一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法
专利汇可以提供一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种蚀刻液组合物及其镍铬 硅 薄膜 的湿法 刻蚀 方法，所述的蚀刻液组合主要为 硝酸 铈铵、 氢氟酸 、十八烷基三甲基 氯化铵 、2— 氧 乙酸基丁导酸和 水 的混合物。与 现有技术 相比，本发明提出一种针对镍铬硅薄膜的蚀刻组合物，用于镍铬硅薄膜的蚀刻时，能够提高并控制蚀刻速度，并且有效抑制了 光刻 胶 层的劣化，其结果是能够得到表面平坦光滑的蚀刻面。突破现有技术壁垒，研发出了薄膜 电阻 领域中镍铬硅薄膜的湿法刻蚀技术。推进镍铬硅薄膜电阻的市场化应用，为国家 电子 信息技术的快速发展贡献一份 力 量。，下面是一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法专利的具体信息内容。
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于：所述的蚀刻液组合主要为硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水的混合物。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻液组合物，其特征在于：所述硝酸铈铵的质量百分比浓度为5-25%，所述氢氟酸的质量百分比浓度为1-20%，所述十八烷基三甲基氯化铵的质量百分比浓度为0.1-5%，所述2—氧乙酸基丁导酸的质量百分比浓度为0.5-10%,所述余量为水。
3.根据权利要求1或2所述的一种蚀刻液组合物，其特征在于：所述硝酸铈铵的质量百分比优选浓度为10-20%；所述氢氟酸的质量百分比优选浓度为5-10%；所述十八烷基三甲基氯化铵的质量百分比优选浓度为0.5-2%；所述2—氧乙酸基丁导酸的质量百分比优选浓度为2-5%；所述水为去离子水。
4.根据权利要求1或2所述的一种蚀刻液组合物，其特征在于：制备镍铬硅薄膜蚀刻液方法如下，将原料硝酸铈铵、氢氟酸、十八烷基三甲基氯化铵、2—氧乙酸基丁导酸和水按比例充分的搅拌混匀后，经0.1μm的过滤器过滤，即可获得镍铬硅薄膜蚀刻液。
5.一种利用权利要求1所述蚀刻液组合物进行镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：方法步骤如下，
步骤一 选择光刻胶；
步骤二 将基片在清洗剂中清洗并在热板上烘干；
步骤三 用旋转涂敷法涂覆光刻胶；
步骤四 基片放于热板上前烘；
步骤五 然后在紫外光源下曝光；
步骤六 在显影液中显影；
步骤七 将基片放于热板上后烤；
步骤八 刻蚀镍铬硅薄膜；
将蚀刻液组合物混匀后，经0.1μm过滤器过滤形成镍铬硅薄膜蚀刻液，将镍铬硅薄膜蚀刻液在40 45℃进行蚀刻，蚀刻时间为70S；
~
步骤九 用专用剥膜液去除光刻胶；
步骤十 以纯水冲洗后，用过滤空气将基片吹干。
6.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤一中，光刻胶选用苏州瑞红RZJ系列正性光刻胶，型号为RZJ-304、RZJ-306型。
7.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤二中，清洗时，将基片在清洗剂中超声清洗 2 3 min，用去离子水洗净，然后将基板放于在热板上，在~
100℃温度下烘烤 1 2 min。
~
8.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤三中，进行涂覆时，光刻胶膜厚控制在1.0 3.0um。
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9.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤五中，进行紫外光源曝光时，控制曝光功率40 45mj/cm2,曝光时间10 15S。
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10.根据权利要求5所述一种镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于：步骤六中，进行显影时，在显影液中显影20 30S，显影后用去离子水冲洗，用过滤空气吹干。
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一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法
技术领域
背景技术
400℃使用退火处理使电阻温度系数降低到8ppm/℃。在中国专利CN 106435478 A中，韩建强等人采用磁控溅射镍铬硅薄膜，在保护气体氛围中440-460℃进行退火处理，将电阻温度系数降低到2ppm/℃。
发明内容
306型光刻胶，与光刻胶能很好的匹配，与进口光刻胶相比成本较低；
步骤二 将基片在清洗剂中清洗并在热板上烘干，
基片在清洗剂ZQ-05中超声清洗 2 3 min，用去离子水洗净，然后将基板放于在热板~
上，在100℃温度下烘烤 1 2 min，增强镍铬硅膜层与光刻胶的结合力；
~
步骤三 用旋转涂敷法涂覆光刻胶，
用旋转涂敷法以适当的速率涂上光刻胶，膜厚控制在1.0 3.0um，让光刻胶层均匀包覆~
基片表面，膜厚一致。
团发生分解转换，形成可溶性膜层。
合力。
具体实施方式
306型光刻；
步骤二 将基片在清洗剂中清洗并在热板上烘干，
基片在清洗剂ZQ-05中超声清洗 2 3 min，用去离子水洗净，然后将基板放于在热板~
上，在100℃温度下烘烤 1 2 min；
~
步骤三 用旋转涂敷法涂覆光刻胶，
用旋转涂敷法以适当的速率涂上光刻胶，膜厚控制在1.0 3.0um；
~
步骤四 基片放于热板上前烘，
基片放于热板上，在 100℃下烘烤 90s；
步骤五 然后在紫外光源下曝光，
控制曝光功率40 45mj/cm2,曝光时间10 15S；
~ ~
步骤六 在显影液中显影，
在显影液中显影20 30S，显影后用去离子水冲洗，用过滤空气吹干；
~
步骤七 将基片放于热板上后烤，
将基片放于热板上，在120℃下烘烤2 3min；
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步骤八 刻蚀镍铬硅薄膜；
将蚀刻液组合物混匀后，经0.1μm过滤器过滤形成镍铬硅薄膜蚀刻液，将镍铬硅薄膜蚀刻液在40 45℃进行蚀刻，蚀刻时间为70S；
~
步骤九 用专用剥膜液去除光刻胶；
步骤十 以纯水冲洗后，用过滤空气将基片吹干。
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