一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器
阅读：841发布：2023-02-28
专利汇可以提供一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种金纳米孔 薄膜 三 电极 电离式二 氧 化硫 传感器 ，包括三个 自下而上 依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极由内表面附着有分布着采用 蒸发 沉积法生长金纳米孔薄膜的金属膜基底以及设有小透气孔的 阴极 构成；第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；第三电极由 板面 设有 深槽 的收集极构成；三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离；小透气孔的孔径设定后；三电极之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和深槽的边长、深度设定。该金纳米孔薄膜电离式二氧化硫传感器通过 电流 检测二氧化硫浓度，与 现有技术 相比其工作 电压 小，收集极电流大，灵敏度高，可检测六氟化硫背景气体中的二氧化硫。，下面是一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器专利的具体信息内容。
1.一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，包括三个自下而上依次分布的第一电极、第二电极和第三电极，其特征在于：所述第一电极由内表面附着有分布着金纳米孔薄膜的金属膜基底以及设有小透气孔的阴极构成；所述第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；所述第三电极由板面设有深槽的收集极构成；该三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离；
所述第一电极内表面金属膜基底上采用蒸发沉积法制备金纳米孔薄膜材料；
所述小透气孔的孔径设定在0.6～3.6mm，小引出孔的孔径为1.0～5.0mm，深槽的边长、深度分别为1×1～8×8mm和100～240μm；
三电极之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和深槽的边长、深度设定。
2.根据权利要求1所述的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，其特征在于：所述小透气孔的孔径为0.6～3.6mm时，第一电极与第二电极之间极间距与小透气孔的孔径之比为1/60～1/8。
3.根据权利要求1所述的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，其特征在于：所述小引出孔的孔径为1.0～5.0mm时，第一电极与第二电极之间极间距与小引出孔的孔径之比为3/250～3/40，第二电极与第三电极之间极间距与小引出孔的孔径之比为9/1000～2/
25。
4.根据权利要求1所述的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，其特征在于：所述深槽的边长、槽深分别为1×1～8×8mm和100～240μm时，第二电极与第三电极之间极间距与深槽槽深之比为3/16～4/5。
5.根据权利要求1所述的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，其特征在于：所述第一电极的电极表面的小透气孔为1～20个；
所述第二电极引出极的小引出孔设有1～20个；
所述第三电极收集极的深槽设有1～20个。
6.一种权利要求1所述的金纳米孔薄膜材料制备到金属膜基底的方法，其特征在于，包括下述步骤：
1)镀膜前预处理：选用刻蚀有透气孔的硅片作为基体，并进行镀膜前预处理；
2)溅射：在真空条件下分别在三个基片上依次溅射钛膜、镍膜和金膜，三层薄膜厚度分别为50nm、400nm和125nm；
3)退火：将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火30～80s，退火温度为400～500℃；
4)金纳米孔材料制备：在真空度为3×10-3Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8mm；
5)进行微观形貌检测，自此完成金属膜基底金纳米孔薄膜材料的制备过程。
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7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤2)中，溅射条件为：真空度为2.5×10
3Pa，溅射温度为30～40℃，依次溅射钛膜、镍膜和金膜溅射时间分别为7min、50min和
13min。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤4)中，蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min。
一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器
技术领域
背景技术
[0002] 由于六氟化硫气体具有优良的绝缘和灭弧性能，气体绝缘组合电器GIS中越来越多地采用高压六氟化硫断路器，其在放电或过热故障下，六氟化硫气体电离分解产生一些性能稳定的气体例如二氧化硫，对二氧化硫气体的检测可以为断路器烧蚀情况提供科学依据。20世纪80年代以来，国内外对二氧化硫的检测进行了大量研究。目前，国内外检测二氧化硫常用的有气体检测管、热导检测器、半导体传感器、电化学传感器、气相色谱仪、红外光谱仪、色谱-质谱仪等。气体检测管检测灵敏度较低，只能作定性或半定量的检测，且检测管只能一次性使用；热导检测器工作温度较高，且灵敏度低；半导体型传感器和电化学传感器选择性差，漂移严重；气相色谱仪检测能力受标准样品和色谱分离能力的限制；红外光谱存在交叉干扰现象，必须使用标准气体得到参考图谱对分析结果进行校正，而且易受到其它因素的干扰；气相色谱-质谱联用法检测能力受色谱分离能力的限制。现有检测手段因灵敏度低、对环境温度要求高、气体选择性差、漂移严重、在交叉干扰现象等缺点不能有效的为断路器烧蚀情况提供判断依据。
[0003] 随着纳米技术的发展，纳米传感器已获得长足的进展。纳米传感器基于气体放电原理，具有许多常规传感器不可替代的优点。碳纳米管气体传感器主要分为吸附式和电离式，吸附式传感器普遍具有易饱和、解吸附困难、测量范围窄、检测种类有限等缺点。电离式碳纳米管传感器基于气体放电原理，对微量气体敏感、响应速度快，且能够克服吸附式传感器易饱和、解吸附时间长等问题。
[0004] 西安交通大学张勇等研制出碳纳米管三电极传感器(图1)，阴极有两个直径为5mm的半圆孔，引出极有6个直径为2mm的圆孔，探索发现了传感器对SF6背景中SO2的单值敏感特性及其关键技术。通过控制电极间距和电极电压，产生两个方向不同的电场，通过引出极与阴极之间的反向电场引出了放电空间的部分正离子，减少了对阴极碳管的轰击。但该传感器结构的引出孔较大，反向电场范围有限，只能收集部分正离子，还有部分正离子向阴极运动轰击碳管。研究者还发现该三电极传感器工作电压高(250V)，收集电流小(图2)，造成灵敏度低，影响了传感器性能。其次，传感器第一电极的碳纳米管材料仍然受到正离子的轰击，导致寿命变短，影响实用化进程。六氟化硫气体是强电负性气体,容易吸附电子形成负离子的气体，较难电离生成正离子，应用传感器检测六氟化硫背景中二氧化硫气体浓度是一个难点。
[0005] 因此，目前对可敏感六氟化硫背景中二氧化硫气体传感器的研究，成为亟待解决的技术问题。
发明内容
[0006] 本发明的目的在于提供一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，引出极设有小引出孔，将现有三电极传感器反向电场范围增大，提高正离子引出数量，从而提高引出的离子流；降低了传感器工作电压，提高了传感器灵敏度。获得本发明电离式二氧化硫传感器收集电流与单一气体二氧化硫浓度单值对应关系。
[0007] 本发明的目的是通过下述技术方案来实现的。
[0008] 一种金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，包括三个自下而上依次分布的第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极由内表面附着有分布着金纳米孔薄膜的金属膜基底以及设有小透气孔的阴极构成；所述第二电极由中心设有小引出孔的引出极构成；所述第三电极由板面设有深槽的收集极构成；该三个电极分别通过绝缘支柱相互隔离；
[0010] 所述小透气孔的孔径设定在0.6～3.6mm、小引出孔的孔径为1.0～5.0mm，深槽的边长、深度分别为1×1～8×8mm和100～240μm；
[0011] 三电极之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和深槽的边长、深度设定。
[0012] 进一步，所述小透气孔的孔径为0.6～3.6mm时，第一电极与第二电极之间极间距为60～75μm与小透气孔的孔径之比为1/60～1/8。
[0013] 进一步，所述小引出孔的孔径为1.0～5.0mm时，第一电极与第二电极之间极间距为与小引出孔的孔径之比为3/250～3/40，第二电极与第三电极之间极间距与小引出孔的孔径之比为9/1000～2/25。
[0014] 进一步，所述深槽的边长、深度分别为1×1～8×8mm和100～240μm时，第二电极与第三电极之间极间距与深槽孔深之比为3/16～4/5。
[0015] 进一步，所述第一电极的电极表面的小透气孔为1～20个；
[0016] 所述第二电极引出极的小引出孔设有1～20个；
[0017] 所述第三电极收集极的深槽设有1～20个。
[0018] 相应地，本发明给出了一种金纳米孔薄膜制备到金属膜基底的方法，包括下述步骤：
[0021] 3)退火：将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火30～80s，退火温度为400～500℃；
[0022] 4)金纳米孔材料制备：在真空度为3×10-3Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8mm；
[0023] 5)进行微观形貌检测，自此完成金属膜基底金纳米孔薄膜材料的制备过程。
[0024] 进一步，步骤2)中，溅射条件为：真空度为2.5×10-3Pa，溅射温度为30～40℃，依次溅射钛膜、镍膜和金膜溅射时间分别为7min、50min和13min。
[0025] 进一步，步骤4)中，蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min。
[0026] 本发明具有以下技术效果：
[0027] 1)在第一电极内表面金属膜基底上生长金纳米孔薄膜材料，可以延长传感器的寿命。
[0028] 2)第一电极小透气孔、第二电极小引出孔和第三电极深槽的边长、深度的设计，第一电极利于气体分子进入传感器和散热；第二电极能够引出更多的正离子，提高检测气体灵敏度并延长寿命；第三电极收集更多的正离子，提高传感器收集电流。
[0029] 3)通过三电极之间的极间距按照小透气孔、小引出孔的孔径和深槽的边长、深度设定，传感器极间距与小透气孔、小引出孔和小深槽之间的比值优化，提高了传感器收集极电流，检测气体的灵敏度进一步增大。
[0030] 本发明方法特点还在于：
[0031] 采用金纳米孔代替阴极的碳纳米管，初始放电电流提高了3～4倍。现有的电离式传感器在测量二氧化硫时气体放电离子流比较小，初始放电电流大约为15.7nA，而本结构的传感器初始放电电流可达到60nA左右。
[0033] 图1是现有技术碳纳米管薄膜三电极电离式二氧化硫传感器结构示意图。
[0034] 图2是现有碳纳米管薄膜三电极电离式气体传感器的小收集电流与二氧化硫浓度的气敏特性。
[0035] 图3是本发明金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器结构示意图。
[0036] 图4是本发明金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器电极三维展示图。
[0037] 图5是现有技术碳纳米管薄膜三电极电离式二氧化硫传感器增加收集深槽的结构示意图。
[0038] 图6是仿真图1大孔传感器结构、图3传感器结构、以及本发明图4小孔传感器结构的稳定输出时的平均电流密度对比。
[0039] 图7是本发明金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器在六氟化硫背景中单一气体二氧化硫中输出的大收集电流与气体浓度的单值关系。
[0040] 图中：1、第一电极；2、第二电极；3、第三电极；4、设有小透气孔的电极；5、金属膜基底；6、碳纳米管薄膜；7、金纳米孔薄膜；8、绝缘支柱；1-1、小透气孔；2-1、小引出孔；3-1、深槽。
具体实施方式
[0041] 下面结合附图及具体实施例对本发明做进一步说明。
[0042] 图3、图4所示的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，包括三个自下而上依次分布的第一电极1、第二电极2和第三电极3，第一电极1由内表面附着有分布着金纳米孔薄膜7(取代了图2中的碳纳米管薄膜6)的金属膜基底5以及设有小透气孔的电极4构成；第二电极2由中心设有小引出孔2-1的引出极构成；第三电极3由板面设有深槽3-1的收集极构成；该三个电极分别通过绝缘支柱8相互隔离，绝缘支柱8分别设置在分布着金纳米孔薄膜的金属膜基底5与第二电极2之间、第二电极2与第三电极3之间，即绝缘支柱8分布于第二电极2正对第一电极1的表面两侧及第三电极3的内侧金膜表面的两侧。
[0043] 其中，小透气孔1-1的孔径设定在0.6～3.6mm、小引出孔2-1的孔径为1.0～5.0mm，深槽3-1的边长、深度分别为1×1～8×8mm和100～240μm。当小透气孔的孔径为0.6～3.6mm时，第一电极与第二电极间距之间极间距与小透气孔的孔径之比为1/60～1/8；当小引出孔的孔径为1.0～5.0mm时，第一电极与第二电极之间极间距与小引出孔的孔径之比为3/250～3/40，第二电极与第三电极之间极间距与小引出孔的孔径之比为9/1000～2/25；当深槽的边长、槽深分别为1×1～8×8mm和100～240μm时，第二电极与第三电极之间极间距与深槽槽深之比为3/16～4/5。通过传感器极间距与小透气孔、小引出孔和小深槽之间的比值优化，使传感器收集极电流增大，灵敏度进一步增大。
[0044] 在本发明结构中，第一电极的电极表面的小透气孔有1～20个，小透气孔形状可以是圆形的；第二电极引出极的小引出孔设有1～20个，小引出孔形状可以是圆形的；第三电极收集极的深槽设有1～20个，深槽形状可以是矩形的。
[0045] 本发明设有透气孔的电极板面采用硅片材料制作；金属膜基底采用钛、镍、金三种金属材料制作；金纳米孔薄膜采用金源，在金属膜基底上生长制作金纳米孔薄膜；第二电极和第三电极均采用硅片制作。第一电极和第三电极内侧面、第二电极的两侧面均设有金属膜。
[0046] 下面通过传感器结构制作实施例对本发明进行进一步说明。
[0047] 实施例1
[0048] 第一电极的电极上有12个小透气孔1-1，孔径设定在0.8mm，第一电极与第二电极之间极间距与小透气孔的比值为3/32；第二电极由中心有9个小引出孔，小引出孔的孔径为1.2mm，第一电极与第二电极之间、第二电极与第三电极之间极间距与小引出孔直径之比为
1/16；第三电极上设有1个深槽，深槽的边长6×8mm，深度为200μm，第二电极与第三电极之间极间距与收集极深槽的孔深之比为15/40。
1/16；第三电极上设有1个深槽，深槽的边长6×8mm，深度为200μm，第二电极与第三电极之间极间距与收集极深槽的孔深之比为15/40。
[0049] 本实施例金纳米孔电离式氟化亚硫酰传感器的金纳米孔制备到金属膜基底步骤如下：
[0050] 选用刻蚀有透气孔的硅片作为基体并进行镀膜前预处理；在真空度为2.5×10-3Pa，30℃下分别在三个基片上依次溅射钛膜、镍膜和金膜，溅射时间分别为7min、50min和
13min，三层薄膜厚度分别为50nm、400nm和125nm；将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火
30s，退火温度为500℃；金纳米孔材料制备：在真空度为3×10-3Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8μm。
13min，三层薄膜厚度分别为50nm、400nm和125nm；将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火
30s，退火温度为500℃；金纳米孔材料制备：在真空度为3×10-3Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8μm。
[0051] 本发明第一电极的电极上有12个小透气孔，便于待检测气体进入电极间隙；金属膜基底具有导电能力，并牢固附着在第一电极一侧表面；第二电极上设有正离子流小引出孔；第三电极收集极通过第二电极的小引出孔，可收集气体电离产生的正离子流。第一电极与第二电极之间、第二电极与第三电极之间通过绝缘支柱相互隔离；被测气体通过传感器周边电极间的间隙进入传感器相邻两个电极的间隙中。
[0052] 本发明采取上述结构的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器在测量单一气体二氧化硫浓度时，第二电极电位高于第一电极电位，第三电极电位低于第二电极电位并高于第一电极电位。第二电极与第一电极形成以电子流为主导的回路，第三电极与第一电极形成以离子流为主导的回路，工作电压降低，引出孔径的减小使得反向电场范围增大，增加了收集离子流的能力，提高了传感器灵敏度。金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器输出的收集电流与单一气体二氧化硫浓度，在第二电极施加一定电压的基础上，呈现单值气体浓度敏感关系。
[0053] 下面通过一个具体实例，对本发明金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器检测二氧化硫气体浓度做进一步说明。
[0054] 采用流体模型仿真不同结构电离式传感器(图1，图3和图5所示)，获得传感器稳定输出时的电流密度曲线(图6所示)。通过增加传感器的收集极深槽(图5在图1结构上增加1个深槽，边长和孔深分别为6×8mm和200μm)，提高了传感器的输出电流密度。通过增加小透气孔及其数量(图3在图1结构上，阴极改为12个直径为0.8mm的小透气孔)和小引出孔及其数量(图3在图1结构上，引出极改为9个直径为1.2mm的小引出孔)，并使第二电极与第三电极之间极间距与收集极深槽的孔深之比为15/40，第一电极与第二电极之间极间距分别与小透气孔和小引出孔直径之比为3/32和1/16，以提高传感器电流密度，如图6所示。采用图3结构的金纳米孔传感器提高了传感器收集电流(图7所示)。
[0055] 采用上述结构的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器，实验获得了六氟化硫景中气体二氧化硫的单值气敏特性(图7)。
[0056] 图7所示的金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器测量六氟化硫背景中二氧化硫浓度实施例中，实验环境条件为温度50℃、相对湿度27.1％RH、大气压力99.3KPa。二氧化硫传感器第一电极阴极电压为0V，第二电极引出极加载电压150V，第三电极收集极加载电压1V。随着二氧化硫浓度的增加，金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器收集极收集到的离子流减小，离子流与二氧化硫浓度之间呈现单值下降关系。初始放电电流可达到80nA左右，最高灵敏度为-704.5nA/ppm。
[0057] 本发明传感器的平均灵敏度可达到47nA/ppm，碳纳米管传感器的平均灵敏度为14nA/ppm。本发明传感器与现有的三电极碳纳米管传感器对比，该传感器检测气体初始放电显著增大，现有传感器检测二氧化硫气体时电流大约为15nA，而本传感器初始放电电流可达到80nA左右；检测气体灵敏度高，现有传感器检测二氧化硫气体时最高灵敏度为-
203.25nA/ppm，而本传感器检测二氧化硫气体时最高灵敏度为-704.5nA/ppm。
203.25nA/ppm，而本传感器检测二氧化硫气体时最高灵敏度为-704.5nA/ppm。
[0058] 实施例2
[0059] 本实施例基本结构同实施例1，所不同的是：第一电极的电极上有16个小透气孔，孔径设定在3.6mm，第一电极与第二电极之间极间距与小透气孔孔径的比值为1/60；第二电极由中心有16个小引出孔，小引出孔的孔径为5.0mm，第一电极与第二电极之间极间距与小引出孔孔径的比值为3/250；第二电极与第三电极之间极间距与小引出孔孔径的比值为9/1000；第三电极上设有12个深槽，深槽的边长1.0×1.0mm，深度为100μm，第二电极与第三电极之间极间距与槽深之间的比值为4/5。
[0060] 本实施例金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器的金纳米孔制备到金属膜基底步骤如下：
[0061] 选用刻蚀有透气孔的硅片作为基体并进行镀膜前预处理；在真空度为2.5×10-3Pa，30℃下分别在三个基片上依次溅射钛膜、镍膜和金膜，溅射时间分别为7min、50min和
13min，三层薄膜厚度分别为50nm、400nm和125nm；将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火
50s，退火温度为450℃；金纳米孔材料制备：在真空度为3×10-3Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8μm。
13min，三层薄膜厚度分别为50nm、400nm和125nm；将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火
50s，退火温度为450℃；金纳米孔材料制备：在真空度为3×10-3Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8μm。
[0062] 实施例3
[0063] 本实施例基本结构同实施例1，所不同的是：第一电极的电极表面有20个小透气孔，孔径为0.6mm，第一电极与第二电极之间极间距与小透气孔孔径之间的比值为1/8。第二电极中心有20个小引出孔，孔径为1.0mm时，第一电极与第二电极之间极间距与小引出孔孔径之间的比值为3/40。第二电极与第三电极之间极间距与小引出孔孔径之间的比值为2/25。第三电极有20个深槽，边长、深度分别为8×8mm和240μm时，第二电极与第三电极之间极间距与槽深之间的比值为3/16。
[0064] 本实施例制作金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器的金纳米孔制备到金属膜基底步骤如下：
[0065] 选用刻蚀有透气孔的硅片作为基体并进行镀膜前预处理；在真空度为2.5×10-3Pa，40℃下分别在三个基片上依次溅射钛膜、镍膜和金膜，溅射时间分别为7min、50min和
13min，三层薄膜厚度分别为50nm、400nm和125nm；将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火-3
80s，退火温度为400℃；金纳米孔材料制备：在真空度为3×10 Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8μm。
13min，三层薄膜厚度分别为50nm、400nm和125nm；将溅射有钛镍金薄膜的硅基底快速退火-3
80s，退火温度为400℃；金纳米孔材料制备：在真空度为3×10 Pa，在溅射有Ti/Ni/Au膜硅基底上，采用蒸发沉积法生长金纳米孔薄膜材料，沉积率为1.5nm/s，沉积时间为20min，金纳米孔的平均尺寸为350nm，高度为1.8μm。
[0066] 实施例4
[0067] 本实施例基本结构同实施例1，所不同的是：第一电极的电极表面有20个小透气孔，孔径为2mm，第一电极与第二电极之间极间距与小透气孔孔径之间的比值为13/400。第二电极中心有20个小引出孔，孔径为3mm时，第一电极与第二电极之间极间距与小引出孔孔径之间的比值为3/200。第二电极与第三电极之间极间距与小引出孔孔径之间的比值为7/300。第三电极有20个深槽，边长、深度分别为8×8mm和200μm时，第二电极与第三电极之间极间距与槽深之间的比值为7/20。
[0068] 本实施例金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器的金纳米孔制备到金属膜基底步骤如实施例1所述。
[0069] 本发明在相同实验条件下，采用实施例2-4的传感器结构均能够获得满足要求的实验效果。
[0070] 表1是本发明传感器与现有技术传感器的灵敏度对比。
[0071] 表1本发明SO2传感器与现有SO2传感器灵敏度对比
[0072]
[0073] 从表1可以看出，本发明金纳米孔薄膜三电极电离式二氧化硫传感器与现有二氧化硫传感器相比，其归一化灵敏度得到了大幅度的提高，达到了-9.4(ppm-1)。该传感器解决了二氧化硫传感器量程小的问题，提高了传感器的灵敏度，增强了实用性能，具有非常好的应用前景。
[0074] 虽然本发明以上述较佳的实施例对本发明做出了详细的描述，但上述实施例并不用于限定本发明。在不脱离本发明技术方案所给出的技术特征和结构范围的情况下，对技术特征所作的增加、变形或以本领域同样内容的替换，均应属本发明的保护范围。
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