专利汇可以提供光刻胶清洗剂及半导体基板上光刻胶的清洗方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 光刻 胶 清洗剂 及 半导体 基板 上光刻胶的清洗方法,其中,公开的所述光刻胶清洗剂,包括 有机 溶剂 及 腐蚀 抑制剂 ;所述 有机溶剂 含有二甲基苯甲醇、聚 氧 化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚;所述腐蚀抑制剂含有 氨 基苯 甲酸 甲酯和儿茶酚。公开的所述半导体基板上光刻胶的清洗方法为:用所述光刻胶清洗剂清洗半导体基板。本发明能够提高对半导体基板上的光刻胶的清洗效果。,下面是光刻胶清洗剂及半导体基板上光刻胶的清洗方法专利的具体信息内容。
1.一种光刻胶清洗剂,其特征在于,包括有机溶剂及腐蚀抑制剂;
所述有机溶剂含有二甲基苯甲醇、聚氧化丙烯三醇及壬基聚氧乙烯醚;
所述腐蚀抑制剂含有氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述光刻清洗剂的各组分的重量百分比分别为:二甲基苯甲醇1~3%,聚氧化丙烯三醇0.1~0.5%,壬基聚氧乙烯醚4~
8%,对氨基苯甲酸甲酯1~5%,儿茶酚1~5%,余量为水。
3.根据权利要求2所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述光刻清洗剂的各组分的重量百分比分别为:二甲基苯甲醇2%,聚氧化丙烯三醇0.3%,壬基聚氧乙烯醚6%,对氨基苯甲酸甲酯3%,儿茶酚3%,余量为水。
4.一种半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,包括步骤:
S1,用权利要求1至3任一项所述的光刻胶清洗剂对待清洗的半导体基板进行清洗。
5.根据权利要求4所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在用所述光刻胶清洗剂清洗所述半导体基板时,清洗温度为60-80℃,清洗时间为1-3小时。
6.根据权利要求4所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S1之后,还包括:
S2,对清洗剂清洗后的所述半导体基板进行刷洗;
S3,将所述半导体基板放入去离子水中并进行超声波震动清洗,之后烘干。
7.根据权利要求6所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S3中,超声波频率为18~22KHz,去离子水的清洗温度为30~40℃,清洗时间为15~25min,并采用45~55℃的热风进行烘干,烘干时间为8~12分钟。
8.根据权利要求4至7任一项所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S3之后,还包括:
S4,将所述半导体基板放入乙醇中并进行超声波震动清洗,之后烘干。
9.根据权利要求8所述的半导体基板上光刻胶的清洗方法,其特征在于,在所述步骤S4中,超声波频率为10~15KHz,乙醇的清洗温度为19~21℃,清洗时间为15~25min,并采用
45~55℃的热风进行烘干,烘干时间为1~3分钟。
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