄膜上以形成包括二维石墨烯片材的连续三维网络的氧化石墨烯膜，所述连续三维网络形成包括小于1,000nm的大小的孔隙，其中所述氧化石墨烯膜具有至少0.1g/cm3的密度和低于26ms的时间常数。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一溶剂中的所述氧化石墨烯的浓度为
1mg/mL至6mg/mL。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二溶剂包括弱酸，所述弱酸包括甲酸、柠檬酸、乙酸、抗坏血酸、苹果酸、酒石酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、草酸、苯甲酸、碳酸或其任何组合。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述氧化石墨烯分散体包括体积为0.5mL至10mL的所述氧化石墨烯悬浮液以及质量为3mg至70mg的所述第二溶剂。
18.根据权利要求14所述的方法，其中(c)包括在25℃至100℃的温度下加热所述氧化石墨烯分散体。
19.根据权利要求14所述的方法，其中(c)包括在1分钟至100分钟的时段内加热所述氧化石墨烯分散体。
20.根据权利要求14所述的方法，其中所述薄膜具有0.1μm至0.5μm的孔隙大小。
21.根据权利要求14所述的方法，其中(e)包括：
(f)冷冻所述薄膜上的所述氧化石墨烯膜；
(g)解冻所述薄膜上的所述氧化石墨烯膜；
(h)加热所述薄膜上的所述氧化石墨烯膜；以及
(i)将所述薄膜上的所述氧化石墨烯膜浸入在第三溶剂中。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述氧化石墨烯膜在所述薄膜上冷冻至少15分钟的时间段。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述薄膜上的所述氧化石墨烯膜的加热在50℃至200℃的温度下进行。
24.根据权利要求14所述的方法，前提是所述氧化石墨烯膜具有6μm至60μm的厚度。