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一种印染深度处理装置

阅读:141发布:2020-05-11

专利汇可以提供一种印染深度处理装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种印染 废 水 深度处理装置,包括管路依次相连的高 密度 沉淀池 、一级臭 氧 接触 池、一级BAF池、中间水池、二级臭氧接触池、二级BAF池、出水池,所述高密度沉淀池(1)连接前端的生化池,所述一级臭氧接触池与二级臭氧接触池上均设有臭氧进气组件;所述一级BAF池的底部设有进气管及连接于中间水池的第一 反冲 洗组件;所述二级BAF池的底部设有进气管及连接于出水池的第二反冲洗组件,通过上述设置,提高了臭氧利用率,有效节约处理成本,同时使出水实现一级A排放标准。,下面是一种印染深度处理装置专利的具体信息内容。

1.一种印染深度处理装置,其特征在于:包括管路依次相连的高密度沉淀池(1)、一级臭接触池(4)、一级BAF池(5)、中间水池(6)、二级臭氧接触池(7)、二级BAF池(8)、出水池(9),所述高密度沉淀池(1)连接前端的生化池,所述一级臭氧接触池(4)与二级臭氧接触池(7)上均设有臭氧进气组件;所述一级BAF池(5)与二级BAF池(8)的底部均设有反冲洗组件(11)。
2.根据权利要求1所述的一种印染废水深度处理装置,其特征在于:所述印染废水深度处理装置还包括用于分离泥和微砂的旋流器(2),所述水力旋流器(2)的出口分别连接至污泥处理区域与高密度沉淀池(1)。
3.根据权利要求2所述的一种印染废水深度处理装置,其特征在于:所述高密度沉淀池(1)连接有微砂回流组件(3),所述微砂回流组件(3)连接水力旋流器(2)的入口。
4.根据权利要求1所述的一种印染废水深度处理装置,其特征在于:所述一级BAF池(5)的上部设有将废水排入至生化池的反冲洗出水组件。
5.根据权利要求1所述的一种印染废水深度处理装置,其特征在于:所述二级BAF池(8)的上端设有将废水排入至生化池的反冲洗出水组件。
6.根据权利要求1所述的一种印染废水深度处理装置,其特征在于:所述一级BAF池(5)与二级BAF池(8)的进气管均通过机(10)供气。
7.根据权利要求1所述的一种印染废水深度处理装置,其特征在于:所述一级BAF池(5)和二级BAF池(8)的填料均为陶粒,停留时间均为1.5-2h。
8.根据权利要求1所述的一种印染废水深度处理装置,其特征在于:臭氧接触池的停留时间为35-45min,分三段进行投加,投加比例为3:1:1。

说明书全文

一种印染深度处理装置

技术领域

[0001] 本实用新型涉及废水处理装置的技术领域,特别涉及一种印染废水深度处理装置。

背景技术

[0002] 印染企业是工业废水排放大户,其具有水量大、有机污染物含量高、色度深、性大、水质变化大等特点,属难处理的工业废水。目前国内常用的印染废水处理工艺,主要分为两大类:一是物化法,二是生化法。由于近年来,大量难生化降解有机物如PVA浆料、人造丝碱解物(主要是邻苯二甲酸类物质)、新型助剂等进入印染废水,传统的生物处理工艺已受到严重挑战。加之国家不断提高排放水质的要求,即要求出水COD能达到一级A的排放标准。目前较流行的各种深度处理法有:曝气生物滤池、高级化法(芬顿、臭氧)、物理吸附法以及膜分离技术等。曝气生物滤池运行成本较低,但是其受水质变化影响比较大;芬顿法需要调节pH并投加大量盐,造成出水中盐分含量较高,不利于回用,还会形成大量污泥,增加处理难度;吸附法主要利用活性炭、大孔吸附树脂的多孔结构,进行难降解物质的去除,投资高,运行成本高,在运行前期出水效果非常好,但随着活性炭的吸附饱和,出水效果逐渐变差,直至系统完全丧失去除能,需要对活性炭进行再生,且再生方法复杂,再生次数有限,产生大量的废炭为二次污染物。
[0003] 臭氧具有强氧化性,具有杀菌,氧化有机物,去除色度,在处理废水中得到了广泛的应用。但仅仅通过臭氧处理特别是悬浮物较多时也容易造成臭氧利用率低的问题。
[0004] 因此,为解决上述技术问题,确有必要提供一种能较好提高臭氧利用率,且能使出水实现一级A排放标准,又可以有效节约处理成本,以克服现有技术中的所述缺陷。实用新型内容
[0005] 针对现有技术的不足,本实用新型提供一种能提高臭氧利用率,有效节约处理成本,同时使出水实现一级A排放标准的印染废水深度处理装置。
[0006] 本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种印染废水深度处理装置,包括管路依次相连的高密度沉淀池、一级臭氧接触池、一级BAF池、中间水池、二级臭氧接触池、二级BAF池、出水池,所述高密度沉淀池(1)连接前端的生化池,所述一级臭氧接触池与二级臭氧接触池上均设有臭氧进气组件;所述一级BAF池与二级BAF池的底部均设有反冲洗组件。
[0007] 进一步地,所述印染废水深度处理装置还包括水力旋流器,所述水力旋流器的出口分别连接至污泥处理区域与高密度沉淀池。
[0008] 进一步地,所述高密度沉淀池的上端连接有微砂回流组件,所述微砂回流组件连接水力旋流器的入口。
[0009] 进一步地,所述一级BAF池的上部设有将废水排入至生化池的反冲洗出水组件。
[0010] 进一步地,所述二级BAF池的上端设有将废水排入至生化池的反冲洗出水组件。
[0011] 进一步地,一级BAF池与二级BAF池的进气管均通过机供气。
[0012] 进一步地,所述一级BAF池和二级BAF池的填料均为陶粒,停留时间均为1.5-2h。
[0013] 进一步地,臭氧接触池的停留时间为35-45min,分三段进行投加,投加比例为3:1:1。
[0014] 综上所述,本实用新型具有以下有益效果:
[0015] 1、本实用新型的印染废水深度处理装置在高密度沉淀池后面直接接臭氧接触池,能大大降低SS对臭氧工艺的影响,有效提高臭氧利用率。
[0016] 2、本实用新型的印染废水深度处理装置臭氧分段投加,结合两段式BAF,臭氧利用率高,可提高出水水质,产污泥量少,有效降低运行成本。附图说明
[0017] 图1是本实用新型的示意图;
[0018] 图中:1、高密度沉淀池;2、水力旋流器;3、微砂回流组件;4、一级臭氧接触池;5、一级BAF池;6、中间水池;7、二级臭氧接触池;8、二级BAF池;9、出水池;10、风机;11、反冲洗组件。

具体实施方式

[0019] 下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
[0020] 在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位,以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0021] 如图1所示,一种印染废水深度处理装置,其特征在于:包括管路依次相连的高密度沉淀池1、一级臭氧接触池4、一级BAF池5、中间水池6、二级臭氧接触池7、二级BAF池8、出水池9,所述一级臭氧接触池4与二级臭氧接触池7上均设有臭氧进气组件;所述一级BAF池5的底部设有连接于中间水池6的反冲洗组件11;所述二级BAF池8的底部设有连接于出水池9的反冲洗组件11,所述反冲洗组件11包括反冲洗管道及设置于反冲洗管道上的反冲洗
[0022] 所述高密度沉淀池1的进水管上有投加PAC药剂管,通过搅拌后,加入经过水力旋流器2分离的微砂,继续搅拌,加入PAM助凝剂,搅拌后进行分离沉淀,沉淀至池底的微砂和泥则通过泵和微砂流管再经水力旋流器2进行泥和微砂的分离,泥则排入泥处理进一步处理,微砂则是进一步利用。
[0023] 所述一级BAF池5反冲洗时,利用中间水池6作为反冲洗水,同时一级BAF池5底部也有反冲洗的进气管道,由鼓风机10供气,反冲洗后的废水直接排入前端生化池。
[0024] 二级BAF池8反冲洗时,利用出水池9作为反冲洗水,同时二级BAF池8底部也有反冲洗的进气管道,由风机10供气,反冲洗后的废水直接排入前端生化池。
[0025] 生化出水经过管道投加PAC进入高密度沉淀池1搅拌,投加PAM,进一步絮凝沉淀,经过斜板斜管分离沉淀;经过沉淀之后的微砂和污泥通过微砂回流组件3的提升泵作用下进入水力旋流器2,微砂回至高密度沉淀池1,污泥则输送至污泥处理区域。
[0026] 高密度沉淀池1出水经过一级臭氧接触池4,臭氧投加分段投加,投加比例3:1:1,总共停留40min。
[0027] 一级臭氧接触池4出水经过一级BAF池5下面管道进水,上面管道出水,其中一级BAF池5填料为陶粒,一级BAF池停留时间为1.5-2h。
[0028] 一级BAF池5出水流经中间水池6,中间水池6也作为一级BAF池反冲洗用水,反冲洗时,通过反冲洗组件11以及风机10进行反冲洗,反冲洗废水直接排放至生化段。
[0029] 二级臭氧接触池7出水经过二级BAF池8下面管道进水,上面管道出水,其中二级BAF池8填料为陶粒,二级BAF池5出水流经出水池9,出水池9也作为二级BAF池反冲洗用水,反冲洗时,通过反冲洗组件11以及风机10进行反冲洗,反冲洗废水直接排放至生化段。
[0030] 生化出水水质指标如下:CODCr为150-200mg/L,SS 30mg/L-50mg/L;
[0031] 经过磁混凝工艺COD 120mg/L-140mg/L;SS20mg/L以下;
[0032] 经过一级臭氧接触池和一级BAF池,水质指标如下:CODCr为90-110mg/L
[0033] 经过二级臭氧接触池和二级BAF池,水质指标如下:CODCr为80mg/L以下;SS10mg/L以下。
[0034] 通过上述实验,可以得出以下结论:通过该装置,可以保证出水低于80mg/L,达到GB/T 4287-2012纺织染整工业水污染物排放标准。
[0035] 以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。
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