专利类型 | 发明公开 | 法律事件 | 公开; 实质审查; |
专利有效性 | 实质审查 | 当前状态 | 实质审查 |
申请号 | CN202311790146.6 | 申请日 | 2023-12-25 |
公开(公告)号 | CN117821169A | 公开(公告)日 | 2024-04-05 |
申请人 | 常州高特新材料股份有限公司; | 申请人类型 | 企业 |
发明人 | 张小飞; | 第一发明人 | 张小飞 |
权利人 | 常州高特新材料股份有限公司 | 权利人类型 | 企业 |
当前权利人 | 常州高特新材料股份有限公司 | 当前权利人类型 | 企业 |
省份 | 当前专利权人所在省份:江苏省 | 城市 | 当前专利权人所在城市:江苏省常州市 |
具体地址 | 当前专利权人所在详细地址:江苏省常州市经济开发区潞城街道常青路1017号 | 邮编 | 当前专利权人邮编:213000 |
主IPC国际分类 | C11D1/825 | 所有IPC国际分类 | C11D1/825 ; C11D3/04 ; C11D3/20 ; C11D3/33 ; C11D3/16 ; C11D3/60 |
专利引用数量 | 0 | 专利被引用数量 | 0 |
专利权利要求数量 | 10 | 专利文献类型 | A |
专利代理机构 | 常州市英诺创信专利代理事务所 | 专利代理人 | 承南; |
摘要 | 本 发明 涉及 硅 片 清洗技术领域,具体涉及一种环保 硅片 清洗液。该环保硅片清洗液按照 质量 份数的组成为:硅粉 腐蚀 剂10‑20份, 表面活性剂 6‑10份,助 溶剂 10‑16份,金属络合物6‑10份,硅烷 偶联剂 1‑2份。本发明硅片清洗液能够有效的去除附着在硅片表面的杂质,确保硅片表面的洁净度,且本发明清洗液不含有毒、有害及污染环境物质,环保性能好,且能保证清洗效果。 | ||
权利要求 | 1.一种环保硅片清洗液,其特征在于,所述环保硅片清洗液按照质量份数的组成为:硅粉腐蚀剂10‑20份,表面活性剂6‑10份,助溶剂10‑16份,金属络合物6‑10份,硅烷偶联剂1‑2份。 |
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说明书全文 | 一种环保硅片清洗液技术领域背景技术[0002] 太阳能硅片是制造太阳能电池的基础,它的表面状态会影响到电池的可靠性和成品率,因此,对太阳能硅片的表面清洗要求较高。清洗的主要目的是为了清洗掉切割过程中产生的沙粒,残留的切削磨料、金属离子及指纹等,使硅片表面达到无腐蚀、无氧化、无残留等技术指标。 [0003] 硅片表面的污染物主要以原子、离子、分子或膜的形式,以物理或化学方法存在于硅片表面或硅片表面的氧化膜中,对硅片的清洗要求是既能去除各类杂质又不破坏硅片性能。 [0004] 硅片清洗技术的发展大致可分为4个阶段:第1阶段,建立了最初的化学和机械抛光,但往往会造成金属杂质的重新沉淀以及金属杂质的再次污染;第2阶段,使用最初的RCA‑1清洗剂;第3阶段,主要集中于对RCA清洗技术进行改进;第4阶段,侧重于新型清洗技术的开发研究。 [0005] 传统的氢氧化钠或氢氧化钾硅片清洗液,清洗后的硅片表面仍会有金属离子残留,CN 103589525 A公开了一种硅片清洗剂,该清洗剂采用了非离子等多种表面活性剂,其中,含有的壬基酚聚氧乙烯醚不利于环境。 发明内容[0007] 硅片清洗液按照质量份数的具体组成为:硅粉腐蚀剂10‑20份,表面活性剂6‑10份,助溶剂10‑16份,金属络合物6‑10份,硅烷偶联剂1‑2份。 [0008] 其中,硅粉腐蚀剂为氢氧化钠或氢氧化钾; [0009] 表面活性剂由烷基糖苷和环氧加合物复配而成; [0011] 炔二醇、环氧乙烷和环氧丙烷的摩尔比为1:2:2,氨水用量为炔二醇质量的3‑5%。 [0012] 烷基糖苷和环氧加合物的质量比为1:1‑3。 [0013] 助溶剂为乙醇、戊醇或乙二醇丁醚; [0014] 金属络合物为乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠; [0015] 硅烷偶联剂为KH‑550,KH‑570,KH‑560,A‑151,A‑171。 [0016] 双组份硅片清洗液的制备方法为:将硅粉腐蚀剂、表面活性剂、助溶剂、金属络合物、硅烷偶联剂按质量份数混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0017] 有益效果 [0018] 本发明硅片清洗液能够有效的去除附着在硅片表面的杂质,确保硅片表面的洁净度,且本发明清洗液不含有毒、有害及污染环境物质,在保证清洗效果的基础上,环保性能较好。 具体实施方式[0019] 下面结合实施例对本发明做进一步描述,但不限于此。 [0020] 实施例1 [0021] 按照1:2:2的摩尔比加入炔二醇、环氧乙烷和环氧丙烷,再加入炔二醇质量3%的氨水,然后加入乙醚,在回流冷凝条件下经回流反应10h,旋转蒸发去除溶剂和氨水,得到的环氧加合物。 [0022] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:1的质量比复配作为表面活性剂,HLB值15。 [0023] 将15份氢氧化钠,8份复配的表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0024] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0026] 实施例2 [0027] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0028] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:2的质量比复配作为表面活性剂,HLB值16。 [0029] 将15份氢氧化钠,8份复配的表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0030] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0031] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角3°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0032] 实施例3 [0033] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0034] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:3的质量比复配作为表面活性剂,HLB值15。 [0035] 将15份氢氧化钠,8份复配的表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0036] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0037] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角4°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0038] 实施例4 [0039] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0040] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:2的质量比复配作为表面活性剂,HLB值16。 [0041] 将15份氢氧化钠,10份复配的表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0042] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0043] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角4°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0044] 实施例5 [0045] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0046] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:2的质量比复配作为表面活性剂,HLB值16。 [0047] 将15份氢氧化钠,6份复配的表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0048] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0049] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角5°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0050] 实施例6 [0051] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0052] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:2的质量比复配作为表面活性剂,HLB值16。 [0053] 将10份氢氧化钠,8份复配的表面活性剂,10份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0054] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0055] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角4°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0056] 实施例7 [0057] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0058] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:2的质量比复配作为表面活性剂,HLB值16。 [0059] 将20份氢氧化钠,8份复配的表面活性剂,16份助溶剂乙二醇丁醚,6份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0060] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0061] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角4°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0062] 实施例8 [0063] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0064] 烷基糖苷和环氧加合物按照1:2的质量比复配作为表面活性剂,HLB值16。 [0065] 将20份氢氧化钾,8份复配的表面活性剂,16份助溶剂乙醇,6份乙二胺四乙酸四钠,1份KH‑570混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0066] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0067] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角4°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0068] 对比例1 [0069] 环氧加合物的制备同实施例1。 [0070] 将15份氢氧化钠,8份环氧加合物作为表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0071] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0072] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角7°,经自动分选仪分选后良率≥95%。 [0073] 对比例2 [0074] 将15份氢氧化钠,8份烷基糖苷为表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0075] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0076] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角6°,经自动分选仪分选后良率≥95%。 [0077] 对比例3 [0078] 将15份氢氧化钠,8份壬基酚聚氧乙烯醚为表面活性剂,15份助溶剂乙二醇丁醚,8份乙二胺四乙酸二钠,1份KH‑550混合搅拌均匀,制得环保硅片清洗液。 [0079] 向硅片清洗液中加入20倍去离子水稀释,在常温下将硅片放入清洗液中进行清洗。 [0080] 清洗后的硅片经水接触角测量仪测得水接触角4°,经自动分选仪分选后良率≥99%。 [0081] 所述实施例为本发明的优选的实施方式,但本发明并不限于上述实施方式,在不背离本发明的实质内容的情况下,本领域技术人员能够做出的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本发明的保护范围。 |