一种蒸镀用硅预熔方法
专利汇可以提供一种蒸镀用硅预熔方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种蒸 镀 用 硅 预熔方法，包括如下步骤：a)将 坩埚 表面进行打磨，打磨后用去离子 水 进行冲洗，冲洗后用无水 乙醇 清洗；b)将坩埚用氮气吹干；c)初熔操作；d)复熔操作；e)终熔操作。初熔、复熔以及终熔步骤中每次只添加三分之一的 单晶硅 ，可以确保每次 熔化 时均匀受热，每次熔化时都是二次升温二次降温的过程，有效减少单晶硅 蒸发 过程中的崩硅问题，从而提高成品率，复熔时比初熔的 电子 束扫描面积增加，同时复熔时升温过程中电子束功率也比初熔时升温过程中电子束功率增加，可以确保单位 质量 的单晶硅 块 的热量一致，终熔升温过程中电子束功率比复熔时电子束功率增加，其目的也是确保单位质量的单晶硅块的热量一致。，下面是一种蒸镀用硅预熔方法专利的具体信息内容。
1.一种蒸镀用硅预熔方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；
b)将坩埚用氮气吹干；
c)初熔操作：
c-1)在坩埚中放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；
c-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
c-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-30分钟；
c-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并保持10-30分钟；
c-5) 降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并10-30分钟；
c-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；
d)复熔操作：
d-1)在坩埚中再放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；
d-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
d-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-40分钟；
d-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
d-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
d-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；
e)终熔操作：
e-1) 在坩埚中填满单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持5-25分钟；
e-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；
e-3) 增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持20-60分钟；
e-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；
e-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；
e-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空。
2.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：还包括在步骤b)后将坩埚放入烘箱中在200℃的温度下烘烤60分钟的步骤。
3.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：步骤c-1)中抽真空时的真空度为 Torr- Torr，电子束功率为10Kw，保持时间为5分钟，步骤c-2)中电子束功率为
15Kw，保持时间为10分钟，步骤c-3)中电子束功率为20Kw，保持时间为10分钟，步骤c-4)中电子束功率为15Kw，保持时间为10分钟，步骤c-5)中电子束功率为10Kw，保持时间为10分钟，步骤c-6)中冷却时间为20分钟。
4.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：步骤d-1)中抽真空时的真空度为 Torr- Torr，电子束功率为10Kw，保持时间为5分钟，步骤d-2)中电子束功率为
20Kw，保持时间为10分钟，步骤d-3)中电子束功率为30Kw，保持时间为10分钟，步骤d-4)中电子束功率为20Kw，保持时间为10分钟，步骤d-5)中电子束功率为10Kw，保持时间为10分钟，步骤d-6)中冷却时间为20分钟。
5.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：步骤e-1)中抽真空时的真空度为 Torr- Torr，电子束功率为10Kw，保持时间为5分钟，步骤e-2)中电子束功率为
30Kw，保持时间为10分钟，步骤e-3)中电子束功率为50Kw，保持时间为10分钟，步骤e-4)中电子束功率为30Kw，保持时间为10分钟，步骤e-5)中电子束功率为10Kw，保持时间为10分钟，步骤e-6)中冷却时间为20分钟。
一种蒸镀用硅预熔方法
技术领域
背景技术
发明内容
a)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；
b)将坩埚用氮气吹干；
c)初熔操作：
c-1)在坩埚中放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；
c-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
c-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-30分钟；
c-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并保持10-30分钟；
c-5) 降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并保持10-30分钟；
c-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；
d)复熔操作：
d-1)在坩埚中再放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；
d-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
d-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-40分钟；
d-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
d-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；
d-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；
e)终熔操作：
e-1) 在坩埚中填满单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持5-25分钟；
e-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；
e-3) 增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持20-60分钟；
e-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；
e-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；
e-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空。
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