消费电子产品用导热胶带的制造方法
专利汇可以提供消费电子产品用导热胶带的制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种 消费 电子 产品 用导热 胶带 的制造方法，所述导热胶带贴合于 散热 件和发热部件之间，所述工艺方法包括以下步骤：步骤一、将聚酰亚胺 薄膜 以4~6度/min速度从室温升至250℃，保持0.9~1.1小时，然后以2.5~3.5度/min，升至400℃，保持1小时后将至室温；步骤二、在经过步骤一的聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层 石墨 改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄膜，所述石墨改性剂的 粘度 为30000~48000CP；所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成：二苯甲 酮 四酸二酐、均苯四 甲酸 二酐、二 氨 基二苯甲烷、二甲基甲酰胺、乙二醇、聚二甲基 硅 氧 烷。本发明避免胶带局部 过热 ，实现了胶带导热性能的均匀性的同时，提高了产品的散热性能 稳定性 、可靠性，大大降低了产品的成本。，下面是消费电子产品用导热胶带的制造方法专利的具体信息内容。
1.一种消费电子产品用导热胶带的制造方法，所述导热胶带贴合于散热件和发热部件之间，所述散热双面贴膜包括轻剥离型PET膜和重剥离型PET膜，此轻剥离型PET膜和重剥离型PET膜之间依次设置有第一导热胶粘层、石墨层和第二导热胶粘层；其特征在于：所述石墨层通过以下工艺方法获得，此工艺方法包括以下步骤：
步骤一、将聚酰亚胺薄膜以4~6度/min速度从室温升至250℃，保持0.9~1.1小时，然后以2.5~3.5度/min，升至400℃，保持1小时后将至室温；
步骤二、在经过步骤一的聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄膜，所述石墨改性剂的粘度为30000~48000CP；
所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成：二苯甲酮四酸二酐23份、均苯四甲酸二酐
12~18份、二氨基二苯甲烷20~28份、二甲基甲酰胺30~35份、乙二醇2.2份、聚二甲基硅氧烷2份；
步骤三、以4~6度/min的速度升至800℃，保持0.9~1.1小时；再以9~11度/min的速度升至1200℃，保存0.9~1.1小时后冷却，从而获得预烧制的碳化膜；
步骤四、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜；
步骤五、以19~21度/min的速度升至2400℃，保持0.9~1.1小时，再以19~21度/min的速度升至2900℃，保持1.8~2.2小时后冷却，从而获得主烧制的石墨膜；
步骤六、然后步骤三所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层。
2.根据权利要求1中所述的消费电子产品用导热胶带的制造方法，其特征在于：将所述步骤四获得石墨层进行压延处理。
3.根据权利要求1中所述的消费电子产品用导热胶带的制造方法，其特征在于：所述轻剥离型PET膜剥离力的克重为5~10g/m2，所述重剥离型PET膜剥离力的克重为50~100g/m2。
消费电子产品用导热胶带的制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
步骤二、在经过步骤一的聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄膜，所述石墨改性剂的粘度为30000~48000CP；
所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成：二苯甲酮四酸二酐23份、 均苯四甲酸二酐
12份、二氨基二苯甲烷26.5份、二甲基甲酰胺 34份、乙二醇2.2份、聚二甲基硅氧烷2份；
步骤三、以4~6度/min的速度升至800℃，保持0.9~1.1小时；再以9~11度/min的速度升至1200℃，保存0.9~1.1小时后冷却，从而获得预烧制的碳化膜；
步骤四、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜；
步骤五、以19~21度/min的速度升至2400℃，保持0.9~1.1小时，再以19~21度/min的速度升至2900℃，保持1.8~2.2小时后冷却，从而获得主烧制的石墨膜；
步骤六、然后步骤三所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层。
具体实施方式
步骤一、将聚酰亚胺薄膜以4~6度/min速度从室温升至250℃，保持0.9~1.1小时，然后以2.5~3.5度/min，升至400℃，保持1小时后降至室温；
步骤二、在经过步骤一的聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄膜，所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成：二苯甲酮四酸二酐23份、 均苯四甲酸二酐12份、二氨基二苯甲烷26.5份、二甲基甲酰胺 34份、乙二醇2.2份、聚二甲基硅氧烷2份；实施例的石墨改性剂的粘度为32000CP；
步骤三、以4~6度/min的速度升至800℃，保持0.9~1.1小时；再以9~11度/min的速度升至1200℃，保存0.9~1.1小时后冷却，从而获得预烧制的碳化膜；
步骤四、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜；
步骤五、以19~21度/min的速度升至2400℃，保持0.9~1.1小时，再以19~21度/min的速度升至2900℃，保持1.8~2.2小时后冷却，从而获得主烧制的石墨膜；
步骤六、然后步骤五所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层。
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