磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法
| 专利类型 | 发明公开 | 法律事件 | 公开; 实质审查; 授权; |
| 专利有效性 | 有效专利 | 当前状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201480047898.6 | 申请日 | 2014-08-31 |
| 公开(公告)号 | CN105493184A | 公开(公告)日 | 2016-04-13 |
| 申请人 | HOYA株式会社; | 申请人类型 | 企业 |
| 发明人 | 德光秀造; 长大介; 田本宏一; 饭泉京介; | 第一发明人 | 德光秀造 |
| 权利人 | HOYA株式会社 | 权利人类型 | 企业 |
| 当前权利人 | HOYA株式会社 | 当前权利人类型 | 企业 |
| 省份 | 当前专利权人所在省份： | 城市 | 当前专利权人所在城市： |
| 具体地址 | 当前专利权人所在详细地址：日本东京都 | 邮编 | 当前专利权人邮编： |
| 主IPC国际分类 | G11B5/84 | 所有IPC国际分类 | G11B5/84 ; B08B3/08 ; C03C19/00 ; C03C23/00 ; C11D3/26 ; C11D7/32 |
| 专利引用数量 | 7 | 专利被引用数量 | 2 |
| 专利权利要求数量 | 14 | 专利文献类型 | A |
| 专利代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 专利代理人 | 庞东成; 褚瑶杨; |
| 摘要 | 本 发明 提供一种在清洗处理后可得到高平滑表面的磁盘用玻璃 基板 的制造方法。在本发明中，在玻璃基板的镜面 研磨 后，在使 碱 性的清洗液与玻璃基板的表面 接触 而进行清洗的清洗处理中，清洗液含有下述通式I的有机碱，在抑制清洗液中所含有的钠离子和 钾 离子的含量的同时进行清洗处理。通式I：[(R)4N]+OH-(其中，R表示烷基，与N 原子 键合的4个烷基之中的至少一个烷基具有一个以上的羟基(OH基))。 | ||
| 权利要求 | 1.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于， |
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| 说明书全文 | 磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法技术领域背景技术[0002] 作为硬盘驱动器(HDD)等磁盘装置中搭载的信息记录介质的一种，存在有磁盘。磁盘是通过在基板上形成磁性层等薄膜而构成的，作为该基板，以往一直使用铝基板。但是，最近，随着记录的高密度化的要求，与铝基板相比玻璃基板能够使磁头与磁盘的间隔变得更窄，因此玻璃基板所占的比例逐渐提高。另外，对玻璃基板表面高精度地进行研磨以使磁头的悬浮高度尽量下降，由此实现记录的高密度化。近年来，对于HDD的进一步大记录容量化的要求始终在提高，为了实现该要求，对于磁盘用玻璃基板也需要进一步的高品质化，要求更平滑且更洁净的玻璃基板表面。 [0003] 为了实现如上所述的记录的高密度化所需要的低飞行高度(悬浮量)，磁盘表面必须具有高平滑性。为了得到磁盘表面的高平滑性，结果就要求高平滑性的基板表面，因此，需要对玻璃基板表面高精度地进行研磨，但仅仅如此是不够的，还需要通过研磨后的清洗将基板表面的附着异物去除而得到洁净的基板表面。 [0005] 现有技术文献 [0006] 专利文献 [0007] 专利文献1：日本特开2010-86563号公报 发明内容[0008] 发明所要解决的课题 [0009] 现在的HDD已经达到了能够实现每1平方英寸约500千兆字节的记录密度的程度，例如1片2.5英寸型(直径65mm)的磁盘能够收纳约320千兆字节的信息，但还要求实现进一步的记录的高密度化、例如375～500千兆字节、甚至1太字节。伴随着这种近年来的HDD的大容量化的要求，提高基板表面品质的要求变得比迄今为止更加严格。对于面向如上所述的例如375～500千兆字节的磁盘的下一代基板而言，基板对介质特性的影响增大，因此不仅要求改善基板表面的粗糙度，对于不存在由异物附着等导致的表面缺陷的方面，也要求在现有品的水平上进行进一步的改善。 [0010] 下一代基板中基板对介质特性的影响增大的理由如下所述。 [0011] 可以举出磁头的悬浮量(磁头与介质(磁盘)表面的间隙)的大幅降低(低悬浮量化)这样的理由。由此，磁头与介质的磁性层的距离接近，因此能够拾取更小的磁性颗粒的信号，能够实现记录的高密度化。近年来，为了实现现有水平以上的低悬浮量化，在磁头上搭载了DFH(Dynamic Flying Height，动态飞行高度)这样的功能。该功能是在磁头的记录再现元件部的附近设置极小的加热器等加热部、从而仅使记录再现元件部周边朝向介质表面方向突出的功能。今后，利用该DFH功能，磁头的元件部与介质表面的间隙可望极度减小至小于2nm或小于1nm。在这样的状况下，极度减小了基板表面的平均粗糙度，结果，若存在由于以往不成为问题的极小的异物(例如主表面的面内方向的长度为10～40nm左右的小异物)的附着等而略微形成凸状的程度的表面缺陷，则会直接在介质表面形成凸状缺陷，因此磁头碰撞的危险性增高。 [0012] 根据本发明人的研究得知，即使使用以上述专利文献1所公开的方法为代表的现有的各种精密研磨技术、精密清洗技术或者将它们组合使用，也无法兼顾清洗后的低粗糙度和高洁净度。 [0013] 伴随着近年来的HDD的大容量化的要求，提高基板表面品质的要求变得比迄今为止更加严格。直到几年前，对基板表面的平滑性所要求的水平例如以Ra表示还是0.3～0.4nm左右，但目前以Ra表示已要求为0.1～0.2nm左右。即，对于磁盘用玻璃基板而言，目前所要求的平滑性的水平与几年前显著不同，可以预料到将来所要求的水平会进一步提高。 现有的使用无机碱剂的碱清洗法或可设法达到几年前为止所要求的水平，但至少要达到目前所要求的水平，以现有的方法来看是很困难的。简言之，在这样的状况下，利用现有的改善方法来实现基板表面品质的进一步提高是存在极限的。需要说明的是，在此所说的碱性试剂是指溶解于水时显示出碱性的物质。 [0014] 本发明是为了解决这样的现有课题而进行的，其目的在于，第一，提供能够在尽量不使通过精密研磨而得到的高平滑的表面状态劣化的情况下进行清洗处理、结果能够实现超低粗糙度(高平滑性)的磁盘用玻璃基板的制造方法；第二，提供能够在维持通过精密研磨而得到的高平滑性的同时实施高洁净的清洗的磁盘用玻璃基板的制造方法。 [0015] 用于解决课题的手段 [0016] 为了提高基板的洁净度，需要将以往不成为问题的水平的小且牢固固定在基板表面的异物清洗除去，为此，利用pH高(碱性强)的碱试剂进行清洗时能够达到高洁净度，因而优选。其原因在于，pH高的碱试剂对玻璃的表面进行强蚀刻，因此，即使是牢固固定的异物，也能够将其根除。但是，在现有的使用NaOH、KOH等无机碱剂的碱清洗中，若pH升高则对玻璃的蚀刻效果增大，另一方面，清洗会导致基板表面的粗糙度升高，从而无法维持通过精密研磨而得到的超平滑的表面。现有的使用无机碱剂的碱清洗法或可设法达到几年前为止所要求的表面粗糙度水平，但至少要达到与几年前为止相比要求变得格外苛刻的目前所要求的表面粗糙度水平，以现有的方法来看是很困难的。 [0017] 因此，本发明人对于在维持由碱清洗带来的清洗力的状态下抑制基板的表面粗糙度的升高的方法进行了各种途径的尝试。例如，本发明人对有机碱剂的使用进行了研究。但是，即使是有机碱剂，根据其种类的不同，清洗后的表面粗糙也会时大时小。另外发现了，即使是相同的有机碱剂，若产品批次不同，则清洗后的表面粗糙的程度也不同。 [0018] 以往，普遍的认识是碱清洗后的玻璃基板表面的粗糙度升高很大程度地取决于碱性试剂添加所产生的清洗液的碱性的强度(pH)，清洗液的碱性越强则粗糙度升高越大，本发明人对这一点进行了深入研究，结果发现，清洗液中的钠离子、钾离子的存在与碱清洗时的玻璃基板的粗糙度升高显著相关。进一步发现，清洗后的表面粗糙的程度之所以根据有机碱剂的种类、产品批次而不同是由于清洗液中存在的钠离子、钾离子的量不同的影响所致的。例如，四甲基氢氧化铵(TMAH)等有机碱本来不含有钠、钾离子中的任一种，但认为其在工业制造过程中不可避免地混入了钠、钾等，发现这与玻璃基板的表面粗糙有关。 [0019] 以上的结果是，本发明人发现了，通过在抑制清洗液中的钠离子、钾离子的含量以使其不超过例如规定值的同时进行清洗，能够抑制清洗后的玻璃基板表面的粗糙度升高。 [0020] 另外还发现了，特定的有机碱剂适合作为清洗中使用的碱性试剂。 [0021] 本发明人基于所得到的这些技术思想进一步进行了深入研究，结果完成了本发明。 [0022] 即，本发明具有以下的构成。 [0023] (构成1) [0024] 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有由下述通式I表示的有机碱，在抑制清洗液中所含有的钠离子和钾离子的含量的同时进行上述清洗处理。 [0025] 通式I [0026] [(R)4N]+OH- [0027] (其中，R表示烷基，与N原子键合的4个烷基之中的至少一个烷基具有一个以上的羟基(OH基)) [0028] (构成2) [0029] 如构成1所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在上述有机碱中，与N原子键合的4个R之中的至少一个为在未与N原子键合的一侧的末端具有羟基的直链烷基。 [0030] (构成3) [0032] (构成4) [0033] 如构成1～3中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在将上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量抑制为4毫摩尔/升以下的同时进行上述清洗处理。 [0034] (构成5) [0035] 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有由下述通式I表示的有机碱，在使上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量为4毫摩尔/升以下的条件下进行上述清洗处理。 [0036] 通式I [0037] [(R)4N]+OH- [0038] (其中，R表示烷基，与N原子键合的4个烷基之中的至少一个烷基具有一个以上的羟基(OH基)) [0039] (构成6) [0040] 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有下由述通式I表示的有机碱，预先求出上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)相对于上述清洗处理前的增大量与上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量的关系，基于求出的上述关系，确定上述表面粗糙度(Ra)的增大量为0.05nm以下时的上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量，维持使上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量为上述确定的总量以下的条件来进行上述清洗处理。 [0041] 通式I [0042] [(R)4N]+OH- [0043] (其中，R表示烷基，与N原子键合的4个烷基之中的至少一个烷基具有一个以上的羟基(OH基)) [0044] (构成7) [0045] 如构成1～6中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗液进一步含有选自N,N’-四甲基乙二胺和N,N’-四甲基乙二胺的衍生物中的至少一种。 [0046] (构成8) [0047] 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有选自四甲基氢氧化铵、N,N’-四甲基乙二胺和N,N’-四甲基乙二胺的衍生物中的至少一种碱性试剂，为了降低由上述清洗处理导致的上述玻璃基板表面的粗糙，在抑制上述清洗处理中使用的清洗液中所含有的钠离子和钾离子的含量的同时进行上述清洗处理。 [0048] (构成9) [0049] 如构成8所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，在将上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量抑制为4毫摩尔/升以下的同时进行上述清洗处理。 [0050] (构成10) [0051] 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有选自四甲基氢氧化铵、N,N’-四甲基乙二胺和N,N’-四甲基乙二胺的衍生物中的至少一种碱性试剂，在使上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量为4毫摩尔/升以下的条件下进行上述清洗处理。 [0052] (构成11) [0053] 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有选自四甲基氢氧化铵、N,N’-四甲基乙二胺和N,N’-四甲基乙二胺的衍生物中的至少一种碱性试剂，预先求出上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)相对于上述清洗处理前的增大量与上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量的关系，基于求出的上述关系，确定上述表面粗糙度(Ra)的增大量为0.05nm以下时的上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量，维持使上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量为上述确定的总量以下的条件来进行上述清洗处理。 [0054] (构成12) [0055] 如构成1～5、7～10中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)与即将进行上述清洗处理之前的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)之差为0.05nm以内。 [0056] (构成13) [0057] 如构成1～12中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理是在使用含有二氧化硅研磨磨粒的调节至酸性范围的研磨液对上述玻璃基板的主表面进行研磨的研磨工序之后进行的清洗处理。 [0058] (构成14) [0059] 一种磁盘的制造方法，其特征在于，在通过构成1～13中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法制造而成的磁盘用玻璃基板上至少形成磁记录层。 [0060] 发明的效果 [0061] 根据本发明，能够提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该方法能够在尽量不使通过精密研磨而得到的高平滑的表面状态劣化的情况下实施清洗处理，其结果，能够达到超低粗糙度(高平滑性)。另外，根据本发明，能够提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该方法能够在维持通过精密研磨而得到的高平滑性的同时实施高洁净的清洗。根据这样的本发明，能够制造可使基板主表面的粗糙度比以往显著降低、且由异物附着等导致的表面缺陷比现有产品减少的高品质的磁盘用玻璃基板。通过本发明得到的磁盘用玻璃基板可以适合用作特别是对基板表面品质的要求与几年前相比格外严格的目前的磁盘用玻璃基板。另外，利用通过本发明得到的玻璃基板，即使在与搭载有DFH功能的极低悬浮量的设计的磁头进行组合的情况下，也能够得到可长期稳定工作的可靠性高的磁盘。附图说明 [0062] 图1为磁盘用玻璃基板的截面图。 [0063] 图2为磁盘用玻璃基板的整体立体图。 具体实施方式[0064] 以下，对本发明的实施方式详细地进行说明。 [0065] 磁盘用玻璃基板通常经过磨削处理、主表面研磨处理、化学强化处理等来制造。 [0066] 该磁盘用玻璃基板的制造中，首先，通过直接模压由熔融玻璃成型为圆盘状的玻璃基板(玻璃盘)。需要说明的是，除了这样的直接模压以外，也可以从利用下拉法、浮法制造而成的平板玻璃上切割成规定的尺寸而得到玻璃基板(玻璃盘)。接着，对该成型出的玻璃基板(玻璃盘)进行用于提高尺寸精度和形状精度的磨削加工。该磨削加工处理通常使用双面磨削装置，利用金刚石等的硬质磨粒进行玻璃基板主表面的磨削。通过如此对玻璃基板主表面进行磨削，加工为规定的板厚、平坦度，同时得到规定的表面粗糙度。 [0067] 该磨削处理结束后，进行用于得到高精度的主表面(镜面)的研磨处理。作为玻璃基板的研磨方法，优选在供给含有二氧化铈、胶态二氧化硅等金属氧化物的研磨材料的浆料(研磨液)的同时使用聚氨酯等的研磨垫进行研磨。 [0068] 研磨处理中使用的研磨液基本上为研磨材料与作为溶剂的水的组合，进一步根据需要含有用于调节研磨液的pH的pH调节剂或其他的添加剂。 [0069] 特别地，在最终研磨中使用胶态二氧化硅磨粒进行研磨对于实现粗糙度降低是优选的。从研磨效率的方面考虑，研磨液中含有的胶态二氧化硅的研磨磨粒优选使用平均粒径为10～100nm左右的研磨磨粒。特别地，在本发明中，从实现表面粗糙度的进一步降低的方面考虑，抛光研磨处理(后述的后一阶段的第2研磨处理)中使用的研磨液所含有的研磨磨粒优选使用平均粒径为10～40nm左右的研磨磨粒、特别优选10～20nm左右的微细的研磨磨粒。但是，随着研磨磨粒越来越微细，若其暂时吸附到玻璃基板上则难以除去。特别是胶态二氧化硅，由于组成与玻璃基板接近，因而容易发生强吸附。本发明的清洗处理特别是在应用于平均粒径为20nm以下的超微小的胶态二氧化硅研磨磨粒的研磨后时，能够在维持极低的表面粗糙度的状态下将研磨磨粒清洗除去，使玻璃基板表面洁净，因而有效。 [0070] 需要说明的是，在本发明中，上述平均粒径是指将通过光散射法测定的粒度分布中的粉体的集团的总体积作为100％求出累积曲线时、该累积曲线达到50％时的点的粒径(以下称为“累积平均粒径(50％粒径)”)。在本发明中，具体而言，累积平均粒径(50％粒径)为使用粒径-粒度分布测定装置测定得到的值。 [0071] 另外，用于本发明的胶态二氧化硅磨粒可以使用通过将有机硅化合物水解而生成的胶态二氧化硅磨粒。对于这样的磨粒而言，磨粒不易彼此聚集、难以形成粗大颗粒，因此能够使研磨处理后的玻璃基板的表面为极低的粗糙度且划痕等也非常少，但是，与对水玻璃进行离子交换处理而得到的胶态二氧化硅磨粒相比，容易牢固附着在研磨处理后的玻璃基板表面。因此，通过应用本发明的清洗处理，能够在维持极低的表面粗糙度的状态下将研磨磨粒清洗除去，使玻璃基板表面洁净。 [0072] 在本发明中，研磨处理中的研磨方法没有特别限定，例如，使玻璃基板与研磨垫接触，一边供给含有研磨磨粒的研磨液，一边使研磨垫与玻璃基板相对地移动，将玻璃基板的表面研磨成镜面状即可。可以优选使用例如行星齿轮方式的双面研磨装置。 [0073] 特别是作为抛光研磨用的研磨垫，优选为软质抛光材料的研磨垫(绒面革垫)。研磨垫的硬度以ASKER C硬度计优选为60以上且80以下。研磨垫的与玻璃基板的抵接面优选为开口有发泡孔的发泡树脂、特别是发泡聚氨酯。如此进行研磨时，能够将玻璃基板的表面研磨为平滑的镜面状。 [0074] (第1实施方式) [0075] 如上述构成1所述，本发明的第1实施方式的特征在于，在上述玻璃基板主表面的镜面研磨处理之后进行的清洗处理中，为了降低由清洗处理导致的玻璃基板表面的粗糙，使清洗处理中使用的清洗液含有特定的有机碱，并且在抑制清洗液中所含有的钠离子和钾离子的含量的同时进行清洗处理。 [0076] 以往，一般的认识是，碱清洗后的玻璃基板表面的粗糙度升高大大地取决于清洗液的pH，清洗液的碱性越强，粗糙度升高越大，但本发明人发现，不仅是清洗中使用的碱性试剂的碱度，与OH离子配对的阳离子的种类也对粗糙度升高量有大的影响。 [0077] 例如，在使用NaOH、KOH等强碱作为碱性试剂的情况下，虽然可以得到良好的蚀刻作用所带来的异物除去效果，但是清洗后的玻璃基板表面的粗糙度升高大。根据本发明人的研究查明了，该情况下，不仅是这些碱性试剂的碱度，钠离子、钾离子等阳离子的存在也与基板的粗糙度升高有很大关联。 [0078] 因此，本发明人发现，在清洗处理时在抑制清洗液中的钠离子和钾离子的含量(总量)、特别是抑制为4毫摩尔(下文中表示为“mmol”)/L以下的同时(在维持该条件的同时)、即在4mmol/L以下的条件下进行清洗处理是优选的。由此，可以得到由清洗液中含有的作为碱性试剂的OH离子产生的蚀刻作用，另一方面，通过抑制清洗液中的钠离子和钾离子的含量，能够抑制玻璃基板的粗糙度升高。特别优选在将清洗液中的钠离子和钾离子的含量(总量)抑制为2mmol/L以下、进一步优选为1mmol/L以下的同时进行清洗处理。 [0079] 在本发明中，优选以使清洗处理后的玻璃基板的主表面的表面粗糙度Ra为例如0.2nm以下的方式抑制清洗液中所含有的钠离子和钾离子的含量。 [0080] 需要说明的是，清洗液中的钠离子、钾离子的含量可以使用从清洗槽采样得到的清洗液，通过例如离子色谱法、ICP法来考察。另外，实际上，若即将进行清洗处理之前和清洗处理后的清洗液中的钠离子和钾离子的含量均为规定值(4mmol/L)以下，则可以说清洗处理中维持了该条件。 [0081] 本发明人对于在维持碱清洗的清洗力的状态下抑制清洗液中的钠离子和钾离子的含量、从而抑制基板的表面粗糙度的升高的方法进行了摸索，结果发现，优选使用含有特定的碱性试剂、即不含钠和钾中的任意一种成分的碱性试剂的清洗液，特别优选由下述通式I表示的有机碱(以下也称为“本发明的有机碱I”)。 [0082] 通式I [0083] [(R)4N]+OH- [0084] (其中，R表示烷基，与N原子键合的4个烷基之中的至少一个烷基具有一个以上的羟基(OH基)) [0085] 在本发明中，在上述本发明的有机碱I中，与N原子键合的4个R之中的至少一个R优选为在未与N原子键合的一侧的末端具有羟基的直链烷基。此处，为了保持表面的平滑性、在不使粗糙度升高的情况下进行附着物的异物的清洗除去，仅进行玻璃最表层的蚀刻是有效的，需要使其不会进行该程度以上的过度的蚀刻。为此，优选玻璃表面被与玻璃的亲和性高的物质进行表面被覆。在碱性条件下，玻璃被硅烷醇(Si-OH)和带负电的其电离体(Si-O-)覆盖，本发明的有机碱I的物质所具有的羟基与前者的硅烷醇具有藉由氢键的亲和性，利用氮原子上的正电荷和硅烷醇的电离体，具有增强与玻璃的粘接性的效果。并且，在未与N原子键合的一侧的末端具有羟基的情况下容易得到该效果，因而优选。 [0086] 上述R特别优选为在N原子与羟基之间具有2个以上的碳原子的直链烷基。分子内的羟基的个数增加时，一个分子在玻璃表面停留的时间变长，与玻璃表面的亲和性更强，因此带来更高的清洗力。 [0087] 该情况下，N原子与羟基之间的碳原子数优选为6个以下。碳原子数超过6时，分子量、分子的尺寸均变大，清洗中的扩散变慢，因此覆盖玻璃表面的效果减弱，异物再附着的可能性升高，清洗效果减小。 [0088] 作为本发明的有机碱I的具体例，例如可以优选举出胆碱氢氧化物、双(2-羟基乙基)二甲基氢氧化铵、三(2-羟基乙基)甲基氢氧化铵、(3-羟基丙基)三甲基氢氧化铵、(4-羟基丁基)三甲基氢氧化铵、(6-羟基己基)三甲基氢氧化铵、(7-羟基庚基)三甲基氢氧化铵等具有羟基的季铵氢氧化物。当然，本发明并不限定于这些具体例。 [0089] 上述的本发明的有机碱I在水中的溶解性高，溶解于水时显示出强碱性，对玻璃的蚀刻作用所带来的异物除去效果大，尽管如此，却能够抑制由蚀刻导致的表面的粗糙。关于其机理，还不一定明确，考虑如下。 [0090] 即，在钾离子、钠离子的情况下，认为其与玻璃基板表面的OH基(外部硅烷醇基、硅氧烷键(O-Si-O键)水解产生的内部硅烷醇基)结合时，可选择性地提高结合部分的蚀刻速率，因此在玻璃基板表面产生蚀刻速率的不均，导致粗糙度升高，但在上述的本发明的有机碱I的情况下，认为其即使与玻璃表面的OH基结合，也不会引起蚀刻速率的升高。另外认为，通过上述的本发明的有机碱I先与OH基结合，还具有抑制之后在例如清洗处理中从玻璃基板溶出的钠离子、钾离子的结合的效果。由此，通过使清洗液含有上述本发明的有机碱I，并且在抑制清洗液中所含有的钠离子和钾离子的含量的同时进行清洗处理，能够抑制清洗后的基板表面的粗糙度升高。简言之，本发明的有机碱I对二氧化硅表面的吸附作用强，因此其吸附在玻璃基板和二氧化硅磨粒表面，防止两者牢固粘连，同时防止清洗液中的钠离子、钾离子与玻璃基板表面结合，从而防止表面粗糙度升高。因此，能够实现清洗后的玻璃基板的超低粗糙度(高平滑性)，并且还能够得到良好的清洗性，能够达成高洁净度。 [0091] 清洗液的pH只要为碱性就无需特别限制，优选为10以上，更优选设定为11以上。pH小于10时，蚀刻速率降低，因此，为了得到对玻璃的蚀刻作用所带来的异物除去效果，需要花费时间，有时生产率变差。另一方面，pH大于13时，虽然可得到充分的碱清洗作用，但基于碱的蚀刻速率升高，因此，在玻璃组成中含有钠、钾的情况下，它们的溶出量变多，有时需要频繁地进行清洗液中的钠离子和钾离子的调节作业。另外，碱性变得过强，因此操作上也需要注意。 [0092] 清洗液中的本发明的有机碱I的含量无需特别限制，例如优选设定为0.00001～1mol/L的范围。本发明的有机碱I的含量少于0.00001mol/L时，蚀刻速率降低，因此，为了得到对玻璃的蚀刻作用所带来的异物除去效果，需要花费时间，有时生产率变差。另一方面，本发明的有机碱I的含量多于1mol/L时，虽然可得到充分的碱清洗作用，但碱的蚀刻速率升高，因此，在玻璃组成中含有钠、钾的情况下，它们的溶出量变多，有时需要频繁地进行用于抑制清洗液中的钠离子和钾离子的含量的调节作业。另外，碱性变得过强，因此操作上也需要注意。 [0093] 另外，在循环使用清洗液的情况下，在从玻璃基板的溶出导致清洗液中的钠离子、钾离子逐渐增加的情况下，添加捕捉碱金属离子的螯合剂等是有效的。通过添加螯合剂，能够延长清洗液的使用时间，能够降低制造成本。作为螯合剂的例子，例如可以举出N,N’-四甲基乙二胺和N,N’-四甲基乙二胺的衍生物。这些物质具有与钠离子、钾离子螯合的作用，由此能够防止钠离子、钾离子结合在玻璃基板表面从而能够防止表面粗糙度升高。需要说明的是，上述的物质也优选作为本发明的清洗处理所应用的清洗液中使用的碱性试剂，后面详细说明。 [0094] 另外，从清洗处理中通过与玻璃基板表面结合来进行表面保护的观点来看，本发明的有机碱I、例如上述的胆碱氢氧化物等具有羟基的季铵氢氧化物不仅能够与硅烷氢氧化物(电离的硅烷醇)结合，还能够经由羟基与未电离的硅烷醇结合，与不具有羟基的季铵氢氧化物(例如前述的TMAH)相比，其效果强，可以更低的浓度发挥充分的效果。 [0095] 即使如上所述使用不含钠和钾中的任意一种成分的碱性试剂(例如上述的本发明的有机碱I)，在循环使用清洗液的情况下，有时也会由于从玻璃基板溶出而导致清洗液中的钠离子、钾离子逐渐增加。作为抑制或控制清洗液中的钠离子和钾离子的含量的方法，在清洗开始时或清洗中的规定时机对清洗液进行采样等，测定清洗液中的这些离子的含量，在可能超过规定值的情况下，通过添加捕捉上述离子的螯合剂等、水稀释、更换清洗液等手段来降低这些离子的含量，由此可以进行调节。另外，在玻璃基板的成分中含有Na、K的情况下，可以预先掌握清洗时间、批次数(清洗处理次数)与清洗液中的钠离子和钾离子的浓度的关系，基于所掌握的关系进行调节钠离子和钾离子的含量的处理。 [0096] 在本发明中，在对玻璃成分中含有钠、钾等碱金属成分的玻璃基板进行清洗的情况下，优选在将包括由玻璃成分的溶出产生的碱清洗液中的钠离子和钾离子量在内的清洗液中的含量抑制为4mmol/L以下的同时进行清洗处理。 [0097] 作为与本发明的第1实施方式相关的其他实施方式，为一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有由上述通式I表示的有机碱，预先求出上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)相对于上述清洗处理前的增大量与上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量的关系，基于求出的上述关系，确定上述表面粗糙度(Ra)的增大量为0.05nm以下时的上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量，维持使上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量为上述确定的总量以下的条件来进行上述清洗处理。 [0098] 根据这样的实施方式，能够按照使由清洗导致的玻璃基板表面的粗糙度增大量为规定值以下的方式进行清洗处理。 [0099] 另外，为了防止在本发明的有机碱I的清洗作用下从基板表面除去的异物再附着于基板表面、提高清洗效果，可以在清洗液中适当含有表面活性剂、螯合剂、分散剂等添加剂。 [0100] 作为本发明中可以优选使用的表面活性剂，例如可以举出烷基硫酸酯钠、脂肪酸钠、烷基芳基磺酸盐等阴离子表面活性剂、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯衍生物等非离子表面活性剂。另外，作为螯合剂，例如可以举出EDTA等氨基羧酸、柠檬酸等有机酸等。此外，作为分散剂，可以举出例如磷酸盐、硫酸盐、高分子分散剂等。需要说明的是，在向清洗液中添加表面活性剂、螯合剂、分散剂时，需要注意使导致玻璃基板的表面粗糙的钠离子、钾离子这两种离子的浓度为上述范围内(4mmol/L以下)。这两种阳离子可能含有在添加剂的分子结构中或作为杂质而含有。因此，这些添加剂优选至少在分子结构中不含上述两种离子。 [0101] 这些表面活性剂、螯合剂、分散剂等添加剂通常以钾盐、钠盐的形式进行调配，因此，在清洗液中含有这些添加剂的情况下，也优选在将清洗液中的钠离子和钾离子的含量抑制为例如4mmol/L以下的同时进行清洗处理。需要说明的是，在这样的情况下，优选使用例如四甲基铵离子等季铵阳离子而形成季铵盐。通过形成季铵盐，能够在不增加钠离子、钾离子的量的情况下增加添加量。另外，在添加剂的制造工序中钠、钾作为杂质不可避免地混入的情况下，优选使用利用离子交换树脂等进行了纯化处理后的添加剂以减少该离子的量。 [0102] 上述清洗处理通常通过使例如研磨处理结束后的玻璃基板与容纳有含有碱性试剂(例如上述的本发明的有机碱I)、必要的添加剂的清洗液的清洗槽接触(例如浸渍)来进行。此时，为了提高清洗效果，也优选施加超声波。清洗液的液温、清洗时间等可以根据清洗的效果兼顾生产率来适当设定。 [0103] (第2实施方式) [0104] 如上述构成8所述，本发明的第2实施方式的特征在于，在上述玻璃基板主表面的镜面研磨工序之后进行的清洗处理中，为了降低由清洗处理导致的玻璃基板表面的粗糙，清洗处理中使用的清洗液含有选自四甲基氢氧化铵、N,N’-四甲基乙二胺和N,N’-四甲基乙二胺的衍生物中的至少一种碱性试剂，在抑制清洗处理所使用的清洗液中含有的钠离子和钾离子的含量的同时进行清洗处理。 [0105] 本发明人对于在维持碱清洗带来的清洗力的状态下抑制基板的表面粗糙度的升高的方法进行了摸索，结果发现，作为特定的碱性试剂、即不含钠和钾中的任意一种成分的碱性试剂，除了上述第1实施方式中使用的“本发明的有机碱I”以外，也优选四甲基氢氧化铵(以下简称为“TMAH”)、N,N’-四甲基乙二胺(以下简称为“TMEDA”)、TMEDA的衍生物等有机碱剂。 [0106] 此处所说的TMEDA的衍生物例如为TMEDA的甲基为H(氢)或烷基的衍生物、聚(或低聚)乙二胺、聚(或低聚)乙烯亚胺。作为TMEDA衍生物的具体例，可以举出N,N,N’,N”,N”-五甲基二亚乙基三胺、三[2-(二甲氨基)乙基]胺等。 [0107] 上述的TMEDA、TMEDA衍生物、TMAH等有机碱剂(以下也称为“本发明的有机碱II”)在水中的溶解性高，溶解于水时显示出强碱性，对玻璃的蚀刻作用所带来的异物除去效果大，尽管如此，却能够抑制由蚀刻导致的表面的粗糙。关于其机理，还不一定明确，考虑如下。 [0108] 即，在钾离子、钠离子的情况下，认为其与玻璃基板表面的OH基(外部硅烷醇基、硅氧烷键(O-Si-O键)水解产生的内部硅烷醇基)结合时，可选择性地提高结合部分的蚀刻速率，因此在玻璃基板表面产生蚀刻速率的不均，导致粗糙度升高，但在上述的有机碱剂的情况下，认为其即使与玻璃表面的OH基结合，也不会引起蚀刻速率的升高。另外认为，通过上述的有机碱剂先与OH基结合，还具有抑制之后的钠离子、钾离子结合的效果。由此，通过在抑制清洗液中所含有的钠离子和钾离子的含量的同时进行清洗处理，能够抑制清洗后的基板表面的粗糙度升高。因此，能够实现清洗后的玻璃基板的超低粗糙度(高平滑性)，并且还能够得到良好的清洗性，能够达成高洁净度。 [0109] 清洗液的pH只要为碱性就无需特别限制，优选为10以上，更优选设定为11以上。pH小于10时，蚀刻速率降低，因此，为了得到对玻璃的蚀刻作用所带来的异物除去效果，需要花费时间，有时生产率变差。另一方面，pH大于13时，虽然可得到充分的碱清洗作用，但碱的蚀刻速率升高，因此，在玻璃组成中含有钠、钾的情况下，它们的溶出量变多，有时需要频繁地进行清洗液中的钠离子和钾离子的调节作业。另外，有时要求非常严密的控制的基板的内径、外径会产生偏差，从而偏离规定的范围。另外，碱性变得过强，因此操作上也需要注意。 [0110] 清洗液中的本发明的有机碱II的含量无需特别限制，例如优选设定为0.00001～1mol/L的范围。有机碱II的含量少于0.00001mol/L时，蚀刻速率降低，因此，为了得到对玻璃的蚀刻作用所带来的异物除去效果，需要花费时间，有时生产率变差。另一方面，有机碱II的含量多于1mol/L时，虽然可得到充分的碱清洗作用，但碱的蚀刻速率升高，因此，在玻璃组成中含有钠、钾的情况下，它们的溶出量变多，有时需要频繁地进行清洗液中的钠离子和钾离子的调节作业。另外，有时要求非常严密的控制的基板的内径、外径会产生偏差，从而偏离规定的范围。另外，碱性变得过强，因此操作上也需要注意。 [0111] 另外，上述碱性试剂具有捕捉钠离子、钾离子的螯合效果时更为有效，例如作为有机碱剂的TMEDA溶解于水时显示出强碱性，同时对清洗液中的钠离子、钾离子具有螯合作用。TMEDA通过与钠离子、钾离子螯合配位而抑制该离子接近玻璃基板表面，因此，能够抑制玻璃基板表面的粗糙。另外，TMEDA会与在循环使用清洗液对含有Na、K的玻璃基板进行连续清洗时逐渐溶出到清洗液中的Na离子、钾离子进行螯合配位，因此，能够长期具有抑制清洗液的表面粗糙度升高的效果。因此，从清洗液的生命周期的方面考虑，TMEDA比TMAH更有效。出于上述理由，更优选使用TMEDA等具有螯合作用的有机碱剂。 [0112] 作为与本发明的第2实施方式相关的其他实施方式，为一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其包括使碱性的清洗液与研磨成镜面的玻璃基板的表面接触而进行清洗的清洗处理，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，上述清洗处理中使用的清洗液含有选自四甲基氢氧化铵、N,N’-四甲基乙二胺和N,N’-四甲基乙二胺的衍生物中的至少一种碱性试剂，预先求出上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)相对于上述清洗处理前的增大量与上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量的关系，基于求出的上述关系，确定上述表面粗糙度(Ra)的增大量为0.05nm以下时的上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量，维持使上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量为上述确定的总量以下的条件来进行上述清洗处理。 [0113] 根据这样的实施方式，能够按照使由清洗导致的玻璃基板表面的粗糙度增大量为规定值以下的方式进行清洗处理。 [0114] 需要说明的是，在第2实施方式中，关于可应用与上述第1实施方式同样的构成的方面，在此省略了重复说明。 [0115] 另外，在本发明中，将上述第1实施方式中使用的本发明的有机碱I与上述第2实施方式中使用的TMEDA、TMEDA衍生物合用也是优选的实施方式。由此，能够大幅改善清洗液的可连续处理时间。推测这是由本发明的有机碱I所产生的对玻璃基板和二氧化硅磨粒表面的吸附效果与TMEDA等对从玻璃基板溶出的钠离子、钾离子的螯合效果的协同效果所导致的。 [0116] 在本发明的上述实施方式1、2中，可使由清洗处理导致的表面粗糙度(Ra)的增加量、即清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)与即将进行清洗处理之前的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)之差(ΔRa)为0.05nm以下，还可使上述表面粗糙度的增加量更优选为0.04nm以下、进一步优选为0.03nm以下。 [0117] 另外，虽然还取决于研磨后的表面粗糙度，但可使清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)为0.2nm以下，还可使上述表面粗糙度更优选为0.18nm以下、进一步优选为0.15nm以下。 [0118] 需要说明的是，如上所述，通常，研磨处理一般经过用于将在磨削处理中残留的伤痕、变形除去的第1研磨处理、以及在维持该第1研磨处理中得到的平坦表面的同时将玻璃基板主表面的表面粗糙度加工为平滑的镜面的第2研磨处理这两个阶段来进行(其中，有时也会进行3阶段以上的多阶段研磨)，该情况下，优选至少将本发明的清洗处理应用于后一阶段的第2研磨处理、即在研磨处理中的最终研磨处理之后进行的清洗处理。特别优选将本发明的清洗处理应用于在使用含有胶态二氧化硅的研磨磨粒的调节至酸性范围的研磨液对玻璃基板的主表面进行研磨的研磨处理之后进行的清洗处理。在以酸性条件对玻璃基板进行研磨的情况下，与以碱性条件进行研磨的情况相比，虽然能够减少研磨后的异物附着量，但是在由酸产生的浸析作用下，一部分元素从玻璃基板表面脱出，之后，在利用碱性的清洗液实施清洗时，蚀刻作用产生不均，清洗后的玻璃基板表面容易大幅粗糙。因此，通过应用本发明，能够得到低粗糙度且洁净性高的玻璃基板。 [0119] 在本发明中，构成玻璃基板的玻璃(的种类)优选为铝硅酸盐玻璃。另外，进一步优选为非晶铝硅酸盐玻璃。这样的玻璃基板通过对表面进行镜面研磨，能够加工成平滑的镜面，并且加工后的强度良好。作为这样的铝硅酸盐玻璃，可以使用含有SiO2为58重量％以上且75重量％以下、Al2O3为5重量％以上且23重量％以下、Li2O为3重量％以上且10重量％以下、Na2O为4重量％以上且13重量％以下作为主要成分的铝硅酸盐玻璃。 [0120] 此外，例如可以为含有62重量％以上且75重量％以下的SiO2、5重量％以上且15重量％以下的Al2O3、4重量％以上且10重量％以下的Li2O、4重量％以上且12重量％以下的Na2O、5.5重量％以上且15重量％以下的ZrO2作为主要成分、同时Na2O/ZrO2的重量比为0.5以上且2.0以下、Al2O3/ZrO2的重量比为0.4以上且2.5以下的不含磷氧化物的非晶铝硅酸盐玻璃。 [0121] 另外，有时要求作为下一代基板的特性的耐热性。作为该情况下的耐热性玻璃，例如可以优选使用如下玻璃：以摩尔％表示含有50～75％的SiO2、0～6％的Al2O3、0～2％的BaO、0～3％的Li2O、0～5％的ZnO、合计为3～15％的Na2O和K2O、合计为14～35％的MgO、CaO、SrO和BaO、合计为2～9％的ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Yb2O3、Ta2O5、Nb2O5和HfO2，摩尔比[(MgO+CaO)/(MgO+CaO+SrO+BaO)]为0.85～1的范围，且摩尔比[Al2O3/(MgO+CaO)]为0～0.30的范围。 [0122] 在本发明中，上述研磨处理后的玻璃基板的表面的算术平均表面粗糙度Ra优选为0.20nm以下、特别优选为0.15nm以下、进一步特别优选为0.10nm以下。此外，最大粗糙度Rmax优选为2.0nm以下、特别优选为1.5nm以下、进一步特别优选为1.0nm以下。需要说明的是，在本发明中说到Ra、Rmax时，是指依据日本工业标准(JIS)B0601(1982)计算出的粗糙度。 [0124] 在本发明中，在研磨处理之前或之后，优选实施化学强化处理。作为化学强化处理的方法，例如优选在不超过玻璃化转变点的温度的温度范围内进行离子交换的低温型离子交换法等。所谓化学强化处理为如下的处理：通过使熔融的化学强化盐与玻璃基板接触，将化学强化盐中的原子半径相对较大的碱金属元素与玻璃基板中的原子半径相对较小的碱金属元素进行离子交换，使该离子半径大的碱金属元素渗透到玻璃基板的表层，在玻璃基板的表面产生压缩应力。经化学强化处理的玻璃基板的耐冲击性优异，因此，例如特别优选搭载于移动用途的HDD。作为化学强化盐，可以优选使用硝酸钾、硝酸钠等碱金属硝酸盐的熔融盐。 [0125] 通过本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法，得到如图1和图2所示具有两主表面11、11和位于两主表面之间的外周侧端面12、内周侧端面13的盘状的玻璃基板1。外周侧端面12包含侧壁面12a、位于侧壁面12a与其两侧的主表面之间的倒角面12b、12b。关于内周侧端面13，也为同样的形状。 [0126] 另外，本发明还提供使用了上述磁盘用玻璃基板的磁盘的制造方法。 [0127] 本发明中的磁盘通过在本发明的磁盘用玻璃基板上至少形成磁记录层(磁性层)来制造。作为磁性层的材料，可以使用各向异性磁场强的六方晶系的CoCrPt系或CoPt系强磁性合金。作为磁性层的形成方法，优选使用通过溅射法、例如DC磁控溅射法在玻璃基板上对磁性层进行成膜的方法。 [0128] 另外，可以在磁记录层上形成保护层、润滑层等。作为保护层，优选非晶碳系保护层。另外，作为润滑层，可以使用在全氟聚醚化合物的主链的末端具有官能团的润滑剂。 [0129] 通过使用由本发明得到的磁盘用玻璃基板，能够得到可靠性高的磁盘。 [0130] 实施例 [0131] 以下举出实施例，具体地对本发明的实施方式进行说明。另外，也列举出与本发明的实施例相对的比较例来进行说明。需要说明的是，本发明不限定于以下实施例。 [0132] (实施例1) [0133] 经过如下的(1)粗磨削处理、(2)形状加工处理、(3)精磨削处理、(4)端面研磨处理、(5)主表面第1研磨处理、(6)化学强化处理、(7)主表面第2研磨处理、(8)清洗处理，制造了样品1-1的磁盘用玻璃基板。 [0134] (1)粗磨削处理 [0135] 首先，使用上模、下模、筒形模具通过直接模压由熔融玻璃得到直径 厚度1.0mm的圆盘状的由铝硅酸盐玻璃构成的玻璃基板。需要说明的是，除了这样的直接模压以外，也可以从通过下拉法、浮法制造的平板玻璃切出规定的尺寸而得到玻璃基板。作为该铝硅酸盐玻璃，使用了含有SiO2：58～75重量％、Al2O3：5～23重量％、Li2O：3～10重量％、Na2O： 4～13重量％的化学强化用玻璃。 [0136] 接着，为了提高尺寸精度和形状精度，对该玻璃基板进行粗磨削处理。该粗磨削处理使用双面磨削装置且使用游离磨粒来进行。具体而言，使由载具保持的玻璃基板与上下定盘之间密合，适当地设定负荷，使上述磨削装置的太阳齿轮和内齿轮旋转，由此对收纳于载具内的玻璃基板的双面进行磨削加工。 [0137] (2)形状加工处理 [0138] 接着，使用圆筒状的磨石在玻璃基板的中央部分开孔，同时进行外周端面的磨削，使直径为 后，对外周端面和内周端面实施规定的倒角加工。需要说明的是，在2.5英寸型HDD(硬盘驱动器)中，一般使用外径为65mm的磁盘。 [0139] (3)精磨削处理 [0140] 该精磨削处理如下进行：使用双面磨削装置，使由载具保持的玻璃基板紧贴在利用丙烯酸类树脂将金刚石磨粒固定的粘贴有颗粒的上下定盘之间来进行精磨削处理。 [0141] 具体而言，使上述磨削装置的太阳齿轮和内齿轮旋转，由此对收纳于载具内的玻璃基板的双面进行磨削加工。 [0142] (4)端面研磨处理 [0143] 接着，通过刷光研磨，在使玻璃基板旋转的同时对玻璃基板的端面(内周、外周)的表面进行镜面研磨。 [0144] (5)主表面第1研磨处理 [0145] 接着，使用双面研磨装置进行了用于将上述磨削处理中残留的伤痕、变形除去的第1研磨处理。在双面研磨装置中，使由载具保持的玻璃基板紧贴在粘贴有研磨垫的上下研磨定盘之间，使该载具与太阳齿轮和内齿轮啮合，利用上下定盘夹压上述玻璃基板。之后，向研磨垫与玻璃基板的研磨面之间供给研磨液并使各齿轮旋转，由此利用行星齿轮机构使玻璃基板在上下定盘上一边自转一边公转，从而同时对双面进行研磨加工。具体而言，使用硬质抛光材料(硬质发泡氨基甲酸酯)作为抛光材料，实施第1研磨处理。作为研磨液，使用以二氧化铈(平均粒径(50％粒径)1μm)作为研磨剂以10重量％分散于水中而成的研磨液。2 对玻璃基板表面施加的负荷为100g/cm、研磨时间为15分钟。 [0146] (6)化学强化处理 [0147] 接着，对结束了上述清洗的玻璃基板实施化学强化处理。化学强化处理如下进行：准备将硝酸钾与硝酸钠混合并使其熔融而成的化学强化液，对玻璃基板进行浸渍。 [0148] (7)主表面第2研磨处理 [0149] 接着，使用与上述第1研磨处理中使用的双面研磨装置同样的双面研磨装置，将抛光材料替换为软质抛光材料(绒面革)的研磨垫(以ASKER C硬度计为72的发泡聚氨酯)来实施第2研磨处理。该第2研磨处理是在维持上述第1研磨处理中得到的平坦表面的同时将例如玻璃基板主表面加工成表面粗糙度以Ra表示为0.2nm以下的平滑镜面的镜面研磨加工。作为研磨液，使用在以胶态二氧化硅(平均粒径(50％粒径)15nm)作为研磨剂以10重量％分散于水中而成的溶液中添加硫酸而调节为酸性(pH＝2)的研磨液。需要说明的是，负荷为 100g/cm2，研磨时间为10分钟。 [0150] 需要说明的是，此处，为了考察研磨后的表面粗糙度Ra，从同一批次中抽取1片基板，仅进行1200秒水清洗，干燥后，利用AFM在上述条件下测定，结果Ra为0.15nm。但是，在基板表面大量附着有胶态二氧化硅的颗粒，作为产品为不合格的水平。 [0151] (8)清洗处理 [0152] 接着，对完成了上述第2研磨处理的玻璃基板实施清洗处理。具体而言，在容纳有在纯水中添加有作为碱清洗剂的上述四甲基氢氧化铵(TMAH)以使pH为12.5的清洗液(TMAH浓度：约0.3mmol/L)的清洗槽(液温为常温)中，在施加超声波的同时浸渍600秒。需要说明的是，清洗液是循环使用的。 [0153] 此时，TMAH使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的TMAH。需要说明的是，对该清洗液进行采样，使用离子色谱法考察Na离子和K离子的浓度，结果均未检出。 [0154] 之后，将玻璃基板浸渍到另一清洗槽(纯水、常温)中，进行600秒的超声波清洗，并干燥。 [0155] 对于经过上述各处理后得到的100片玻璃基板(样品1-1)，利用原子力显微镜(AFM)测定上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)，求出与第2研磨处理后(清洗处理前)相比的Ra的增加量(设为ΔRa)，结果为0.04nm。将其结果示于表1。需要说明的是，上述表面粗糙度的值为所制造的100片玻璃基板的平均值。 [0156] (样品1-2) [0157] 作为上述清洗处理的清洗液，含有2mmol/L的NaOH且调节TMAH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0158] (样品1-3) [0159] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的胆碱氢氧化物来代替TMAH、且调节胆碱氢氧化物的量以使pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0160] (样品1-4) [0161] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的胆碱氢氧化物来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品1-2同样地进行清洗处理。 [0162] (样品1-5) [0163] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的双(2-羟基乙基)二甲基氢氧化铵来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0164] (样品1-6) [0165] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的三(2-羟基乙基)甲基氢氧化铵来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0166] (样品1-7) [0167] 作为上述清洗处理的清洗液，使用NaOH代替TMAH且调节NaOH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。该清洗液中的Na离子的浓度为约300mmol/L。 [0168] (样品1-8) [0169] 作为上述清洗处理的清洗液，使用KOH代替TMAH且调节KOH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。该清洗液中的K离子的浓度为约300mmol/L。 [0170] (样品1-9) [0171] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的(3-羟基丙基)三甲基氢氧化铵来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0172] (样品1-10) [0173] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的(4-羟基丁基)三甲基氢氧化铵来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0174] (样品1-11) [0175] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的(6-羟基己基)三甲基氢氧化铵来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0176] (样品1-12) [0177] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的(7-羟基庚基)三甲基氢氧化铵来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品1-1同样地进行清洗处理。 [0178] 对于上述样品1-2～1-12，也与样品1-1同样地测定表面粗糙度的增加量(ΔRa)，将结果汇总于表1。需要说明的是，表1中的“清洗液中的Na离子和K离子的合计浓度”为清洗处理即将开始之前的浓度，在清洗处理完成后对玻璃基板(在本实施例中为100片)测定浓度，确认除了样品1-7、1-8以外，浓度为与清洗处理前相同的值。 [0179] [表1] [0180] [0181] 由表1的结果可知，为了使清洗处理后的玻璃基板的主表面的表面粗糙度Ra降低至规定值以下，在清洗液中含有TMAH或本发明的有机碱I(样品1-3～1-6、1-9～1-12)、同时控制清洗液所含有的钠离子和钾离子的含量是有效的。 [0182] 另外，由样品1-1、1-2与样品1-3、1-4的对比可知，与TMAH相比，使用本发明的有机碱I(例如胆碱氢氧化物)作为碱性试剂时能够进一步降低表面粗糙度的增加量，因此优选。如上所述，本发明的有机碱I中具有羟基，因此吸附到玻璃基板表面的硅烷醇基上来抑制Na离子、K离子与该硅烷醇基接近的效果比不具有羟基的TMAH强，其结果，认为抑制粗糙度增加的效果高。 [0183] 另外，由样品1-5、1-6、1-9～1-12的结果可知，在有机碱I的分子中的N原子与羟基之间的碳原子数为6个以下时，ΔRa最小，因而优选。 [0184] 另外，若清洗液中含有NaOH或KOH的碱性试剂(样品1-7、1-8)，则清洗后的基板的粗糙度升高显著。 [0185] 进一步，在样品1-3的条件下连续地进行玻璃基板的制造，在循环使用相同的清洗液的情况下计数可连续处理的批数(作为实验1)。可连续处理的判断如下进行：按批计算出ΔRa，在ΔRa维持0.05nm以下时判断为可连续处理。 [0186] 使用仅使用TMEDA代替样品1-3的胆碱氢氧化物作为有机碱且调节pH为12.5的清洗液，除此以外，进行与实验1同样的处理，计数可连续处理的批数(作为实验2)。 [0187] 使用在胆碱氢氧化物0.2mmol的基础上适当添加TMEDA作为有机碱且调节pH为12.5的清洗液(Na离子、K离子的含量为检测限以下)，除此以外，进行与实验1同样的处理，计数可连续处理的批数(作为实验3)。 [0188] 将实验1的计数设为1，对上述实验1～3中得到的结果进行相对比较。将结果示于表2。数值越大，清洗液的可连续处理时间越长，从降低制造成本的方面考虑是优选的。 [0189] [表2] [0190] [0191] 首先，将实验1与实验2进行比较时，实验1在第1批的ΔRa方面略小因而良好，但是在清洗液的可连续处理时间方面，实验2与实验1相比观察到改善。推测这是由TMEDA的螯合效果所导致的。另一方面，在实验3中大幅改善至1.6倍。推测这是由胆碱氢氧化物产生的对玻璃基板和二氧化硅磨粒表面的吸附效果与TMEDA对从玻璃基板溶出的Na离子、K离子的螯合效果的协同效果所导致的。 [0192] (实施例2) [0193] 与实施例1同样地，经过(1)粗磨削处理、(2)形状加工处理、(3)精磨削处理、(4)端面研磨处理、(5)主表面第1研磨处理、(6)化学强化处理、(7)主表面第2研磨处理、(8)清洗处理，制造了实施例(样品2-1)的磁盘用玻璃基板。需要说明的是，关于(1)粗磨削处理～(7)主表面第2研磨处理，与实施例1同样地进行处理。另外，关于(8)清洗处理，如下进行处理。 [0194] (8)清洗处理 [0195] 对结束了上述第2研磨处理的玻璃基板实施清洗处理。具体而言，在容纳有在纯水中添加TMAH作为碱清洗剂且使pH为12.5的清洗液(TMAH浓度约0.3mmol/L)的清洗槽(液温为常温)中，在施加超声波的同时浸渍600秒。需要说明的是，清洗液是循环使用的。 [0196] 此时，TMAH使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的TMAH。需要说明的是，对该清洗液进行采样，使用离子色谱法考察Na离子和K离子的浓度，结果均未检出。 [0197] 之后，将玻璃基板浸渍到另一清洗槽(纯水、常温)中，进行600秒的超声波清洗，并干燥。 [0198] 对于经过上述各处理后得到的100片玻璃基板(样品2-1)，利用原子显微镜(AFM)测定上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)，求出与第2研磨处理后(清洗处理前)相比的Ra的增加量(设为ΔRa)，结果为0.04nm。将其结果示于表3。需要说明的是，上述表面粗糙度的值为所制造的100片玻璃基板的平均值。 [0199] 另外，对所得到的100片玻璃基板(样品2-1)进行异物数评价。评价如下进行：利用激光式表面分析装置扫描所得到的玻璃基板的主表面，计数凸状缺陷(由异物附着导致的凸状缺陷)，对清洗后的洁净性进行评价。其结果，计数为100以下(下述判定基准中的级别2)，为良好。需要说明的是，上述计数为所制造的100片玻璃基板的每1面的平均值。需要说明的是，基于下述判定基准对结果进行判定。 [0200] <异物数判定基准> [0201] 级别1：50个以下 [0202] 级别2：多于50个且为100个以下 [0203] 级别3：多于100个且为150个以下 [0204] 级别4：多于150个 [0205] (级别1、2为合格) [0206] (样品2-2) [0207] 作为上述清洗处理的清洗液，含有1mmol/L的KOH且调节TMAH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0208] (样品2-3) [0209] 作为上述清洗处理的清洗液，含有2mmol/L的NaOH且调节TMAH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0210] (样品2-4) [0211] 作为上述清洗处理的清洗液，含有2mmol/L的KOH且调节TMAH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0212] (样品2-5) [0213] 作为上述清洗处理的清洗液，含有4mmol/L的NaOH且调节TMAH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0214] (样品2-6) [0215] 作为上述清洗处理的清洗液，含有2mmol/L的NaOH和2mmol/L的KOH、且调节TMAH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0216] (样品2-7) [0217] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的TMEDA来代替TMAH、且调节TMEDA的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0218] (样品2-8) [0219] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的TMEDA来代替TMAH、且调节pH为12.5，除此以外，与样品2-4同样地进行清洗处理。 [0220] (样品2-9) [0221] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的TMEDA来代替TMAH、且调节pH为12.5，除此以外，与样品2-6同样地进行清洗处理。 [0222] (样品2-10) [0223] 作为上述清洗处理的清洗液，使用含有合计为6mmol/L的Na离子和K离子作为杂质的TMAH来代替TMAH、且调节该TMAH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。需要说明的是，推定该杂质是在TMAH的制造过程中产生的。 [0224] (样品2-11) [0225] 作为上述清洗处理的清洗液，使用NaOH代替TMAH且调节NaOH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。该清洗液中的Na离子的浓度为约300mmol/L。 [0226] (样品2-12) [0227] 作为上述清洗处理的清洗液，使用KOH代替TMAH且调节KOH的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。该清洗液中的K离子的浓度为约300mmol/L。 [0228] (样品2-13) [0229] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的N,N,N’,N”,N”-五甲基二亚乙基三胺来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0230] (样品2-14) [0231] 作为上述清洗处理的清洗液，使用不含Na离子和K离子中的任意一种(检测限以下)的三[2-(二甲氨基)乙基]胺来代替TMAH且调节pH为12.5，除此以外，与样品2-1同样地进行清洗处理。 [0232] (样品2-15) [0233] 作为上述清洗处理的清洗液，添加作为阴离子表面活性剂的十二烷基苯磺酸四甲基铵(季铵阳离子盐)100mmol/L、且调节TMEDA的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-7同样地进行清洗处理。需要说明的是，该清洗液中未检测出Na离子和K离子中的任意一种。 [0234] (样品2-16) [0235] 在上述清洗处理的清洗液中，添加作为阴离子表面活性剂的十二烷基苯磺酸钠(钠盐)100mmol/L，且调节TMEDA的量以使pH为12.5，除此以外，与样品2-7同样地进行清洗处理。该清洗液中的Na离子的浓度为约100mmol/L。 [0236] 对于上述样品2-2～2-16，也与样品2-1同样地计数表面粗糙度的增加量(ΔRa)和异物数，将结果归纳于表3和表4。需要说明的是，表3中的“清洗液中的Na离子和K离子的合计浓度”为清洗处理即将开始之前的浓度，在清洗处理完成后对玻璃基板(在本实施例中为100片)测定浓度，确认除了样品2-10～2-12以外，浓度为与清洗处理前相同的值。另外，关于未在表3中示出结果的样品的异物数判定结果，除了样品2-11和2-12为级别1以外，均为级别2，全部合格。 [0237] [表3] [0238] [0239] 由表3的结果可知，为了将清洗处理后的玻璃基板的主表面的表面粗糙度Ra降低至规定值以下，需要控制清洗液中所含有的钠离子和钾离子的含量。特别是为了使表面粗糙度的增加量(ΔRa)为0.05nm以下，优选在将清洗液中的钠离子和钾离子的总量(合计含量)抑制为4mmol/L以下的同时进行清洗处理。 [0240] 另外，在像样品2-10那样使用TMAH作为碱性试剂的情况下，也含有大量Na离子、K离子作为杂质，清洗液中的钠离子和钾离子的含量大于4mmol/L时，ΔRa增大，不优选。需要说明的是，样品2-10中使用了TMAH作为碱性试剂，在使用本发明的有机碱I的情况下也同样，清洗液中的钠离子和钾离子的含量大于4mmol/L时，ΔRa增大，不优选。 [0241] 另外，由样品2-4、2-6与样品2-8、2-9的对比可知，与TMAH相比，使用TMEDA作为碱性试剂时，能够减少表面粗糙度的增加量，因而优选。认为TMEDA具有如上所述吸附到玻璃基板表面的硅烷醇基上而抑制Na离子、K离子与该硅烷醇基接近的效果、以及对Na离子和K离子的螯合作用这两种效果，因此认为其抑制粗糙度增加的效果比不具有螯合作用的TMAH高。 [0242] 对于TMEDA是有利的这一点进一步进行了确认。在样品2-1、2-7、2-13、2-14的条件下，进行100批的连续清洗试验(1批为25片)而不更换清洗液，对第100批的玻璃基板进行ΔRa的比较，结果与第1批相比样品2-1(TMAH)的ΔRa增加了0.01nm，而在样品2-7、2-13、2-14的条件下，ΔRa与第1批相同。认为在样品2-7、2-13、2-14的条件下，TMEDA、TMEDA的衍生物与从玻璃溶出的Na离子进行螯合配位，由此抑制了粗糙度的增加。 [0243] [表4] [0244] [0245] 由表4的结果可知，通过在碱性试剂中添加阴离子表面活性剂来进行清洗处理，能够进一步提高玻璃基板表面的洁净性。但是，若表面活性剂中含有Na离子，则清洗液中的Na离子的含量会变得非常大，因此，其结果是表面粗糙度增大。Na离子多在阴离子表面活性剂等阴离子系添加剂中用作抗衡离子，可知其在本发明这样的碱性条件下利用蚀刻作用进行清洗时，会成为引起表面粗糙度增大的原因。 [0246] (磁盘的制造) [0247] 对上述中得到的样品1-3和样品2-7的磁盘用玻璃基板分别实施以下的成膜工序，得到垂直磁记录用磁盘。 [0248] 即，在上述玻璃基板上依次形成由CrTi系合金薄膜构成的附着层、由CoTaZr合金薄膜构成的软磁性层、由NiW构成的籽晶层、由Ru薄膜构成的基底层、由CoCrPt系合金构成的垂直磁记录层、碳保护层、润滑层。保护层用于防止磁记录层因与磁头接触而劣化，由氢化碳构成，可得到耐磨损性。另外，润滑层使用醇改性全氟聚醚的液体润滑剂通过浸渍法形成。 [0249] 对于所得到的磁盘，将其组装到具备DFH头的HDD中，在于80℃且80％RH的高温高湿环境下使DFH功能工作的同时进行1个月的加载卸载耐久性试验，结果没有特别障碍，得到了良好的结果。 [0250] 符号的说明 [0251] 1 玻璃基板 [0252] 11 基板的主表面 [0253] 12、13 基板的端面 |
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