接触结构
专利汇可以提供接触结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及 接触 结构。本公开涉及 半导体 结构，并且更特别地，涉及接触结构以及制造方法。所述方法包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极 金属化 的金属化 覆盖 层 下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的 水 平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。，下面是接触结构专利的具体信息内容。
1.一种方法，包括：
使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；
将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及
形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔离区的所述凹陷是选择性蚀刻工艺，其不侵蚀所述源极/漏极金属化的所述金属化覆盖层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属化覆盖层是钴。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述选择性蚀刻是选择性地将所述隔离区蚀刻到所述钴的低或零偏置CF4、CHF3、CH2F2、CH3F等离子体或具有上述气体的混合物的等离子体。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述凹陷部分地去除所述邻近栅极结构的帽盖材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述平面化是钴覆盖层的化学机械抛光(CMP)，其在所述邻近栅极结构和其他栅极结构上的帽盖材料上停止。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述CMP对所述帽盖材料是选择性的。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述帽盖材料是保护下方的栅极材料的氮化物材料。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述源极/漏极接触的所述形成包括：
在所述凹部中并且在所述邻近栅极结构和所述其他栅极结构上方沉积电介质材料；
在所述电介质材料中形成开口，以暴露位于所述邻近栅极结构和所述其他栅极结构之间的所述源极/漏极金属化；以及
在所述开口内沉积接触所述源极/漏极金属化的金属材料。
10.一种方法，包括：
去除位于栅极结构的表面上方和位于源极/漏极金属化特征的钴覆盖层内的电介质材料；
在所述去除所述电介质材料之后，将所述钴覆盖层平面化至所述栅极结构的帽盖材料；
在所述帽盖材料和所述源极/漏极金属化特征上沉积层间电介质材料；以及在所述层间电介质材料内并在所述栅极结构的侧面上形成在所述栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化特征的源极/漏极接触。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电介质材料的所述去除是选择性蚀刻工艺。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述选择性蚀刻工艺是选择性地将所述电介质材料蚀刻到所述栅极结构的所述帽盖材料的表面下方的低或零偏置CF4、CHF3、CH2F2、CH3F等离子体或具有上述气体的混合物的等离子体。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述平面化是所述钴覆盖层的化学机械抛光(CMP)，其在所述栅极结构的所述帽盖材料上停止。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述CMP对所述帽盖材料是选择性的。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述帽盖材料是保护下方的栅极材料的氮化物材料。
16.根据权利要求10所述的方法，其中所述层间电介质材料的所述沉积是在所述帽盖材料中形成的台阶特征内的沉积。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述台阶特征是通过在所述电介质材料的所述去除期间使邻近栅极结构之间的所述帽盖材料的部分凹陷来形成。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述凹陷在所述帽盖材料的顶部下方约5nm至约
30nm。
19.根据权利要求10所述的方法，其中所述电介质材料是氧化物材料，其被选择性地去除到钴材料。
20.一种结构，包括：
多个栅极结构，所述多个栅极结构中的每一个包括帽盖材料；
与所述多个栅极结构邻近的源极和漏极区；
位于所述多个栅极结构之间以及延伸到所述源极和漏极区并且与所述源极和漏极区电接触的钴接触；
位于所述多个栅极结构的邻近栅极结构之间的隔离材料；
位于所述邻近栅极结构的所述帽盖材料中的台阶特征；
位于所述台阶特征中且位于所述多个栅极结构的所述帽盖材料上方的电介质材料；以及
位于所述电介质材料中且接触钴接触的源极和漏极接触。
接触结构
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
22的覆盖层22’，例如栅极结构14上方的金属材料。
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