声波器件
阅读：928发布：2020-05-12
专利汇可以提供声波器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种 声波 器件，其具有以高成品率实现的增强结构。所述声波器件包括：形成在基底上的声波元件；设置在所述基底上以在所述声波元件上方形成空腔的第一密封部分；以及设置在所述第一密封部分上的第二密封部分，其中，所述台阶具有圆化的拐 角 部分，所述第一密封部分具有第三密封部分和第四密封部分，所述第三密封部分设置在所述基底上以围绕所述声波器件的功能部分，所述第四密封部分设置在所述第三密封部分上以在所述功能部分上方形成所述空腔；并且所述第三密封部分比所述第四密封部分更宽。，下面是声波器件专利的具体信息内容。
1.一种声波器件，所述声波器件包括：
形成在基底上的声波元件；
设置在所述基底上以在所述声波元件上方形成空腔的第一密封部分；以及设置在所述第一密封部分上的第二密封部分，
其中：
所述第一密封部分具有第三密封部分和第四密封部分，所述第三密封部分设置在所述基底上以围绕所述声波器件的功能部分，所述第四密封部分设置在所述第三密封部分上以在所述功能部分上方形成所述空腔；
所述第三密封部分比所述第四密封部分更宽，以使所述第一密封部分具有一台阶；
所述第三密封部分的顶面与所述第四密封部分的底面之间的接触面积的宽度等于或大于40μm；并且
所述第三密封部分的不与所述第四密封部分接触的顶面的宽度等于或小于30μm。
2.如权利要求1所述的声波器件，其中所述台阶具有阶梯形状。
3.如权利要求1所述的声波器件，其中所述第四密封部分的由所述第三密封部分的表面和所述第四密封部分的侧面形成的内角是锐角。
4.如权利要求1所述的声波器件，其中所述第四密封部分的由所述第三密封部分的表面和所述第四密封部分的侧面形成的内角是钝角。
5.如权利要求1所述的声波器件，其中所述第三密封部分的由所述基底的表面和所述第三密封部分的侧面形成的内角是锐角。
6.如权利要求1所述的声波器件，其中所述第三密封部分具有与所述第四密封部分相接触的平坦表面。
7.如权利要求1所述的声波器件，其中所述第三密封部分具有与所述第四密封部分相接触的粗糙表面。
8.如权利要求1所述的声波器件，其中所述第一密封部分和所述第二密封部分由光敏树脂形成。
9.如权利要求1所述的声波器件，其中所述台阶具有圆化的拐角部分。
声波器件
技术领域
[0001] 本发明总体上涉及声波器件，并且更具体地，涉及具有密封部分的声波器件，所述密封部分具有位于声波元件上方的空腔。
背景技术
[0002] 表面声波器件(SAW器件)能够通过将功率施加到形成在压电基底上的叉指式换能器(IDT)的梳状电极来激励声波。SAW器件被广泛用于对例如45MHz到2GHz频带中的无线电信号进行处理的各种电路。这些电路的例子有用于传输的带通滤波器、用于接收的带通滤波器、本地振荡滤波器、天线双工器、中频滤波器以及FM调制器。
[0003] 近来，已经开发出使用薄膜体声波谐振器(FBAR)的声波器件。FBAR具有设置在压电薄膜的相对的表面上的一对电极并且利用在厚度方向上的振动。尤其是使用FBAR的声波器件在更高频率上具有优良的性能，并且经常被用在1GHz到10GHz的频率范围内。
[0004] 移动通信领域中近来具有显著的进展，并且需要减小信号处理装置的尺寸，这可以通过使诸如声波器件的电子组件小型化来实现。为了实现声波器件的期望的性能，在声波元件的功能部分上方设置空隙空间(void space)。由表面声波元件形成的声波元件的功能部分是IDT的交错的电极叉指(interleaving electrode fingers)。由FBAR形成的声波元件的功能部分是其中上和下电极在压电薄膜两侧彼此面对的区域。
[0005] 为了满足上面的要求，提出了使用具有位于声波元件的功能部分上的空腔的密封部分。日本专利No.3291046(下文中简称为文献D1)提出使用形成在一区域中的可溶解树脂，所述区域将成为声波元件上方的空腔。极板(plate)被设置在所述可溶解树脂上并随后被去除，从而可以实现空腔结构。日本专利申请公开No.2003-523082(下文中简称为文献D2)提出形成围绕电子组件的框架结构。在所述框架结构上附着有辅助薄膜以在电子组件上方形成空腔，并随后在所述辅助薄膜上形成树脂层。之后，除框架结构的顶部之外的层被去除，从而可以实现空腔结构。日本专利No.3196693(下文中简称为文献D3)提出将树脂薄膜附着到其上形成有声波元件的压电基底上。接着，在位于其上形成有声波元件的所述基底的功能部分上方的树脂薄膜的一部分中形成开口。然后，电路板被粘接到树脂薄膜上，从而可以实现空腔结构。日本专利No.3225906(下文中简称为文献D4)提出在其上形成有声波元件的基底上使用光敏树脂。接着，在位于所述声波元件的功能部分上方的位置处的光敏树脂中形成开口。然后，由一组布线板形成的基底安装在所述光敏树脂上。之后，通过切割将整个结构分成多个部分，从而可以实现空腔结构。
[0006] 然而，由文献D1至D4中公开的技术形成的声波器件具有以下缺点，即所述器件受到模块化时施加的压力并且空腔结构的顶部发生凹陷。可以通过将空腔结构的顶部加厚来克服上述缺点。然而，为了获得厚度增加的空腔结构的项部而使树脂量增加可能降低成品率。
发明内容
[0007] 鉴于上述情况做出本发明，并且本发明提供了具有以高成品率实现的增强结构的声波器件。
[0008] 根据本发明的一个方面，提供了一种声波器件，该声波器件包括：形成在基底上的声波元件；设置在所述基底上以在所述声波元件上方形成空腔的第一密封部分；以及设置在所述第一密封部分上的第二密封部分，其中，所述台阶具有圆化的拐角部分，所述第一密封部分具有第三密封部分和第四密封部分，所述第三密封部分设置在所述基底上以围绕所述声波器件的功能部分，所述第四密封部分设置在所述第三密封部分上以在所述功能部分上方形成所述空腔；并且所述第三密封部分比所述第四密封部分更宽。
[0010] 图1A是根据第一比较例的声波器件的平面图；
[0011] 图1B是沿图1A中示出的线A-A截取的截面图；
[0012] 图1C是沿图1A中示出的线B-B截取的截面图；
[0013] 图2A至2F分别是示出用于制造第一比较例的声波器件的工艺的截面图；
[0014] 图3是根据第二比较例的声波器件的截面图；
[0015] 图4是根据第三比较例的声波器件的截面图；
[0016] 图5是示出由晶片翘曲(wafer warp)导致的问题的图；
[0017] 图6是示出由晶片翘曲(wafer warp)导致的问题的另一个图；
[0018] 图7A是根据第一实施方式的声波器件的平面图；
[0019] 图7B是沿图7A中示出的线A-A截取的截面图；
[0020] 图7C是沿图7A中示出的线B-B截取的截面图；
[0021] 图8A至8F是示出用于制造根据第一实施方式的声波器件的工艺的截面图；
[0022] 图9A至9F是示出用于制造根据第一实施方式的声波器件的后续工艺的截面图；
[0023] 图10A至10F是示出用于制造根据第一实施方式的声波器件的又一后续工艺的截面图；
[0024] 图11A至11F是示出用于制造根据第一实施方式的声波器件的另一工艺的截面图；
[0025] 图12是示出圆化的形状的图；以及
[0026] 图13是示出具有粗糙度的第三密封部分和第四密封部分的接触表面的图。
具体实施方式
[0027] 首先描述发明人为了证实文献D1至D4中描述的现有技术的问题而进行的实验。图1A至1C示出了具有由光敏树脂限定的空腔结构的声波器件(第一比较例)。更具体地说，图1A是该声波器件的平面图，图1B是沿图1A中示出的线A-A截取的截面图，图1C是沿图1A中示出的线B-B截取的截面图。在图1A中，例示了声波元件12、互连线14以及通过第一密封部分26看到的空腔16。用实线例示声波元件12和互连线14，而用虚线例示空腔。参照图1A和1B，每个声波器件12都包括IDT和由压电基底10上的金属薄膜形成的反射器。第一密封部分26设置在压电基底10上，以具有位于声波元件12的功能部分上方的空腔16。第一密封部分26具有第三密封部分30和第四密封部分32。第三密封部分30设置在压电基底10上，以围绕每个声波器件12的功能部分。第四密封部分32设置在第三密封部分30上，以限定位于每个声波元件12的功能部分上方的空腔16。例如，第一密封部分
26可以为60μm高，并且空腔可以为30μm高。
26可以为60μm高，并且空腔可以为30μm高。
[0028] 参照图1A和1C，互连线14和电极接点24形成在压电基底10的表面上，并且第一密封部分26设置在互连线14上。穿过第一密封部分26的贯穿电极(through electrode)20设置在电极接点24上，并且声波元件12和贯穿电极20通过电极接点24电连接。焊球22设置在贯穿电极20上。贯穿电极20和焊球22用作当表面安装声波器件时用于使声波元件12与外部电连接的端子。声波元件12由具有空腔结构的第一密封部分26密封，并经由互连线14和贯穿电极20连接到焊球22。
[0029] 现在将参照附图2A至2F描述用于形成第一比较例的声波器件的第一密封部分26的工艺。图2A至2C分别是沿着与图1A中示出的线A-A相对应的线截取的截面图，图2D至2F分别是沿着与图1A中示出的线B-B相对应的线截取的截面图。参照图2A和2D，在压电基底10上涂敷负型光敏环氧树脂，从而通过旋转涂敷(spin coating)具有30μm的厚度。此时，声波元件12、互连线14以及电极接点24已经形成在压电基底10上。然后，将环氧树脂层干燥。随后，将环氧树脂曝光并显影，从而仅去除声波元件12和电极接点24二者上的环氧树脂，由此开口36形成在每个声波元件12的功能部分的上方，并且开口42形成在每个电极接点24的上方。形成围绕声波元件12的功能部分的第三密封部分。在氮气氛中以约200℃的温度对压电基底10热处理约一小时，由此固化第三密封部分30。
[0030] 参照图2B和2E，通过层压方法层压厚度为30μm的负型光敏环氧树脂薄膜，以覆盖开口36和42。该薄膜覆盖声波元件12的功能部分，并且使开口36成形为空腔16，使开口42成形为空腔44。参照图2C和2F，该薄膜被曝光并显影，从而第四密封部分32可以被限定在第三密封部分30上，以在声波元件12的功能部分上方形成空腔16。此外，用于形成贯穿电极20的开口42形成在电极接点24上。此外，在氮气氛中以约200℃的温度对压电基底10加热约一小时，由此固化第四密封部分32。通过上述生产步骤，完成根据第一比较例的声波器件的第一密封部分26。
[0031] 如此形成的第一比较例的声波器件被安装在模块基底上，并且用于表面保护的树脂被转模(transfer-molded)。发明人发现如此处理过的空腔结构的顶部发生凹陷，并且第一密封部分与声波元件12的功能部分相接触。
[0032] 发明人生产图3中示出的声波器件(现在称为第二比较例)，其中第三密封部分30比第一比较例中的第三密封部分30更窄。图3是沿着与图1A中示出的线A-A相对应的线截取的第二比较例的截面图。参照图3，第二比较例具有其厚度t1等于30μm的第三密封部分30。第二比较例的其他结构和图1A至1C中示出的第一比较例的结构相同。
[0033] 第二比较例的声波器件的第三密封部分30具有和30μm一样小的厚度t1。这减小了第三密封部分30和第四密封部分32之间的接触面积。发明人发现了以下情况。减小的接触面积可能导致第三密封部分30和第四密封部分32之间的粘合性不足。这导致用于形成第四密封部分32的显影剂通过第三密封部分30和第四密封部分32之间的分界面进入空腔结构中。因此，声波元件12的功能部分可能被显影剂污染，并且可能导致性能缺陷。
[0034] 从第二比较例中可以看出第三密封部分30和第四密封部分32之间的接触面积足够大。图4是根据第三比较例的声波器件的截面图，其中第三密封部分30和第四密封部分32具有增加的接触面积。第三比较例的密封部分30的厚度t1为80μm。第三比较例的其他结构和图1A至1C中示出的第一比较例的结构相同。
[0035] 相对于第二比较例，第三比较例在压电基底10的晶片内的第三密封部分具有更大的接触面积。由于为了形成图2A和2D中示出的第三密封部分30而进行的热处理所导致的施加到第三比较例的第三密封部分30上的压应力，比第二比较例中的压应力更大。因此，第三比较例比第二比较例具有更大的翘曲。当压电基底10为4英寸晶片时，翘曲最大为2.5mm。当用于形成图2C中示出的第四密封部分32的曝光工艺被应用于弯曲的晶片时，紫外光(UV光)被倾斜地投射到具有相对较大的翘曲的晶片的外部中的晶片上。因此，如图5中所示，第四密封部分32的图案偏离第三密封部分30的图案。因为该晶片越接近边缘翘曲越严重，所以第四密封部分32的图案的这种偏离向着晶片的边缘变得更大。
[0036] 如图5中所示，其中第四密封部分32的图案偏离第三密封部分30的图案的声波器件在第三密封部分30和第四密封部分32之间具有小的接触面积。因此，如已经结合第二比较例所述，显影剂在用于形成第四密封部分32的显影工艺期间进入空腔结构中，并且可能污染声波元件12的功能部分(由IDT电极叉指组成)。这种污染可能导致性能缺陷。在4英寸晶片中，显影剂在从晶片中心开始直到90mm的范围内未进入空腔结构中，在所述范围内可获得优良的性能。
[0037] 如图5中所示，第四密封部分32的图案距第三密封部分30的图案的位置偏离限定了区域B，在所述区域B中，第四密封部分32悬垂(overhang)。当为了加强第一密封部分26以防止由于模块化期间施加的压力导致空腔结构的顶部发生凹陷而在第一密封部分26上形成第二密封部分28时，用于曝光的紫外光未被投射到悬垂区域B中。因此，如图6中所示，显影之后形成空腔16a。空腔16a减小了第二密封部分28和压电基底10之间的接触面积，并且降低了第二密封部分28和压电基底10之间的粘合性。这可能导致第二密封部分28从压电基底10上被去除。在4英寸晶片中，在从晶片中心开始直到70mm的范围内未从压电基底10上去除第二密封部分28，从而在所述范围内可获得优良的性能。如上所述，在第一密封部分26上形成的第二密封部分28降低了成品率。
[0038] 本发明的以下实施方式能够解决上述问题。
[0039] [第一实施方式]
[0040] 图7A是根据第一实施方式的声波器件的平面图。图7B是沿图7A中示出的线A-A截取的截面图，图7C是沿图7A中示出的线B-B截取的截面图。在图7A中，例示了声波元件12、互连线14以及通过第一密封部分26和第二密封部分28看到的空腔16。用实线例示声波元件12和互连线14，而用虚线例示空腔16和第一密封部分26。
[0041] 参照图7A和7B，每个声波器件12包括IDT和由压电基底10上的金属薄膜形成的反射器。第一密封部分26设置在压电基底10上，从而具有位于声波元件12的功能部分上方的空腔16。第一密封部分26具有第三密封部分30和第四密封部分32。第三密封部分30设置在压电基底10上，以围绕每个声波器件12的功能部分。第四密封部分32设置在第三密封部分30上，以限定位于每个声波元件12的功能部分的上方的空腔16。第三密封部分30比第四密封部分32更宽，从而第三密封部分30和第四密封部分32限定了可以具有阶梯形状的台阶。第三密封部分30的侧面P1从第四密封部分32的侧面P2横向突出，从而可以形成所述台阶。第一密封部分26具有这样的台阶，在所述台阶中，和第一密封部分26的离压电基底10更远的上部的宽度t3相比，第一密封部分26的离压电基底10更近的下部的宽度t2更大。第三密封部分30的由第三密封部分30的侧面和压电基底10的表面形成的内角θ1可以为90度。第四密封部分32的由第四密封部分32的侧面和第三密封部分30的表面形成的内角θ2可以为90度。第三密封部分30的与第四密封部分32相接触的表面可以是平坦的。第二密封部分28设置在第一密封部分26上。第三密封部分30可以为30μm高，第四密封部分32可以为30μm高，并且第二密封部分28可以为30μm高。
第三密封部分30和第四密封部分32之间的接触面积的宽度t4等于或大于40μm，并且第三密封部分30的未与第四密封部分32相接触的宽度t5等于或小于30μm。
第三密封部分30和第四密封部分32之间的接触面积的宽度t4等于或大于40μm，并且第三密封部分30的未与第四密封部分32相接触的宽度t5等于或小于30μm。
[0042] 参照图7A和7C，互连线14和电极接点24形成在压电基底10的表面上，并且第一密封部分26和第二密封部分28设置在互连线14上。穿过第一密封部分26和第二密封部分28二者的贯穿电极20设置在电极接点24上。通过互连线14和设置在互连线14上的电极接点24连接声波元件12和贯穿电极20。焊球22设置在贯穿电极20上。贯穿电极20和焊球22用作当表面安装声波器件时用于与声波元件12进行外部电连接的端子。
[0043] 现在将参照图8A至11F描述用于制造根据第一实施方式的声波器件的方法。图8A至8C、图9A至9C、图10A至10C以及图11A至11C分别是沿着与图7A中示出的线A-A相对应的线截取的截面图。图8D至8F、图9D至9F、图10D至10F以及图11D至11F分别是沿着与图7A中示出的线B-B相对应的线截取的截面图。图8A至11F为使用晶片的制造步骤，其中从所述晶片成形多个压电基底10。出于简化的目的，下面仅例示并描述其中一个压电基底10。在图11C和11F中，在其上整体地形成多个声波器件的晶片沿所述多个器件的外围被切割，并因此被分割成单独的声波器件。
[0044] 参照图8A和8D，例如由Al(铝)或Cu(铜)制成的金属薄膜形成在压电基底10的表面上，所述压电基底10可以由铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)制成并且形成在声波元件12和互连线14中。电极接点24形成在互连线14的其中要形成贯穿电极20的区域上。参照图8B和8E，可以用负型光敏环氧树脂制成并且可以为30μm厚的第一树脂薄膜31通过旋转涂敷形成在压电基底10、声波元件12以及互连线14上，并随后被烘烤。参照图8C和8F，使用掩模，并将紫外光投射到的第一树脂薄膜31上(除了要在其中形成位于声波元件12的功能部分上方的空腔16的区域、要在其中形成电极接点24上的贯穿电极20的区域以及外围区域之外)。
[0045] 参照图9A和9D，将第一树脂薄膜31显影并且由此去除在其上未投射紫外光的区域中的第一树脂薄膜31。因此，开口36被限定在其中要形成位于声波元件12的功能部分上方的空腔16的位置处，并且围绕声波元件12的功能部分形成第三密封部分30。此外，开口42形成在电极接点24上。在氮气氛中以200℃的温度对晶片热处理一小时，由此固化第三密封部分30。参照图9B和9E，将第二树脂薄膜33压在第三密封部分30上，并且通过诸如层压机(laminator)的压辊(press roll)38将第二树脂薄膜33层压在第三密封部分30上。第二树脂薄膜33可以是涂敷在保护膜40上的负型光敏环氧树脂，并且可以为30μm厚。第二树脂薄膜33覆盖声波元件12的功能部分，并将开口36成形为空腔16，将开口42成形为空腔44。参照图9C和9F，使用掩模并投射紫外光。
[0046] 参照图10A和10D，将保护膜40去除，并将晶片显影，以从其上未投射紫外光的区域去除第二树脂薄膜33。因此，第四密封部分32形成在第三密封部分30上，从而空腔16可以形成在声波元件12的功能部分的上方。开口42形成在电极接点24上。通过在氮气氛中以200℃的温度对晶片热处理一小时来固化第四密封部分32。因此，形成第一密封部分26。第一密封部分26由第三密封部分30和第四密封部分32组成，并且设置有位于声波元件12上方的空腔16。第一密封部分26具有由以下设置限定的台阶，在该设置中，第一密封部分26的离压电基底10更近的宽度t2比离压电基底10更远的宽度t3要大。参照图10B和10E，可以为负型光敏环氧树脂并且可以为30μm厚的第三树脂薄膜35形成为覆盖第一密封部分26。第三树脂薄膜35可以通过使用真空层压或真空压制方法制成的薄膜而形成。第三树脂薄膜35可以通过旋转涂敷对液体进行处理而形成。参照图10C和10F，利用掩模将紫外光投射到除了电极接点24上方的区域和外围区域之外的晶片上。
[0047] 参照图11A和11D，晶片被显影，并因此从其上未投射紫外光的区域去除第三树脂薄膜35。因此，第二密封部分28被限定在第一密封部分26上。在氮气氛中以200℃的温度对晶片热处理一小时，由此可以固化第二密封部分28。第二密封部分28具有位于电极接点24上方的开口42。在外围区域中没有设置第二密封部分28。参照图11B和11E，对到开口42应用Ni(镍)、Cu或Au(金)的无电电镀，从而导电的贯穿电极20可以形成在开口42中。可以通过印制用诸如银膏的导电材料填充开口42来形成贯穿电极20。参照图11C和11F，通过在贯穿电极20上安装SnAg焊球来设置连接到贯穿电极20的焊球22。还可以通过掩模印制和回流SnAg焊膏(solder paste)来形成焊球22。因此，完成电连接到声波元件12的贯穿电极20和焊球22。之后，在各个压电基底10的外围区域中通过切割(dicing)来切下(cut)晶片。因此，完成第一实施方式的声波器件。
[0048] 根据第一实施方式，如图7B中所示，第一密封部分26具有这样的台阶，在所述台阶中，距压电基底10更近的下部的宽度t2比上部的宽度t3更大。因此，即使由于压电基底10的晶片翘曲导致在晶片外围部分中第四密封部分32的图案偏离第三密封部分30的图案，这种偏离也不会导致出现其中第四密封部分32悬垂的图5中示出的第三比较例的区域B。因此，在第一密封部分26和第二密封部分28的层压中，与第三比较例相比，第一实施方式的第二密封部分28和压电基底10在晶片外围中具有增大的接触面积。该增大的接触面积改善了第二密封部分28的粘合性并且抑制了其去除。因此，第一实施方式具有比第三比较例更好的成品率。因为第二密封部分28叠置在第一密封部分26上，所以能够防止由于模块化期间因施加的压力导致的位于声波元件12的功能部分上方的第一密封部分26和第二密封部分28二者的顶部发生凹陷。
[0049] 如图7B中所示出，第一密封部分26具有第三密封部分30和第四密封部分32，该第三密封部分30设置在压电基底10上以围绕声波元件12的功能部分，并且该第四密封部分32设置在第三密封部分30上以限定声波元件12的功能部分上方的空腔16。第三密封部分30的宽度比第四密封部分32的宽度更大，从而第三密封部分30和第四密封部分32形成台阶。因此能够容易地形成具有如下形成的台阶的第一密封部分26，即该台阶形成为第一密封部分26的距压电基底10的下部更近的宽度t2比第一密封部分26的上部的宽度t3更大。
[0050] 如图7B中所示，第三密封部分30和第四密封部分32之间的接触面积的宽度t4等于或大于40μm。因此，即使由于晶片翘曲导致第四密封部分32的图案偏离第三密封部分30的图案，也能够保证第三密封部分30和第四密封部分32之间的接触面积有足够大的宽度t4。因此，能够防止在形成第四密封部分32的步骤中使用的显影剂通过第三密封部分30和第四密封部分32之间的分界面进入空腔16中。第三密封部分30的未与第四密封部分32相接触的宽度t5等于或小于30μm。就缩小声波器件的尺寸来说，第三密封部分30的未与第四密封部分32相接触的宽度t5优选地等于或小于30μm。
[0051] 如图7A和7C中所示，由第三密封部分30和第四密封部分32组成的第一密封部分26形成在除了要在声波元件12的功能部分上方形成空腔16的区域以外的区域中。例如，第一密封部分26设置在贯穿电极20的外围区域中。然而，第一密封部分26也可以不设置在贯穿电极20的外围区域中。因此，能够减小压电基底10上被第一密封部分26占据的面积，并且抑制由于第一密封部分26的热处理导致在第一密封部分26中产生的压应力。从而可以减少晶片翘曲。出于类似的原因，仅有第三密封部分30设置在贯穿电极20的外围区域中，而未设置第四密封部分32。
[0052] 如图7B中所示，第一密封部分26的台阶类似于阶梯，即，第三密封部分30的侧面和顶面与第四密封部分32的侧面和顶面分别为平坦表面。该台阶并不限于类似于阶梯的形状，而是可以具有另外的形状。在图12中例示了台阶的示例性形状，其中第三密封部分30的侧面和顶面的拐角(corner)与第四密封部分32的侧面和顶面的拐角中的至少一个圆化成具有圆形的形状。图12中示出的设置提高了成品率并且防止了由于模块化期间施加的压力导致位于声波元件12的功能部分上方的第一密封部分26和第二密封部分28二者的顶部发生凹陷。
[0053] 此外，如图7B中所示，第三密封部分30的表面和第四密封部分32的侧面形成90度的角θ2。角θ2可以是锐角或钝角。然而，过大的钝角θ2可能导致悬垂区域，从而难以形成第二密封部分28。这可能降低第二密封部分28的粘合性并且可能导致第二密封部分28的去除。因此，角θ2优选地为90度、锐角或者稍小的钝角。
[0054] 此外，如图7B中所示，压电基底10的表面和第三密封部分30的侧面形成的角θ1为90度。然而，角θ1可以为锐角。即使对于锐角来说，第一密封部分26未形成悬垂部分，从而可以增加第二密封部分28和压电基底10之间的接触面积。因此，可以改善第二密封部分28的粘合性并可以提高成品率。
[0055] 如图7B中所示出，第三密封部分30具有与第四密封部分32相接触的平坦表面。另选地，如图13中所示，第三密封部分30的表面可以具有粗糙度。这种粗糙度增加了第三密封部分30和第四密封部分32之间的接触面积，并且改善了它们之间的粘合性。可以通过用具有期望的凹凸度的掩模曝光并显影第三密封部分30来形成该粗糙度。
[0056] 如图7B中所示，第一密封部分26具有由第三密封部分30和第四密封部分32限定的单个台阶。另选地，第一密封部分26可以具有多个类似于阶梯的台阶。该另选结构能够防止第二密封部分28被去除，并且能够提高成品率。
[0057] 第一实施方式针对第一密封部分26和第二密封部分28采用光敏环氧树脂。只要可以保护声波元件12的功能部分就可以使用其他材料。应该注意，因为可以容易地形成具有台阶的第一密封部分26和在其上设置的第二密封部分28，所以优选地使用诸如光敏聚酰亚胺树脂的光敏树脂。
[0058] 在第一实施方式中，声波元件12是形成在压电基底10上的表面声波(SAW)元件。声波元件12可以是由设置在诸如硅基底的基底上的压电薄膜形成的SAW元件。声波元件
12可以是FBAR类型。在FBAR元件中，基底不是压电基底，而可以是硅基底、玻璃基底或者蓝宝石基底，并且用通过该基底支撑的压电薄膜形成FBAR。
12可以是FBAR类型。在FBAR元件中，基底不是压电基底，而可以是硅基底、玻璃基底或者蓝宝石基底，并且用通过该基底支撑的压电薄膜形成FBAR。
[0059] 在第一实施方式中，声波器件具有两个声波元件12和两个空腔16。然而，本发明的声波器件可以具有任意数目的声波元件12和任意数目的空腔16。第一实施方式采用由贯穿电极20和焊球22形成的端子。该端子并不限于此，而可以是能够在表面安装过程中与外部进行电连接的任何端子。例如，所述端子可以是诸如Au或Cu的金属形成的凸起(bump)。
[0060] 尽管本发明并不限于具体公开的实施方式，而是可以包括落入本发明范围内的其他实施方式和变型。
[0061] 本发明要求2007年1月23日提交的日本专利申请No.2007-012100的优先权，通过引用将其全部内容合并于此。
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