技术领域
[0001] 本
申请涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板。
背景技术
[0002] 目前为提升产品品质，阵列基板背面的配线大部分使用
电阻较低的
铜，而铜相较
铝有许多问题，但为了提升产品品质又不得不用。但是使用铜时产生的问题之一就是铜
腐蚀。
[0003] 而使铜腐蚀的原因有很多种，其中的一种就是在
钝化刻蚀时，铜表面受到损坏而导致的腐蚀不良，本
发明旨在改善因钝化刻蚀时同表面受到损坏而导致的腐蚀不良。
发明内容
[0004] 本申请提供了一种阵列基板，与金属
电极连接的第一导电层露出于刻蚀在绝缘介质层过孔的底部，且第一导电层的抗腐蚀性大于金属电极的抗腐蚀性，从而使金属电极不会产生腐蚀。
[0005] 为了达到上述目的，本申请提供了一种阵列基板，包括：
[0006] 衬底基板；
[0007] 形成于所述衬底基板上的电极结构，所述电极结构包括金属电极以及与所述金属电极电连接的第一导电层，所述第一导电层的抗腐蚀性大于所述金属电极的抗腐蚀性；
[0008] 形成于所述电极结构背离所述衬底基板一侧的绝缘介质层，所述绝缘介质层上刻蚀有用于连接所述电极结构的过孔，所述过孔的底部仅露出所述第一导电层；
[0009] 形成于所述绝缘介质层背离所述衬底基板一侧的第二导电层，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层电连接，以实现所述第二导电层与所述金属电极之间的电连接。
[0010] 本申请中的阵列基板，第一导电层与金属电极连接，并且第一导电层露出于刻蚀在绝缘介质层上过孔的底部，而第一导电层的抗腐蚀性大于金属电极的抗腐蚀性，因此，在绝缘介质层上刻蚀过孔的过程中，第一导电层一直与过孔相对应，进而将金属电极保护，防止刻蚀过程中将金属电极腐蚀。而且第二导电层与第一导电层电连接，以使第二导电层与金属电极连接。
[0011] 优选地，所述金属电极包括栅极，所述第一导电层位于所述栅极朝向所述衬底基板的一侧，所述第一导电层的一侧延伸出所述栅极的底面。
[0012] 优选地，所述栅极朝向所述衬底基板的一侧还设有
缓冲层，所述第一导电层与缓冲层同层。
[0013] 优选地，所述第一导电层的材料为MoNb。
[0014] 优选地，所述金属电极包括栅极，所述第一导电层位于所述栅极背离所述衬底基板的一侧。
[0015] 优选地，第一导电层为
氧化铟
锡导电层ITO。
[0016] 优选地，所述栅极朝向所述衬底基板的一侧还设有缓冲层。
[0017] 优选地，所述金属电极包括源漏极，所述第一导电层位于所述源漏极朝向所述衬底基板的一侧，所述第一导电层的一侧延伸出所述源漏极的底面。
附图说明
[0018] 图1为本申请
实施例的一种阵列基板的一种结构示意图；
[0019] 图2为本申请实施例的一种阵列基板的又一种结构示意图；
[0020] 图3为本申请实施例的一种阵列基板的又一种结构示意图；
[0021] 图4为本申请实施例的一种阵列基板的制作
流程图。
[0022] 图标：10-绝缘介质层；11-第一层；12-第二层；20-第一导电层；30-第二导电层；40-栅极；50-缓冲层；60-源漏极。
具体实施方式
[0023] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024] 请参考图1-图3，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：
[0025] 衬底基板；
[0026] 形成于所述衬底基板上的电极结构，所述电极结构包括金属电极以及与所述金属电极电连接的第一导电层20，所述第一导电层20的抗腐蚀性大于所述金属电极的抗腐蚀性；
[0027] 形成于所述电极结构背离所述衬底基板一侧的绝缘介质层10，所述绝缘介质层10上刻蚀有用于连接所述电极结构的过孔，所述过孔的底部仅露出所述第一导电层20；
[0028] 形成于所述绝缘介质层10背离所述衬底基板一侧的第二导电层30，所述第二导电层30通过所述过孔与所述第一导电层20电连接，以实现所述第二导电层30与所述金属电极之间的电连接。
[0029] 本申请中的阵列基板，第一导电层20与金属电极连接，并且第一导电层20露出于刻蚀在绝缘介质层10上过孔的底部，而第一导电层20的抗腐蚀性大于金属电极的抗腐蚀性，因此，在绝缘介质层10上刻蚀过孔的过程中，第一导电层20一直与过孔相对应，以将金属电极保护，防止刻蚀过程中将金属电极腐蚀。而且第二导电层30与第一导电层20电连接，以使第二导电层30与金属电极连接。
[0030] 需要说明的是金属电极的材料是铜。
[0031] 作为一种可选方式，所述金属电极包括栅极40，所述第一导电层20位于所述栅极40朝向所述衬底基板的一侧，所述第一导电层20的一侧延伸出所述栅极40的底面。在绝缘介质层10上刻蚀的过孔时，过孔与第一导电层20延伸出栅极40的底面的部分相对应，因此，在过孔刻蚀的过程中，并不会作用到金属电极上，进而不会对金属电极产生腐蚀。
[0032] 作为一种可选方式，所述栅极40朝向所述衬底基板的一侧还设有缓冲层50，所述第一导电层20与缓冲层50同层。缓冲层50的设置可以使金属电极与衬底基板之间的粘附
力，使金属电极与衬底基板之间的
稳定性更佳。
[0033] 作为一种可选方式，所述第一导电层20的材料为MoNb。选用MoNb材料，可以使第一导电层20暴露在空气中时，不存在被氧化的问题，使第一导电层20的
导电性能得到保障。
[0034] 作为一种可选方式，所述金属电极包括栅极40，所述第一导电层20位于所述栅极40背离所述衬底基板的一侧。在绝缘介质层10刻蚀过孔时，会刻蚀至栅极40背离衬底基板的一侧，即过孔与第一导电层20相通，因此在刻蚀过孔的过程中，不会对栅极40产生腐蚀。
[0035] 需要说明的是，栅极40朝向衬底基板的一侧设有缓冲层50，缓冲层50的设置可以提高栅极40与衬底基板之间的稳定性，还能够防止栅极40的金属向衬底基板扩散。
[0036] 作为一种可选方式，第一导电层20为氧化铟锡导电层ITO。即可以保证位于第一导电层20下方的栅极40不会受到腐蚀。
[0037] 作为一种可选方式，所述金属电极包括源漏极60，所述第一导电层20位于所述源漏极60朝向所述衬底基板的一侧，所述第一导电层20的一侧延伸出所述源漏极60的底面。在绝缘介质层10上刻蚀的过孔时，过孔与第一导电层20延伸出源漏极60的底面的部分相对应，因此，在过孔刻蚀的过程中，并不会作用到源漏极60上，进而不会对金属电极产生腐蚀。
[0038] 在具体实施过程中，请继续参照图1，金属电极包括的栅极40和源漏极60，绝缘介质层10包括第一层11和第二层12，栅极40位于衬底基板上，栅极40朝向衬底基板的一侧设有第一导电层20，形成于所述栅极40背离所述衬底基板一侧的第一层11，源漏极60位于第一层11背离衬底基板的一侧，源漏极60朝向第一层11的一侧设有第一导电层20，第一层11和第二层12上刻蚀用于连接栅极40和源漏极60的过孔，且过孔的底部仅露出第一导电层20；形成于第二层12背离衬底基板一侧的第二导电层30，第二导电层30通过过孔与第一导电层20电连接，以实现第二导电层30与所述栅极40和源漏极60之间的电连接。此种的方式，在刻蚀过孔的过程中，栅极40和源漏极60不会受到腐蚀。
[0039] 再有，金属电极包括的栅极40和源漏极60，绝缘介质层10包括第一层11和第二层12，栅极40位于衬底基板上，栅极40朝向衬底基板的一侧设有缓冲层50，栅极40背离衬底基板的一侧形成有第一导电层20，形成于所述栅极40背离所述衬底基板一侧的第一层11，源漏极60位于第一层11背离衬底基板的一侧，源漏极60朝向第一层11的一侧设有第一导电层
20，或者，源漏极60背离第一层11的一侧形成有第一导电层20，第一层11和第二层12上刻蚀用于连接栅极40和源漏极60的过孔，且过孔的底部仅露出第一导电层20；形成于第二层12背离衬底基板一侧的第二导电层30，第二导电层30通过过孔与第一导电层20电连接，以实现第二导电层30与所述栅极40和源漏极60之间的电连接。
[0040] 如图4所示，阵列基板在制作过程中包括下列的步骤：
[0041] 在衬底基板上形成有栅极40；
[0042] 在栅极40上形成有第一导电层20；其中，第一导电层20位于栅极40朝向衬底基板一侧或背离衬底基板一侧；
[0043] 在所述衬底层上形成有用于
覆盖所述栅极40的第一层11；
[0044] 在所述第一层11上形成有源漏极60；
[0045] 在所述源漏极60上形成有第一导电层20；其中，第一导电层20位于源漏极60朝向衬底基板一侧或背离衬底基板一侧；
[0046] 在所述第一层11上形成有用于覆盖所述源漏极60的第二层12；其中，第一层11和第二层12即为绝缘介质层10；
[0047] 通过刻蚀的方法在所述第二绝缘层、第一绝缘层上形成开孔，且开孔分别与栅极40和源漏极60上的第一导电层20相对应；
[0048] 在第二层12背离所述衬底层一侧形成第二导电层30。
[0049] 显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些
修改和变型属于本发明
权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
