1.一种分子束外延设备，包括生长室，其特征在于，还包括：
托盘（1），其包括产品区（101）和测试区（102），所述产品区（101）中设置有至少一个第一定位槽（103），所述第一定位槽（103）用于定位放置第一衬底，所述第一衬底用于生长正式产品，所述测试区（102）中设置有至少一个第二定位槽（104），所述第二定位槽（104）用于定位放置第二衬底，所述第二衬底用于生长测试结构；所述测试结构与所述正式产品的部分生长结构相同；
加热器（2），设置在所述托盘（1）下侧，并用于加热所述托盘（1）；
遮挡装置，能够遮挡和敞开所述第二定位槽（104），并用于在生长过程中适时遮挡所述第二定位槽（104），以使所述第二定位槽（104）中的第二衬底上形成所述测试结构。
2.根据权利要求1所述的分子束外延设备，其特征在于，所述产品区（101）为位于所述托盘（1）中部的圆形区域，所述测试区（102）为围绕所述产品区（101）的环形区域。
3.根据权利要求2所述的分子束外延设备，其特征在于，所述加热器（2）包括用于加热所述产品区（101）的第一加热区（201）以及用于加热所述测试区（102）的第二加热区（202）；
所述第一加热区（201）和所述第二加热区（202）的加热功率能够独立调节。
4.根据权利要求3所述的分子束外延设备，其特征在于，所述第一加热区（201）包括位于中部的主加热区（203）和围绕所述主加热区（203）的环形过渡加热区（204），所述主加热区（203）和所述环形过渡加热区（204）的加热功率能够独立调节。
5.根据权利要求3所述的分子束外延设备，其特征在于，所述产品区（101）和所述测试区（102）之间设置有隔离槽（105）。
6.根据权利要求5所述的分子束外延设备，其特征在于，所述第一加热区（201）和所述第二加热区（202）之间设置有热屏蔽环（205），所述热屏蔽环（205）穿过所述隔离槽（105）。
7.根据权利要求6所述的分子束外延设备，其特征在于，所述热屏蔽环（205）包括内环层和外环层，所述内环层和所述外环层之间具有间隙。
8.根据权利要求2所述的分子束外延设备，其特征在于，所述遮挡装置包括至少一个遮挡单元（3），每个所述遮挡单元（3）包括遮挡片（301）和驱动机构（302），所述驱动机构（302）用于驱动所述遮挡片（301）遮盖或远离所述测试区（102），从而遮挡或敞开所述第二定位槽（104）。
9.根据权利要求8所述的分子束外延设备，其特征在于，所述遮挡单元（3）设置有多个，所述遮挡片（301）为圆弧状挡片，所有所述遮挡片（301）遮盖所述测试区（102）时，能够完全封盖所述测试区（102）。
10.一种垂直腔面激光器生长方法，其特征在于，基于权利要求1‑9任一项所述的分子束外延设备，所述垂直腔面激光器生长方法包括步骤：
A1.在托盘（1）的第一定位槽（103）中放入第一衬底，并在至少一个所述第二定位槽（104）中放入第二衬底；
A2.加热所述托盘（1）至生长温度；
A3.在遮挡装置敞开所述第二定位槽（104）的情况下，在所述第一衬底和所述第二衬底上依次生长下层DBR结构和有源区，使所述第二衬底上形成测试结构；
A4.通过遮挡装置遮闭所述第二定位槽（104），并继续在所述第一衬底上生长上层DBR结构，使所述第一衬底上形成正式产品；
A5.降温后取出所述正式产品和所述测试结构；
A6.对所述测试结构进行结构测试，并根据测试结果调整下一轮生长的生长参数。