一种TPMS胞元梯度过渡结构SiOC陶瓷及其制备方法
| 专利类型 | 发明公开 | 法律事件 | 公开; |
| 专利有效性 | 公开 | 当前状态 | 公开 |
| 申请号 | CN202411951459.X | 申请日 | 2024-12-27 |
| 公开(公告)号 | CN119899034A | 公开(公告)日 | 2025-04-29 |
| 申请人 | 沈阳航空航天大学; | 申请人类型 | 学校 |
| 发明人 | 郑玮琳; 代佳奇; 宋雪松; 谢凡; 曾文; | 第一发明人 | 郑玮琳 |
| 权利人 | 沈阳航空航天大学 | 权利人类型 | 学校 |
| 当前权利人 | 沈阳航空航天大学 | 当前权利人类型 | 学校 |
| 省份 | 当前专利权人所在省份：辽宁省 | 城市 | 当前专利权人所在城市：辽宁省沈阳市 |
| 具体地址 | 当前专利权人所在详细地址：辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街37号 | 邮编 | 当前专利权人邮编：110136 |
| 主IPC国际分类 | C04B35/56 | 所有IPC国际分类 | C04B35/56 ; C04B35/622 ; B33Y10/00 ; B33Y70/00 |
| 专利引用数量 | 0 | 专利被引用数量 | 0 |
| 专利权利要求数量 | 0 | 专利文献类型 | A |
| 专利代理机构 | 大连智高专利事务所 | 专利代理人 | 盖小静; |
| 摘要 | 本 发明 属于 隔热 材料技术领域，公开了一种TPMS胞元梯度过渡结构SiOC陶瓷的制备方法。旨在解决 现有技术 中多孔陶瓷材料在隔热性能、 力 学性能和多功能调控能力方面的不足。本发明基于参数化设计TPMS梯度过渡结构制备SiOC多孔陶瓷，实现了轻质高强与隔热性能的兼顾，同时赋予材料多功能性能的动态调控能力，克服了传统均质陶瓷结构无法满足多领域应用需求的技术 瓶颈 。 | ||
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