1.高频大功率三相变压器多目标优化数学模型，其特征在于：
选择铁心叠压层数nc、铁心厚度A、副边绕组层数m2、副边绕组匝数Nl2、原边绕组扁铜线厚度df1、副边绕组扁铜线厚度df2和最大载流密度Jmax作为扫描参数；建立以效率η和功率密度Ps为优化目标，以最大允许温升、绝缘水平、漏电感参数为约束条件，以上述7个扫描参数为自变量的多目标优化数学模型如下：
式中，Pc为变压器的铁心损耗；Pwp和Pws为原、副边绕组的损耗；Vbox为变压器的体积；Lσ为漏电感的实际值；Lσt为漏电感的目标设计值；
约束条件如下：
式中，xi为第i个待优化的变量，取值上限值为ximax，取值下限为ximin；△Tr和△Tmax分别为最大温升和最大允许温升；diso为原副边绕组之间的距离，考虑耐受电压水平的限制，不能小于原副边绕组之间最小隔离间距diso‑min。
2.根据权利要求1所述一种高频大功率三相变压器多目标优化数学模型，其特征在于：
铁芯高频损耗Pc为:
式中，Bmax和Bmin分别为磁通密度波形曲线的最大值和最小值；Ts为周期；(Bi,ti)为分段线性磁通密度波形的第i个折点；Cm、α、β为损耗系数；ki的表达式如下：
扁铜线的原、副边绕组高频损耗表达式Pwp、Pws为：
式中， 分别为原边绕组和副边绕组第n次电流谐波下的交流电阻系数；RwpDC、RwsDC分别为原边绕组和副边绕组的直流电阻，计算式如下：
式中，σw为绕组导体的电导率；Nl1和Nl2分别为原副边绕组每层匝数；m1和m2分别为原副边绕组层数；MTL1和MTL2分别为原副边绕组平均匝长；df1和df2为原副边扁铜线厚度；hf1和hf2为原副边扁铜线宽度；
原副边绕组在第n次电流谐波下的交流电阻系数计算式分别为：
式中，m1和m2分别为原副边绕组层数；μ0为绕组材料的磁导率；Rwpn和Rwsn分别为原副边绕组在第n次谐波频率nfs下的交流电阻；RwpDC和RwsDC分别为原副边绕组的直流电阻；△1和△2分别为原副边绕组在基频分量下扁铜线绕组对集肤深度的归一化厚度，表达式如下：
式中，df1和df2为原副边扁铜线厚度；hf1和hf2为原副边扁铜线宽度；Nl1和Nl2分别为原副边绕组每层匝数；hw1和hw2分别为原副边绕组的高度；σw为铜电导率；μ0为真空中磁导率，fs为正弦交变电流的频率。
3.根据权利要求1所述一种高频大功率三相变压器多目标优化数学模型，其特征在于：
采用扁铜线的高频变压器的漏电感Lσ(pri)表达式为：
式中，MTL为绕组平均匝长；γ为复传播常数，γ＝(1+j)/δw，δw为集肤深度；dins1和dins2为原副边绕组层间绝缘厚度；diso为原副边绕组隔离距离；df1和df2为原副边扁铜线厚度；Nl1为原边侧绕组每层的匝数；m1和m2分别为原副边绕组的层数；hw为铁心窗口高度；kp1、kp2、ks1和ks2的计算式如下：
kp1＝sinh(2df1γ)‑2df1γ
kp2＝sinh(2df2γ)‑2df2γ
ks1＝df1γcosh(df1γ)‑sinh(df1γ)
ks2＝df2γcosh(df2γ)‑sinh(df2γ)
集肤深度δw的表达式为：
式中，ρw为铜电阻率；σw为铜电导率；μ0为真空中磁导率；fs为正弦交变电流的频率。
4.根据权利要求1所述一种高频大功率三相变压器多目标优化数学模型，其特征在于：
参数扫描法的计算流程为：
步骤(1)、对众多候选解进行逐一枚举，计算出铁心和绕组尺寸；
步骤(2)、计算高频大功率三相变压器铁心损耗和绕组损耗，以及最大温升；
步骤(3)、计算高频大功率三相变压器的漏电感参数；
步骤(4)、判定候选解是否满足最大允许温升、绝缘电压耐受能力的解；
如此反复迭代，直至达到对所有候选解完成枚举，即可得到三相变压器优化设计结果。