| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种有机电致发光材料及其器件 | CN202211479869.X | 2022-11-25 | CN118084872A | 2024-05-28 | 张子岩; 王乐; 王强; 张高琪; 邝志远; 夏传军 |
| 公开了一种有机电致发光材料及其器件。该有机电致发光材料是一种具有式1结构的化合物，可用作有机电致发光器件中的主体材料，这些新型化合物能提供更好的器件性能，例如低电压、更高效率和更长的寿命。还公开了一种包含该化合物的有机电致发光器件及包含该化合物的化合物组合物。 | ||||||
| 2 | 新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途 | CN201810547407.4 | 2018-05-31 | CN108976256B | 2024-05-03 | J.泰赫曼; M.瓦纳; H-W.莱尔纳 |
| 本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。 | ||||||
| 3 | 有机电致发光材料及其器件 | CN202211180141.7 | 2022-09-27 | CN117820326A | 2024-04-05 | 王强; 王乐; 张子岩; 邝志远; 夏传军 |
| 公开了一种有机电致发光材料及其器件。所述有机电致发光材料为具有式1结构表示的吲哚并咔唑稠合氮杂大环化合物，该化合物可用作有机电致发光器件中的主体材料，为器件提供更好的综合性能，能同时实现低电压和长寿命。还公开了包含该有机电致发光材料的电致发光器件和化合物组合物以及包含所述电致发光器件的电子设备。 | ||||||
| 4 | 含有硼原子、氮原子和硒原子或碲原子的稠环化合物及有机电致发光器件 | CN202210175052.7 | 2022-02-24 | CN114478601B | 2024-03-29 | 王利祥; 邵世洋; 杜宝云; 李伟利; 吕剑虹; 王兴东; 赵磊; 王淑萌 |
| 本发明提供了一种含有硼原子、氮原子和硒原子或碲原子的稠环化合物，如式(I)所示。本发明采用含有硼原子、氮原子和硒原子或碲原子的稠环化合物作为发光材料，一方面可利用稠环化合物的刚性骨架结构降低激发态结构弛豫程度，从而实现较窄的半峰宽；另一方面还利用硒原子或碲原子的重原子效应促进反系间窜越，从而获得延迟荧光效应，实现高的发光效率。同时，通过改变稠环化合物中含有的芳环或杂芳环的种类，还能够实现对延迟荧光寿命和半峰宽的进一步调节。实验结果表明，采用本发明的发光化合物作为电致发光器件的发光层，既能够在无需滤光片和微腔结构的情况下实现窄的电致发光半峰宽，又能实现高的器件外量子效率。#imgabs0# | ||||||
| 5 | 一种基于烯烃双官能化的烷基锗制备方法 | CN202311757531.0 | 2023-12-20 | CN117756843A | 2024-03-26 | 张譞; 焦岩; 顾瑞 |
| 本申请公开了一种基于烯烃双官能化的烷基锗制备方法，向反应瓶中加入溴代烷、活化烯烃、氯锗烷、催化剂、配体、还原剂以及溶剂，所述溴代烷、活化烯烃、氯锗烷、催化剂、配体和还原剂的摩尔比＝1:1.5:1.5:0.1:0.12:3，然后将反应置于35℃油浴中反应36h，原料来源广泛，产物多样性好，反应仅在常温下进行，不需要使用昂贵的贵金属催化剂，绿色环保，无污染，实用性好。 | ||||||
| 6 | 有机电致发光材料及其器件 | CN202310811434.9 | 2023-07-04 | CN117624142A | 2024-03-01 | 王阳; 李锋; 丁尚; 邝志远; 夏传军 |
| 公开了一种有机电致发光材料及其器件。所述有机电致发光材料是具有式1结构的化合物，所述化合物可用于有机电致发光器件中，例如用作主体材料、传输材料等。这些化合物能够使有机电致发光器件具有更高的器件效率和更长的器件寿命，能提供更好的器件性能。还公开了一种包含所述化合物的有机电致发光器件和一种包含所述化合物的化合物组合物。 | ||||||
| 7 | 一种氟烯基锗的合成方法 | CN202311695646.1 | 2023-12-07 | CN117603252A | 2024-02-27 | 陆晓雨; 江凡; 周欣悦 |
| 本发明属于有机化合物制备领域，涉及一种氟烯基锗的合成方法。以氟丙烯酸和三苯基氢化锗为原料，以过氧化苯甲酸叔丁酯为引发剂，以三联吡啶氯化钌六水合物为催化剂、三乙烯二胺为碱、二甲基亚砜为溶剂，465纳米光照，室温下按下述反应式进行反应，得到一类E‑构型单氟烯基锗化合物。该反应原料易得、所得产物立体选择性高，操作简单，合成应用经济价值高。为在有机合成和药物化学中有重要价值的单氟烯基锗化合物提供了高效、便捷的合成方法。 | ||||||
| 8 | 金(III)化合物、其制备方法及使用其的有机发光器件 | CN201980098852.X | 2019-07-29 | CN114206886B | 2024-02-27 | 任咏华; 李展豪; 邓敏聪; 陈美仪 |
| 由化学式(I)表示的金(III)化合物，其中A、B和C独立地含有选自芳香族基团或杂环基团的环状结构；X、Y和Z独立地为氮或碳；D1、D2和D3独立地选自非环脂肪族基团、脂环族基团、芳香族基团、杂原子和含杂原子的部分；D4为双连接基团，选自非环脂肪族基团、脂环族基团、芳香族基团、杂芳族基团、杂原子和含杂原子部分；E为IV族元素，选自硅、锗、锡和铅；R1为供体配体、卤素或拟卤素，供体配体含有碳和/或杂原子；n为零、正整数或负整数。还提供了金(III)化合物的制备方法、具有金(III)化合物的OLED。#imgabs0# | ||||||
| 9 | 一种取代烷基锗化合物及其模块化合成的方法 | CN202311484696.5 | 2023-11-09 | CN117486929A | 2024-02-02 | 黄渊; 乔祎伟; 周柄棋 |
| 本发明提供了一种取代烷基锗化合物及其模块化合成的方法，属于有机合成技术领域。本发明基于镍催化的烯烃还原双官能团化策略，使用简单易得的烯烃、氯化锗和烷基溴化物作为起始原料，克服亲电试剂之间的交叉偶联反应、亲电试剂自身的偶联反应、Heck副反应和区域选择性等障碍，高效便捷地合成了一系列高度官能团化的烷基锗化合物，首次实现了高度官能团化的二级、三级烷基锗化合物的模块化合成。 | ||||||
| 10 | 新型卤代锗化物及其制备方法 | CN201810546263.0 | 2018-05-31 | CN108976255B | 2024-01-23 | J.泰赫曼; M.瓦格纳; H-W.勒纳 |
| 本发明涉及新型卤代锗化物及其制备方法。具体地，本发明涉及通式I的三氯锗化物(I)[R4N]/[R4P]Cl[GeCl3]，其中R=Me、Et、iPr、nBu、Ph。 | ||||||
| 11 | 一种三芳胺衍生物及其有机电致发光器件 | CN202311068896.2 | 2023-08-23 | CN117126190A | 2023-11-28 | 刘喜庆; 韩春雪; 周雯庭; 孙敬 |
| 本发明提供了一种三芳胺衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明主要解决目前大多数的空穴传输材料性能不够理想，有机电致发光器件发光效率低、使用寿命短等问题。本发明所述的式1所示的三芳胺衍生物通过1，4位连接了包含C、Si、Ge元素的基团，改善了载流子的传输效率，从而获得较高的空穴传输效率，应用于空穴传输层中，可以提高器件的发光效率，并且可以提高器件的使用寿命，从而增强器件的耐久性。本发明提供的三芳胺衍生物及其有机电致发光器件可广泛应用于信息显示技术领域，如手机、平板电脑、电视、可穿戴设备、VR、车辆显示器和车尾灯等。 | ||||||
| 12 | 有机电致发光装置和用于有机电致发光装置的多环化合物 | CN201910175195.6 | 2019-03-08 | CN110343105B | 2023-10-24 | 赤司信隆; 须崎裕司 |
| 本申请涉及有机电致发光装置，其包括第一电极、在所述第一电极上的空穴传输区、在所述空穴传输区上的发射层、在所述发射层上的电子传输区和在所述电子传输区上的第二电极，其中所述发射层包含由式1表示的多环化合物。在式1中，X1可以为C、Si或Ge；并且AC可以是电子受体。式1#imgabs0# | ||||||
| 13 | 长波吸收光引发剂 | CN202110193417.4 | 2021-02-20 | CN113292594B | 2023-09-05 | N·莫斯奈尔; Y·卡特尔; P·法斯勒; M·哈斯; J·拉德布纳; H·斯特格 |
| 根据通式(I)的化合物其中M为Ge或Sn；RAr为R1、R2、R3、R4、R5在每种情况下彼此独立地为‑H，‑F，‑Cl，‑OR6，‑SR6，‑N(R6)2，‑CF3，‑CN，‑NO2，‑COOR6，‑CONHR6，支链、环状或直链的C1‑20烷基、C2‑20烯基、C1‑20烷氧基或C2‑20烯氧基基团，其可被O、S或‑NR6‑间隔一次或多次，并且可被一个或多个可聚合基团和/或基团R6取代，R6为氢，支链、环状或直链的C1‑20烷基或C2‑20烯基基团；R7为n价芳族基团或支链、环状或直链的C2‑20亚烷基，其可被O、S或‑NR6‑间隔一次或多次，并且可被一个或多个可聚合基团、＝O和/或基团R6取代；n为2或3并且m为0或1。所述化合物特别适合作为用于自由基聚合的光引发剂，并且特别适合制备牙科材料。 | ||||||
| 14 | 一种二乙基二卤化锗的合成方法 | CN202310389985.0 | 2023-04-13 | CN116574127A | 2023-08-11 | 周锦荣; 曾翼俊; 徐成; 欧立杰; 柳嘉 |
| 本发明属于医用材料原料领域，具体公开一种二乙基二卤化锗的合成方法。本发的合成方法包括如下步骤：在惰性气体保护下，于‑50～0℃将含乙基碘化镁的溶液滴加到含四卤化锗的溶液中，滴加完毕后将得到的混合体系升温至室温下继续进行反应，除去溶剂后，得到二乙基二卤化锗粗产物；再使用石油醚洗涤所述二乙基二卤化锗粗产物，除去石油醚，然后加热蒸馏并收集173℃～177℃馏分，得到二乙基二卤化锗。本发明通过控制反应物配比以及缓慢滴加乙基碘化镁的方式，减少了副产物的生成，提高了产物收率及纯度；同时使用石油醚溶剂洗的方法进行粗提纯，简化了提纯步骤。 | ||||||
| 15 | 一种热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用 | CN202110226814.7 | 2021-03-01 | CN112979687B | 2023-07-18 | 杨楚罗; 吕夏蕾; 曹啸松; 杨熠宇 |
| 本发明提供了一种热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用，所述热活化延迟荧光材料的结构如式I所示。本发明提供的热活化延迟荧光材料制备得到电子器件具有较窄的半峰宽、较低的开启电压、高发光效率和更长的器件寿命，同时制备简单，合成方便。 | ||||||
| 16 | 光致变色的锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯及其制备 | CN202211513684.6 | 2022-11-29 | CN116425791A | 2023-07-14 | 任咏华; 胡文伟; 冯浩程 |
| 示出了一种基于锗杂环戊二烯(germole)稠合二芳基乙烯(diarylethene)的化合物，该化合物包括具有稠合到光活性双芳基环的乙烯桥的含锗五元环结构。该基于锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯的化合物经辐照在开环和闭环形式之间异构化，以能够用于光存储或光开关器件。形成基于锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯化合物的方法是通过1‑甲锗烷基‑芳基‑2‑硼酸酯、1‑甲锗烷基‑杂芳基‑2‑硼酸酯或1‑甲锗烷基‑烯基‑2‑硼酸酯与1,2‑二芳基乙炔之间的铑催化偶联反应。该基于锗杂环戊二烯稠合二芳基乙烯的化合物显示出可调的光致闭环形式的光物理特性，具有优异的热不可逆性和强大的抗疲劳性。 | ||||||
| 17 | 包含杂环化合物的发光装置、电子设备及杂环化合物 | CN202211549328.X | 2022-12-05 | CN116234339A | 2023-06-06 | 安熙春; 金炯民; 严贤娥; 尹柱熙; 李孝荣 |
| 本申请涉及包含由式1或式2表示的杂环化合物的发光装置，包含所述发光装置的电子设备以及所述由式1或式2表示的杂环化合物：其中式1和式2的详细描述与本说明书中描述的相同。 | ||||||
| 18 | 新型覆盖层用化合物以及包含所述覆盖层用化合物的有机发光元件 | CN202211285994.7 | 2022-10-20 | CN115991654A | 2023-04-21 | 咸昊完; 安贤哲; 闵丙哲; 金东骏; 李东炫; 林东焕; 安慈恩; 权桐热; 李成圭 |
| 本发明提供一种以下述化学式1表示的覆盖层用化合物以及包含所述覆盖层用化合物的有机发光元件。<化学式1>。 | ||||||
| 19 | 3,4-二氮杂芴衍生物及其合成方法和含有3,4-二氮杂芴衍生物的电子器件 | CN201911143857.8 | 2019-11-20 | CN110845481B | 2023-04-18 | 崔林松; 刘向阳; 张业欣; 陈华 |
| 本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及3,4‑二氮杂芴衍生物及其合成方法和含有3,4‑二氮杂芴衍生物的电子器件，其由通式(1)表示：其中，L1和L2各自独立地表示单键、羰基、具有6至18个碳原子的芳香族烃基或具有5至18个碳原子的芳香族杂环基中的一个或多个。本发明的3,4‑二氮杂芴衍生物通过引入3,4‑二氮杂芴刚性结构，得到的3,4‑二氮杂芴衍生物成膜性和热稳定性优异，可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外，本发明的3,4‑二氮杂芴衍生物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料，能够降低驱动电压，提高效率、亮度和寿命等。 | ||||||
| 20 | 三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法 | CN202211447218.2 | 2018-05-23 | CN115924918A | 2023-04-07 | J.泰希曼; M.瓦格纳; H-W.莱尔纳 |
| 本发明涉及用于制备锗‑硅‑层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基‑三氯甲锗烷及其制备方法。用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)。通过在溶液中用氢化物还原三氯甲硅烷基‑三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH3)的方法。通过在溶液中在AlCl3存在下使三氯甲硅烷基三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge‑SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)的用途。 | ||||||
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