1.一种基板保持装置，其包括：
保持板，其中保持板包括用于保持基板的第一侧；
基底板，其布置在与保持板相距一定距离处，并且在保持板的背离第一侧的第二侧处在基底板和保持板之间提供间隙；
支撑件阵列，所述支撑件至少布置在保持板和基底板之间；以及
吸热材料的小滴阵列，所述小滴布置在保持板和基底板之间的间隙中，其中所述小滴布置成与支撑件和所述小滴阵列中的其他小滴间隔开，并且其中所述小滴布置成接触基底板和保持板两者。
2.根据权利要求1所述的基板保持装置，其特征在于，所述小滴布置成使得所述小滴能够在沿着所述间隙的方向上基本上自由膨胀。
3.根据权利要求1或2所述的基板保持装置，其特征在于，所述支撑件阵列固定地附接于所述保持板的所述第二侧。
4.根据权利要求1，2或3所述的基板保持装置，其特征在于，所述支撑件阵列固定地附接于所述基底板。
5.根据权利要求4所述的基板保持装置，其特征在于所述基底板设置有孔阵列，并且其中所述支撑件阵列中的每个支撑件至少部分地延伸到所述孔阵列的一个孔中，优选地，其中，通过在孔和延伸到所述孔中的支撑件之间的周向间隙中提供胶连接，所述支撑件固定地布置在所述孔中。
6.根据前述权利要求中任一项所述的基板保持装置，其特征在于，所述基板保持装置还包括环阵列，所述环布置在所述保持板和所述基底板之间的间隙中，并且其中所述环阵列中的每个环布置成包围所述小滴阵列中的一个小滴。
7.根据权利要求6所述的基板保持装置，其特征在于，所述环的厚度小于所述保持板和所述基底板之间的间隙的宽度。
8.根据权利要求6或7所述的基板保持装置，其特征在于，所述环由挠性或弹性材料制成。
9.根据前述权利要求中任一项所述的基板保持装置，其特征在于，所述基底板的面向所述间隙的表面和/或所述保持板的面向所述间隙的表面设置有容纳部阵列，其中在所述容纳部阵列的容纳部处的保持板和基底板之间的间隙的宽度大于围绕所述容纳部处的保持板和的基底板之间的间隙的宽度，并且其中所述容纳部阵列中的每个容纳部布置成用于保持所述小滴阵列中的一个小滴。
10.根据权利要求9所述的基板保持装置，其特征在于，其中所述容纳部阵列中的至少一个容纳部基本上成形为圆锥体、平截头圆锥体、截头球体或平截头球体。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的基板保持装置，其特征在于，其中所述基底板面向所述间隙的表面包括容纳部阵列，其中所述容纳部阵列中的每个容纳部包括弹性构件，所述弹性构件跨越所述容纳部并且布置成与所述容纳部的底表面间隔开，并且其中每个容纳部包括来自所述小滴阵列的小滴，其中所述小滴布置在所述弹性构件板和保持板之间。
12.根据权利要求11所述的基板保持装置，其特征在于所述弹性构件和所述保持板之间的距离大于所述保持板与所述基底板靠近所述容纳部的表面之间的距离。
13.根据权利要求11或12所述的基板保持装置，其特征在于，所述弹性构件包括覆盖件，优选为盖板。
14.根据权利要求11，12或13所述的基板保持装置，其特征在于，每个容纳部包括支撑元件，所述支撑元件用于在所述容纳部中支撑所述弹性构件的边缘的至少一部分，优选地用于在所述容纳部中支撑所述弹性覆盖件的周缘。
15.根据权利要求14所述的基板保持装置，其特征在于，所述支撑元件包括设置在所述容纳部的周向侧壁中的边沿或台阶。
16.根据权利要求11-15中任一项所述的基板保持装置，其特征在于，每个容纳部包括环或环圈，所述环或环圈布置在所述保持板和所述弹性构件之间的所述间隙中，并且其中所述环或所述环圈布置成在所述容纳部中围绕小滴。
17.根据权利要求16所述的基板保持装置，其特征在于，所述环或环圈的厚度小于所述保持板和所述弹性构件之间的距离。
18.根据权利要求16或17所述的基板保持装置，其特征在于，所述环或环圈由挠性或弹性材料制成。
19.根据权利要求16，17或18所述的基板保持装置，其特征在于，所述环或环圈包括基本上矩形的横截面。
20.根据权利要求9-19中任一项所述的基板保持装置，其特征在于，所述基底板设置有通气孔，所述通气孔在所述容纳部的底表面中穿出，并且优选地基本上在所述容纳部的中心处穿出。
21.根据前述权利要求中任一项所述的基板保持装置，其特征在于，其用于基板处理设备或基板成像设备中，其中所述小滴阵列中的小滴包括熔化温度或熔化范围在所述基板处理设备或基板成像设备的操作温度处或其附近的材料。
22.根据前述权利要求中任一项所述的基板保持装置，其特征在于，所述间隙包括与所述基板保持装置外侧的开放连接，优选地，所述间隙在所述基板保持装置的周围侧边缘处基本开放。
23.一种基板保持装置，其包括：
保持板，其中保持板包括用于保持基板的第一侧；
基底板，其布置在与保持板相距一定距离处，并且在保持板背离第一侧的第二侧处在基底板和保持板之间提供间隙；
支撑件阵列，所述支撑件至少布置在保持板和基底板之间；以及
吸热材料的液体小滴阵列或固体小滴阵列，所述小滴布置在保持板和基底板之间，其中所述小滴在基本上垂直于保持板的第一侧的方向上被保持板和基底板限制，并且其中小滴布置成使得所述小滴能够至少在沿着基底板和保持板之间的间隙的方向上膨胀。
24.一种用于处理或成像样本的设备，其中所述设备包括：
源，其用于电磁辐射或具有能量的粒子；
曝光单元，其用于将所述样品曝光于所述电磁辐射或具有能量的粒子；以及根据前述权利要求中任一项所述的基板保持装置，其用于至少在所述曝光期间保持所述样品。
25.一种用于制造基板保持装置的方法，所述基板保持装置包括：保持板，其中保持板包括用于保持基板的第一侧；基底板，其布置在与保持板相距一定距离处，并且在保持板的背离第一侧的第二侧处在基底板和保持板之间提供间隙；支撑件阵列，所述支撑件至少布置在保持板和基底板之间；以及吸热材料的小滴阵列，其中所述方法包括以下步骤：
在支撑板和基底板之间布置小滴，其与支撑件和所述小滴阵列中的其他小滴间隔开，其中所述小滴至少在其液相中布置成接触保持板和基底板两者。
26.一种用于组装基板保持装置的方法，其中所述方法包括以下步骤：
提供保持板以及固定于所述保持板背离第一侧的第二侧的支撑件阵列，其中所述保持板包括用于保持基板的第一侧，其中所述支撑件布置成基本上垂直于所述第二侧延伸；
提供基底板，该基底板包括孔阵列，用于将支撑件安装在所述孔中；
将与支撑件且与所述小滴阵列中的其他小滴间隔开的吸热材料的小滴阵列在面向基底板的一侧布置在保持板上，或者在面向保持板的一侧布置在基底板上；
将具有支撑件的保持板和基底板朝向彼此移动，直到达到保持板和基底板之间的所需距离，其中支撑件定位在所述孔中，并且小滴阵列布置在保持板和基底板之间的间隙中；以及
将一个或多个所述支撑件固定在相应的孔中。
27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，所述支撑件通过胶连接固定于所述第二侧。
28.根据权利要求26或27所述的方法，其特征在于，所述一个或多个支撑件通过胶连接固定在相应的孔中，所述胶连接设置在所述孔和延伸到所述孔中的所述支撑件之间的周向间隙中。
29.一种根据权利要求1-23中任一项所述的基板保持装置的应用，其用于处理或成像样本的设备，所述处理或成像样本的设备优选地是光刻系统，更优选地是多束带电粒子光刻系统。
30.一种用于曝光样本的设备，其中所述设备包括：
源，其用于电磁辐射或具有能量的粒子；
曝光单元，其用于将所述样品曝光于所述电磁辐射或粒子，其中所述曝光单元包括用于至少部分地和/或暂时地操纵和/或阻挡至少一部分所述电磁辐射或带电粒子的部件，其中所述部件包括冷却布置，所述冷却布置布置成用于将部件基本上保持在预定的第一温度；以及
基板保持装置，其用于至少在所述曝光期间保持所述样品，其中所述基板保持装置包括温度稳定布置，所述温度稳定布置布置成基本上稳定布置在所述基板保持装置上的样品的温度，其中所述温度稳定布置包括在第二温度具有相变的相变材料；
其中冷却布置包括控制装置，该控制装置配置成将第一温度调节到接近或等于第二温度。
31.根据权利要求30所述的设备，其特征在于，冷却布置和温度稳定布置布置成使得第一温度和第二温度之间的差不大于4℃，优选不大于2℃。
32.根据权利要求30或31所述的设备，其特征在于，第一温度低于第二温度。
33.根据权利要求30或31所述的设备，其特征在于，第一温度基本上等于第二温度，优选地，其中第一温度和第二温度基本上等于室温，特别是制造厂中的室温。
34.根据权利要求30-33中任一项所述的设备，其特征在于，相变材料包括共熔金属合金。
35.根据权利要求30-34中任一项所述的设备，其特征在于，所述冷却布置包括导管，用于引导冷却流体通过所述导管，其中所述导管布置成与所述部件热接触。
36.根据权利要求35所述的设备，其特征在于，冷却布置布置成使得冷却流体的温度与第二温度之间的差不大于4℃，优选不大于2℃。
37.根据权利要求35或36所述的设备，其特征在于，冷却布置包括温度控制系统，该温度控制系统布置成相对于基板保持装置的温度来控制冷却流体的温度。
38.根据权利要求37所述的设备，其特征在于，所述设备包括温度传感器，其用于测量所述基板保持装置的温度和所述曝光单元的温度，特别是用于测量所述曝光单元的与所述基板保持装置相邻布置的部分的温度。
39.根据权利要求37或38所述的设备，其特征在于，冷却布置包括：
冷却装置，其用于将冷却流体冷却至低于第一温度的温度；以及
加热装置，其用于加热冷却流体，其中加热装置在相对于部件的上游位置处布置在导管中。
40.根据权利要求30-39中任一项所述的设备，其特征在于，所述部件包括用于将电磁辐射或粒子投射到样品上的投影透镜。
41.根据从属于权利要求6的权利要求40所述的设备，其特征在于，所述导管布置成用于通过或围绕投影透镜输送冷却流体。
42.根据权利要求30-41中任一项所述的设备，其特征在于，所述部件包括用于调制电磁辐射或粒子的调制装置。
43.根据从属于权利要求35的权利要求42所述的设备，其特征在于，所述导管布置成用于穿过所述调制装置或围绕所述调制装置输送所述冷却流体。
44.根据权利要求43所述的设备，其特征在于，所述调制装置包括束消隐组件，所述束消隐组件包括用于偏转电磁辐射束或粒子束的束偏转器和用于阻挡所述电磁辐射束或粒子束的束中断器，其中所述导管布置成用于穿过或围绕束中断器输送冷却流体。
45.根据权利要求30-44中任一项所述的设备，其特征在于，所述源是带电粒子的源，并且所述曝光单元包括带电粒子光学系统，其用于将一个或多个带电粒子束投射到所述样品上。
46.根据权利要求45所述的设备，其特征在于，所述源布置成提供多个带电粒子束，并且其中所述带电粒子光学系统布置成用于将所述多个带电粒子束中的一个或多个投射到所述样品上，其中至少导管的第一部分布置在两个带电粒子束之间的区域中。
47.根据权利要求30-46中任一项所述的设备，其特征在于，所述曝光单元包括一个或多个温度传感器，优选地，其中所述一个或多个温度传感器中的一个布置在所述曝光单元面向所述基板保持装置的一侧处。
48.一种使用根据权利要求30-47中任一项所述的设备曝光样品的方法，其中在处理或成像样品之前进行温度稳定布置的调节，其中调节包括以下步骤：固化所述温度稳定布置的液体相变材料的至少一部分。
49.根据权利要求48所述的方法，其特征在于，所述调节还包括在处理或成像样品之前将温度稳定布置的温度设定在第二温度的步骤。
50.根据从属于权利要求10的权利要求48或49所述的方法，其特征在于，控制加热装置和/或冷却装置以在基板保持装置和曝光单元、特别是所述曝光单元的面向基板保持装置的部分之间建立温差，该温差小于4℃，优选小于2℃，更优选小于1℃。
51.根据权利要求48-50中任一项所述的方法，其特征在于，所述设备在操作期间的温度在从19℃到22℃的温度范围内，优选地，其中所述第一温度和所述第二温度也布置在从
19℃到22℃的温度范围内。
52.一种根据权利要求30-47所述的设备的应用，其用于曝光样品、特别是用于处理或成像样品。
53.一种借助于根据权利要求24，30-47中任一项所述的设备来制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
-将晶片放置在基板保持装置上并将所述晶片定位在所述曝光单元的下游；
-处理所述晶片，包括借助于来自所述源的电磁辐射或具有能量的粒子在所述晶片上投射图像或图案；以及
-执行后续步骤，以便通过所述处理过的晶片生产半导体装置。
54.一种借助于根据权利要求24，30-47中任一项所述的设备检查目标的方法，所述方法包括以下步骤：
-将所述目标放置在基板保持装置上并将所述晶片定位在所述曝光单元的下游；
-将来自所述源的所述电磁辐射或具有能量的粒子投射到目标上；
-在来自所述源的所述电磁辐射或具有能量的粒子入射到所述目标上时，检测由所述目标传输、发射和/或反射的电磁辐射或带电粒子；以及
-执行后续步骤，以便通过来自检测带电粒子的步骤的数据检查所述目标。