压电致动的法布里‑珀罗干涉仪的制造和组装方法
阅读：205发布：2024-02-10
专利汇可以提供压电致动的法布里‑珀罗干涉仪的制造和组装方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且用于可调谐光学 滤波器 的设备包括衬底、一个或多个压电晶体、底部反射镜和顶部反射镜。所述一个或多个压电晶体放置在衬底上。所述一个或多个压电晶体具有压电晶体厚度。底部反射镜放置在衬底上。底部反射镜具有比压电晶体厚度大的底部反射镜厚度。顶部反射镜放置在底部反射镜上。顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体。，下面是压电致动的法布里‑珀罗干涉仪的制造和组装方法专利的具体信息内容。
1.一种用于可调谐光学滤波的设备，包括：
衬底；
一个或多个压电晶体，其中所述一个或多个压电晶体放置在衬底上，其中所述一个或多个压电晶体具有压电晶体厚度；
底部反射镜，其中底部反射镜放置在衬底上，其中底部反射镜具有比压电晶体厚度大的底部反射镜厚度；以及
顶部反射镜，其中顶部反射镜放置在底部反射镜上，其中顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体。
2.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜附连到衬底。
3.权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个压电晶体附连到衬底。
4.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜包括具有金属涂层的玻璃层。
5.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜在平面视图中是矩形的。
6.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜包括三个或更多电气接触垫。
7.权利要求6所述的设备，其中底部反射镜包括连接到每一个电气接触垫的电极。
8.权利要求1所述的设备，其中衬底包括透明区。
9.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜厚度比压电晶体厚度大的量大于压电晶体厚度容差。
10.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜厚度比压电晶体厚度大的量足够大以便保证所述一个或多个压电晶体短于底部反射镜。
11.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜厚度比压电晶体厚度大的量足够大以便保证顶部反射镜平坦地铺在底部反射镜上。
12.权利要求1所述的设备，其中底部反射镜厚度比压电晶体厚度大的量足够大以便保证顶部反射镜没有接触所述一个或多个压电晶体。
13.权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个压电晶体包括三个压电晶体。
14.权利要求1所述的设备，其中顶部反射镜是矩形的。
15.权利要求1所述的设备，其中顶部反射镜以相对于底部反射镜旋转90度的取向放置。
16.权利要求1所述的设备，其中顶部反射镜包括三个或更多电极。
17.权利要求1所述的设备，其中顶部反射镜不包括电气接触垫。
18.权利要求1所述的设备，其中顶部反射镜使用粘合剂附连到所述一个或多个压电晶体。
19.权利要求1所述的设备，其中所述一个或多个压电晶体各自包括用于电气信号的连接。
20.权利要求1所述的设备，其中干涉仪放置在壳体中。
21.权利要求20所述的设备，其中壳体包括窗口。
22.权利要求1所述的设备，其中干涉仪是密封的。
23.一种组装用于可调谐光学滤波的设备的过程，包括：
将一个或多个压电晶体放置在衬底上，其中所述一个或多个压电晶体具有压电晶体厚度；
将底部反射镜放置在衬底上，其中底部反射镜具有比压电晶体厚度大的底部反射镜厚度；以及
将顶部反射镜放置在底部反射镜上，其中顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体。
24.一种用于可调谐光学滤波的设备，包括：
衬底；
一个或多个压电晶体，其中所述一个或多个压电晶体放置在衬底上，其中所述一个或多个压电晶体各自具有衬底上的底表面以及顶部压电晶体表面；
底部反射镜，其中底部反射镜放置在衬底上，其中底部反射镜具有底部反射镜顶表面，其中每一个顶部压电晶体表面比底部反射镜的顶表面更靠近衬底；以及顶部反射镜，其中顶部反射镜放置在底部反射镜上，其中顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体，其中当顶部反射镜放置在底部反射镜上时，顶部反射镜没有处在所述一个或多个压电晶体上。
25.如权利要求24中的设备，其中底部反射镜放置在衬底上，其中一个或多个间隔物处在衬底与底部反射镜之间，其中所述一个或多个间隔物抬升底部反射镜顶表面使得每一个顶部压电晶体表面比底部反射镜的顶表面更靠近衬底。
26.如权利要求24中的设备，其中所述一个或多个压电晶体中的每一个在衬底的一个或多个凹陷中放置在衬底上，其中所述一个或多个凹陷降低所述一个或多个压电晶体使得每一个顶部压电晶体表面比底部反射镜的顶表面更靠近衬底。
27.如权利要求24中的设备，其中所述一个或多个压电晶体中的每一个在衬底的一个或多个凹陷中放置在衬底上，其中所述一个或多个凹陷降低所述一个或多个压电晶体使得每一个顶部压电晶体表面比底部反射镜的顶表面更靠近衬底，其中通过以下中的一个或多个来实现所述凹陷：附连台阶、加工或者蚀刻。
压电致动的法布里-珀罗干涉仪的制造和组装方法
[0001] 对其他申请的交叉引用本申请要求2015年5月15日提交的题为METHOD OF ASSEMBLY AND MANUFACTURING OF PIEZO ACTUATED FABRY-PEROT INTERFEROMETER的美国临时专利申请号62/162,475的优先权，该美国临时专利申请出于所有目的而通过引用并入本文。
[0002] 本申请要求2015年10月28日提交的题为METHOD OF ASSEMBLY AND MANUFACTURING OF PIEZO ACTUATED FABRY-PEROT INTERFEROMETER的美国临时专利申请号62/247,364的优先权，该美国临时专利申请出于所有目的而通过引用并入本文。
背景技术
[0003] 法布里-珀罗标准具用于对光进行滤波。通过调节法布里-珀罗标准具中的反射镜之间的距离，可以调谐滤波器。与检测器组合地对滤波器进行扫频来实现频谱测量。然而，用于频谱测量的典型法布里-珀罗标准具和检测器是昂贵的，所以不能够使用在低成本版本的测量仪器中。附图说明
[0005] 图1是图示了光学样品读取器和样品的实施例的框图。
[0006] 图2是图示了法布里-珀罗干涉仪的实施例的框图。
[0007] 图3A是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的初始步骤的实施例的平面视图（例如，在结构处向下看的布局视图）的框图。
[0008] 图3B是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的初始步骤的实施例的侧视图的框图。
[0009] 图4A是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第二步骤的实施例的平面视图的框图。
[0010] 图4B是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第二步骤的实施例的侧视图的框图。
[0011] 图5A是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第三步骤的实施例的平面视图的框图。
[0012] 图5B是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第三步骤的实施例的侧视图的框图。
[0014] 图6B是图示了包括电极、布线和接触垫的法布里-珀罗干涉仪的实施例的平面视图的框图。
[0015] 图6C是图示了包括电极、布线和接触垫的法布里-珀罗干涉仪的实施例的侧视图的框图。
[0016] 图7A是图示了包括电极、布线和接触垫的法布里-珀罗干涉仪的实施例的平面视图的框图。
[0017] 图7B是图示了顶部反射镜的实施例的平面视图的框图。
[0018] 图7C是图示了底部反射镜的实施例的平面视图的框图。
[0019] 图8A是图示了包封在壳体中的法布里-珀罗干涉仪的实施例的侧视图的框图。
[0020] 图8B是图示了包封在壳体中的法布里-珀罗干涉仪的实施例的侧视图的框图。
[0021] 图8C是图示了用于针对底部反射镜的支撑的设计的平面视图的实施例的框图。
[0022] 图8D是图示了用于针对底部反射镜的支撑的设计的侧视图的实施例的框图。
[0023] 图8E是图示了用于针对底部反射镜的支撑的设计的侧视图的实施例的框图。
[0024] 图9是图示了用于包封在壳体中的法布里-珀罗干涉仪的可替换设计的侧视图的实施例的框图。
[0025] 图10是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的过程的实施例的流程图。
具体实施方式
[0026] 本发明可以以众多方式实现，包括作为过程；装置；系统；物质组成；体现在计算机可读存储介质上的计算机程序产品；和/或处理器，诸如配置为执行指令的处理器，所述指令存储在耦合到处理器的存储器上和/或由耦合到处理器的存储器提供。在本说明书中，这些实现方式或者本发明可以采取的任何其它形式可以被称为技术。一般地，所公开的过程的步骤的次序可以在本发明的范围内更改。除非以其它方式陈述，否则被描述为配置成执行任务的组件（诸如处理器或存储器）可以实现为临时地配置为在给定时间处执行该任务的一般组件或者制造成执行该任务的特定组件。如本文中使用，术语“处理器”是指配置为处理数据（诸如，计算机程序指令）的一个或多个设备、电路和/或处理核。
[0027] 本发明的一个或多个实施例的详细描述在下文连同图示了本发明的原理的附图来提供。结合这样的实施例描述本发明，但是本发明不限于任何实施例。本发明的范围仅由权利要求限制，并且本发明涵盖众多可替换方式、修改和等同形式。在以下描述中阐述众多具体细节以便提供对本发明的透彻理解。这些细节提供用于示例的目的，并且本发明可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下根据权利要求书来实践。出于简洁的目的，尚未详细地描述在涉及本发明的技术领域中已知的技术素材以使得没有不必要地使本发明模糊不清。
[0028] 公开了一种用于可调谐光学滤波器的设备。该设备包括衬底；一个或多个压电晶体（piezo），其中所述一个或多个压电晶体放置在衬底上，其中所述一个或多个压电晶体具有压电晶体厚度；底部反射镜，其中底部反射镜放置在衬底上，其中底部反射镜具有大于压电晶体厚度的底部反射镜厚度；以及顶部反射镜，其中顶部反射镜放置在底部反射镜上，其中顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体。
[0029] 在一些实施例中，法布里-珀罗干涉仪包括用于宽范围频谱测量的系统的部分。用于宽范围频谱测量的系统包括一个或多个宽带源、法布里-珀罗干涉仪、检测器和样品保持器。在一些实施例中，法布里-珀罗干涉仪包括可调节的法布里-珀罗干涉仪。所述一个或多个宽带源用来光照样品。可调节的法布里-珀罗干涉仪对经反射的光进行滤波以便以精细频谱分辨率提取频谱信息。检测器用来检测来自干涉仪的经滤波的光，其中经滤波的光包括对应于特定顺序的多个波长的多个频谱峰值，并且使用针对可调节的法布里-珀罗干涉仪的多个设置进行光学处理。所述多个设置限定为法布里-珀罗干涉仪板之间的多个间隙。例如，通过设置法布里-珀罗干涉仪板之间的多个特定距离中的一个而使可调谐的光学滤波器是可调谐的，这导致取决于板之间的距离的光的透射。样品保持器用来将样品保持在正确的位置中以用于光向检测器的光照和反射。
[0030] 在一些实施例中，使用高体积集成电路过程来组装和制造法布里-珀罗标准具或干涉仪以实现低成本生产。此外，用于法布里-珀罗标准具或干涉仪的顶部和底部反射镜二者的相同或相似矩形几何形状的选择实现了单个衬底上的顶部和底部反射镜二者的高效布置或放置或者匹配的生产数目，其中每一个反射镜铺在不同的晶片上（例如，在不同晶片上与底部反射镜相同数目的顶部反射镜）。将两个反射镜定位在彼此顶部上并且相对于彼此旋转90度以实现邻近底部反射镜并且在顶部反射镜下面的压电晶体的定位。将两个反射镜定位在彼此顶部上并且相对于彼此旋转90度以实现用于向传感器的电气连接的接触垫邻近底部反射镜并且不在顶部反射镜下面的定位，使得导线可以接近接触垫。在一些实施例中，组装的配置设计成使得对于可调节的法布里-珀罗干涉仪或标准具而言仅要求反射镜的简单切分。
[0031] 在一些实施例中，使组装更为高效，因为顶部反射镜能够平坦地铺在底部反射镜上——例如，因为压电晶体表面处在底部反射镜的顶部的平面下面。在一些实施例中，通过使用在组装时具有比底部反射镜低的顶表面的压电晶体来实现这一点（例如，具有比底部反射镜小的厚度的压电晶体，在压电晶体和反射镜具有相同厚度的情况下，使用间隔物抬升底部反射镜，等等）。在一些实施例中，使用凹陷（depression）以便通过降低压电晶体和底部反射镜位于其中的衬底而相比于底部反射镜的顶表面而降低压电晶体的顶表面来实现这一点。
[0032] 图1是图示了光学样品读取器和样品的实施例的框图。在所示示例中，样品100包括用于频谱标志的光学检测的样品。在一些实施例中，样品100包括标签。在一些实施例中，样品100包括对象，所述对象包括具有特定反射频谱的项目（例如，具有频谱特定反射标签的项目）。样品保持器102包括用于将样品精确地保持就位以用于测量的样品保持器。样品读取器104包括用于读取样品的样品读取器。样品读取器104包括光源106。在一些实施例中，光源106包括宽带光源。将来自光源106的光投射在分束器112处。分束器112包括用于朝向样品100反射入射光的分束器。在一些实施例中，入射在分束器112上的一些光被透射（例如，穿过分束器112），并且入射在分束器112上的一些光被反射。在所示示例中，来自光源106的光中的一些笔直穿过分束器112并且没有被使用，并且一些光朝向样品100以九十度反射。在一些实施例中，光经由窗口离开样品读取器104。光反射离开样品100并且再进入样品读取器104（例如，经由窗口）。在再进入样品读取器104之后，光第二次遇到分束器112。一些光被反射（例如，朝向光源106返回），并且一些光被透射（例如，笔直穿过）。透射的光进入可调谐光学滤波器108，并且该光的子集能够穿过并且离开可调谐光学滤波器108。在一些实施例中，可调谐光学滤波器108包括法布里-珀罗干涉仪。在一些实施例中，可调谐光学滤波器108包括可调谐频率选择器。在一些实施例中，可调谐光学滤波器108配置在反射模式中（例如，反射光撞击可调谐光学滤波器108并且该光的子集反射离开其表面）。由可调谐光学滤波器108传递的光通过光测量110进行检测和测量。在一些实施例中，使用可调谐光学滤波器108的不同设置来通过光测量110取得测量结果的集合以便测量样品100的反射频谱。
[0033] 在一些实施例中，样品读取器104包括处理器以便从光测量110接收测量数据（例如，来自检测器的信号，该信号指示所测量的光强度）。在一些实施例中，处理器用于指示由可调谐光学滤波器108使用的频率。在一些实施例中，处理器用于接通或关断光源106。在一些实施例中，使用电容传感器来测量顶部反射镜关于底部反射镜的位置并且使得顶部反射镜能够关于底部反射镜恰当定位（例如，设置两个反射镜之间的距离）。在一些实施例中，处理器（例如，从一个或多个电容传感器）接收一个或多个信号，所述一个或多个信号指示顶部和底部反射镜之间的测量结果，并且这些指示用于确定馈送给压电晶体的信号以便恰当地设置两个反射镜之间的距离。在一些实施例中，基于一个或多个传感器（例如，电容传感器）的测量结果而使用闭环控制来设置反射镜之间的距离。
[0034] 在一些实施例中，压电晶体包括压电致动器，所述压电致动器在跨压电晶体应用电压时改变高度或厚度。要指出，在本文中没有在图中示出用于向压电晶体提供电压信号的电气连接。在一些实施例中，电气连接附连到压电晶体的顶部、底部或侧部以用于使得能够引起致动。
[0035] 图2是图示了法布里-珀罗干涉仪的实施例的框图。在一些实施例中，法布里-珀罗干涉仪200包括图1的可调谐光学滤波器108。在所示示例中，法布里-珀罗干涉仪200包括通过反射镜分离距离206而分离的反射镜202和反射镜204。反射镜204和反射镜206各自具有部分反射表面——例如，衬底的前表面（例如，晶片的管芯）涂敷有反射涂层，诸如薄银层。在一些实施例中，反射镜镀银允许一些光被透射（例如，以便穿过反射镜镀银）并且一些光被反射。反射镜202和反射镜204中的每一个的反射镜镀银处在更靠近另一个反射镜的侧面上（例如，处在反射镜202的底部上以及反射镜204的顶部上）。光从顶部进入法布里-珀罗干涉仪。传入的光遇到反射镜202和反射镜204，并且一些光被反射而一些光被透射。当光在反射镜202和反射镜204之间反弹时，创建相长和相消干涉，引起法布里-珀罗干涉仪200的透射和反射性质取决于反射镜分离距离206。
[0036] 图3A是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的初始步骤的实施例的平面视图（例如，在结构处向下看的布局视图）的框图。在一些实施例中，法布里-珀罗干涉仪包括图1的可调谐光学滤波器108。在所示示例中，平面视图300示出了衬底302。在一些实施例中，衬底302包括透明衬底（例如，玻璃、石英等）。在一些实施例中，衬底302包括具有窗口的非透明金属衬底（例如，不锈钢、铝、具有特定热膨胀性质的Fe-Ni合金（例如，KovarTM）等）。在所示示例中，衬底302包括孔径304。孔径304包括允许光不受影响地穿过衬底302的孔径。
在一些实施例中，孔径304定心在衬底302的中心。在各种实施例中，孔径304是圆形、方形、八边形或者任何其它适当的形状。在一些实施例中，孔径304包括衬底302中的孔。在一些实施例中，孔径304包括替代衬底302的部分的透明材料。平面视图300示出了一个或多个压电晶体（例如，在跨压电致动器加电势的情况下改变高度的压电致动器或者移动器）——例如，平面视图300示出了三个压电晶体（例如，压电晶体306、压电晶体308和压电晶体310）。
放置所述一个或多个压电晶体以便能够相对于底部反射镜对顶部反射镜进行定位——例如，所述一个或多个压电晶体能够调节反射镜之间的距离或者反射镜的平面之间的相对角度。每一个压电晶体安装在衬底302上。在一些实施例中，每一个压电晶体使用粘合剂附连到衬底302。两个压电晶体附连到衬底302的右侧并且一个压电晶体附连到衬底302的左侧。
在各种实施例中，两个压电晶体附连到左侧，一个压电晶体附连到上侧，一个压电晶体附连到下侧，压电晶体围绕衬底均匀地间隔，或者压电晶体以任何其它适当的配置放置。所述一个或多个压电晶体放置成延伸离开衬底302的边缘。在各种实施例中，所述一个或多个压电晶体完全放置在衬底302上，离开衬底302悬在小于其一半的面积之上，离开衬底302悬在其一半的面积之上，离开衬底302悬在大于其一半的面积之上，或者以任何其它适当的方式放置。在一些实施例中，每一个压电晶体配置为在应用电压时在z轴上移动（例如，在平面视图
300中进入页面以及从页面出来）。在一些实施例中，所述一个或多个压电晶体各自包括用于电气信号的连接（例如，以便应用电压）。每一个压电晶体包括压电晶体厚度（例如，在没有应用电压时的标称厚度）。在一些实施例中，每一个压电晶体包括压电晶体厚度容差（例如，保证压电晶体厚度落入其内的范围）。在一些实施例中，所述一个或多个压电晶体中的每一个经由布线连接到接触垫。在一些实施例中，接触垫包括衬底302上用于进行电气接触的金属垫。在一些实施例中，一个接触垫与所述一个或多个压电晶体中的每一个相关联地形成在衬底302上。
在一些实施例中，孔径304定心在衬底302的中心。在各种实施例中，孔径304是圆形、方形、八边形或者任何其它适当的形状。在一些实施例中，孔径304包括衬底302中的孔。在一些实施例中，孔径304包括替代衬底302的部分的透明材料。平面视图300示出了一个或多个压电晶体（例如，在跨压电致动器加电势的情况下改变高度的压电致动器或者移动器）——例如，平面视图300示出了三个压电晶体（例如，压电晶体306、压电晶体308和压电晶体310）。
放置所述一个或多个压电晶体以便能够相对于底部反射镜对顶部反射镜进行定位——例如，所述一个或多个压电晶体能够调节反射镜之间的距离或者反射镜的平面之间的相对角度。每一个压电晶体安装在衬底302上。在一些实施例中，每一个压电晶体使用粘合剂附连到衬底302。两个压电晶体附连到衬底302的右侧并且一个压电晶体附连到衬底302的左侧。
在各种实施例中，两个压电晶体附连到左侧，一个压电晶体附连到上侧，一个压电晶体附连到下侧，压电晶体围绕衬底均匀地间隔，或者压电晶体以任何其它适当的配置放置。所述一个或多个压电晶体放置成延伸离开衬底302的边缘。在各种实施例中，所述一个或多个压电晶体完全放置在衬底302上，离开衬底302悬在小于其一半的面积之上，离开衬底302悬在其一半的面积之上，离开衬底302悬在大于其一半的面积之上，或者以任何其它适当的方式放置。在一些实施例中，每一个压电晶体配置为在应用电压时在z轴上移动（例如，在平面视图
300中进入页面以及从页面出来）。在一些实施例中，所述一个或多个压电晶体各自包括用于电气信号的连接（例如，以便应用电压）。每一个压电晶体包括压电晶体厚度（例如，在没有应用电压时的标称厚度）。在一些实施例中，每一个压电晶体包括压电晶体厚度容差（例如，保证压电晶体厚度落入其内的范围）。在一些实施例中，所述一个或多个压电晶体中的每一个经由布线连接到接触垫。在一些实施例中，接触垫包括衬底302上用于进行电气接触的金属垫。在一些实施例中，一个接触垫与所述一个或多个压电晶体中的每一个相关联地形成在衬底302上。
[0037] 图3B是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的初始步骤的实施例的侧视图的框图。在一些实施例中，侧视图350示出了在图3A的平面视图300中示出的法布里-珀罗干涉仪的侧视图。在所示示例中，侧视图350示出了衬底352。衬底352包括孔径354。侧视图350包括一个或多个压电晶体（例如，压电晶体356）。压电晶体356使用粘合剂358附连到衬底352。在各种实施例中，粘合剂358包括UV固化的光学粘合剂。在所示示例中，所述一个或多个压电晶体悬在衬底352的边缘之上并且通过其底侧附连到衬底352的外侧边缘。在一些实施例中，所述一个或多个压电晶体附连到衬底352的上面的右侧或者左侧。
[0038] 图4A是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第二步骤的实施例的平面视图的框图。在一些实施例中，法布里-珀罗干涉仪包括在制造过程的第二步骤之后图3A的法布里-珀罗干涉仪。在所示示例中，平面视图400示出了底部反射镜402。在一些实施例中，底部反射镜402包括法布里-珀罗干涉仪的一个反射镜。底部反射镜402位于干涉仪衬底406上并且通过粘合剂（例如，粘合剂404）附连到干涉仪衬底406。在一些实施例中，底部反射镜402在多个点处（例如，在三个点处）附连到干涉仪衬底406。底部反射镜402紧邻压电晶体的集合中的每一个（例如，压电晶体408）而位于干涉仪衬底406上。在所示示例中，底部反射镜
402是矩形的（例如，底部反射镜402在如所示出的顶部到底部方向上比在左边到右边方向上更长）。底部反射镜402包括底部反射镜厚度。在一些实施例中，底部反射镜402包括具有反射层410的玻璃层（例如，玻璃片，具有平面视图中的高度和宽度以及没有在平面视图中看到的厚度）。例如，反射层410包括应用于一侧的反射镜镀银（例如，用于反射光的材料层）。在一些实施例中，反射镜镀银包括金属。在各种实施例中，金属包括铝、钛、银、镍或者任何其它适当的金属。
402是矩形的（例如，底部反射镜402在如所示出的顶部到底部方向上比在左边到右边方向上更长）。底部反射镜402包括底部反射镜厚度。在一些实施例中，底部反射镜402包括具有反射层410的玻璃层（例如，玻璃片，具有平面视图中的高度和宽度以及没有在平面视图中看到的厚度）。例如，反射层410包括应用于一侧的反射镜镀银（例如，用于反射光的材料层）。在一些实施例中，反射镜镀银包括金属。在各种实施例中，金属包括铝、钛、银、镍或者任何其它适当的金属。
[0039] 图4B是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第二步骤的实施例的侧视图的框图。在一些实施例中，侧视图450包括在图4A的平面视图400中示出的法布里-珀罗干涉仪的侧视图。在所示示例中，底部反射镜452位于干涉仪衬底456上并且通过粘合剂（例如，粘合剂454）附连到干涉仪衬底456。在一些实施例中，底部反射镜452在多个点处附连到干涉仪衬底456。底部反射镜452紧邻压电晶体的集合中的每一个（例如，压电晶体458）而位于干涉仪衬底456上。在所示示例中，底部反射镜452的底部反射镜厚度大于压电晶体458的压电晶体厚度。在一些实施例中，底部反射镜452的厚度大于压电晶体458的压电晶体厚度容差的较大端（例如，保证压电晶体458的厚度小于底部反射镜452的厚度）。在所示示例中，底部反射镜452包括用于反射光的反射涂层。在一些实施例中，用于反射光的反射涂层包括反射镜镀银（例如，反射镜镀银460）。在一些实施例中，底部反射镜452包括具有金属涂层的玻璃层。在一些实施例中，反射镜镀银460处在底部反射镜452的顶侧上。在所示示例中，反射镜镀银460没有一路延伸到底部反射镜452的边缘。
[0040] 图5A是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第三步骤的实施例的平面视图的框图。在一些实施例中，法布里-珀罗干涉仪包括在制造过程的第三步骤之后图4A的法布里-珀罗干涉仪。在所示示例中，平面视图500示出了顶部反射镜502。在一些实施例中，顶部反射镜502包括法布里-珀罗干涉仪的一个反射镜。顶部反射镜502放置在底部反射镜504上。在所示示例中，顶部反射镜502是矩形的（例如，顶部反射镜502在左边到右边方向上比在顶部到底部方向上更长）。在一些实施例中，顶部反射镜502以相对于底部反射镜504旋转90度的取向放置。在一些实施例中，顶部反射镜502在顶部到底部方向上的长度与底部反射镜504在左边到右边方向上的长度相同。在一些实施例中，顶部反射镜502在左边到右边方向上的长度与底部反射镜504在顶部到底部方向上的长度相同。在所示示例中，当顶部反射镜502放置在底部反射镜504上时，顶部反射镜502不接触之前放置的压电晶体的集合中的任一个压电晶体（例如，压电晶体508）。底部反射镜504的厚度大于压电晶体508的厚度。一旦放置了顶部反射镜502，顶部反射镜502就通过粘合剂（例如，粘合剂506）附连到压电晶体集合中的每一个压电晶体。在一些实施例中，顶部反射镜502可以通过压电晶体的集合而提升离开底部反射镜504。在一些实施例中，顶部反射镜502和底部反射镜504各自附加地包括一个或多个电极。在一些实施例中，顶部反射镜502和底部反射镜504上的电极形成一个或多个电容，其值取决于顶部反射镜502与底部反射镜504之间的距离。在一些实施例中，底部反射镜502包括连接到电极以用于向电极进行电气接触的电气接触垫（例如，用于测量电容）。在一些实施例中，顶部反射镜504不包括接触垫。在一些实施例中，顶部反射镜502和底部反射镜504之间的电容的测量允许创建用于控制顶部反射镜502和底部反射镜504之间的距离的反馈控制回路。在一些实施例中，电容传感器使得能够测量顶部反射镜502和底部反射镜504之间的平面角度。在一些实施例中，顶部反射镜504包括具有反射层510（例如，在顶部反射镜504的底部上）的玻璃层（例如，玻璃片，具有平面视图中的高度和宽度以及在平面视图中看不到的厚度）。例如，反射层510包括应用于一侧的反射镜镀银（例如，用于反射光的材料层）。在一些实施例中，反射镜镀银包括金属。在各种实施例中，金属包括铝、钛、银、镍或者任何其它适当的金属。
[0041] 图5B是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的制造过程的第三步骤的实施例的侧视图的框图。在一些实施例中，侧视图550示出了在图5A的平面视图500中示出的法布里-珀罗干涉仪的侧视图。在所示示例中，顶部反射镜552位于底部反射镜554上。底部反射镜554在压电晶体558上方延伸，并且顶部反射镜552不接触压电晶体558。在各种实施例中，底部反射镜厚度比压电晶体厚度大足够大的量以便保证高的压电晶体（例如，压电晶体558）短于底部反射镜554，底部反射镜厚度比压电晶体厚度大足够大的量以便保证顶部反射镜552平坦地铺在底部反射镜554上，底部反射镜厚度比压电晶体厚度大足够大的量以便保证顶部反射镜552不接触所述一个或多个压电晶体，或者底部反射镜厚度比压电晶体厚度大任何其它适当的量。粘合剂556将顶部反射镜552附连到压电晶体558，部分地填充它们之间的间隙。在所示示例中，顶部反射镜552包括用于反射光的反射涂层。在一些实施例中，反射涂层包括反射镜镀银560。在所示实施例中，反射镜镀银560处在顶部反射镜552的底侧上并且抵靠底部反射镜554的反射镜镀银放置。在所示示例中，反射镜镀银560没有一路延伸到顶部反射镜552的边缘。在一些实施例中，平坦地铺在底部反射镜554上的顶部反射镜552指示顶部反射镜552的反射镜镀银560与底部反射镜554的反射镜镀银接触。在一些实施例中，顶部反射镜552与底部反射镜554分离（例如，使用压电晶体将顶部反射镜570保持在底部反射镜572上方的间隙574处，如在分解视图圆圈中所示）。在一些实施例中，顶部反射镜由一个或多个压电晶体（例如，压电晶体558）支撑并且通过可调节的距离与底部反射镜554分离。例如，压电晶体558的高度低于底部反射镜554的高度。
[0042] 图6A是包括电极、布线和接触垫的法布里-珀罗干涉仪的实施例的侧视图的框图。在一些实施例中，侧视图600包括图5B的侧视图，其包括电极、布线和接触垫。在所示示例中，顶部反射镜602包括顶部电极606和顶部电极614，并且底部反射镜604包括底部电极608和底部电极616。在各种实施例中，图6的法布里-珀罗干涉仪包括一个、两个、三个、四个或者任何其它适当数目的顶部电极。在各种实施例中，图6的法布里-珀罗干涉仪包括一个、两个、三个、四个或者任何其它适当数目的底部电极。在各种实施例中，通过沉积和蚀刻金属，通过在反射镜表面中蚀刻沟槽、利用金属填充沟槽并且平面化表面，通过沉积和图案化多个金属层，或者以任何其它适当的方式来形成电极。接触垫612使用布线610连接到底部电极608，并且接触垫620使用布线618连接到底部电极616。在各种实施例中，布线610和布线
618包括通过底部反射镜604的通孔、底部反射镜604的侧部周围的金属化部、导线结合部或者任何其它适当的布线。顶部电极606和底部电极608形成电容器，可以测量其电容以便确定它们位置处的反射镜间距。顶部电极614和底部电极616形成电容器，可以测量其电容以便确定它们位置处的反射镜间距。在一些实施例中，通过在顶部反射镜602和底部反射镜
604上形成接触垫、将接触垫布线到电极、以及将外部测量设备连接到接触垫来测量顶部电极和底部电极之间的电容。在一些实施例中，允许顶部反射镜602移动并且不连接到外部布线。可以通过在底部反射镜604（例如，底部电极608和底部电极616）上形成连接到多个接触垫（例如，接触垫612和接触垫620）的多个电极来进行测量。在接触垫612和接触垫620之间测量的电容然后包括以串联方式布线的顶部电极606与底部电极608之间的电容以及顶部电极614与底部电极616之间的电容的测量。在一些实施例中，接触垫连接到顶部反射镜602的电极，并且接触垫没有连接到底部反射镜604的电极。在所示示例中，接触垫612和接触垫
620形成在干涉仪衬底622的底侧上。在各种实施例中，接触垫612和接触垫620形成在干涉仪衬底622的底侧上，干涉仪衬底622的侧边缘上，干涉仪衬底622的顶侧上，或者任何其它适当的位置中。在一些实施例中，顶部反射镜602上的电极与底部反射镜604上的电极对重叠。在一些实施例中，重叠的电极形成串联连接的两个电容器，并且底部电极中的每一个经由导线结合或者其它方法而连接到外部控制电子器件。
618包括通过底部反射镜604的通孔、底部反射镜604的侧部周围的金属化部、导线结合部或者任何其它适当的布线。顶部电极606和底部电极608形成电容器，可以测量其电容以便确定它们位置处的反射镜间距。顶部电极614和底部电极616形成电容器，可以测量其电容以便确定它们位置处的反射镜间距。在一些实施例中，通过在顶部反射镜602和底部反射镜
604上形成接触垫、将接触垫布线到电极、以及将外部测量设备连接到接触垫来测量顶部电极和底部电极之间的电容。在一些实施例中，允许顶部反射镜602移动并且不连接到外部布线。可以通过在底部反射镜604（例如，底部电极608和底部电极616）上形成连接到多个接触垫（例如，接触垫612和接触垫620）的多个电极来进行测量。在接触垫612和接触垫620之间测量的电容然后包括以串联方式布线的顶部电极606与底部电极608之间的电容以及顶部电极614与底部电极616之间的电容的测量。在一些实施例中，接触垫连接到顶部反射镜602的电极，并且接触垫没有连接到底部反射镜604的电极。在所示示例中，接触垫612和接触垫
620形成在干涉仪衬底622的底侧上。在各种实施例中，接触垫612和接触垫620形成在干涉仪衬底622的底侧上，干涉仪衬底622的侧边缘上，干涉仪衬底622的顶侧上，或者任何其它适当的位置中。在一些实施例中，顶部反射镜602上的电极与底部反射镜604上的电极对重叠。在一些实施例中，重叠的电极形成串联连接的两个电容器，并且底部电极中的每一个经由导线结合或者其它方法而连接到外部控制电子器件。
[0043] 图6B是图示了包括电极、布线和接触垫的法布里-珀罗干涉仪的实施例的平面视图的框图。在一些实施例中，图6B的平面视图包括图6C的侧视图，其包括电极、布线和接触垫。在所示示例中，顶部反射镜660包括使用粘合剂661附连到压电晶体662的一个或多个顶部电极（未示出）。顶部反射镜660由压电晶体662从衬底663来支撑。底部反射镜667包括电气耦合到接触垫664、导线665和柱666的一个或多个底部电极（未示出）。在各种实施例中，图6B的法布里-珀罗干涉仪包括一个、两个、三个、四个或者任何其它适当数目的顶部电极。在各种实施例中，图6B的法布里-珀罗干涉仪包括一个、两个、三个、四个或者任何其它适当数目的底部电极。在各种实施例中，通过沉积和蚀刻金属，通过在反射镜表面中蚀刻沟槽、利用金属填充沟槽并且平面化表面，通过沉积和图案化多个金属层，或者以任何其它适当的方式来形成电极。接触垫（例如，接触垫664）使用到柱（例如，柱666）的布线（例如，导线
665）连接到底部电极（例如，图6B中示出的6个）。柱安装在板668上。顶部电极和底部电极形成一个或多个电容器，可以测量其电容以便确定（例如，顶部反射镜和底部反射镜之间的）反射镜间距和相对角度取向。在一些实施例中，使得顶部反射镜660能够移动（例如，使用三个压电晶体——例如，压电晶体662）并且没有连接到外部布线。可以通过在底部反射镜667上形成连接到多个接触垫（例如，接触垫664）的多个电极而进行测量。在接触垫之间测量的电容测量了底部电极和顶部电极与另一个底部电极之间的电容（例如，串联电容）。在一些实施例中，接触垫连接到顶部反射镜660的电极，并且接触垫没有连接到底部反射镜667的电极。
665）连接到底部电极（例如，图6B中示出的6个）。柱安装在板668上。顶部电极和底部电极形成一个或多个电容器，可以测量其电容以便确定（例如，顶部反射镜和底部反射镜之间的）反射镜间距和相对角度取向。在一些实施例中，使得顶部反射镜660能够移动（例如，使用三个压电晶体——例如，压电晶体662）并且没有连接到外部布线。可以通过在底部反射镜667上形成连接到多个接触垫（例如，接触垫664）的多个电极而进行测量。在接触垫之间测量的电容测量了底部电极和顶部电极与另一个底部电极之间的电容（例如，串联电容）。在一些实施例中，接触垫连接到顶部反射镜660的电极，并且接触垫没有连接到底部反射镜667的电极。
[0044] 图6C是图示了包括电极、布线和接触垫的法布里-珀罗干涉仪的实施例的侧视图的框图。在一些实施例中，图6C的侧视图包括图6B的平面视图，其包括电极、布线和接触垫。在所示示例中，顶部反射镜630包括使用粘合剂631附连到压电晶体646的一个或多个顶部电极（未示出）。顶部反射镜630由压电晶体646从衬底640支撑。压电晶体646使用粘合剂644附连到衬底640。底部反射镜643包括电气耦合到接触垫（例如，接触垫632和接触垫654）、导线（例如，导线634和导线652）以及柱（例如，柱636和柱650）的一个或多个底部电极（未示出）。在各种实施例中，图6C的法布里-珀罗干涉仪包括一个、两个、三个、四个或者任何其它适当数目的顶部电极。在各种实施例中，图6C的法布里-珀罗干涉仪包括一个、两个、三个、四个或者任何其它适当数目的底部电极。在各种实施例中，通过沉积和蚀刻金属，通过在反射镜表面中蚀刻沟槽、利用金属填充沟槽并且平面化表面，通过沉积和图案化多个金属层，或者以任何其它适当的方式来形成电极。接触垫（例如，接触垫632和接触垫654）使用到柱（例如，柱636或柱650）的布线（例如，导线634或导线652）连接到底部电极（例如，图6B中示出的6个电极）。柱安装在板638上。顶部电极和底部电极形成一个或多个电容器，可以测量其电容以便确定（例如，顶部反射镜与底部反射镜之间的）反射镜间距和相对角度取向。在一些实施例中，使得顶部反射镜630能够移动（例如，使用三个压电晶体——例如，压电晶体
646）并且没有连接到外部布线。可以通过在底部反射镜643上形成连接到多个接触垫（例如，接触垫632或接触垫654）的多个电极而进行测量。在接触垫之间测量的电容测量了底部电极和顶部电极与另一个底部电极之间的电容（例如，串联电容）。在一些实施例中，接触垫连接到顶部反射镜630的电极，并且接触垫没有连接到底部反射镜643的电极。
646）并且没有连接到外部布线。可以通过在底部反射镜643上形成连接到多个接触垫（例如，接触垫632或接触垫654）的多个电极而进行测量。在接触垫之间测量的电容测量了底部电极和顶部电极与另一个底部电极之间的电容（例如，串联电容）。在一些实施例中，接触垫连接到顶部反射镜630的电极，并且接触垫没有连接到底部反射镜643的电极。
[0045] 图7A是图示了包括反射镜、电极、布线和接触垫的法布里-珀罗干涉仪的实施例的平面视图的框图。在一些实施例中，平面视图700包括在图6的侧视图600中示出的法布里-珀罗干涉仪的平面视图。在所示示例中，平面视图700示出了允许光穿过衬底的窗口702（例如，法布里-珀罗干涉仪的衬底中的窗口）。平面视图700示出了处于顶部反射镜上的顶部电极704、顶部电极706和顶部电极708，顶部反射镜使用粘合剂而保持就位到三个压电晶体（例如，一个示出在矩形顶部反射镜的较短左边缘处并且两个示出在矩形顶部反射镜的较短右边缘处，其中较长矩形边缘在平面视图中示出在顶部和底部处）。平面视图700示出了与顶部电极704重叠的底部电极710和底部电极711，与顶部电极706重叠的底部电极712和底部电极713，以及与顶部电极708重叠的底部电极714和底部电极715。每一个底部电极处在底部反射镜的顶表面上，其中接触垫在平面视图中示出在矩形底部反射镜的底部边缘的顶表面以及矩形底部反射镜的顶部边缘的顶表面上，使得接触垫没有被顶部反射镜覆盖起来（例如，顶部反射镜是关于矩形的底部反射镜旋转90度的矩形）。每一个底部电极经由电气布线连接到接触垫（例如，底部电极710经由电气布线717连接到接触垫716；底部电极711经由电气布线719连接到接触垫718；底部电极712经由电气布线751连接到接触垫750；底部电极713经由电气布线753连接到接触垫752；底部电极714经由电气布线755连接到接触垫754；底部电极715经由电气布线757连接到接触垫756）。每一个底部和顶部电极（例如，顶部电极704、顶部电极706、顶部电极708、底部电极710、底部电极711、底部电极712、底部电极
713、底部电极714和底部电极715）包括环状扇形的形状，底部电极一起形成下部环，并且顶部电极一起形成上部环。每一个顶部电极只是占据小于120度的圆环（例如，圆的大约1/3）。
每一个底部电极只是占据小于60度的圆环（例如，圆的大约1/6）。可以通过经由其相关联的电极进行接触而在底部电极对之间测量电容。在底部电极对之间测量的电容包括串联电容对，从底部电极到顶部电极到另一个底部电极（例如，在底部电极710和底部电极711之间测量的电容包括底部电极710和底部电极704之间的电容与顶部电极704和底部电极711之间的电容的串联）。可以以该方式进行三个电容测量（例如，从底部电极710到底部电极711的电容，从底部电极712到底部电极713的电容，以及从底部电极714到底部电极715的电容）。
三个测量与从底部反射镜到顶部反射镜的三个不同距离测量有关，并且提供了足够的信息来控制反馈系统以便相对于底部反射镜定位顶部反射镜（例如，使用压电晶体来控制顶部反射镜的竖直位置）。
713、底部电极714和底部电极715）包括环状扇形的形状，底部电极一起形成下部环，并且顶部电极一起形成上部环。每一个顶部电极只是占据小于120度的圆环（例如，圆的大约1/3）。
每一个底部电极只是占据小于60度的圆环（例如，圆的大约1/6）。可以通过经由其相关联的电极进行接触而在底部电极对之间测量电容。在底部电极对之间测量的电容包括串联电容对，从底部电极到顶部电极到另一个底部电极（例如，在底部电极710和底部电极711之间测量的电容包括底部电极710和底部电极704之间的电容与顶部电极704和底部电极711之间的电容的串联）。可以以该方式进行三个电容测量（例如，从底部电极710到底部电极711的电容，从底部电极712到底部电极713的电容，以及从底部电极714到底部电极715的电容）。
三个测量与从底部反射镜到顶部反射镜的三个不同距离测量有关，并且提供了足够的信息来控制反馈系统以便相对于底部反射镜定位顶部反射镜（例如，使用压电晶体来控制顶部反射镜的竖直位置）。
[0046] 图7B是图示了顶部反射镜的实施例的平面视图的框图。在一些实施例中，图7B的平面视图包括在图6A的侧视图600或者图6C的侧视图中示出的法布里-珀罗干涉仪的平面视图。在所示示例中，平面视图示出了顶部反射镜720。顶部反射镜720的表面包括电极722、电极724和电极726以及反射涂层728。每一个电极与底部反射镜上的两个电极形成一对电容器，使得可以测量顶部反射镜与底部反射镜之间的距离。三电极配置使得能够测量顶部反射镜与底部反射镜之间的距离和平面角度。反射涂层728包括以下中的一个或多个：金属涂层（例如，银、铝、钛、银、镍等）、电介质涂层（例如，具有跨波长范围的反射特性的电介质的反射堆叠）或者任何其它适当的涂层。
[0047] 图7C是图示了底部反射镜的实施例的平面视图的框图。在一些实施例中，图7C的平面视图包括在图6A的侧视图600或者图6C的侧视图中示出的法布里-珀罗干涉仪的平面视图。在所示示例中，平面视图示出了底部反射镜730。底部反射镜730的表面包括电极732、电极734、电极736、电极738、电极740和电极744以及反射涂层742。电极对与顶部反射镜上的两个电极形成电容器，使得可以测量顶部反射镜与底部反射镜之间的距离。例如，电极732和电极744与顶部反射镜电极（例如，图7B的电极724）形成电容器对；电极734和电极736与顶部反射镜电极（例如，图7B的电极726）形成电容器对；并且电极738和电极740与顶部反射镜电极（例如，图7B的电极722）形成电容器对。三电极配置使得能够测量顶部反射镜与底部反射镜之间的距离和平面角度。向底部反射镜730上的电极的导线连接可以在底部反射镜730的左边缘和右边缘处附连到电极的连接端（tab）（其没有被顶部反射镜覆盖在上面，因为矩形反射镜关于彼此旋转90度）。反射涂层742包括以下中的一个或多个：金属涂层（例如，银、铝、钛、银、镍等）、电介质涂层（例如，具有跨波长范围的反射特性的电介质的反射堆叠）或者任何其它适当的涂层。
[0048] 图8A是图示了包封在壳体中的法布里-珀罗干涉仪的实施例的侧视图的框图。在一些实施例中，侧视图800包括包封在壳体中的图6A的侧视图600或者图6C的侧视图的法布里-珀罗干涉仪。在所示示例中，法布里-珀罗干涉仪802包封在壳体804中。在各种实施例中，壳体804包括金属外罩、塑料外罩、树脂外罩、玻璃外罩或者用于保护法布里-珀罗干涉仪802的任何其它适当的壳体。壳体804包括上部间隙，其包括窗口806以用于允许光行进到法布里-珀罗干涉仪802的上侧以及从法布里-珀罗干涉仪802的上侧行进。壳体804附加地包括下部间隙808以用于允许光行进到法布里-珀罗干涉仪802的下侧以及从法布里-珀罗干涉仪802的下侧行进。接触垫810包括壳体804外侧上的接触垫，其（例如，经由通过壳体804的孔）布线到底部反射镜上的电极。在一些实施例中，底部反射镜上的每一个电极布线到壳体804外侧上的接触件。
[0049] 图8B是图示了包封在壳体中的法布里-珀罗干涉仪的实施例的侧视图的框图。在一些实施例中，图8B的侧视图包括包封在壳体中的图6A的侧视图600或者图6C的侧视图的法布里-珀罗干涉仪。在所示示例中，使用三个或者更多压电晶体（例如，使用粘合剂826附连到顶部反射镜820并且使用粘合剂828附连到衬底822的压电晶体824）将顶部反射镜820在底部反射镜821之上保持就位。底部反射镜821使用粘合剂830附连到衬底822。所述三个或者更多压电晶体使得顶部反射镜820能够移动到距底部反射镜821的可调节距离以形成光学上可调谐的滤波器——法布里-珀罗标准具或干涉仪。在一些实施例中，进入窗口844的光取决于波长以及顶部反射镜与底部反射镜的反射表面之间的距离而被反射或者透射，并且光离开窗口832。在一些实施例中，进入窗口832的光取决于波长以及顶部反射镜和底部反射镜的反射表面之间的距离而被反射或者透射，并且光离开窗口844。衬底822附连到壳体电极834。反射镜底部821上的电极通过将导线附连到垫（例如，导线838连接到垫840）而电气连接，所述垫然后附连到柱或者引脚836，所述柱或者引脚836可以附连在壳体的外部上。壳体顶部842和壳体底部834形成围绕可调谐光学滤波器的密封外壳以便使污染物离开滤波器。
[0050] 在各种实施例中，壳体804包括金属外罩、塑料外罩、树脂外罩、玻璃外罩、或者用于保护法布里-珀罗干涉仪802的任何其它适当的壳体。壳体804包括上部间隙，其包括窗口806以用于允许光行进到法布里-珀罗干涉仪802的上侧以及从法布里-珀罗干涉仪802的上侧行进。壳体804附加地包括下部间隙808以用于允许光行进到法布里-珀罗干涉仪802的下侧以及从法布里-珀罗干涉仪802的下侧行进。接触垫810包括壳体804外侧上的接触垫，其（例如，经由通过壳体804的孔）布线到底部反射镜上的电极。在一些实施例中，底部反射镜上的每一个电极布线到壳体804外侧上的接触件。
[0051] 在一些实施例中，可调谐光学滤波设备包括衬底、一个或多个压电晶体、底部反射镜和顶部反射镜。所述一个或多个压电晶体放置在衬底上，其中所述一个或多个压电晶体各自具有衬底上的底表面和顶部压电晶体表面。底部反射镜放置在衬底上，其中底部反射镜具有底部反射镜顶表面，其中每一个顶部压电晶体表面比底部反射镜的顶表面更靠近衬底。顶部反射镜放置在底部反射镜上，其中顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体，其中当顶部反射镜放置在底部反射镜上时，顶部反射镜没有处在所述一个或多个压电晶体上。
[0052] 图8C是图示了用于针对底部反射镜的支撑的设计的平面视图的实施例的框图。在一些实施例中，通过在衬底上添加间隔物而保证压电晶体处在顶部反射镜厚度或高度下方。在所示示例中，衬底850具有窗口862。压电晶体（例如，压电晶体854、压电晶体858和压电晶体856）使用粘合剂附连到衬底850。间隔物（例如，间隔物856、间隔物860和间隔物864）抬升底部反射镜的轮廓高度使得顶部反射镜平坦地铺在底部反射镜上并且没有铺在压电晶体上（例如，以用于组装）。
[0053] 图8D是图示了用于针对底部反射镜的支撑的设计的侧视图的实施例的框图。在一些实施例中，通过在衬底上添加间隔物而保证压电晶体处在顶部反射镜厚度或高度下方。在所示示例中，衬底870具有窗口878。压电晶体（例如，压电晶体872和压电晶体884）使用粘合剂（例如，粘合剂874和粘合剂882）附连到衬底870。间隔物（例如，间隔物876和间隔物
880）抬升底部反射镜的轮廓高度使得顶部反射镜平坦地铺在底部反射镜上并且没有铺在压电晶体上（例如，以用于组装）。
880）抬升底部反射镜的轮廓高度使得顶部反射镜平坦地铺在底部反射镜上并且没有铺在压电晶体上（例如，以用于组装）。
[0054] 在一些实施例中，间隔物的高度或厚度为100微米。在一些实施例中，间隔物是沉积的。
[0055] 图8E是图示了用于针对底部反射镜的支撑的设计的侧视图的实施例的框图。在一些实施例中，通过在衬底上形成凹陷以降低压电晶体来保证压电晶体处在顶部反射镜厚度或高度下方。在所示示例中，衬底890具有窗口894。压电晶体（例如，压电晶体891和压电晶体897）使用粘合剂（例如，粘合剂892和粘合剂896）附连到衬底890。凹陷（例如，凹陷893和凹陷895）减低压电晶体的轮廓高度使得顶部反射镜平坦地铺在底部反射镜上并且没有铺在压电晶体上（例如，以用于组装）。
[0056] 在一些实施例中，凹陷在衬底的表面下方的100微米。在一些实施例中，凹陷通过附连台阶以使压电晶体停靠在其上而实现，其中台阶包括衬底的部分。在各种实施例中，凹陷是经加工的、从衬底蚀刻的或者实现凹陷的任何其它适当的方式。
[0057] 图9是图示了用于包封在壳体中的法布里-珀罗干涉仪的可替换设计的侧视图的实施例的框图。在一些实施例中，侧视图900包括包封在图8的壳体中的法布里-珀罗干涉仪的可替换设计。在所示示例中，法布里-珀罗干涉仪902包封在壳体904中。在各种实施例中，壳体904包括金属外罩、塑料外罩、树脂外罩、玻璃外罩、或者用于保护法布里-珀罗干涉仪902的任何其它适当的壳体。法布里-珀罗干涉仪902包括底部反射镜908、顶部反射镜906、压电晶体910、压电晶体912和衬底914。在各种实施例中，衬底914由金属、玻璃、石英、硅、塑料或者任何其它适当的材料制成。衬底914包括窗口916以用于允许光到达法布里-珀罗干涉仪902的底侧。壳体904包括上部窗口918以用于允许光到达法布里-珀罗干涉仪902的上侧。在各种实施例中，上部窗口918包括壳体904中的孔、填充壳体904中的孔的透明窗口、壳体904的透明区、或者任何其它适当的上部窗口。
[0058] 图10是图示了用于法布里-珀罗干涉仪的过程的实施例的流程图。在一些实施例中，图10的过程包括用于图5A和图5B的法布里-珀罗干涉仪的过程。在所示示例中，在1000中，一个或多个压电晶体放置在衬底上，其中所述一个或多个压电晶体具有压电晶体厚度。在一些实施例中，通过使用粘合剂将压电晶体附连到衬底而固定压电晶体。在1002中，底部反射镜放置在衬底上，其中底部反射镜具有比压电晶体厚度大的底部反射镜厚度。在1004中，顶部反射镜放置在底部反射镜上，其中顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体。例如，使用粘合剂将顶部反射镜附连到所述一个或多个压电晶体。在一些实施例中，干涉仪是密封的（例如，经包封以用于保护、放置在壳体中等）。在一些实施例中，干涉仪放置在壳体中（例如，以用于保护、处置等）。在一些实施例中，壳体包括窗口（例如，以便允许光进入和离开）。在各种实施例中，导线附连到垫以使得能够测量电容或者使得任何其它传感器能够用于测量反射镜之间的距离。在一些实施例中，导线附连到引脚以使得能够从壳体外部连接到垫。在一些实施例中，导线附连到压电晶体以便向压电晶体应用电压来用于控制致动。
在一些实施例中，顶部反射镜在平面视图中是矩形的，底部反射镜在平面视图中是矩形的，并且顶部反射镜在平面视图中以90度旋转取向，以使得能够将压电晶体放置在邻近底部反射镜的顶部反射镜下面和/或没有被顶部反射镜遮挡的底部反射镜上的电气接触位置。在一些实施例中，在可调谐光学滤波器被组装并且粘合剂固化之后，可调谐光学滤波器放置在壳体中。
在一些实施例中，顶部反射镜在平面视图中是矩形的，底部反射镜在平面视图中是矩形的，并且顶部反射镜在平面视图中以90度旋转取向，以使得能够将压电晶体放置在邻近底部反射镜的顶部反射镜下面和/或没有被顶部反射镜遮挡的底部反射镜上的电气接触位置。在一些实施例中，在可调谐光学滤波器被组装并且粘合剂固化之后，可调谐光学滤波器放置在壳体中。
[0059] 在一些实施例中，顶部反射镜是3mm厚。在一些实施例中，底部反射镜是3mm厚。在一些实施例中，顶部反射镜在平面视图尺寸方面是在10-12mm x 14-16mm之间。在一些实施例中，底部反射镜在平面视图尺寸方面是在10-12mm x 14-16mm之间。在一些实施例中，顶部反射镜和底部反射镜具有相同的平面视图尺寸。在一些实施例中，底部反射镜和顶部反射镜在侧视图中具有相同的厚度或高度。在一些实施例中，压电晶体在侧视图中具有2.9mm的厚度或高度。在一些实施例中，用于压电晶体的厚度比底部反射镜的厚度小的量使得顶部反射镜能够在组装件中放置在底部反射镜的顶部上而没有停靠在压电晶体上，甚至考虑到了压电晶体和/或底部反射镜的生产厚度的变化。在一些实施例中，压电晶体具有3mm x 3mm平面视图尺寸。在一些实施例中，当在平面视图中从底部反射镜旋转90度时，顶部反射镜在底部反射镜上留下用于接触垫的不受遮挡或者暴露的空间（例如，用于1mm x 1mm接触垫的空间、用于1.5mm x 1.5mm接触垫的空间、用于2mm x 2mm接触垫的空间等）。
[0060] 尽管已经出于理解清楚的目的而相当详细地描述了前面的实施例，但是本发明不限于所提供的细节。存在实现本发明的许多可替换方式。所公开的实施例是说明书而非限制性的。
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