图像传感器
阅读：163发布：2023-03-02
专利汇可以提供图像传感器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种图像 传感器 。该图像传感器包括：衬底，所述衬底的第一侧形成有金属互连层；第一类型掺杂区，其位于所述衬底中；第二类型掺杂区，其位于所述衬底中，并与所述第一类型掺杂区相邻以形成光电 二极管 ； 电极 层，其位于所述衬底的第二侧，其中所述电极层是可透光的；绝缘层，其位于所述电极层与所述衬底之间；其中，所述电极层与所述衬底之间具有预定电势差，以使得所述衬底的第二侧的表面形成第二类型导电层。，下面是图像传感器专利的具体信息内容。
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底的第一侧形成有金属互连层；
第一类型掺杂区，其位于所述衬底中；
第二类型掺杂区，其位于所述衬底中，并与所述第一类型掺杂区相邻以形成光电二极管；
电极层，其位于所述衬底的第二侧，其中所述电极层是可透光的；
绝缘层，其位于所述电极层与所述衬底之间；
其中，所述电极层与所述衬底之间具有预定电势差，以使得所述衬底的第二侧的表面形成第二类型导电层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一类型掺杂区从所述衬底的第二侧露出，所述预定电势差使得所述第一类型掺杂区表面反型为所述第二类型导电层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二类型掺杂区从所述衬底的第二侧露出并覆盖所述第一类型掺杂区，所述预定电势差使得所述第二类型掺杂区表面的多数载流子的浓度提高。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电极层包括一个或多个通孔，其位于所述光电二极管上。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述一个或多个通孔的面积超过所述光电二极管面积的10％。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述通孔的形状是六边形。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电极层的厚度不超过2000埃。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：
电极互连层，其位于所述电极层上，用于将所述电极层电引出。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述电极 互连层位于所述光电二极管的边缘。
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述电极互连层的厚度为400埃至5000埃。
图像传感器
技术领域
背景技术
[0002] 传统的图像传感器通常可以分为两类：电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。其中，CMOS图像传感器具有体积小、功耗低、生产成本低等优点，因此，CMOS图像传感器易于集成在例如手机、笔记本电脑、平板电脑等便携电子设备中，作为提供数字成像功能的摄像模组使用。
[0003] CMOS图像传感器通常包括光电二极管以用于收集光能并转换为电荷信号。特别地，为了减少暗电流，在形成光电二极管的衬底表面会掺杂离子以形成钉扎(pinning)层。该钉扎层通常与衬底接触以使得其具有相同的电势，当光电二极管完全耗尽时，光电二极管的电势被钉扎在恒定值，从而减少暗电流。
[0004] 然而，对于背照式(Back Side Illumination，BSI)图像传感器，其衬底通常需要被减薄到2至4微米以使得光电二极管从背面露出。之后才能在衬底背面继续注入掺杂离子以形成钉扎层。由于衬底厚度太薄，钉扎层的离子注入难以采用快速退火(RTA)来激活注入离子，通常需要改用激光退火工艺。然而激光退火很难保证注入离子激活的均匀性，并且会在衬底背面形成白点，从而影响图像传感器的性能。
[0005] 因此，需要提供一种具有较佳钉扎效果的图像传感器。实用新型内容
[0006] 为了解决上述问题，根据本实用新型的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：衬底，所述衬底的第一侧形成有金属互连层；第一类型掺杂区，其位于所述衬底中；第二类型掺杂区，其位于所述衬底中，并与所述第一类型掺杂区相邻以形成光电二极管；电极层，其位于所述衬底的第二侧，其中所述电极层是可透光的；绝缘层，其位于所述电极层与所述衬底之间；其中，所述电极层与所述衬底之间具有预定电势差，以使得所述衬底的第二侧的表面形成第二类型导电层。
[0007] 在本实用新型的实施例中，衬底表面形成有导电的电极层，因而可以通过在该电极层上加电而在衬底表面感生出第二类型导电层。该导电层与其下的第一类型掺杂区构成了钉扎二极管，即该第二类型导电层作为所形成的图像传感器的钉扎层，以用于抑制暗电流。
[0008] 相比于现有技术的图像传感器，该钉扎层具有更为均匀的厚度，从而提高了衬底表面的钉扎效果，有效减少了暗电流。此外，由于可以通过改变电极层的电压来调节电极层与衬底之间的预定电势差，这使得可以通过调节不同的预定电势差来调节钉扎层厚度，进而用以调节钉扎层的钉扎性能。
[0009] 此外，由于电极层是可透光的，例如包含有一个或多个通孔来透光，或者采用可透光材料来透光，因此，衬底第二侧上的电极层并不会影响图像传感器中的光电二极管的感光。
[0010] 在一个实施例中，所述第一类型掺杂区从所述衬底的第二侧露出，所述预定电势差使得所述第一类型掺杂区表面反型为所述第二类型导电层。
[0011] 在一个实施例中，所述第二类型掺杂区从所述衬底的第二侧露出并覆盖所述第一类型掺杂区，所述预定电势差使得所述第二类型掺杂区表面的多数载流子的浓度提高。
[0012] 在一个实施例中，所述电极层包括一个或多个通孔，其位于所述光电二极管上。这些通孔可以提高电极层的整体透光率，从而进一步提高成像效果。
[0013] 在一个实施例中，所述通孔的形状是六边形。
[0014] 在一个实施例中，所述一个或多个通孔的面积超过所述光电二极管面积的10％。
[0015] 在一个实施例中，所述电极层的厚度不超过2000埃。
[0017] 在一个实施例中，还包括：电极互连层，其位于所述电极层上，用于将所述电极层电引出。
[0019] 在一个实施例中，所述电极互连层位于所述光电二极管的边缘。由于电极互连层通常采用不透光材料，因而光电二极管边缘的电极互连层可以防止图像传感器相邻的像素单元之间的交叉串扰(crosstalk)。
[0020] 在一个实施例中，所述电极互连层的厚度为400埃至5000埃。这既可以避免电极互连层影响光线投射到光电二极管上，又可以减少较薄的电极层上的电压传输损耗。
[0022] 通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，能够更容易地理解本实用新型的特征、目的和优点。其中，相同或相似的附图标记代表相同或相似的装置。
[0023] 图1示出了根据本实用新型一个实施例的图像传感器100；
[0024] 图2a与图2b示出了根据本实用新型另一实施例的图像传感器200；
[0025] 图2c示出了根据本实用新型另一实施例的图像传感器的俯视图；
[0026] 图3示出了根据本实用新型又一实施例的图像传感器300；
[0027] 图4示出了根据本实用新型一个实施例的图像传感器制作方法400；
[0028] 图5a至图5e示出了图4的图像传感器制作方法的剖面示意图。
具体实施方式
[0029] 下面详细讨论实施例的实施和使用。然而，应当理解，所讨论的具体实施例仅仅示范性地说明实施和使用本实用新型的特定方式，而非限制本实用新型的范围。
[0030] 图1示出了根据本实用新型一个实施例的图像传感器100。该图像传感器100是背照式图像传感器。在一些实施例中，该图像传感器100具有一个或多个像素单元，其中每个像素单元可以采用3晶体管(3T)或4晶体管(4T)的像素结构，即包括光电二极管以及3至4个用于控制光生电荷转移并形成输出信号的MOS晶体管。
[0031] 如图1所示，该图像传感器100包括：
[0032] 衬底101，其第一侧形成有金属互连层102；
[0033] N型掺杂区103，其位于衬底101中；
[0034] P型掺杂区105，其位于衬底101中，并与N型掺杂区103相邻以形成光电二极管；
[0035] 电极层107，其位于衬底101的第二侧并至少部分位于N型掺杂区103上，其中所述电极层107是可透光的；
[0036] 绝缘层109，其位于电极层107与衬底101之间；
[0037] 其中，电极层107与衬底101之间具有预定电势差，以使得衬底101的第二侧的表面形成P型导电层111。
[0038] 具体地，该衬底101的第一侧与第二侧相对。由于该图像传感器100是背照式图像传感器，因此，衬底101的第一侧形成有多个MOS晶体管113，即前述的用于控制光生电荷转移的MOS晶体管和/或其他类型的MOS晶体管，例如转移晶体管、复位晶体管、行选择晶体管或源跟随晶体管等等。此外，用于连接这些MOS晶体管并将图像传感器像素单元引出的金属互连层102亦设置在该衬底101的第一侧。相应地，该图像传感器100像素单元中的光电二极管由衬底101的第二侧露出，以进行感光。
[0039] 衬底101中包含有N型掺杂区103与P型掺杂区105。在一些实施例中，该衬底101可以预掺杂有N型离子，而P型掺杂区105则通过对衬底101再掺杂P型离子来形成。
在另外的一些实施例中，该衬底101可以预掺杂P型离子，而N型掺杂区103则通过对衬底
101再掺杂N型离子形成，并且该衬底101可以通过背磨处理或化学机械抛光来使得N型掺杂区103从衬底101的第二侧露出。
在另外的一些实施例中，该衬底101可以预掺杂P型离子，而N型掺杂区103则通过对衬底
101再掺杂N型离子形成，并且该衬底101可以通过背磨处理或化学机械抛光来使得N型掺杂区103从衬底101的第二侧露出。
[0040] 在一个优选的实施例中，P型掺杂区105位于N型掺杂区103的边缘，例如该P型掺杂区105环绕在N型掺杂区103外。由于P型掺杂区105与N型掺杂区103在其交界位置形成PN结以构成光电二极管，因此，这种配置的光电二极管具有较大的感光面积，以使得其具备较高的灵敏度。
[0041] 在图1的实施例中，N型掺杂区103从衬底101的第二侧露出。电极层107与N型掺杂区103之间的预定电势差，例如电极层107的电位低于N型掺杂区103的电位，会使得N型掺杂区103中的多数载流子(即电子)被推向远离电极层107的方向，从而使得靠近电极层107的N型掺杂区103的表面反型为P型掺杂。这样，N型掺杂区103表面，即衬底101的表面，就形成了P型掺杂的导电层111，即钉扎层。该P型导电层111与其下未反型的N型掺杂区103构成了钉扎二极管。
[0042] 从图1中可以看出，P型导电层111可以延伸到N型掺杂区103与P型掺杂区105的交界位置。因此，P型导电层111在其该交界位置连接到P型掺杂区105。由于该P型掺杂区105通常作为MOS晶体管113的体区，这使得钉扎层与该体区具有相同的电势。这样，当光电二极管完全耗尽时，光电二极管的电势会被钉扎在恒定值，从而减少暗电流。
[0043] 由于电极层107是由导电材料构成的，因此，电极层107在加载预定的电压后，其电势基本相等。这样，电极层107以及其下的N型掺杂区103之间的预定电势差基本相等，从而使得所形成的P型导电层111具有更为均匀的厚度。均匀的P型导电层111能够提高衬底101表面的钉扎效果，从而更好地减少暗电流。此外，当电极层107上加载了不同的电压时，电极层107以及其下的N型掺杂区之间的预定电势差不同，相应地，由于反型所形成的P型导电层111的厚度也不同。这样，可以通过改变电极层107上加载的电压来调节调节P型导电层111的厚度，进而用以调节P型导电层111的钉扎性能。此外，由于电极层107是导电的，因此，可以通过接触孔与焊盘(图中未示出)将该电极层107电引出，进而形成附加的引脚，以通过该引脚向电极层107供电。可以理解，在实际应用中，还可以通过其他结构对电极层107供电，例如在电极层107上形成电极互连层(图中未示出)，该电极互连层进一步由接触孔电引出。
[0044] 电极层107是可透光的，其透光率例如高于50％，例如，电极层107包含有一个或多个通孔来透光，或者采用可透光材料来透光。由于电极层107位于光电二极管，即图像传感器的感光区域上，因此，透光率较高的电极层107可以避免对光线的过度吸收而影响感光效果。例如，电极层107包括氧化铟锡、氧化锌或钛与氮化钛的组合。优选地，电极层107的厚度不超过2000埃。电极层107的厚度越薄，其对光线的吸收越少。
[0045] 与现有技术相比，在本实用新型的实施例中，电极层107可以通过淀积工艺形成在衬底101上，这就避免了注入P型离子来形成钉扎层，以及后续的激光退火处理。因此，形成在衬底101表面的P型导电层111厚度更为均匀，所得到的图像传感器100的成像效果也更好。
[0046] 可以理解，在一些实施例中，掺杂区103可以替换为P型掺杂，而掺杂区105则替换为N型掺杂，以形成具有PN结的光电二极管。相应地，所形成的导电层111则替换为N型掺杂，其与掺杂区103共同构成钉扎二极管。
[0047] 图2a与图2b示出了根据本实用新型另一实施例的图像传感器200。其中，其中，图2a示例性地示出了该图像传感器200的4个像素单元的俯视图，而图2b示出了其中的一个像素单元的剖面图。
[0048] 如图2a与2b所示，该图像传感器200包括：
[0049] 衬底201，其第一侧形成有金属互连层202；
[0050] N型掺杂区203，其位于衬底201中；
[0051] P型掺杂区205，其位于衬底201中，并与N型掺杂区203相邻以形成光电二极管；
[0052] 电极层207，其位于衬底201的第二侧，并且电极层207是可透光的；其中，该电极层207包括一个或多个位于光电二极管上的通孔217；
[0053] 绝缘层209，其位于电极层207与N型掺杂区203之间；其中，电极层207与衬底201之间具有预定电势差，以使得衬底201的第二侧的表面形成P型导电层211。
[0054] 在一些实施例中，电极层207中形成的通孔217中会进一步填充其他材料，例如由氧化硅、氮化硅或硼磷酸玻璃(BPSG)等构成的钝化层。这些材料具有较高的透光率，从而可以提高电极层207的整体透光率，以进一步提高成像效果。优选地，这些通孔217的面积超过光电二极管面积的10％，即超过每个像素单元的感光区域的面积的10％。通孔217的面积越大，电极层207的整体透光率越高，图像传感器200的成像效果也越好。
[0055] 在图2所示的实施例中，每个像素单元对应的电极层207上具有均匀分布的16个通孔217。可以理解，在实际应用中，像素单元的数量可以随着每个像素单元所占面积的不同而不同，即每个通孔217的孔径以及相邻通孔217之间的间距都可以有所变化。
[0056] 在一个优选的实施例中，该通孔217为圆形、正方形、六边形或其他类似形状，其孔径小于0.5微米。由于通孔217下方的N型掺杂区203距离电极层207较远，因而电极层207上加载的电压对通孔203下方的N型掺杂区203作用较弱。而对于孔径小于0.5微米的通孔217，通孔217边缘的电极层207仍能够保持较强的电场而使得通孔217中心区域下方的N型掺杂层203反型，从而避免因钉扎层211厚度不均匀而导致图像传感器200的成像质量下降。可选地，在其他的一些实施例中，通孔217还可以为长方形、螺旋形或其他适于透光的形状。
[0057] 在一些实施例中，电极层207上还形成有电极互连层219，其用于将电极层207电引出。例如，该电极互连层219可以采用铝、钨或铜等导电材料形成。位于电极层207上的电极互连层219能够与电极层207接触而使其相互电连接。这样，就可以通过在电极互连层219上加载电压而使得电极层207与其下的N型掺杂区203具有预定电势差。由于电极互连层219通常采用不透光的材料，因而该电极互连层219可以位于光电二极管(即感光区域)的边缘，通常为不同像素单元的交界区域。此外，像素单元边缘的电极互连层219可以防止图像传感器相邻的像素单元之间的交叉串扰(crosstalk)，这进一步提高了图像传感器200的性能。在一个优选的实施例中，电极互连层219的厚度为400埃至5000埃。这既可以避免电极互连层219影响光线投射到光电二极管上，又可以减少较薄的电极层207上的电压传输损耗，从而提高导电层211的均匀性，使得图像传感器200具有较佳的钉扎性能与成像质量。
[0058] 图2c示出了根据本实用新型另一实施例的图像传感器的俯视图。
[0059] 如图2c所示，在该图像传感器中，电极层250中具有多个通孔251，这些通孔251的形状是六边形，例如正六边形。六边形的通孔251的排列较为紧凑，其既可以使得光线能够透过其而直接照射到下方的感光区域，又可以使得通孔251下方的感光区域能够被电极层250上加载的电压影响而改变其中的多数载流子分布。因此，电极层采用六边形通孔的图像传感器既具有较佳的钉扎效果，又具有较好的灵敏度。
[0060] 图3示出了根据本实用新型又一实施例的图像传感器300。
[0061] 如图3所示，该图像传感器300包括：
[0062] 衬底301，其第一侧形成有金属互连层302；
[0063] N型掺杂区303，其位于衬底301中；
[0064] P型掺杂区305，其位于衬底301中，并与N型掺杂区303相邻以形成光电二极管；
[0065] 电极层307，其位于衬底301的第二侧并至少部分位于N型掺杂区303上，其中所述电极层307是可透光的；
[0066] 绝缘层309，其位于电极层307与衬底301之间；
[0067] 其中，电极层307与衬底301之间具有预定电势差，以使得衬底301的第二侧的表面形成P型导电层311。
[0068] 在图3的实施例中，P型掺杂区305从衬底301的第二侧露出并覆盖N型掺杂区303，从而避免N型掺杂区303从衬底301的第二侧露出。这样，电极层307与衬底301表面，即P型掺杂区305表面之间的预定电势差，例如电极层307的电位低于P型掺杂区305的电位，会使得P型掺杂区305中的多数载流子(即空穴)被吸引到靠近电极层307的方向，从而使得靠近电极层307的P型掺杂区305的表面的多数载流子的浓度提高。这样，P型掺杂区305表面，即衬底301的表面，就形成了掺杂浓度远高于P型掺杂区305内部的P型导电层311，即钉扎层。该P型导电层311与其下未反型的N型掺杂区303构成了钉扎二极管。
[0069] 可以理解，电极层307与P型掺杂区305表面之间的预定电势差的值不同，P型导电层311的厚度也不同。这样，可以通过改变电极层307上加载的电压来调节调节P型导电层311的厚度，进而用以调节P型导电层311的钉扎性能。
[0070] 图4示出了根据本实用新型一个实施例的图像传感器制作方法400。
[0071] 如图4所示，该图像传感器制作方法400包括：
[0072] 执行步骤S402，提供衬底，其中所述衬底的第一侧形成有金属互连层，所述衬底中形成有相邻的第一类型掺杂区与第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区与所述第二类型掺杂区构成光电二极管；
[0073] 执行步骤S404，在所述衬底的第二侧形成绝缘层；
[0074] 执行步骤S406，在所述绝缘层上形成电极层，其中所述电极层位于所述衬底上，并且所述电极层是可透光的。
[0075] 在一个实施例中，第一类型掺杂区从衬底的第二侧露出。在另一实施例中，第二类型掺杂区从衬底的第二侧露出并覆盖第一类型掺杂区，从而避免第一类型掺杂区从衬底的第二侧露出。
[0076] 可以理解，在一些实施例中，第一类型掺杂区为N型掺杂、第二类型掺杂区为P型掺杂，而第二类型导电层为P型掺杂；或者替代地，在另一些实施例中，第一类型掺杂区为P型掺杂、第二类型掺杂区为N型掺杂，而第二类型导电层为N型掺杂。在下文中，均以第一类型掺杂区为N型掺杂、第二类型掺杂区为P型掺杂，而第二类型导电层为P型掺杂的实施例进行说明，本领域技术人员可以理解，掺杂类型或导电类型相反的实施例亦可以采用相似的制作方法形成。
[0077] 图5a至图5e示出了图4的图像传感器制作方法的剖面示意图。接下，参考图4与图5a至图5e，对该图像传感器制作方法进行进一步的说明。
[0078] 如图5a所示，提供衬底501，该衬底501具有相对的第一侧501a与第二侧501b。其中，该衬底501中形成有相邻的N型掺杂区503以及P型掺杂区505。
[0079] 在图5a中，N型掺杂区503从衬底501的第二侧501b露出，所露出的N型掺杂区503可以用于收集光线并感应生成电荷。相应地，P型掺杂区505与N型掺杂区503交界位置形成PN结，从而形成图像传感器像素单元中的光电二极管。在图5a所示的实施例中，P型掺杂区505亦从衬底501的第二侧501b露出，并且该P型掺杂区505位于N型掺杂区
503的边缘。这使得不同像素单元的N型掺杂区503可以由贯穿的P型掺杂区505来相互隔离，而无需形成额外的隔离结构，例如沟槽隔离结构(Trench)。可以理解，在其他的实施例中，P型掺杂区505也可以不从衬底501的第二侧501b露出，并且每个像素单元之间通过位于P型掺杂区505外的沟槽隔离结构(图中未示出)来隔离。
503的边缘。这使得不同像素单元的N型掺杂区503可以由贯穿的P型掺杂区505来相互隔离，而无需形成额外的隔离结构，例如沟槽隔离结构(Trench)。可以理解，在其他的实施例中，P型掺杂区505也可以不从衬底501的第二侧501b露出，并且每个像素单元之间通过位于P型掺杂区505外的沟槽隔离结构(图中未示出)来隔离。
[0080] P型掺杂区503内形成有像素单元的MOS晶体管。此外，衬底501的第一侧501a还形成有金属互连层502，该金属互连层502用于将这些MOS晶体管电引出，以实现对每个像素单元的电气驱动以及信号读取。
[0081] 在一些实施例中，该衬底501可以是预掺杂有N型离子，而P型掺杂区505则通过对衬底501再掺杂P型离子来形成。在另外的一些实施例中，该衬底501可以是预掺杂P型离子，而N型掺杂区503则通过对衬底501再掺杂N型离子形成，并且该衬底501可以通过背磨处理来使得N型掺杂区503从衬底501的第二侧501b露出。
[0082] 需要说明的是，在一些实施例中，N型掺杂区503亦可不从衬底501的第二侧501b露出，即N型掺杂区503被P型掺杂区505所覆盖。例如，衬底501为P型掺杂，在衬底的第一侧形成阱状的N型掺杂区503，并且该衬底501被从其第二侧研磨或刻蚀。该研磨或刻蚀在接近阱状N型掺杂区503的顶部(靠近衬底501的第二侧501b)时停止，从而保留位于该阱状N型掺杂区503上方的部分衬底501。
[0083] 如图5b所示，在衬底501的第二侧501b上形成绝缘层509。该绝缘层509例如为氧化硅、氮化硅或其组合。
[0084] 如图5c所示，在该绝缘层509上形成电极层507。该电极层507由导电材料构成。优选地，可以在该绝缘层509上淀积可透光的导电材料以形成电极层507，该可透光的导电材料例如为氧化铟锡、氧化锌或者钛与氮化钛的组合。优选地，该电极层507的厚度小于
2000埃。在实际处理中，可以采用化学气相淀积工艺来淀积该电极层507。
2000埃。在实际处理中，可以采用化学气相淀积工艺来淀积该电极层507。
[0085] 接下来，在该电极层507上进一步淀积电极互连层519。该电极互连层519可以采用钨、铝或铜等导电材料，例如通过溅射或其他物理气相淀积方式形成。所形成的电极互连层519与电极层507接触，从而使得其间相互电连接。在一个实施例中，电极互连层519的厚度为400埃至5000埃。
[0086] 如图5d所示，图形化该电极互连层519以露出部分电极层507。在一个优选的实施例中，采用刻蚀工艺移除光电二极管上方(主要是N型掺杂区503上方)的电极互连层519，而仅保留P型掺杂区505上的部分电极互连层519，即光电二极管边缘的部分电极互连层519。
[0087] 可选地，在图形化电极互连层519之后，如图5e所示，图形化露出的电极层507以露出绝缘层509的一部分，从而在电极层507中形成位于光电二极管上的一个或多个通孔517。在一些实施例中，所形成的通孔517的面积超过光电二极管面积的10％。所形成的通孔517使得衬底501中的光电二极管透过绝缘层509部分露出，从而提高了电极层507的整体透光率。通孔517可以为各种形状，例如正方形、矩形、圆形、六边形或其他适合的形状。在一个优选的实施例中，通孔517可以是六边形。
[0089] 在实际应用中，在形成钝化层521之后，还可以在衬底501的第二侧501b进一步形成滤光膜以及微透镜(图中未示出)。
[0090] 可以理解，在一些实施例中，在形成电极层的步骤之后，可以不需要形成电极互连层和/或通孔，而直接制作接触孔来引出电极层。
[0091] 与现有技术相比，在本实用新型的实施例中，电极层507可以通过淀积工艺形成在衬底501上，这就避免了注入P型离子来形成钉扎层，以及后续的激光退火处理。因此，通过在电极层507上加载电压所形成的导电层511厚度更为均匀，所得到的图像传感器的成像效果也更好。
[0092] 尽管在附图和前述的描述中详细阐明和描述了本实用新型，应认为该阐明和描述是说明性的和示例性的，而不是限制性的；本实用新型不限于所上述实施方式。
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