1.一种半导体结构，包括：
具有上方表面的半导体主体的主体材料的第一阱区和第二阱区，该主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型；以及
与位于沿着半导体主体的上方半导体表面中的第一导电类型相反的第二导电类型的第一区带和第二区带，该第一阱区和第二阱区分别延伸在第一区带和第二区带的下方并且分别交会该第一区带和第二区带，以便分别和该第一区带和第二区带形成第一pn结与第二pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该第一导电类型的掺杂物会出现在两个区带中且所具有的浓度会在各自的第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置处局部达到第一子表面最大浓度和第二子表面最大浓度，该最大浓度位置分别位于该第一阱区和第二阱区中且分别横向延伸在该第一区带和第二区带的下方，(c)相较于该第一pn结与第二pn结的最大深度，该第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置会分别出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，且(d)该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一子表面最大浓度位置处沿着选定第一垂直位置经该第一区带向上移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面最大浓度的最多
1/10，(ii)从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时以基本上单调的方式减小至大于该第一子表面最大浓度的1/10，且(iii)从该第二子表面最大浓度位置处沿着选定第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时达到至少一额外的子表面最大浓度。
2.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时也会以基本上无弯折方式减小。
3.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置经由该第一区带移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面最大浓度的最多1/20。
4.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一pn结处沿着该第一垂直位置移到与该主体的上方表面相隔不超过该第一pn结的最大深度的20％的位置点时以基本上单调方式减小。
5.根据权利要求1所述结构，其中在从该第一子表面最大浓度位置处向下移到该第一pn结的最大深度的10倍深度处时，所述第一子表面最大浓度实质上为该第一导电类型的掺杂物的浓度中仅有的局部子表面最大值。
6.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度会沿着该第一垂直位置在该第一子表面最大浓度位置下方的另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度。
7.根据权利要求6所述结构，其中：
所述第一子表面最大浓度与另一子表面最大浓度分别由该第一导电类型的主要半导体掺杂物与另一半导体掺杂物所产生；以及
所述第一导电类型的另一掺杂物会让该第一导电类型的掺杂物的浓度在小于该第一子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
8.根据权利要求7所述结构，其中相较于该第一pn结的最大深度，所述另一子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
9.根据权利要求1至8项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第二子表面最大浓度位置处沿着该第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于该第二子表面最大浓度的1/10。
10.根据权利要求9所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度在该第二垂直位置中每一个额外子表面浓度最大值深度处会沿着该第一垂直位置以大部分单调方式来改变。
11.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面而位于半导体主体中、被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，及(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面位置会横向延伸在大部分的所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到该每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小至大于该第一FET的主要子表面最大浓度的1/10，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方。
12.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时也以基本上无弯折方式减小。
13.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的指定S/D区带移到该主体的上方表面时减小到这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置的最多
1/20。
14.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从这样一第一FET的指定S/D区带的pn结处沿着该第一FET的选定垂直位置移到与该主体的上方表面相隔不超过该第一FET的指定S/D区带的pn结最大深度的20％的位置点时会以基本上单调方式减小。
15.根据权利要求11所述结构，其中在从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置向下移到该第一FET的指定S/D区带的pn结最大深度的10倍深度处时，所述这样一第一FET的主要子表面最大浓度实质上为该第一导电类型的掺杂物的浓度中仅有的局部子表面最大值。
16.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度会在另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度，其位于这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置的下方并且横向延伸在其大部分所有沟道区带的下方。
17.根据权利要求16所述结构，其中：
所述第一FET的主要子表面最大浓度与另一子表面最大浓度分别由该第一导电类型的主要半导体掺杂物与另一半导体掺杂物所产生；以及
所述第一导电类型的另一掺杂物会让该第一导电类型的掺杂物的浓度在小于该第一FET的主要子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
18.根据权利要求17所述结构，其中所述第一导电类型的另一掺杂物会让该第一导电类型的掺杂物的浓度在小于该第一FET的主要子表面最大浓度的深度的任何深度处增加不超过10％。
19.根据权利要求17所述结构，其中相较于该第一FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，所述第一FET的另一子表面最大浓度会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
20.根据权利要求11所述结构，其中相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，所述每一个FET的主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过
5倍深的地方。
21.根据权利要求11所述结构，其中所述FETs中一FET的栅极介电层具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，并且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过
0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该指定FET的栅极介电
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层中的最大氮浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm 的最大浓度，以及(ii)当该正
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规化深度在高达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
22.根据权利要求21所述结构，其中所述FET为p沟道FET。
23.根据权利要求11至22项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第二FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第二FET的选定垂直位置经由该第二FET的任一S/D区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于这样一第二FET的主要子表面最大浓度的1/10。
24.根据权利要求23所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度在这样一第二FET的选定垂直位置中每一个额外子表面浓度最大值的深度处会沿着这样一个第一FET的选定垂直位置以大部分单调的方式来改变。
25.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，及(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定的垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到这样一第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中该栅极介电层选择性的满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；和
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
26.根据权利要求25所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
27.根据权利要求25所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
28.根据权利要求25所述结构，其中所述栅极介电层会满足所有该栅极介电层要求。
29.根据权利要求25所述结构，其中所述FET中一FET的栅极介电层具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该栅极介电层中的最大氮浓
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度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm 的最大浓度，以及(ii)当该正规化深度在高达
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0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
30.根据权利要求29所述结构，其中所述FET为p沟道FET。
31.根据权利要求25至30项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
32.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中、被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，及(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中而且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定的垂直位置经由第一FET的该S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的该主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调的方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在一额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中有多个实例下，一第一FET的临界电压的大小远小于一第二FET的临界电压，且这些实例中的FET的栅极介电层选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
b.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；和c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层。
33.根据权利要求32所述结构，其中这些实例中所述FET的栅极介电层会满足所有该栅极介电层要求。
34.根据权利要求32所述结构，其中所述FETs中一FET的栅极介电层具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当该上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过
0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该栅极介电层中的最大
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氮浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm 的最大浓度，及(ii)当该正规化深度在高
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达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
35.根据权利要求32至34项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
36.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其位于沿着它的上方表面的半导体主体中，被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，及(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中而且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在一额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中有多个实例下，FET的每一个S/D区带包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的该FET的S/D延伸区会选择性地满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；和
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
37.根据权利要求36所述结构，其中在这些实例中所述的FET的S/D延伸区会满足所有该S/D延伸区的要求。
38.根据权利要求36所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
39.根据权利要求38所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
40.根据权利要求38所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
41.根据权利要求36至40项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
42.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，及(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中有多个实例下，FET的主体材料区域的袋部会沿着其第一S/D区带延伸至其沟道区带中，且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料，且这些实例中的FET的袋部会选择性满足下面袋部要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的袋部会让其沟道区带相对于其S/D区带非对称；
b.这样一第一FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带，而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料；和
c.这样一第二FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带，而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料。
43.根据权利要求42所述结构，其中这些实例中所述的FET的袋部会满足所有该袋部的要求。
44.根据权利要求42所述结构，其中有多个实例下，FET的每一个S/D区带包括主要S/D部以及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区中更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
45.根据权利要求44所述结构，其中这些实例中的所述FET的S/D延伸区会满足所有该S/D延伸区要求。
46.根据权利要求42所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
47.根据权利要求46所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
48.根据权利要求46所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
49.根据权利要求46所述结构，其中有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区中更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
50.根据权利要求42至49项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
51.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，及(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中而且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中该FET会选择性满足下面组合要求中的至少一个：
a.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且该第一FET的栅极介电层的厚度远大于该第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且该第一FET的栅极介电层的厚度远小于该第二FET的栅极介电层；
c.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且此两个第一FET与第二FET的栅极介电层的厚度远大于另一这样的FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且此两个第一FET与第二FET的栅极介电层的厚度远小于另一这样的FET的栅极介电层；
e.这样一第一FET的临界电压大小远小于各自临界电压大小明显不同的两个此种第二FET中的每一个第二FET，而且该第一FET的栅极介电层的厚度远大于该第二FET中每一个第二FET的栅极介电层；和
f.这样一第一FET的临界电压大小远小于各自临界电压大小明显不同的两个此种第二FET中的每一个第二FET，而且每一个这样的三个FET的栅极介电层的厚度远小于另一这样的FET中的栅极介电层。
52.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少两个。
53.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少三个。
54.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少四个。
55.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少五个。
56.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会满足所有组合要求。
57.根据权利要求51至56项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
58.一种结构，包括被设置在半导体主体上方表面中的一对相反极性的第一与第二场效应晶体管(FET)，每一个FET都包括(i)该半导体主体的主体材料的沟道区带，(ii)第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被该沟道区带横向分离，并且和该主体材料形成各自的pn结，使得每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度且让该主体材料横向延伸在两个S/D区带的下方，(iii)栅极介电层，其上覆该沟道区带；及(iv)栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中：
该第一FET的主体材料是由被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂的第一主体材料所构成，以便成为第一导电类型，而该第一FET的S/D区带则是与第一导电类型相反的第二导电类型；
该第二FET的主体材料是由被第二导电类型的半导体掺杂物掺杂的第二主体材料所构成，以便成为第二导电类型，而该第二FET的S/D区带则为第一导电类型；
该第一导电类型的掺杂物也出现在该第一FET的S/D区带中而且浓度会(a)在第一子表面主体材料位置处局部达到子表面浓度最大值，该第一子表面主体材料位置会横向延伸在该第一FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，(b)从该第一子表面主体材料位置处沿着选定第一垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/10，及(c)从第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调及基本上无弯折方式减小；
相较于第一FET的指定S/D区带的pn结的最大深度，该第一子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
该第二导电类型的掺杂物也会出现在该第二FET的S/D区带中而且浓度会(a)在第二子表面主体材料位置处局部达到子表面浓度最大值，该第二子表面主体材料位置会横向延伸在该第二FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方(b)从该第二子表面主体材料位置处沿着任何垂直位置经由第二FET的每一个S/D区带向上移到该主体的上方表面时增大，或减小至大于第二子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的1/10；以及相较于第二FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，该第二子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
59.根据权利要求58所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置经由第一FET的指定S/D区带移到该主体的上方表面时减小到第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/20。
60.根据权利要求59所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的指定S/D区带的pn结处沿着该选定第一垂直位置移到与该主体的上方表面相隔不超过该第一FET的指定S/D区带的pn结的最大深度的20％的位置点时会以基本上单调方式减小。
61.根据权利要求58所述结构，其中所述第一FET的栅极介电层的厚度远大于该第二FET的栅极介电层。
62.根据权利要求58所述结构，其中所述第一FET的栅极介电层和第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度。
63.根据权利要求58所述结构，其中所述第二FET的栅极介电层的厚度远大于该第一FET的栅极介电层。
64.根据权利要求58所述结构，其中所述每一个FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区。
65.根据权利要求58所述结构，其中所述第一主体材料中掺杂程度重过该第一主体材料的横向相邻材料的袋部会沿着该第一FET的第一S/D区带延伸到其沟道区带中。
66.根据权利要求65所述结构，其中所述第一主体材料的袋部会让该第一FET的沟道区带相对于其S/D区带非对称。
67.根据权利要求66所述结构，其中：
该第一FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该第一FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区；以及该第一FET的第二S/D区带的S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的第一S/D区带的S/D延伸区更深的地方。
68.根据权利要求58所述结构，其中所述第二主体材料中掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料的袋部会沿着该第二FET的第一S/D区带延伸到其沟道区带中。
69.根据权利要求58所述结构，其中所述第二主体材料中掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料的另一袋部会沿着该第二FET的第二S/D区带延伸到其沟道区带中。
70.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的一对部分中以定义第一阱区和第二阱区，使得每一个阱区都成为第一导电类型；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入至该半导体主体的一对部分中以分别定义该第二导电类型的第一区带和第二区带，使得在完成该结构的制造后，(a)该第一阱区和第二阱区会分别和该第一区带和第二区带形成第一pn结与第二pn结且分别横向延伸在该第一区带和第二区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在两个区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在各自第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置处局部达到第一子表面最大浓度和第二子表面最大浓度，该最大浓度位置分别位于该第一阱区和第二阱区中且分别横向延伸在该第一区带和第二区带的下方(e)相较于该第一pn结与第二pn结的最大深度，该第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置分别出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一子表面最大浓度位置处沿着选定第一垂直位置经由该第一区带向上移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时以基本上单调方式减小至大于该第二子表面最大浓度的1/10，及(iii)从该第二子表面最大浓度位置处沿着选定第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时达到至少一额外的子表面最大浓度。
71.根据权利要求70所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时也会以基本上无弯折方式减小。
72.根据权利要求70所述方法，其中所述引入该第一导电类型掺杂物的行为包括将该第一导电类型的第一半导体掺杂物与第二半导体掺杂物分开引入至该半导体主体中分别预期要成为该第一阱区与第二阱区的一对部分中。
73.根据权利要求72所述方法，其中：
该第一导电类型的第一掺杂物包括该第一导电类型的第一阱半导体掺杂物；
该第一导电类型的第二掺杂物包括该第一导电类型的第二阱半导体掺杂物及该第一导电类型的至少一额外的阱半导体掺杂物；以及
该分开引入行为包括：(a)经由第一掩膜中至少一开口将该第一阱掺杂物引入至该半导体主体中预期要成为该第一阱区的材料中，及(b)经由第二掩膜中至少一开口将该第二阱掺杂物和每一个额外阱掺杂物引入该半导体主体中预期要成为该第二阱区的材料中，使得(i)该第一阱掺杂物会大部分定义该第一子表面最大浓度，(ii)该第二阱掺杂物会大部分定义该第二子表面最大浓度，及(iii)每一个额外阱掺杂物会大部分定义一此额外的子表面最大浓度。
74.根据权利要求70所述方法，其进一步包含将第一导电类型的另一半导体掺杂物引入该半导体主体中预期成为该第一阱区的材料，使该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会在该第一子表面最大浓度位置下方的另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度。
75.根据权利要求74所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述第一导电类型的另一掺杂物会让该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在小于该第一子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
76.根据权利要求75所述方法，其中在完成该结构的制造后，相较于该第一pn结的最大深度，该另一子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
77.根据权利要求70至76项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第二子表面最大浓度位置处沿着该第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于该第二子表面最大浓度的1/10。
78.根据权利要求77所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在该第二垂直位置中每一个额外子表面最大浓度深度处会沿着该第一垂直位置以大部分单调方式改变。
79.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，以便使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一个第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，且借由对应介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，且借由对应介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入至该半导体主体的多个部分中，用以为每一个FET形成由FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度位置的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小至大于该第一FET的主要子表面最大浓度位置的1/10，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用以上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方。
80.根据权利要求79所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在从这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时也会以基本上无弯折方式减小。
81.根据权利要求77所述方法，其中所述引入该第一导电类型掺杂物的行为包括将该第一导电类型的第一半导体掺杂物与第二半导体掺杂物分开引入该半导体主体中分别预期要成为该第一主体材料区域与第二主体材料区域的一对部分中。
82.根据权利要求81所述方法，其中：
该第一导电类型的第一掺杂物包括该第一导电类型的第一主要阱半导体掺杂物；
该第一导电类型的第二掺杂物包括该第一导电类型的第二主要阱半导体掺杂物及该第一导电类型的至少一额外的阱半导体掺杂物；以及
该分开引入行为包括：(a)经由第一掩膜中至少一开口将该第一主要阱掺杂物引入该第一主体材料区域中，及(b)经由第二掩膜中至少一开口将该第二主要阱掺杂物和每一个额外阱掺杂物引入该第二主体材料区域中，使得(i)该第一主要阱掺杂物会大部分定义每一个第一主要子表面最大浓度、(ii)该第二主要阱掺杂物会大部分定义每一个第二主要子表面最大浓度，及(iii)每一个额外阱掺杂物会大部分定义至少一此额外的子表面浓度最大值。
83.根据权利要求79所述方法，其进一步包含将第一导电类型的另一半导体掺杂物引入至少一该第一主体材料区域中，使该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会在另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度，该另一子表面最大浓度位置位于一个此种第一FET的主要子表面最大浓度位置的下方并且横向延伸在其大部分所有的沟道区带的下方。
84.根据权利要求83所述方法，其中在完成该结构的制造后，该第一导电类型的另一掺杂物会让该半导体主体中第一导电类型的全部掺杂物的浓度在小于第一FET的主要子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
85.根据权利要求83所述方法，其中在完成该结构的制造后，相较该第一FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，该第一FET的另一子表面最大浓度会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
86.根据权利要求76所述方法，其中所述定义该栅极电极的行为大部分会在引入该第一导电类型掺杂物的行为后被实施。
87.根据权利要求86所述方法，其中所述引入该第二导电类型掺杂物的行为大部分会在定义该栅极电极的行为后被实施。
88.根据权利要求79所述方法，其中所述该FET中一此FET的栅极介电层会被形成具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料，氧，以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当该上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该指定FET
21 21 3
的栅极介电层中的最大氮浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm 的最大浓度，及(ii)
20
当该正规化深度在高达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/
3
cm，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
89.根据权利要求88所述方法，其中所述FET为p沟道FET。
90.根据权利要求79至89项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第二FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第二FET的选定垂直位置经由该第二FET的任一S/D区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于这样一第二FET的主要子表面最大浓度的1/10。
91.根据权利要求90所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在这样一第二FET的选定垂直位置中每一个额外子表面最大浓度的深度处会沿着这样一第一FET的选定垂直位置以大部分单调方式来改变。
92.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一个第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到对于每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料，其中该栅极介电层会被形成以选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；和
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
93.根据权利要求92所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
94.根据权利要求92所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
95.根据权利要求92所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足所有该栅极介电层要求。
96.根据权利要求92所述方法，其中所述FET中一FET的栅极介电层会被形成具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当该上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该栅极介电层中的
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最大氮浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm 的最大浓度，以及(ii)当该正规化深
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度在高达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
97.根据权利要求92至96项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
98.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方并且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中引入该第二导电类型掺杂物的行为必须定义该S/D区带，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一个S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区中更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；和
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
99.根据权利要求98所述方法，其中这些实例中所述的FET的S/D延伸区会满足所有该S/D延伸区要求。
100.根据权利要求98所述方法，其中所述栅极介电层会被形成以选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
101.根据权利要求100所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
102.根据权利要求98所述方法，其中：
这样一第一FET的栅极介电层会被形成以使其厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期成为此两个第一FET与第二FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料，使得在完成该结构的制造后，该第一FET的临界电压大小远小于该第二FET的临界电压大小。
103.根据权利要求98所述方法，其中：
这样一第一FET和这样一个第二FET中每一个的栅极介电层会被形成以使其厚度远大于另一这样一FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期成为此两个第一FET与第二FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料，使得在完成该结构的制造后，该第一FET的临界电压大小远小于该第二FET的临界电压大小。
104.根据权利要求98所述方法，其中：
这样一第一FET的栅极介电层会被形成以使其厚度远小于另一这样的第一FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期成为此两个第一FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料中。
105.根据权利要求98所述方法，其中：
这样两个第二FET中每一个的栅极介电层会被形成以使其厚度远大于另一此FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期要成为此两个第二FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料中，使得在完成该结构的制造后，此两个第二FET的各自临界电压的大小会明显不同。
106.根据权利要求98至105项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
107.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用以上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方；以及
将该第一导电类型的额外半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，用以定义该主体材料区域的袋部，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的主体材料区域的袋部会沿着其第一S/D区带延伸至其沟道区带中而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料，这些实例中该FET的袋部会选择性满足下面袋部要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的该袋部会让其沟道区带相对于其S/D区带非对称；
b.这样一第一FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带中而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料；和
c.这样一第二FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带中而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料。
108.根据权利要求107所述方法，其中这些实例中所述FET的袋部会满足所有该袋部要求。
109.根据权利要求107所述方法，其中引入该第二导电类型掺杂物的行为必须定义该S/D区带，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
110.根据权利要求107所述方法，其中所述栅极介电层会被形成以 选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
111.根据权利要求110所述方法，其中引入该第二导电类型掺杂物的行为必须定义该S/D区带，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部以及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中该FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
112.根据权利要求107至111项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
113.一种制造包括一对相反极性第一与第二场效应晶体管(FET)的结构的方法，该方法包括：
将(i)第一导电类型的第一半导体掺杂物引入半导体主体的第一主体材料中，使得该第一主体材料为第一导电类型，及将(ii)和第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体掺杂物引入该半导体主体的第二主体材料中，使得该第二主体材料为第二掺杂物导电类型；
分别定义该FET的一对栅极电极，使得该栅极电极位于该第一主体材料与第二主体材料中预期要成为该第一FET与第二FET的一对各自沟道区带的一对部分的上方，并且会借由一对各自的栅极介电层与该部分垂直分离；以及
将(i)第二导电类型的第二半导体掺杂物引入该半导体主体中，以便形成该第一FET的一对第二导电类型的源极/漏极(S/D)区带，其会被该第一FET的沟道区带横向分离，及将(ii)该第一导电类型的第二半导体掺杂物引入该半导体主体中，以便形成该第二FET中被其沟道区带所横向分离的一对第一导电类型的S/D区带，使得在完成该结构的制造后，(a)该第一主体材料会分别和该第一FET的S/D区带形成一对pn结且横向延伸在其S/D区带的下方，(b)该第二主体材料会分别和该第二FET的S/D区带形成一对pn结并且横向延伸在其S/D区带的下方，(c)每一个pn结因而会在该半导体主体的上方表面下方延伸至该半导体主体中的最大深度，(c)该第一导电类型的第一掺杂物也会出现在该第一FET的S/D区带中且浓度会在第一子表面主体材料位置处局部达到子表面最大浓度，该第一子表面主体材料位置会横向延伸在该第一FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，该浓度从该第一子表面主体材料位置处沿着选定第一垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时会减小到该第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/10，且从该第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会以基本上单调且基本上无弯折方式减小(d)相较于该第一FET的指定S/D区带的pn结的最大深度，该第一子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，(e)该第二导电类型的第一掺杂物也会出现在该第二FET的S/D区带中且浓度会在第二子表面主体材料位置处局部达到子表面最大浓度，该第二子表面主体材料位置会横向延伸在该第二FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，而且该浓度从该第二子表面主体材料位置处沿着任何垂直位置经由该第二FET的每一个S/D区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于该第二子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的1/10，(f)相较于该第二FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，该第二子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
114.根据权利要求113所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述该半导体主体中该第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置经由第一FET的指定S/D区带移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/20。
115.根据权利要求113所述方法，其中所述第一FET的栅极介电层和第二FET的栅极介电层会被形成具有明显不同的厚度。
116.根据权利要求113所述方法，其中所述第一FET的栅极介电层和第二FET的栅极介电层会被形成具有约略相同的厚度。
117.根据权利要求113所述方法，其中引入该第二掺杂物的行为必须形成每一个FET的每一个S/D区带，以便包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得在完成该结构的制造后，每一个FET的沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区。
118.根据权利要求113所述方法，其进一步包含将第一导电类型的第三半导体掺杂物引入该半导体主体中以定义该第一主体材料的袋部，其掺杂程度重过该第一主体材料的横向相邻材料并且会沿着该第一FET的第一S/D区带延伸至其沟道区带中。
119.根据权利要求118所述方法，其中所述主体材料的袋部会让该第一FET的沟道区带相对于其S/D区带非对称。
120.根据权利要求113所述方法，其中引入该第二掺杂物的行为必须形成该第一FET的每一个S/D区带，以便包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该第一FET的栅极电极的下方，使得在完成该结构的制造后，(i)该第一FET的沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，及(ii)该第一FET的第二S/D区带的S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度大于该第一FET的第一S/D区带的S/D延伸区。
121.根据权利要求113所述方法，其进一步包含将第二导电类型的第三半导体掺杂物引入该半导体主体中以定义该第二主体材料的袋部，其掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料且沿着该第二FET的第一S/D区带延伸至其沟道区带中。
122.根据权利要求121所述方法，其中引入该第二导电类型第三掺杂物的行为包含将该第二导电类型的第三掺杂物引入该半导体主体中以定义该第二主体材料的另一袋部，其掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料且沿着该第二FET的第二S/D区带延伸至其沟道区带中。
根据专利合作条约19条的修改
修改内容
1.一种半导体结构，包括：
具有上方表面的半导体主体的主体材料的第一阱区和第二阱区，该主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型；以及
与位于沿着半导体主体的上方半导体表面中的第一导电类型相反的第二导电类型的第一区带和第二区带，该第一阱区和第二阱区分别延伸在第一区带和第二区带的下方并且分别交会该第一区带和第二区带，以便分别和该第一区带和第二区带形成第一pn结与第二pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该第一导电类型的掺杂物会出现在两个区带中且所具有的浓度会在各自的第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置处局部达到第一子表面最大浓度和第二子表面最大浓度，该最大浓度位置分别位于该第一阱区和第二阱区中且分别横向延伸在该第一区带和第二区带的下方，(c)相较于该第一pn结与第二pn结的最大深度，该第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置会分别出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，且(d)该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一子表面最大浓度位置处沿着选定第一垂直位置经该第一区带向上移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面最大浓度的最多
1/10，(ii)从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时以基本上单调的方式减小至大于该第一子表面最大浓度的1/10，且(iii)从该第二子表面最大浓度位置处沿着选定第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时达到至少一额外的子表面最大浓度
2.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时也会以基本上无弯折方式减小。
3.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置经由该第一区带移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面最大浓度的最多1/20。
4.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一pn结处沿着该第一垂直位置移到与该主体的上方表面相隔不超过该第一pn结的最大深度的20％的位置点时以基本上单调方式减小。
5.根据权利要求1所述结构，其中在从该第一子表面最大浓度位置处向下移到该第一pn结的最大深度的10倍深度处时，所述第一子表面最大浓度实质上为该第一导电类型的掺杂物的浓度中仅有的局部子表面最大值。
6.根据权利要求1所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度会沿着该第一垂直位置在该第一子表面最大浓度位置下方的另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度。
7.根据权利要求6所述结构，其中：
所述第一子表面最大浓度与另一子表面最大浓度分别由该第一导电类型的主要半导体掺杂物与另一半导体掺杂物所产生；以及
所述第一导电类型的另一掺杂物会让该第一导电类型的掺杂物的浓度在小于该第一子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
8.根据权利要求7所述结构，其中相较于该第一pn结的最大深度，所述另一子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
9.根据权利要求1至8项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第二子表面最大浓度位置处沿着该第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于该第二子表面最大浓度的1/10。
10.根据权利要求9所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度在该第二垂直位置中每一个额外子表面浓度最大值深度处会沿着该第一垂直位置以大部分单调方式来改变。
11.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面而位于半导体主体中、被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面位置会横向延伸在大部分的所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到该每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小至大于该第一FET的主要子表面最大浓度的1/10，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方。
12.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时也以基本上无弯折方式减小。
13.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的指定S/D区带移到该主体的上方表面时减小到这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置的最多
1/20。
14.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从这样一第一FET的指定S/D区带的pn结处沿着该第一FET的选定垂直位置移到与该主体的上方表面相隔不超过该第一FET的指定S/D区带的pn结最大深度的20％的位置点时会以基本上单调方式减小。
15.根据权利要求11所述结构，其中在从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置向下移到该第一FET的指定S/D区带的pn结最大深度的10倍深度处时，所述这样一第一FET的主要子表面最大浓度实质上为该第一导电类型的掺杂物的浓度中仅有的局部子表面最大值。
16.根据权利要求11所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度会在另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度，其位于这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置的下方并且横向延伸在其大部分所有沟道区带的下方。
17.根据权利要求16所述结构，其中：
所述第一FET的主要子表面最大浓度与另一子表面最大浓度分别由该第一导电类型的主要半导体掺杂物与另一半导体掺杂物所产生；以及
所述第一导电类型的另一掺杂物会让该第一导电类型的掺杂物的浓度在小于该第一FET的主要子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
18.根据权利要求17所述结构，其中所述第一导电类型的另一掺杂物会让该第一导电类型的掺杂物的浓度在小于该第一FET的主要子表面最大浓度的深度的任何深度处增加不超过10％。
19.根据权利要求17所述结构，其中相较于该第一FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，所述第一FET的另一子表面最大浓度会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
20.根据权利要求11所述结构，其中相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，所述每一个FET的主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过
5倍深的地方。
21.根据权利要求11所述结构，其中所述FETs中一FET的栅极介电层具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，并且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过
0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在栅极介电层中的最大氮
21 21
浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm3的最大浓度，以及(ii)当该正规化深度在高
20
达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm3，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
22.根据权利要求21所述结构，其中所述FET为p沟道FET。
23.根据权利要求11至22项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第二FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第二FET的选定垂直位置经由该第二FET的任一S/D区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于这样一第二FET的主要子表面最大浓度的1/10。
24.根据权利要求23所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度在这样一第二FET的选定垂直位置中每一个额外子表面浓度最大值的深度处会沿着这样一个第一FET的选定垂直位置以大部分单调的方式来改变。
25.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定的垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到这样一第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中该栅极介电层选择性的满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；和
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
26.根据权利要求25所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
27.根据权利要求25所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
28.根据权利要求25所述结构，其中所述栅极介电层会满足所有该栅极介电层要求。
29.根据权利要求25所述结构，其中所述FET中一FET的栅极介电层具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该栅极介电层中的最大氮浓
21 21
度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm3的最大浓度，以及(ii)当该正规化深度在高达
20
0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm3，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
30.根据权利要求29所述结构，其中所述FET为p沟道FET。
31.根据权利要求25至30项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
32.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中、被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中而且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定的垂直位置经由第一FET的该S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的该主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调的方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在一额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中有多个实例下，一第一FET的临界电压的大小远小于一第二FET的临界电压，且这些实例中的FET的栅极介电层选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
b.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；和c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层。
33.根据权利要求32所述结构，其中这些实例中所述FET的栅极介电层会满足所有该栅极介电层要求。
34.根据权利要求32所述结构，其中所述FETs中一FET的栅极介电层具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当该上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过
0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该栅极介电层中的最大
21 21
氮浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm3的最大浓度，及(ii)当该正规化深度在高
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达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm3，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
35.根据权利要求32至34项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
36.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其位于沿着它的上方表面的半导体主体中，被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中而且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在一额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中有多个实例下，FET的每一个S/D区带包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的该FET的S/D延伸区会选择性地满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；和
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
37.根据权利要求36所述结构，其中在这些实例中所述的FET的S/D延伸区会满足所有该S/D延伸区的要求。
38.根据权利要求36所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
39.根据权利要求38所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
40.根据权利要求38所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
41.根据权利要求36至40项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
42.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中有多个实例下，FET的主体材料区域的袋部会沿着其第一S/D区带延伸至其沟道区带中，且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料，且这些实例中的FET的袋部会选择性满足下面袋部要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的袋部会让其沟道区带相对于其S/D区带非对称；
b.这样一第一FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带，而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料；和
c.这样一第二FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带，而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料。
43.根据权利要求42所述结构，其中这些实例中所述的FET的袋部会满足所有该袋部的要求。
44.根据权利要求42所述结构，其中有多个实例下，FET的每一个S/D区带包括主要S/D部以及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区中更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
45.根据权利要求44所述结构，其中这些实例中的所述FET的S/D延伸区会满足所有该S/D延伸区要求。
46.根据权利要求42所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
47.根据权利要求46所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
48.根据权利要求46所述结构，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
49.根据权利要求46所述结构，其中有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区中更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
50.根据权利要求42至49项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
51.一种包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构，其包含至少一第一FET与至少一第二FET，在半导体主体的上方表面中具有该FET，该半导体主体的主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型，每一个FET都包括：
该主体材料的区域的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被该沟道区带横向分离，且作为和第一导电类型相反的第二导电类型以便和该主体材料区域形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，(b)该主体材料区域会横向延伸在两个S/D区带的下方，(c)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中而且浓度会在主要子表面最大浓度位置处局部达到主要子表面最大浓度，该主要子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方及(d)相较于每一个S/D区带的pn结的最大深度，该主要子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中该第一导电类型的掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得该第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在额外的子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带上方且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中该FET会选择性满足下面组合要求中的至少一个：
a.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且该第一FET的栅极介电层的厚度远大于该第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且该第一FET的栅极介电层的厚度远小于该第二FET的栅极介电层；
c.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且此两个第一FET与第二FET的栅极介电层的厚度远大于另一这样的FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，而且此两个第一FET与第二FET的栅极介电层的厚度远小于另一这样的FET的栅极介电层；
e.这样一第一FET的临界电压大小远小于各自临界电压大小明显不同的两个此种第二FET中的每一个第二FET，而且该第一FET的栅极介电层的厚度远大于该第二FET中每一个第二FET的栅极介电层；和
f.这样一第一FET的临界电压大小远小于各自临界电压大小明显不同的两个此种第二FET中的每一个第二FET，而且每一个这样的三个FET的栅极介电层的厚度远小于另一这样的FET中的栅极介电层。
52.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少两个。
53.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少三个。
54.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少四个。
55.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会选择性满足该组合要求中的至少五个。
56.根据权利要求51所述结构，其中所述FET会满足所有组合要求。
57.根据权利要求51至56项中任一所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
58.一种结构，包括被设置在半导体主体上方表面中的一对相反极性的第一与第二场效应晶体管(FET)，每一个FET都包括(i)该半导体主体的主体材料的沟道区带，(ii)第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于半导体主体中，被该沟道区带横向分离，并且和该主体材料形成各自的pn结，使得每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度且让该主体材料横向延伸在两个S/D区带的下方，(iii)栅极介电层，其上覆该沟道区带；及(iv)栅极电极，其上覆该沟道区带上的栅极介电层，其中：
该第一FET的主体材料是由被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂的第一主体材料所构成，以便成为第一导电类型，而该第一FET的S/D区带则是与第一导电类型相反的第二导电类型；
该第二FET的主体材料是由被第二导电类型的半导体掺杂物掺杂的第二主体材料所构成，以便成为第二导电类型，而该第二FET的S/D区带则为第一导电类型；
该第一导电类型的掺杂物也出现在该第一FET的S/D区带中而且浓度会(a)在第一子表面主体材料位置处局部达到子表面浓度最大值，该第一子表面主体材料位置会横向延伸在该第一FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，(b)从该第一子表面主体材料位置处沿着选定第一垂直位置经由第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/10，及(c)从第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调及基本上无弯折方式减小；
相较于第一FET的指定S/D区带的pn结的最大深度，该第一子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方；
该第二导电类型的掺杂物也会出现在该第二FET的S/D区带中而且浓度会(a)在第二子表面主体材料位置处局部达到子表面浓度最大值，该第二子表面主体材料位置会横向延伸在该第二FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方(b)从该第二子表面主体材料位置处沿着任何垂直位置经由第二FET的每一个S/D区带向上移到该主体的上方表面时增大，或减小至大于第二子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的1/10；以及相较于第二FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，该第二子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
59.根据权利要求58所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置经由第一FET的指定S/D区带移到该主体的上方表面时减小到第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/20。
60.根据权利要求59所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从该第一FET的指定S/D区带的pn结处沿着该选定第一垂直位置移到与该主体的上方表面相隔不超过该第一FET的指定S/D区带的pn结的最大深度的20％的位置点时会以基本上单调方式减小。
61.根据权利要求58所述结构，其中所述第一FET的栅极介电层的厚度远大于该第二FET的栅极介电层。
62.根据权利要求58所述结构，其中所述第一FET的栅极介电层和第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度。
63.根据权利要求58所述结构，其中所述第二FET的栅极介电层的厚度远大于该第一FET的栅极介电层。
64.根据权利要求58所述结构，其中所述每一个FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区。
65.根据权利要求58所述结构，其中所述第一主体材料中掺杂程度重过该第一主体材料的横向相邻材料的袋部会沿着该第一FET的第一S/D区带延伸到其沟道区带中。
66.根据权利要求65所述结构，其中所述第一主体材料的袋部会让该第一FET的沟道区带相对于其S/D区带非对称。
67.根据权利要求66所述结构，其中：
该第一FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该第一FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区；以及该第一FET的第二S/D区带的S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的第一S/D区带的S/D延伸区更深的地方。
68.根据权利要求58所述结构，其中所述第二主体材料中掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料的袋部会沿着该第二FET的第一S/D区带延伸到其沟道区带中。
69.根据权利要求58所述结构，其中所述第二主体材料中掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料的另一袋部会沿着该第二FET的第二S/D区带延伸到其沟道区带中。
70.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的一对部分中以定义第一阱区和第二阱区，使得每一个阱区都成为第一导电类型；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入至该半导体主体的一对部分中以分别定义该第二导电类型的第一区带和第二区带，使得在完成该结构的制造后，(a)该第一阱区和第二阱区会分别和该第一区带和第二区带形成第一pn结与第二pn结且分别横向延伸在该第一区带和第二区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在两个区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在各自第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置处局部达到第一子表面最大浓度和第二子表面最大浓度，该最大浓度位置分别位于该第一阱区和第二阱区中且分别横向延伸在该第一区带和第二区带的下方(e)相较于该第一pn结与第二pn结的最大深度，该第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置分别出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一子表面最大浓度位置处沿着选定第一垂直位置经由该第一区带向上移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时以基本上单调方式减小至大于该第二子表面最大浓度的1/10，及(iii)从该第二子表面最大浓度位置处沿着选定第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时达到至少一额外的子表面最大浓度。
71.根据权利要求70所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一子表面最大浓度位置处沿着该第一垂直位置移到该第一pn结时也会以基本上无弯折方式减小。
72.根据权利要求70所述方法，其中所述引入该第一导电类型掺杂物的行为包括将该第一导电类型的第一半导体掺杂物与第二半导体掺杂物分开引入至该半导体主体中分别预期要成为该第一阱区与第二阱区的一对部分中。
73.根据权利要求72所述方法，其中：
该第一导电类型的第一掺杂物包括该第一导电类型的第一阱半导体掺杂物；
该第一导电类型的第二掺杂物包括该第一导电类型的第二阱半导体掺杂物及该第一导电类型的至少一额外的阱半导体掺杂物；以及
该分开引入行为包括：(a)经由第一掩膜中至少一开口将该第一阱掺杂物引入至该半导体主体中预期要成为该第一阱区的材料中，及(b)经由第二掩膜中至少一开口将该第二阱掺杂物和每一个额外阱掺杂物引入该半导体主体中预期要成为该第二阱区的材料中，使得(i)该第一阱掺杂物会大部分定义该第一子表面最大浓度，(ii)该第二阱掺杂物会大部分定义该第二子表面最大浓度，及(iii)每一个额外阱掺杂物会大部分定义一此额外的子表面最大浓度。
74.根据权利要求70所述方法，其进一步包含将第一导电类型的另一半导体掺杂物引入该半导体主体中预期成为该第一阱区的材料，使该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会在该第一子表面最大浓度位置下方的另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度。
75.根据权利要求74所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述第一导电类型的另一掺杂物会让该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在小于该第一子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
76.根据权利要求75所述方法，其中在完成该结构的制造后，相较于该第一pn结的最大深度，该另一子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
77.根据权利要求70至76项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第二子表面最大浓度位置处沿着该第二垂直位置经由该第二区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于该第二子表面最大浓度的1/10。
78.根据权利要求77所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在该第二垂直位置中每一个额外子表面最大浓度深度处会沿着该第一垂直位置以大部分单调方式改变。
79.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，以便使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一个第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，且借由对应栅极介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，且借由对应栅极介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入至该半导体主体的多个部分中，用以为每一个FET形成由FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度位置的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小至大于该第一FET的主要子表面最大浓度位置的1/10，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用以上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方。
80.根据权利要求79所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在从这样一第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时也会以基本上无弯折方式减小。
81.根据权利要求77所述方法，其中所述引入该第一导电类型掺杂物的行为包括将该第一导电类型的第一半导体掺杂物与第二半导体掺杂物分开引入该半导体主体中分别预期要成为该第一主体材料区域与第二主体材料区域的一对部分中。
82.根据权利要求81所述方法，其中：
该第一导电类型的第一掺杂物包括该第一导电类型的第一主要阱半导体掺杂物；
该第一导电类型的第二掺杂物包括该第一导电类型的第二主要阱半导体掺杂物及该第一导电类型的至少一额外的阱半导体掺杂物；以及
该分开引入行为包括：(a)经由第一掩膜中至少一开口将该第一主要阱掺杂物引入该第一主体材料区域中，及(b)经由第二掩膜中至少一开口将该第二主要阱掺杂物和每一个额外阱掺杂物引入该第二主体材料区域中，使得(i)该第一主要阱掺杂物会大部分定义每一个第一主要子表面最大浓度、(ii)该第二主要阱掺杂物会大部分定义每一个第二主要子表面最大浓度，及(iii)每一个额外阱掺杂物会大部分定义至少一此额外的子表面浓度最大值。
83.根据权利要求79所述方法，其进一步包含将第一导电类型的另一半导体掺杂物引入至少一该第一主体材料区域中，使该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会在另一子表面最大浓度位置处达到另一子表面最大浓度，该另一子表面最大浓度位置位于一个此种第一FET的主要子表面最大浓度位置的下方并且横向延伸在其大部分所有的沟道区带的下方。
84.根据权利要求83所述方法，其中在完成该结构的制造后，该第一导电类型的另一掺杂物会让该半导体主体中第一导电类型的全部掺杂物的浓度在小于第一FET的主要子表面最大浓度深度的任何深度处增加不超过25％。
85.根据权利要求83所述方法，其中在完成该结构的制造后，相较该第一FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，该第一FET的另一子表面最大浓度会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
86.根据权利要求76所述方法，其中所述定义该栅极电极的行为大部分会在引入该第一导电类型掺杂物的行为后被实施。
87.根据权利要求86所述方法，其中所述引入该第二导电类型掺杂物的行为大部分会在定义该栅极电极的行为后被实施。
88.根据权利要求79所述方法，其中所述该FET中一FET的栅极介电层会被形成具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料，氧，以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当该上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该栅极介电层
21 21
中的最大氮浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm3的最大浓度，及(ii)当该正规化
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深度在高达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm3，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
89.根据权利要求88所述方法，其中所述FET为p沟道FET。
90.根据权利要求79至89项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第二FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第二FET的选定垂直位置经由该第二FET的任一S/D区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于这样一第二FET的主要子表面最大浓度的1/10。
91.根据权利要求90所述方法，其中在完成该结构的制造后，该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度在这样一第二FET的选定垂直位置中每一个额外子表面最大浓度的深度处会沿着这样一第一FET的选定垂直位置以大部分单调方式来改变。
92.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一个第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到对于每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料，其中该栅极介电层会被形成以选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；和
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
93.根据权利要求92所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
94.根据权利要求92所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少四个。
95.根据权利要求92所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足所有该栅极介电层要求。
96.根据权利要求92所述方法，其中所述FET中一FET的栅极介电层会被形成具有下方栅极电介质表面与上方栅极电介质表面，具有平均栅极电介质厚度，且包括半导体材料、氧、以及处于栅极电介质氮浓度的氮，(i)当该上方栅极电介质表面下方的正规化深度在不超过0.2的正规化最大氮浓度深度数值处时，该栅极电介质氮浓度会在该栅极介电层中的
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最大氮浓度位置中达到2x10 至6x10 个原子/cm3的最大浓度，以及(ii)当该正规化深
20
度在高达0.9的较高数值处时，该栅极电介质氮浓度会下降至1x10 个原子/cm3，该正规化深度为该上方栅极电介质表面下方的真实深度除以该平均栅极电介质厚度。
97.根据权利要求92至96项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度1/10。
98.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方并且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用来上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中引入该第二导电类型掺杂物的行为必须定义该S/D区带，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一个S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区中更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；和
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
99.根据权利要求98所述方法，其中这些实例中所述的FET的S/D延伸区会满足所有该S/D延伸区要求。
100.根据权利要求98所述方法，其中所述栅极介电层会被形成以选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
101.根据权利要求100所述方法，其中所述栅极介电层会选择性满足该栅极介电层要求中的至少三个。
102.根据权利要求98所述方法，其中：
这样一第一FET的栅极介电层会被形成以使其厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期成为此两个第一FET与第二FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料，使得在完成该结构的制造后，该第一FET的临界电压大小远小于该第二FET的临界电压大小。
103.根据权利要求98所述方法，其中：
这样一第一FET和这样一个第二FET中每一个的栅极介电层会被形成以使其厚度远大于另一这样一FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期成为此两个第一FET与第二FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料，使得在完成该结构的制造后，该第一FET的临界电压大小远小于该第二FET的临界电压大小。
104.根据权利要求98所述方法，其中：
这样一第一FET的栅极介电层会被形成以使其厚度远小于另一这样的第一FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期成为此两个第一FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料中。
105.根据权利要求98所述方法，其中：
这样两个第二FET中每一个的栅极介电层会被形成以使其厚度远大于另一此FET的栅极介电层；以及
引入该掺杂物的行为包含以实质同步方式将该第二导电类型的半导体掺杂物选择性引入该半导体主体中预期要成为此两个第二FET中每一个的每一个S/D延伸区的至少部分的材料中，使得在完成该结构的制造后，此两个第二FET的各自临界电压的大小会明显不同。
106.根据权利要求98至105项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
107.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET与至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用以上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方；以及
将该第一导电类型的额外半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，用以定义该主体材料区域的袋部，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的主体材料区域的袋部会沿着其第一S/D区带延伸至其沟道区带中而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料，这些实例中该FET的袋部会选择性满足下面袋部要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的该袋部会让其沟道区带相对于其S/D区带非对称；
b.这样一第一FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带中而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料；和
c.这样一第二FET的主体材料区域的另一袋部会沿着其第二S/D区带延伸至其沟道区带中而且掺杂程度重过该主体材料区域的横向相邻材料。
108.根据权利要求107所述方法，其中这些实例中所述FET的袋部会满足所有该袋部要求。
109.根据权利要求107所述方法，其中引入该第二导电类型掺杂物的行为必须定义该S/D区带，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中的FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
110.根据权利要求107所述方法，其中所述栅极介电层会被形成以选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的栅极介电层和这样一第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层；
d.这样一第一FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第一FET的栅极介电层；以及
e.这样一第二FET的栅极介电层的厚度明显不同于另一这样一第二FET的栅极介电层。
111.根据权利要求110所述方法，其中引入该第二导电类型掺杂物的行为必须定义该S/D区带，使得在完成该结构的制造后，有多个实例下，FET的每一个S/D区带都包括主要S/D部以及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得其沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，且这些实例中该FET的S/D延伸区会选择性满足下面S/D延伸区要求中的至少两个：
a.这样一第一FET的一S/D延伸区会延伸在该主体的上方表面下方比该第一FET的另一S/D延伸区更深的地方；
b.这样一第一FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于这样一第二FET的每一个S/D延伸区；以及
c.这样一第二FET的每一个S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度远大于另一这样一第二FET的每一个S/D延伸区。
112.根据权利要求107至111项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
113.一种制造包括一对相反极性第一与第二场效应晶体管(FET)的结构的方法，该方法包括：
将(i)第一导电类型的第一半导体掺杂物引入半导体主体的第一主体材料中，使得该第一主体材料为第一导电类型，及将(ii)和第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体掺杂物引入该半导体主体的第二主体材料中，使得该第二主体材料为第二掺杂物导电类型；
分别定义该FET的一对栅极电极，使得该栅极电极位于该第一主体材料与第二主体材料中预期要成为该第一FET与第二FET的一对各自沟道区带的一对部分的上方，并且会借由一对各自的栅极介电层与该部分垂直分离；以及
将(i)第二导电类型的第二半导体掺杂物引入该半导体主体中，以便形成该第一FET的一对第二导电类型的源极/漏极(S/D)区带，其会被该第一FET的沟道区带横向分离，及将(ii)该第一导电类型的第二半导体掺杂物引入该半导体主体中，以便形成该第二FET中被其沟道区带所横向分离的一对第一导电类型的S/D区带，使得在完成该结构的制造后，(a)该第一主体材料会分别和该第一FET的S/D区带形成一对pn结且横向延伸在其S/D区带的下方，(b)该第二主体材料会分别和该第二FET的S/D区带形成一对pn结并且横向延伸在其S/D区带的下方，(c)每一个pn结因而会在该半导体主体的上方表面下方延伸至该半导体主体中的最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在该第一FET的S/D区带中(d)该半导体主体中第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在第一子表面主体材料位置处局部达到子表面最大浓度，该第一子表面主体材料位置会横向延伸在该第一FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，该浓度从该第一子表面主体材料位置处沿着选定第一垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时会减小到该第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/10，且从该第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时会以基本上单调且基本上无弯折方式减小(e)相较于该第一FET的指定S/D区带的pn结的最大深度，该第一子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，(f)该第二导电类型的半导体掺杂物会出现在该第二FET的S/D区带中(g)该半导体主体中第二导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在第二子表面主体材料位置处局部达到子表面最大浓度，该第二子表面主体材料位置会横向延伸在该第二FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方，而且该浓度从该第二子表面主体材料位置处沿着任何垂直位置经由该第二FET的每一个S/D区带向上移到该主体的上方表面时会增大，或减小至大于该第二子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的1/10，(h)相较于该第二FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，该第二子表面主体材料位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方。
114.根据权利要求113所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一子表面主体材料位置处沿着该选定第一垂直位置经由第一FET的指定S/D区带移到该主体的上方表面时减小到该第一子表面主体材料位置处的子表面最大浓度的最多1/20。
115.根据权利要求113所述方法，其中所述第一FET的栅极介电层和第二FET的栅极介电层会被形成具有明显不同的厚度。
116.根据权利要求113所述方法，其中所述第一FET的栅极介电层和第二FET的栅极介电层会被形成具有约略相同的厚度。
117.根据权利要求113所述方法，其中引入该第二掺杂物的行为必须形成每一个FET的每一个S/D区带，以便包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部并且横向延伸在该FET的栅极电极的下方，使得在完成该结构的制造后，每一个FET的沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区。
118.根据权利要求113所述方法，其进一步包含将第一导电类型的第三半导体掺杂物引入该半导体主体中以定义该第一主体材料的袋部，其掺杂程度重过该第一主体材料的横向相邻材料并且会沿着该第一FET的第一S/D区带延伸至其沟道区带中。
119.根据权利要求118所述方法，其中所述主体材料的袋部会让该第一FET的沟道区带相对于其S/D区带非对称。
120.根据权利要求113所述方法，其中引入该第二掺杂物的行为必须形成该第一FET的每一个S/D区带，以便包括主要S/D部及较轻度掺杂的横向S/D延伸区，该较轻度掺杂的横向S/D延伸区会横向接续该主要S/D部且横向延伸在该第一FET的栅极电极的下方，使得在完成该结构的制造后，(i)该第一FET的沟道区带会沿着该主体的上方表面终止于其S/D延伸区，及(ii)该第一FET的第二S/D区带的S/D延伸区延伸在该主体的上方表面下方的深度大于该第一FET的第一S/D区带的S/D延伸区。
121.根据权利要求113所述方法，其进一步包含将第二导电类型的第三半导体掺杂物引入该半导体主体中以定义该第二主体材料的袋部，其掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料且沿着该第二FET的第一S/D区带延伸至其沟道区带中。
122.根据权利要求121所述方法，其中引入该第二导电类型第三掺杂物的行为包含将该第二导电类型的第三掺杂物引入该半导体主体中以定义该第二主体材料的另一袋部，其掺杂程度重过该第二主体材料的横向相邻材料且沿着该第二FET的第二S/D区带延伸至其沟道区带中。
123.一种结构。其包括沿着具有掺杂第一导电类型半导体掺杂物以便成为第一导电类型主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，该晶体管包括：
该主体材料的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(“S/D”)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于该半导体主体中、被该沟道区带横向分离、且作为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和该主体材料形成各自的pn结，使得(a)每一个pn结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，第二S/D区带在该主体的上方表面的下方的延伸深度远大于该第一S/D区带，(c)该主体材料横向延伸在两个S/D区带下方，(d)第一导电类型的掺杂物会出现在两个S/D区带中且浓度会在子表面最大浓度位置处局部达到子表面最大浓度，该子表面最大浓度位置会横向延伸在大部分所有的沟道区带与至少每个S/D区带部分的下方，及(e)相较于第二S/D区带的pn结的最大深度，该子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，(f)该第一导电类型的掺杂物浓度会(i)从子表面最大浓度位置处沿着选定垂直位置经一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到该子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从子表面最大浓度位置处沿着选定垂直位置移到指定S/D区带的pn结时减小至大于该子表面最大浓度的1/10；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层。
124.根据权利要求123所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从子表面最大浓度位置处沿着选定垂直位置经由指定S/D区带移到该主体的上方表面时减小到该子表面最大浓度的最多1/20。
125.根据权利要求123所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从子表面最大浓度位置处沿着选定垂直位置移到指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小。
126.根据权利要求125所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从指定S/D区带的pn结处沿着选定垂直位置移到该主体上方表面时也以基本上单调方式减小。
127.根据权利要求123所述结构，其中所述第一导电类型的掺杂物的浓度从指定S/D区带的pn结处沿着选定垂直位置移到与该主体的上方表面相隔不超过该指定S/D区带的pn结的最大深度的20％的位置点时会以基本上单调方式减小。
128.根据权利要求123所述结构，其中相较于第二S/D区带的pn结的最大深度，所述子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过5倍深的地方。
129.根据权利要求123所述结构，其中所述一S/D区带包括主要部和朝向另一S/D区带延伸的较轻度掺杂横向延伸区。
130.根据权利要求123所述结构，其中所述每个S/D区带包括主要部和较轻度掺杂横向延伸区，使得通过沿着该主体材料上方表面的横向延伸区终止该沟道区带。
131.根据权利要求123所述结构，其中所述主体材料的袋部的重度掺杂程度大于该主体材料横向邻接材料，该袋部沿着一S/D区带延伸至沟道区带中。
132.根据权利要求131所述结构，其中所述主体材料的袋部主要仅沿着第一S/D区带延伸，使得该沟道区带相对于S/D区带非对称。
133.根据权利要求123至132项中任一所述结构，其中所述指定S/D区带是第二S/D区带。
134.根据权利要求133所述结构，其中所述第二S/D区带的S/D延伸区会延伸在比该第一S/D区带主体上方表面的下方更深的地方。
135.根据权利要求133所述结构，其中所述第二S/D区带的S/D延伸区的轻度掺杂程度轻于第一S/D区带的S/D延伸区。
136.根据权利要求133所述结构，其中所述第一和第二S/D区带分别构成源极和漏极。
137.一种结构，其包括沿着具有第一导电类型主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，该FET包括：
该主体材料的沟道区带；
第一和第二源极/漏极(“S/D”)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于该半导体主体中、被该沟道区带横向分离、且作为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和该主体材料形成各自的pn结；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，该第一S/D区带包括第一主要S/D部和较轻度掺杂的第一横向S/D延伸区，该第二S/D区带包括第二主要S/D部和较轻度掺杂的第二横向S/D延伸区，该两个S/D延伸区都横向延伸在该栅极电极的下方，以便沿着该主体的上方表面终止该沟道区带，该第二S/D延伸区在该主体上方表面下方延伸的深度远大于该第一S/D区带，主体材料的袋部的重度掺杂程度大于该主体材料的横向邻接材料，该袋部主要仅沿着指定一S/D区带延伸使得该沟道区带相对于该S/D区带非对称。
138.根据权利要求137所述结构，其中所述指定S/D区带为第一S/D区带，据此该袋部主要仅沿着该第一S/D区带延伸。
139.根据权利要求137所述结构，其中所述第二S/D延伸区在该主体上方表面的下方的延伸深度远大于该第二主要S/D部。
140.根据权利要求137至139项中任一所述结构，其中所述第一主要S/D部在该主体上方表面的下方的延伸深度远大于该第一S/D延伸区。
141.一种结构，其包括沿着具有第一导电类型主体材料的半导体主体的上方表面设置的场效应晶体管，该晶体管包括：
该主体材料的沟道区带；
源极和漏极，其沿着半导体主体的上方表面位于该半导体主体中、被该沟道区带横向分离、且作为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和该主体材料形成各自的pn结；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层，该源极包括主要源极部和较轻度掺杂的横向源极延伸区，该较轻度掺杂的横向源极延伸区横向接续该主要源极部，该漏极包括主要漏极部和较轻度掺杂的横向漏极延伸区，该较轻度掺杂的横向漏极延伸区横向接续该主要漏极部，该两个横向延伸区都横向延伸在该栅极电极的下方，以便沿着该主体的上方表面终止该沟道区带，该漏极延伸区在该主体上方表面下方延伸的深度远大于该源极，该主体材料的袋部的重度掺杂程度大于主体材料的横向邻接材料，该袋部主要仅沿着源极延伸至沟道区带使得该沟道区带相对于该源极和漏极非对称。
142.根据权利要求141所述结构，其中所述漏极延伸的轻度掺杂程度轻于源极延伸区。
143.根据权利要求141所述结构，其中所述一源极和漏极进一步包括下方部，其在该一源极和漏极的主要部下方，垂直接续该主要部，且掺杂程度轻于该主要部。
144.根据权利要求141所述结构，其中所述每个一源极和漏极进一步包括下方部，其在该一源极和漏极的主要部下方，垂直接续该主要部，且掺杂程度轻于该主要部。
145.根据权利要求141所述结构，其中所述漏极延伸区在该主体上方表面下方的延伸深度远大于该主要漏极部。
146.根据权利要求141至145项中任一所述结构，其中所述主要源极部在该主体上方表面下方的延伸深度远大于该源极延伸区。
147.一种包括场效应晶体管的结构，包括：
半导体主体的主体材料的沟道区带，该半导体主体具有上方表面，该主体材料为第一导电类型；
一对源极/漏极(“S/D”)区带，其沿着半导体主体的上方表面位于该半导体主体中、被该沟道区带横向分离、且作为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和该主体材料形成各自的pn结，该主体材料具有净掺杂物浓度，其沿着虚拟线达到至少三个垂直分离局部子表面最大，该虚拟线会大体上垂直于该主体的上方表面，穿过沟道区带延伸至该主体材料下方物质中，最浅的局部子表面最大出现在小于该主体上方表面的下方0.1μm的子表面位置处，该主体材料的净掺杂物浓度中每个非最浅的局部子表面最大出现在横向延伸接续以便位于至少每个S/D区带部分的下方的子表面位置处，该主体材料袋部的重度掺杂程度大于该主体材料的横向邻接物质，该袋部沿着一S/D区带延伸；
栅极介电层，其上覆该沟道区带；以及
栅极电极，其上覆该沟道区带之上的栅极介电层。
148.根据权利要求147所述结构，其中所述该主体材料另一袋部的重度掺杂程度大于该主体材料的横向邻接物质，该袋部沿着另一S/D区带延伸。
149.根据权利要求148所述结构，其中所述袋部主要沿着该S/D区带对称。
150.根据权利要求147所述结构，其中所述主体材料的净掺杂物浓度中每个非最浅局部子表面最大的子表面位置实质上位于所有S/D区带中每一个的下方。
151.根据权利要求147至150项中任一所述方法，其中所述主体材料的净掺杂物浓度在远离该主体材料的净掺杂物浓度中每个局部子表面最大的子表面位置向上和向下移动时减小。
152.根据权利要求147至150项中任一所述结构，其中所述一S/D区带包括主要部和朝着另一S/D区带延伸的较轻度掺杂的横向延伸区。
153.根据权利要求147至150项中任一所述结构，其中所述每个S/D区带包括主要部和较轻度掺杂的横向延伸区，使得通过沿着该主体上方表面的横向延伸区终止该沟道区带。
154.根据权利要求147至150项中任一所述结构，其中所述主体材料的净掺杂物浓度中最浅局部子表面最大具有相关的掺杂物分布，其导致该晶体管具有减小数值的临界电压。
155.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET和至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一个第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一个第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且分别横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用以上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中实施引入该第一导电类型掺杂物的行为，并生成栅极介电层，以致有多个实施例下，一第一FET的临界电压大小远小于一第二FET，且因此在这些实施例中该FET的栅极介电层会选择性满足下面栅极介电层要求中的至少两个：
a.这样一第一FET和这样一个第二FET的栅极介电层有约略相同的厚度；
b.这样一第一FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第二FET的栅极介电层；和c.这样一第二FET的栅极介电层的厚度远大于这样一第一FET的栅极介电层。
156.根据权利要求155所述方法，其中这些实例中所述FET的栅极介电层会满足所有该栅极介电层要求。
157.根据权利要求155所述方法，其中所述引入该第一导电类型掺杂物的行为包括将该第一导电类型的掺杂物引入至预期成为其沟道区带的每个第二FET的第二主体材料区域部分中，使得每个第二FET的沟道区带包括比每个第一FET的沟道区带更多的第一导电类型的掺杂物。
158.根据权利要求155所述方法，其中按照程序，所述栅极介电层的生成包括：
沿着半导体主体在至少栅极介电层的位置处生成包含栅极介电层的第一介电层；
在选定FET的栅极介电层位置处移除包含栅极介电层的第一介电层材料，使得包含栅极介电层的第一介电层材料仍在剩余FET的栅极介电层位置处；以及
沿着选定FET的栅极介电层位置且位于剩余FET的栅极介电层位置处的含有栅极介电层的第一介电层的材料上方生成包含栅极介电层的第二介电层。
159.根据权利要求155至158项中任一所述方法，其中所述半导体主体中第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移动到该FET指定S/D区带的pn结处减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
160.一种制造包括多个同极性场效应晶体管(FET)的结构的方法，该结构包含至少一第一FET和至少一第二FET，该方法包括：
将第一导电类型的半导体掺杂物引入半导体主体的相同复数个主体材料区域中，使每一个主体材料区域都成为第一导电类型，其中该主体材料区域包括至少一个第一主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第一FET，并且包括至少一个第二主体材料区域，每一个都预期成为一对应的第二FET；
分别定义该FET的相同复数个栅极电极，使得(a)每一个第一FET的栅极电极位于预期要成为该第一FET的沟道区带的一对应第一主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第一主体材料区域的部分垂直分离，及(b)每一个第二FET的栅极电极位于预期要成为该第二FET的沟道区带的一对应第二主体材料区域的部分的上方，并且借由对应栅极介电层与该对应第二主体材料区域的部分垂直分离；以及
将和第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入该半导体主体的多个部分中，为每一个FET形成由该FET的沟道区带所横向分离的第二导电类型的一对源极/漏极(S/D)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)每一个FET的主体材料区域会分别和该FET的S/D区带形成一对pn结且横向延伸在该FET的S/D区带的下方，(b)每一个pn结会在该半导体主体的上方表面下方延伸至最大深度，(c)该第一导电类型的半导体掺杂物会出现在每一个S/D区带中，(d)该半导体主体中该第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在该主体的上方表面下方的对应的主要子表面最大浓度位置处达到每一个FET的对应的主要子表面最大浓度，(e)相较于该FET的每一个S/D区带的pn结的最大深度，每一个FET的主要子表面最大浓度位置会横向延伸在该FET的大部分所有的沟道区带与S/D区带中每一个的下方且出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，及(f)该半导体主体中该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会：(i)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置经由该第一FET的S/D区带中指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到每个第一FET的主要子表面最大浓度的最多1/10，(ii)从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移到该第一FET的指定S/D区带的pn结时以基本上单调方式减小，及(iii)在每一个第二FET的该主体的上方表面与该主要子表面最大浓度位置之间达到至少一额外的子表面最大浓度，使得每一个第二FET的每一个额外子表面最大浓度会出现在对应的额外子表面最大浓度位置处，该位置会横向延伸在该第二FET用以上覆其沟道区带且至少部分其S/D区带中每一个S/D区带的栅极电极的大部分全部材料的下方，其中实施引入该第一导电类型掺杂物的行为，并生成栅极介电层，使得该FET的栅极介电层会选择性满足下面组合要求中的至少一个：
a.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，且该第一FET的栅极介电层的厚度远大于该第二FET的栅极介电层；
b.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，且该第一FET的栅极介电层的厚度远小于该第二FET的栅极介电层；
c.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，且这两个第一和第二FET的栅极介电层的厚度远大于另一这样的FET的栅极介电层。
d.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样一第二FET，且这两个第一和第二FET的栅极介电层的厚度远小于另一这样的FET的栅极介电层。
e.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样两个第二FET中的任一个，其各自的临界电压在大小上有明显差异，且该第一FET的栅极介电层的厚度远大于此第二FET中任一个的栅极介电层。
f.这样一第一FET的临界电压大小远小于这样两个第二FET中的任一个，其各自的临界电压在大小上有明显差异，且此三个FET中任一个的栅极介电层厚度远小于另一这样的FET的栅极介电层。
161.根据权利要求160所述方法，其中所述FET选择性满足该组合要求中的至少两个。
162.根据权利要求160所述方法，其中所述FET选择性满足该组合要求中的至少三个。
163.根据权利要求160所述方法，其中所述FET选择性满足该组合要求中的至少四个。
164.根据权利要求160所述方法，其中所述引入第一导电类型掺杂物的行为包括将第一导电类型掺杂物引入预期成为其沟道区带的每个第二FET的第二主体材料区域的部分中，使得每个第二FET的沟道区带包括比每个第一FET的沟道区带更多的第一导电类型的掺杂物。
165.根据权利要求160所述方法，其中按照程序，所述栅极介电层的生成包括：
沿着半导体主体在至少栅极介电层的位置处生成包含栅极介电层的第一介电层；
在选定FET的栅极介电层位置处移除包含栅极介电层的第一介电层材料，使得包含栅极介电层的第一介电层材料仍在剩余FET的栅极介电层位置处；以及
沿着选定FET的栅极介电层位置且位于剩余FET的栅极介电层位置处的含有栅极介电层的第一介电层的材料上方生成包含栅极介电层的第二介电层。
166.根据权利要求160至165项中任一所述方法，其中在完成该结构的制造后，所述半导体主体中第一导电类型的全部掺杂物的浓度从该第一FET的主要子表面最大浓度位置处沿着该第一FET的选定垂直位置移动到该FET指定S/D区带的pn结处减小至大于每个第一FET的主要子表面最大浓度的1/10。
167.一种制造包括场效应晶体管结构的方法，该方法包括：
将第一导电类型的主要半导体掺杂物引入半导体主体的主体材料中，使得该主体材料为第一导电类型；
定义位于预期成为沟道区带的主体材料的部分的上方，且借由栅极介电层与该主体材料部分垂直分离的栅极电极；并且
将与第一导电类型相反的第二导电类型的复合半导体掺杂物引入至半导体主体的多个部分中，以形成由沟道区带横向分离的第二导电类型的第一和第二源极/漏极(“S/D”)区带，使得在完成该结构的制造后，(a)主体材料分别与S/D区带形成一对pn结，并横向延伸在S/D区带下方，(b)每个pn结会在半导体主体上方表面的下方延伸到最大深度，(c)该第二S/D区带在主体的上方表面下方延伸的深度远大于该第一S/D区带，(d)第一导电类型的半导体掺杂物呈现在每个S/D区带中，(e)半导体主体中第一导电类型的全部半导体掺杂物的浓度会在子表面最大浓度位置处达到子表面最大浓度，该位置横向延伸在大部分所有的沟道区带和至少每个S/D区带部分的下方，(f)相较于第二S/D区带的pn结的最大深度，该子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过10倍深的地方，以及(g)该第一导电类型的全部掺杂物的浓度会(i)从子表面最大浓度位置处沿着选定的垂直位置经由一指定S/D区带向上移到该主体的上方表面时减小到该子表面最大浓度的最多
1/10，(ii)从子表面最大浓度位置处沿着选定垂直位置移到指定S/D区带的pn结时减小至大于该子表面最大浓度的1/10。
168.根据权利要求167所述方法，其中所述引入第一导电类型的第一掺杂物的行为包括离子植入第一导电类型的第一掺杂物的种类。
169.根据权利要求167所述结构，其中在完成该结构的制造后，该第一导电类型的掺杂物的浓度在从子表面最大浓度位置处沿着该选定垂直位置经由指定S/D区带移动到主体的上方表面时减小到该子表面最大浓度的最多1/20。
170.根据权利要求167所述方法，其中在完成该结构的制造后，相较于第二S/D区带的pn结的最大深度，该子表面最大浓度位置会出现在该主体的上方表面下方不超过5倍深的地方。
171.根据权利要求167所述方法，其进一步包括将该第一导电类型的另一半导体掺杂物引入至少为该预期主体材料的沟道区带部分，使得在完成该结构的制造后，该主体材料的袋部的重度掺杂程度大于该主体材料的横向邻接物质，该袋部沿着一S/D区带延伸。
172.根据权利要求167所述方法，其中在完成该结构的制造后，该主体材料的袋部主要仅沿着第一S/D区带延伸，因此该沟道区带相对于该S/D区带非对称。
173.根据权利要求167至172项中任一所述方法，其中所述指定S/D区带为第二S/D区带。
174.根据权利要求173所述方法，其中所述引入第二导电类型的复合掺杂物的行为包括将一对第二导电类型的半导体掺杂物分开引入至半导体主体中以便分别至少部分定义第一和第二S/D区带，并分别主要建立该第一和第二S/D区带的pn结的最大深度，使得在完成该结构的制造后，该第二S/D区带在该主体的上方表面的下方的延伸深度远大于该第一S/D区带。
175.根据权利要求173所述方法，其中所述引入第二导电类型的复合掺杂物的行为包括：
将(i)第二导电类型的第一半导体掺杂物经由第一掩膜中的开口引入至半导体主体中，以便用该第一掩膜，该栅极电极，以及沿着栅极电极作为掺杂物阻隔挡板的任意材料来定义前驱物第一S/D延伸区，和(ii)第二导电类型的第二半导体掺杂物经由不同于第一掩膜的第二掩膜中的开口引入至半导体主体中，以便用该第二掩膜，该栅极电极，以及沿着栅极电极作为掺杂物阻隔挡板的任意材料来定义前驱物第二S/D延伸区；
对栅极电极的横断侧面提供垫片材料；以及
将第二导电类型的另一半导体掺杂物引入至半导体主体中，以定义第一和第二主要S/D部，其分别部分包围该前驱物第一和第二S/D延伸区，使得(i)该第一S/D区带包括第一主要S/D部和由该第一主要S/D部外面的前驱物第一S/D延伸区的材料所组成的剩余第一S/D延伸区(ii)该第二S/D区带包括第二主要S/D部和由该第二主要S/D部外面的前驱物第二S/D延伸区的材料所组成的剩余第二S/D延伸区。
176.根据权利要求175所述方法，其中所述该第二导电类型的另一掺杂物和第二掺杂物分别建立该第一和第二S/D区带pn结的最大深度，实施该第二导电类型的另一掺杂物和第二掺杂物的引入，以便在完成该结构的制造后，该第二S/D延伸区在该主体表面下方的延伸深度远大于该第一S/D区带。
177.根据权利要求175所述方法，其中实施所述该第二导电类型的复合掺杂物的引入行为，以便在完成该结构的制造后，该第二S/D区带的S/D延伸区的轻度掺杂程度小于该第一S/D区带的S/D延伸区。
178.根据权利要求173所述结构，其中所述第一和第二S/D区带分别构成源极和漏极。
179.一种在具有第一导电类型主体材料的半导体主体中制造包括场效应晶体管的结构的方法，该方法包括：
定义栅极电极，该栅极电极位于预期成为沟道区带的主体材料部分的上方，并借由栅极介电层与该预期成为沟道区带的主体材料部分垂直分离；以及
随后，将(i)第一导电类型的半导体掺杂物引入至少预期成为主体材料的沟道区带部分中，以及(ii)与第一导电类型相反的第二导电类型的复合半导体掺杂物引入至半导体主体中，使得(a)第二导电类型的复合掺杂物形成被该沟道区带横向分离的第二导电类型的第一和第二源极/漏极(“S/D”)，(b)该第一S/D区带包括第一主要S/D部和较轻度掺杂的第一横向S/D延伸区，(c)该第二S/D区带包括第二主要S/D部和较轻度掺杂的第二横向S/D延伸区，(d)该两个S/D延伸区都在栅极电极下方延伸，以便在该栅极介电层正下方终止沟道区带，(e)该第二S/D延伸区延伸至半导体主体的深度远大于该第一S/D区带，以及(f)主体材料的袋部的重度掺杂程度大于主体材料的横向邻接物质并借由第一导电类型掺杂物定义至少局部，该袋部主要仅沿着一指定S/D区带延伸至沟道区带，使得该沟道区带相对于该S/D区带非对称。
180.根据权利要求179所述方法，其中所述指定S/D区带为第一S/D区带，据此该袋部主要仅沿着该第一S/D区带延伸。
181.根据权利要求179所述方法，其中所述第二S/D延伸区延伸至半导体主体的深度远大于该第二主要S/D部。
182.根据权利要求179至181项中任一所述方法，其中所述第一主要S/D部延伸至半导体主体的深度远大于该第一S/D延伸区。
183.一种在具有第一导电类型主体材料的半导体主体中制造包括场效应晶体管的结构的方法，该方法包括：
定义栅极电极，该栅极电极位于预期成为沟道区带的主体材料部分的上方，并借由栅极介电层与该预期成为沟道区带的主体材料部分垂直分离；以及
随后，将(i)第一导电类型的半导体掺杂物引入至少预期成为主体材料的沟道区带部分中，以及(ii)与第一导电类型相反的第二导电类型的复合半导体掺杂物引入至半导体主体中，使得(a)第二导电类型的复合掺杂物形成被该沟道区带横向分离的第二导电类型的源极和漏极，(b)该源极包括主要源极部和较轻度掺杂的横向源极延伸区，(c)该漏极包括主要源极部和较轻度掺杂的横向源极延伸区，(d)该两个横向延伸区都在栅极电极下方延伸，以便在栅极介电层正下方终止沟道区带，(e)该漏极延伸区延伸至半导体主体的深度远大于该源极，以及(f)主体材料的袋部的重度掺杂程度大于主体材料的横向邻接物质，并借由第一导电类型掺杂物主要仅沿着源极延伸至沟道区带定义至少局部，使得该沟道区带相对于源极和漏极非对称。
184.根据权利要求183所述方法，其中所述形成轻度掺杂的漏极延伸区的掺杂程度小于源极延伸区。
185.根据权利要求183所述方法，其中所述引入第一导电类型掺杂物和第二导电类型的复合掺杂物的行为包括：
将(i)第二导电类型的第一半导体掺杂物经由第一掩膜中的开口引入至半导体主体中，以至少部分定义该横向源极延伸区，和(ii)第一导电类型掺杂物经由第一掩膜中的开口并至少引入至主体材料中，以至少部分定义该主体材料的袋部；以及
将第二导电类型的第二半导体掺杂物经由不同于第一掩膜的第二掩膜中的开口引入至半导体主体，以至少部分定义横向漏极延伸区，据此该第二导电类型的复合掺杂物包括该第二导电类型的第一和第二掺杂物。
186.根据权利要求185所述方法，其中所述第二导电类型的第二掺杂物以小于第二导电类型的第一掺杂物的剂量引入至该半导体主体中。
187.根据权利要求183所述结构，其中所述形成的漏极区延伸至半导体主体的深度远大于该主要漏极部。
188.根据权利要求183至187项中任一所述结构，其中所述形成的主要源极部延伸至半导体主体的深度远大于该源极延伸区。
189.一种在具有第一导电类型主体材料的半导体主体中制造包括场效应晶体管的结构的方法，该方法包括：
分开将第一导电类型的第一，第二和第三主体材料半导体掺杂物引入至主体材料中，使得第一导电类型的该第一，第二和第三掺杂物分别在主体材料中各自显著不同的第一，第二和第三子表面位置处达到各自的最大掺杂物浓度；
接着，定义栅极电极，该栅极电极位于预期成为该晶体管的沟道区带的主体材料部分的上方，并借由栅极介电层与该预期成为该晶体管的沟道区带的主体材料部分垂直分离；
以及
随后，将(1)与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体掺杂物引入至半导体主体中，形成一对被沟道区带横向分离的第二导电类型的源极/漏极(“S/D”)，和(2)第一导电类型的第四主体材料的半导体掺杂物引入至少预期成为该主体材料的沟道区带部分中，使得在完成该结构的制造后，(a)该半导体主体具有沟道和S/D区带延伸的上方表面，(b)该主体材料具有净掺杂物浓度，其沿着虚拟线达到至少三个垂直分离局部子表面最大，该虚拟线会大体上垂直于该主体的上方表面，穿过沟道区带延伸至该主体材料下方物质中，(c)主体材料的净掺杂物浓度中该三个局部子表面最大分别主要出现在该第一导电类型的第一，第二和第三掺杂物的最大浓度的子表面位置处，(d)该最浅的局部子表面最大的子表面位置在小于该主体上方表面的下方0.1μm处，(e)该主体材料的净掺杂物浓度中每个非最浅的局部子表面最大的子表面位置横向延伸接续，以便位于至少每个S/D区带部分的下方，以及(f)主体材料的袋部的重度掺杂程度大于该主体材料的横向邻接物质，该袋部沿