一种匀胶方法 |
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| 申请号 | CN202211295335.1 | 申请日 | 2022-10-21 | 公开(公告)号 | CN117953768A | 公开(公告)日 | 2024-04-30 |
| 申请人 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司; | 发明人 | 马振琦; 戴广超; 马非凡; 陈德伪; 王子川; | ||||
| 摘要 | 本 申请 涉及一种匀胶方法，包括：采用第一转速在第一时段内旋转 晶圆 ，以使得位于晶圆中心区域的胶材扩散，并 覆盖 晶圆的第一表面以形成胶层；采用第二转速在第二时段内旋转晶圆，以扩大胶层中第一区域的面积，第二转速大于第一转速，且第一区域内的厚度差小于或等于0.1μm；清洗晶圆的除第一表面之外的其余表面，以去除多余的胶材。本申请匀胶方法利用第一时段内的第一区域中的胶层和晶圆边缘区域的较厚胶层之间的 粘度 差异，配合第二时段内的第二转速，以扩大胶层中的具有较薄厚度的第一区域的面积。同时由于第一区域中的胶层粘度较高，在第二转速的作用下，第一区域的厚度变化较小，进而保证第一区域的厚度均匀性。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种匀胶方法，其特征在于，包括如下步骤： |
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| 说明书全文 | 一种匀胶方法技术领域背景技术[0003] 在现有技术中，常用的匀胶方法通常在滴胶之后，提高转速使得位于晶圆中心区域的胶材能够在离心力的作用下涂覆至晶圆表面，以形成能够满足晶圆蚀刻要求的胶层。但在匀胶过程中，容易在晶圆的边缘区域出现胶材堆积，进而使得晶圆的边缘区域的胶材厚度相对中心区域的厚度较厚，影响了胶层的厚度均匀性。 发明内容 [0004] 鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种用于保证胶层厚度均匀性的匀胶方法，具体包括如下技术方案： [0005] 本申请实施例提供了一种匀胶方法，包括如下步骤： [0006] 采用第一转速在第一时段内旋转晶圆，以使得位于晶圆中心区域的胶材扩散，并覆盖晶圆的第一表面以形成胶层； [0007] 采用第二转速在第二时段内旋转晶圆，以扩大胶层中第一区域的面积，第二转速大于第一转速，且第一区域内的厚度差小于或等于0.1μm； [0008] 清洗晶圆的除第一表面之外的其余表面，以去除多余的胶材。 [0009] 本申请匀胶方法通过使得晶圆以第一转速在第一时段内旋转，为位于晶圆中心区域的胶材提供离心力，使得胶材能在离心力的作用下，配合胶材的流动性和粘度，覆盖于晶圆的第一表面上并形成了胶层，以便于后续制程的进行。 [0010] 可以理解的，胶层的边缘区域与中心区域存在厚度差，通过使得晶圆以大于第一转速的第二转速在第二时段内旋转，以为胶材提供更大的离心力，进而扩大胶层中的第一区域的面积，进而扩大了厚度相对较薄的胶层的面积，降低了胶层的平均厚度。同时通过设置第一区域内的厚度差小于或等于0.1μm，保证了第一区域的胶层的厚度均匀性。 [0011] 由于胶材具有流动性，晶圆除第一表面外的其余表面可能粘附有胶材。通过对除第一表面外的其余表面进行清洗，对粘附于其余表面的胶材去除，以保证晶圆的表面清洁，以便于后续制程的进行。 [0012] 在一种实施例中，采用第一转速在第一时段内旋转晶圆时，包括： [0013] 采用第一转速在第一时段内旋转晶圆，其中，第一转速的取值范围为大于或等于800转/分。 [0014] 在本实施例中，通过使得晶圆在第一时段内以大于或等于800转/分的第一转速旋转，以保证胶材能够在第一转速的作用下涂覆于晶圆表面，并形成胶层，同时保证胶层的第一区域的表面平整。 [0015] 在一种实施例中，采用第二转速在第二时段内旋转晶圆时，包括： [0016] 采用第二转速在第二时段内旋转晶圆，且第二转速与第一转速之间的比值为大于或等于2:1。 [0017] 在本实施例中，通过保证第二转速和第一转速之间的比值关系大于或等于2:1，能够保证第二转速所提供的离心力能够将位于边缘区域的较厚胶层朝背离回转中心的方向推出，使得第一区域的面积增大，降低了整体胶层的平均厚度。 [0018] 在一种实施例中，采用第一转速在第一时段内旋转晶圆时，包括： [0019] 采用第一转速在第一时段内旋转晶圆，其中，第一时段小于或等于60秒。 [0020] 在本实施例中，通过设置小于或等于60秒的第一时段，能够保证在第一时段内晶圆边缘区域的较厚胶层的粘度范围，避免因该区域胶层粘度过大而影响后续制程中第一区域的厚度均匀性，有利于后续制程的进行。 [0021] 在一种实施例中，采用第二转速在第二时段内旋转晶圆时，包括： [0022] 采用第二转速在第二时段内旋转晶圆，其中，第二时段大于或等于10秒。 [0023] 在本实施例中，通过设置大于或等于10秒的第二时段，能够保证第一区域的扩张面积，避免因第二时段过短而导致第一区域扩张不充分，进一步的保证了整体胶层的平均厚度的降低效果。 [0024] 在一种实施例中，采用第二转速在第二时段内旋转晶圆时，包括： [0025] 采用第二转速在第二时段内旋转晶圆，以扩大胶层中第一区域的面积，其中，第一区域扩大的面积小于或等于晶圆面积的19％。 [0026] 在本实施例中，通过扩大胶层中第一区域的面积，使得第一区域扩大的面积小于或等于晶圆面积的19％，进而增加了胶层中厚度相对均匀的第一区域的占比，有利于降低整体胶层的平均厚度。 [0027] 在一种实施例中，采用第二转速在第二时段内旋转晶圆时，包括： [0028] 采用第二转速在第二时段内旋转晶圆，其中，第二时段内的胶层的第一区域的厚度减小量小于或等于1μm。 [0029] 在本实施例中，通过控制在第二时段内第一区域的胶层厚度减小量小于或等于1μm，能够保证第一区域的胶层厚度，同时也避免了因胶层厚度变化太大而影响胶层第一区域的厚度均匀性。 [0030] 在一种实施例中，采用第一转速在第一时段内旋转晶圆之前，还包括： [0031] 采用初始转速在初始时段内旋转晶圆，并向晶圆的中心区域滴入胶材，其中，初始转速小于第一转速。 [0032] 在本实施例中，通过在初始时段内向晶圆的中心区域滴入胶材，同时使得晶圆以小于第一转速的初始转速旋转，能够保证位于晶圆上的胶材的量，进一步的，保证后续制程中的胶层厚度。 [0033] 在一种实施例中，清洗晶圆的除第一表面之外的其余表面时，包括： [0034] 清洗晶圆的第二表面和侧壁，其中，第二表面背离第一表面，侧壁连接于第一表面和第二表面之间。 [0035] 在本实施例中，通过对晶圆的第二表面和侧壁进行清洗，以消除粘附于第二表面和侧壁上的胶材，保证晶圆的表面清洁，以便于后续制程的进行。 [0036] 在一种实施例中，清洗晶圆的第二表面和侧壁时，包括： [0038] 采用第四转速在第四时段内旋转晶圆，以甩干喷涂于第二表面和侧壁上的溶剂，其中，第四转速大于第三转速，且小于第二转速。 [0039] 在本实施例中，通过在第三时段控制晶圆以第三转速旋转，以保证溶剂对晶圆的第二表面和侧壁的喷涂，以便于溶剂对位于晶圆的第二表面和侧壁上的胶材进行清洗。 [0041] 图1为本申请匀胶方法的晶圆的结构示意图； [0042] 图2为本申请匀胶方法的流程步骤示意图； [0043] 图3为本申请匀胶方法在步骤S100完成后的晶圆的结构示意图； [0044] 图4为本申请匀胶方法在步骤S200完成后的晶圆的结构示意图； [0045] 图5为本申请匀胶方法在步骤S100完成后的晶圆的平面结构示意图； [0046] 图6为本申请匀胶方法在步骤S200完成后的晶圆的平面结构示意图； [0047] 图7为现有技术的匀胶方法的晶圆的结构示意图； [0048] 图8为本申请匀胶方法在步骤S200完成后的晶圆的另一种结构示意图。 [0049] 附图标记为： [0050] 100‑晶圆；200‑芯片；101‑第一表面；102‑胶层；103‑第一区域；104‑第二表面；105‑侧壁；100’‑晶圆；200’‑芯片；101’‑第一表面；102’‑胶层；103’‑第一区域；104’‑第二表面；105’‑侧壁。 具体实施方式[0051] 为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。 [0052] 以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。本申请中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。 [0053] 在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，本申请中使用的术语“包括”、“可以包括”、“包含”、或“可以包含”表示公开的相应功能、操作、元件等的存在，并不限制其他的一个或多个更多功能、操作、元件等。此外，术语“包括”或“包含”表示存在说明书中公开的相应特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，而并不排除存在或添加一个或多个其他特征、数目、步骤、操作、元素、部件或其组合，意图在于覆盖不排他的包含。 [0054] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。 [0055] 在制造显示面板的过程中，存在大量制程需要通过蚀刻来实现，其中，与蚀刻有关的制程包括蚀刻晶圆以便于切割晶圆形成多个单芯片、蚀刻芯片的外延层结构以实现芯片的对应结构功能、蚀刻晶圆以形成电路等。 [0057] 在本申请中，为了便于描述本申请匀胶方法的匀胶过程，在本申请实施例中，主要对蚀刻晶圆以便于切割晶圆形成多个单芯片进行示例性描述。在另一种实施例中，本申请匀胶方法也可适用于蚀刻芯片的外延层结构以实现芯片的对应结构功能和蚀刻晶圆以形成电路等。 [0058] 请参阅图1所示的本申请匀胶方法的晶圆100结构示意图。 [0059] 如图1所示，在本申请实施例中，晶圆100具有第一表面101、背离第一表面101的第二表面104、以及连接于第一表面101和第二表面104之间的侧壁105。其中，第一表面101上形成有多个芯片200，通过采用本申请匀胶方法在晶圆100的第一表面101上涂覆胶层102，其中，第一区域103的厚度相对较薄且厚度均匀性较好，能够使得晶圆100满足蚀刻条件，有利于后续制程中对晶圆100进行切割，以形成独立的单个芯片200。 [0060] 可以理解的，基于第一区域103的厚度相对均匀，使得第一区域103对应的晶圆100能够满足后续制程的蚀刻条件。也即，第一区域103的面积与后续制程中满足蚀刻条件的晶圆100的面积一一对应，第一区域103的大小与晶圆100的利用率有关，且第一区域103的面积扩大，晶圆100的利用率增加。 [0061] 另一方面，为了清楚表示晶圆100的结构，图1以及后续的图示内容仅对胶层102进行示例性介绍，进而夸大了胶层102之间的厚度差异，实际匀胶过程中，胶层102之间的厚度差异相对较小。 [0062] 请参阅图2所示的本申请匀胶方法的流程步骤示意图。 [0063] 本申请匀胶方法具体包括如下步骤： [0064] S100、采用第一转速V1在第一时段T1内旋转晶圆100，以使得位于晶圆100中心区域的胶材扩散，并覆盖晶圆100的第一表面101以形成胶层102； [0065] 具体的，请参阅图3所示的本申请匀胶方法在步骤S100完成后的晶圆100的结构示意图。在对晶圆100进行匀胶时，胶材的初始位置位于晶圆100的中心区域。通过旋转载台(图中未示出)，可以使得晶圆100在第一时段T1内基于第一转速V1进行旋转，以为位于晶圆100中心区域的胶材提供离心力，使得胶材能在离心力的作用下，配合胶材的流动性和粘性，从晶圆100的中心区域向四周扩散，直至胶材覆盖晶圆100的第一表面101形成胶层102，以便于后续制程的进行。 [0066] 可以理解的，随着胶层102的扩散，会形成如图3所示的结构。在胶层102扩散过程中，晶圆100的中心区域的胶材会在中心区域形成厚度相对较薄且厚度均匀的胶层102，定义该具有较薄厚度的胶层102为胶层102的第一区域103，并使得第一区域103的厚度差小于或等于0.1μm。同时，由于涂覆于边缘区域的胶材所承受的离心力较小，而胶材的粘度会随着胶层102的扩散而增大，当胶材之间的粘结力大于胶材所承受的离心力时，便会在晶圆100的边缘区域堆积形成具有较厚厚度的胶层102，具有较厚厚度的胶层102位于第一区域 103的四周。 [0067] 可以理解的，第一区域103的厚度满足后续制程中对晶圆100的蚀刻要求，同时，第一区域103的胶层102的厚度相对均匀，进一步的保证了对晶圆100的蚀刻效果。也即，胶层102中的第一区域103为后续制程中的实际能满足蚀刻效果的作业面，第一区域103的面积越大，对应的后续制程中满足蚀刻要求的晶圆100的面积越大，进而使得晶圆100的利用率越大。 [0068] 在胶层102的形成过程中，由于胶材具有一定的粘度，当第一转速V1所提供的离心力大小等于胶材内部的粘接力时，胶材得以停止向四周扩散。可以理解的，胶材会滞留于晶圆100的边缘区域，使得边缘区域的胶层102的厚度增加，进而使得形成了具有较厚厚度的位于晶圆100边缘区域的胶层102。 [0069] 可以理解的，胶材内的溶剂会随着时间的推移而蒸发。在第一时段T1内，厚度相对均匀的第一区域103的胶层102的粘度增加，进而保证了第一区域103的胶层102的厚度相对均匀，同时，也保证了后续制程的进行。而位于边缘区域的较厚胶层102的粘度也会随着时间的推移而增加，但晶圆100的边缘区域由于胶层102的厚度相较于第一区域103的厚度较厚，导致该区域的粘度相对第一区域103的胶材粘度较低，较低粘度的边缘区域的较厚胶层102，有利于保证后续制程的进行。 [0070] S200、采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，以扩大胶层102中第一区域103的面积，第二转速V2大于第一转速V1，且第一区域103内的厚度差小于或等于0.1μm； [0071] 具体的，请参阅图4所示的本申请匀胶方法在步骤S200完成后的晶圆100的结构示意图。由于胶层102的边缘区域和中心区域存在厚度差，通过旋转载台，使得晶圆100以大于第一转速V1的第二转速V2在第二时段T2内旋转，以为胶材提供更大的离心力，位于晶圆100边缘区域的较厚胶层102上的胶材，能在该离心力的作用下向背离晶圆100的回转中心方向移动，进而扩大了第一区域103的面积，降低了胶层102的平均厚度，同时增加了晶圆100的利用率。 [0072] 可以理解的，在本实施例中，第一区域103内的胶层102粘度较高，第一区域103内的胶层102在第二转速V2的作用下，胶层102的厚度变化较小，进而保证了在后续制程中对晶圆100的蚀刻要求，保证了晶圆100的利用率。同时，本申请匀胶方法通过控制第一区域103内的厚度差小于或等于0.1μm，保证了第一区域103的厚度的相对均匀。 [0073] 请参阅对比图5所示的本申请匀胶方法在步骤S100完成后的平面结构示意图，以及图6所示的本申请匀胶方法在步骤S200完成后的平面结构示意图。 [0074] 如图5和图6所示，图5所示的第一区域103内所包含的完整芯片200的数量小于图6所示的第一区域103所包含的完整芯片200的数量。由于第一区域103的胶层102的厚度能够满足后续制程的蚀刻要求，可以理解的，第一区域103的面积越大，收容于第一区域103内的芯片200的数量越多，对应的，晶圆100的利用面积也会增加。也即，第一区域103的面积扩大，会增大晶圆100的利用率。 [0075] 另一方面，为了清楚的表示晶圆100上的芯片200分布，图5和图6仅对第一区域103和芯片200进行示例性介绍，进而夸大了晶圆100的边缘与第一区域103的边缘之间的距离，本申请实际匀胶过程以及后续的制程结束后，形成于晶圆100上的芯片200均能被切割形成单个完整的芯片200。 [0076] S300、清洗晶圆100的除第一表面101之外的其余表面，以去除多余的胶材。 [0077] 具体的，请回看图4，在本申请匀胶过程中，由于胶材具有流动性，胶材可能会粘附于晶圆100的除第一表面101外的其余表面上，通过清洗晶圆100的除第一表面101外的其余表面，能够保证晶圆100的表面清洁，避免了因位于除第一表面101外的其余表面的胶材而影响后续制程的结果，保证了晶圆100的利用率。 [0078] 现有技术中的匀胶方法通常采用单一的设定转速V’在设定时段T’内旋转晶圆100’以形成胶层102’。请参与图7所示的现有技术的匀胶方法的晶圆100’的结构示意图。如图7所示，现有技术通过单一的设定转速V’在第一表面101’上形成胶层102’。可以理解的，胶材能在晶圆100’的中心区域形成具有较薄厚度的第一区域103’，且第一区域103’的厚度相对均匀，但当设定转速V’过小时，随着设定时段T’的推移，位于第一区域103’周围的胶材的粘度增大，进而导致设定转速V’赋予胶材的离心力小于胶材之间的粘接力，进而导致胶材无法涂覆于晶圆100’的边缘区域，并形成较厚的胶层102’，从而导致胶材无法完全覆盖第一表面101’。 [0079] 当设定转速V’过大时，过大的离心力会降低第一区域103’的厚度，进而使得后续制程中的晶圆100’的蚀刻深度过深，会降低晶圆100’的使用效果。 [0080] 而本申请匀胶方法，通过在匀胶过程中设置两次转速，使得晶圆100在第一时段T1内以第一转速V1旋转，使得胶材能够涂覆于晶圆100的第一表面101，以形成胶层102。再通过设置较大的第二转速V2，使得晶圆100在第二时段T2内赋予晶圆100的边缘区域的胶材更大的离心力，使得胶材的离心力大于胶材内的粘接力，进而使得较厚胶层102进一步的向背离回转中心的方向推移，从而增大了第一区域103的面积，进而增大了晶圆100的利用率。 [0081] 相较于现有技术，本申请匀胶方法能够增大了厚度相对均匀的第一区域103的面积，增大了晶圆100的利用率。同时，本申请匀胶方法通过两次转速和时段的配合，不仅保证了胶层102的形成，也保证了第一区域103的胶层102的厚度，确保了后续制程的晶圆100的蚀刻效果。 [0082] 请配合参阅图1，可以理解的，在图1所示的本申请匀胶方法的晶圆100的结构示意图中，第一区域103的面积大于图7所示的第一区域103’的面积，也即，本申请匀胶方法扩大了第一区域103的胶层102的面积，进而增大了在后续制程中满足蚀刻要求的晶圆100的面积，提升了晶圆100的利用率。 [0083] 在一种实施例中，对于步骤S100“采用第一转速V1在第一时段T1内旋转晶圆100，以使得位于晶圆100中心区域的胶材扩散，并覆盖晶圆100的第一表面101以形成胶层102”，还包括如下方式： [0084] S100a、采用第一转速V1在第一时段T1内旋转晶圆100，其中，第一转速V1的取值范围为大于或等于800转/分。 [0085] 具体的，在本实施例中，通过选用大于或等于800转/分的第一转速V1旋转载台，进而使得晶圆100以第一转速V1旋转，能够保证胶材在第一转速V1所赋予的离心力的作用下涂覆于整个晶圆100，并形成胶层102。同时，第一转速V1的能够平整胶层102的第一区域103，使得胶层102的第一区域103的厚度相对均匀，进而保证第一区域103内的晶圆100在后续制程的蚀刻效果，保证了晶圆100的利用率。 [0086] 在一种实施例中，对于步骤S100“采用第一转速V1在第一时段T1内旋转晶圆100，以使得位于晶圆100中心区域的胶材扩散，并覆盖晶圆100的第一表面101以形成胶层102”，还包括如下方式： [0087] S100b、采用第一转速V1在第一时段T1内旋转晶圆100，其中，第一时段T1小于或等于60秒。 [0088] 具体的，在第一时段T1内，胶材的粘度会随着时间的推移而变大，位于晶圆100边缘区域的较厚胶层102和第一区域103的胶层102之间存在粘度差异，且第一区域103的胶层102的粘度较高。但随着时间的进一步推进，胶材内的溶剂的进一步蒸发，而胶材内的溶剂是有限的，使得位于晶圆100边缘区域的较厚胶层102和第一区域103的胶层102之间的粘度差异会逐渐减小，当位于晶圆100边缘区域的较厚胶层102的粘度过大时，会影响后续制程中第一区域103的厚度均匀性。 [0089] 由此，在本步骤中，通过设置小于或等于60秒的第一时段T1，能够保证在第一时段T1内晶圆100边缘区域的较厚胶层102的粘度范围，避免因该区域胶层102粘度过大而影响后续制程中第一区域103的厚度均匀性，有利于后续制程的进行。同时，也保证了晶圆100的利用率。 [0090] 在一种实施例中，对于步骤S200“采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，以扩大胶层102中第一区域103的面积，第二转速V2大于第一转速V1，且第一区域103内的厚度差小于或等于0.1μm”，还包括如下方式： [0091] S200a、采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，且第二转速V2与第一转速V1之间的比值为大于或等于2:1。 [0092] 具体的，由于胶材内的溶剂具有挥发性，胶材内的溶剂会随着时间的推移而逐渐挥发，进而使得胶材的粘度增大。可以理解的，在本申请匀胶方法中，胶材的粘度越大，则需要将胶材往背离回转中心的方向推动的离心力就越大。在本步骤中，通过在第二时段T2内设置第二转速V2以旋转载台，进而实现对晶圆100的旋转，并且使第二转速V2和第一转速V1之间的比值大于或等于2:1，保证了第二转速V2所提供的较大离心力能够将位于边缘区域的较厚胶层102朝背离回转中心的方向推出，从而扩大第一区域103的面积，进而降低整体胶层102的平均厚度，提高晶圆100的利用率。 [0093] 示例性的，对于粘度为600CP的正性光刻胶，当本申请匀胶方法所需达到的第一区域103的胶层102的厚度为12μm时，第二转速V2与第一转速V1之间的比值为小于3:1。在另一种实施例中，第二转速V2与第一转速V1之间的比值为等于3:1，此时，第一区域103的面积与晶圆100的第一表面101的面积相同。 [0094] 在一种实施例中，对于步骤S200“采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，以扩大胶层102中第一区域103的面积，第二转速V2大于第一转速V1，且第一区域103内的厚度差小于或等于0.1μm”，还包括如下方式： [0095] S200b、采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，其中，第二时段T2大于或等于10秒。 [0096] 具体的，在匀胶过程中，通过旋转载台，使得晶圆100在第二时段T2内基于第二转速V2旋转，以扩大第一区域103的面积。但第二时段T2过短，会导致边缘区域的较厚胶层102内的胶材粘接力还未等于第二转速V2赋予胶材的离心力，就因第二转速V2的降低或消失而停止移动，进而使得第一区域103扩张不充分，影响了整体胶层102的平均厚度的降低效果，进而影响了晶圆100的利用率。 [0097] 由此，通过设置大于或等于10秒的第二时段T2，能够保证第一区域103的扩张充分，进而保证第一区域103的扩张面积，避免因第二时段T2过短而导致第一区域103扩张不充分，进一步的保证了整体胶层102的平均厚度的降低效果，保证了晶圆100的利用率。 [0098] 在一种实施例中，对于步骤S200“采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，以扩大胶层102中第一区域103的面积，第二转速V2大于第一转速V1，且第一区域103内的厚度差小于或等于0.1μm”，还包括如下方式： [0099] S200c、采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，以扩大胶层102中第一区域103的面积，其中，第一区域103扩大的面积小于或等于晶圆100面积的19％。 [0100] 具体的，在本申请匀胶结束时，较大的第一区域103的面积，使得晶圆100的利用面积增大，其中，由于第一区域103的胶层102具有较小厚度，且厚度均匀性相对较好，而在后续蚀刻进程中，第一区域103所对应的晶圆100区域能够满足蚀刻条件，因此第一区域103所对应的晶圆100区域，便是晶圆100的可利用范围。在本步骤中，设置第一区域103扩大的面积小于或等于晶圆100面积的19％，使得第一区域103在胶层102中的占比增大，进而降低了整体胶层102的平均厚度，进而也使得晶圆100的利用率至多增加19％。 [0101] 在一种实施例中，在第二时段T2内，第一区域103的边缘与晶圆100的边缘之间的距离在第二时段T2内由5000μm降低至500μm。 [0102] 在本实施例中，由于晶圆100在第二时段T2内基于第二转速V2旋转，会使得边缘区域的较厚胶层102向背离回转中心的方向移动，进而扩大了第一区域103的面积。可以理解的，晶圆100的边缘距离第一区域103的边缘之间的距离会随着第一区域103面积的扩大而减小，晶圆100的边缘距离第一区域103的边缘之间的距离由5000μm降低至500μm，削减了边缘区域的较厚胶层102的占比，降低了胶层102的平均厚度，提高晶圆100的利用率。 [0103] 在另一种实施例中，在第二时段T2内，第一区域103的边缘与晶圆100的边缘之间的距离在第二时段T2内由5000μm降低至0μm。请配合参阅图8所示的本申请匀胶方法在步骤S200完成后的晶圆100的另一种结构示意图。由于胶材具有流动性，当第二转速V2赋予边缘区域的较厚胶层102的离心力大于胶材内部之间的粘接力时，胶层102的较厚区域的胶材会从晶圆100的边缘推出晶圆100。在本实施例中，胶层102的边缘区域和中心区域之间的厚度差被消除，使得第一区域103的面积扩大至与晶圆100的第一表面101面积相同，进而提高了晶圆100的利用率。 [0104] 在一种实施例中，对于步骤S200“采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，以扩大胶层102中第一区域103的面积，第二转速V2大于第一转速V1，且第一区域103内的厚度差小于或等于0.1μm”，还包括如下方式： [0105] S200d、采用第二转速V2在第二时段T2内旋转晶圆100，其中，第二时段T2内的胶层102的第一区域103的厚度减小量小于或等于1μm。 [0106] 具体的，在步骤S100结束时，第一区域103的胶层102的粘度相对较高，但该区域的胶层102中的胶材仍具有流动性，可以理解的，在步骤S200中，较高的第二转速V2会降低第一区域103的胶层102的厚度。由此，本步骤中，通过控制在第二时段T2内第一区域103的胶层102厚度减小量小于或等于1μm，能够保证胶层102的厚度，进而控制了胶层102的厚度变化，避免了因厚度变化过大而影响第一区域103的厚度均匀性，进一步的，也保证了后续制程中对晶圆100的蚀刻要求，保证了晶圆100的利用率。 [0107] 在一种实施例中，对于步骤S100“采用第一转速V1在第一时段T1内旋转晶圆100，以使得位于晶圆100中心区域的胶材扩散，并覆盖晶圆100的第一表面101以形成胶层102”之前，还包括如下步骤： [0108] S10、采用初始转速V0在初始时段T0内旋转晶圆100，并向晶圆100的中心区域滴入胶材，其中，初始转速V0小于第一转速V1。 [0109] 具体的，在步骤S100之前，向晶圆100的中心区域滴入胶材，同时旋转载台，使得晶圆100在初始时段T0内基于初始转速V0旋转，以为位于晶圆100的中心区域的胶材提供离心力，以使得滴入晶圆100上的胶材能在离心力的作用下，增大胶材与晶圆100的接触面积，以避免在滴胶过程中因胶材粘度和滴胶口(图中未示出)与第一表面101的位置而堵塞滴胶口，避免滴入晶圆100的第一表面101上的胶材的量减小，进而保证位于晶圆100上的胶材的量，进一步的，保证后续制程中胶层102的厚度，进而保证了晶圆100的利用率。 [0110] 在一种实施例中，对于步骤S300“清洗晶圆100的除第一表面101之外的其余表面，以去除多余的胶材”，包括如下子步骤： [0111] S301、清洗晶圆100的第二表面104和侧壁105，其中，第二表面104背离第一表面101，侧壁105连接于第一表面101和第二表面104之间。 [0112] 具体的，请回看图4，由于胶材具有流动性和粘度，在离心力的作用下，胶材可能会与晶圆100的第二表面104和侧壁105接触，并粘附于晶圆100的第二表面104和侧壁105上。在本步骤中，通过对粘附于晶圆100的第二表面104和侧壁105上的胶材进行清除，以保证晶圆100的表面整洁，以便于后续制程的进行，避免了后续制程中因晶圆100的第二表面104和侧壁105上的胶材而对晶圆100的利用产生影响，保证了晶圆100的利用率。 [0113] 在一种实施例中，对于步骤S301“清洗晶圆100的第二表面104和侧壁105，其中，第二表面104背离第一表面101，侧壁105连接于第一表面101和第二表面104之间”，包括如下子步骤： [0114] S3011、采用第三转速V3在第三时段T3内旋转晶圆100，并向第二表面104和侧壁105喷涂溶剂，以溶解位于第二表面104和侧壁105上的胶材，其中，第三转速V3小于第一转速V1； [0115] S3012、采用第四转速V4在第四时段T4内旋转晶圆100，以甩干喷涂于第二表面104和侧壁105上的溶剂，其中，第四转速V4大于第三转速V3，且小于第二转速V2。 [0116] 具体的，在清洗晶圆100的第二表面104和侧壁105时，由于胶材在经历第一时段T1和第二时段T2之后，胶材的粘度较高。在步骤S3011中采用向第二表面104和侧壁105喷涂溶剂，以溶解位于第二表面104和侧壁105上的胶材，同时，通过旋转载台，使得晶圆100在第三时段T3内基于第三转速V3旋转，使得溶剂能喷涂覆盖位于第二表面104和侧壁105上的所有胶材，以保证晶圆100的表面整洁。 [0117] 当S3011结束后，第二表面104和侧壁105上可能残留有少量的溶剂，由于溶剂能降低胶材的粘度，在后续制程中，该部分溶剂可能会进入第一表面101并与胶层102接触，进而破坏胶层102的厚度均匀性，影响晶圆100的利用率。 [0118] 由此，在步骤S3012中，通过旋转载台，使得晶圆100以大于第三转速V3的第四转速V4旋转，使得残留在晶圆100的第二表面104和侧壁105上的溶剂能够在第四转速V4所提供的离心力的作用下甩离晶圆100，进而保证了晶圆100的第二表面104和侧壁105的干燥，进一步的，保证了第一区域103的胶层102的厚度均匀性，保证了晶圆100的利用率。 [0119] 需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。 [0120] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。 [0121] 应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于本发明所涵盖的范围。 |
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