指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构
专利汇可以提供指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种指状交叉背 电极 单晶 硅 太阳 电池 在聚光应用中的封装结构，该封装结构从下至上依次为 铝 基板 ，绝缘耐压导 热层 ， 电路 基层 ，太阳电池和玻璃。绝缘耐压导热层是一层均匀附着在铝基板上的氮化铝层；电路基层是电 镀 在绝缘耐压导热层上的金属 铜 层，其线路按指状交叉且互不相连的反对称形式排布，在其首尾 焊接 有旁路 二极管 ；太阳电池的背电极的线路与金属铜层的线路一致，两者对应重合焊接成一体；玻璃由高透明的硅凝胶粘结在最上层。本发明的指状交叉背电极 单晶硅 太阳电池在聚光应用中的封装结构绝缘和 散热 性能优异，进一步克服聚光光伏应用的难题。，下面是指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构专利的具体信息内容。
1.一种指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构，其特征在于：所述的封装结构从下至上依次为铝基板，绝缘耐压导热层，电路基层，太阳电池和玻璃；所述的绝缘耐压导热层为均匀附着在铝基板上的氮化铝层；所述的电路基层为电镀在绝缘耐压导热层上的金属铜层，其线路是按指状交叉且互不相连的反对称形式排布，在其首尾焊接有旁路二极管；所述的太阳电池的背电极的线路与所述的金属铜层的线路一致，两者对应重合焊接成一体；所述的玻璃由高透明的硅凝胶粘结在最上层。
2.根据权利要求1所述的指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构，其特征在于：所述的铝基板也可以由铜基板代替；所述的绝缘耐压导热层可采用氮化铝，三氧化二铝或其它导热绝缘材料。
3.根据权利要求1或2所述的指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构，其特征在于：所述的铝基板的厚度为1.0～3mm；所述的绝缘耐压导热层的厚度为0.1～0.2mm；所述的电路基层的厚度为0.03～0.1mm；所述的太阳电池的厚度为0.2mm；所述的玻璃的厚度为0.1～3.2mm；所述的硅凝胶层的厚度为0.05～0.2mm。
技术领域
本发明涉及一种指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构，特别涉及一种绝缘性能和散热性能良好的，适用于聚光光伏组件的封装结构。
背景技术
经检索，国内尚未有聚光光伏组件相关的专利文件。
发明内容
本发明的目的通过以下技术方案实现：该指状交叉背电极单晶硅太阳电池在聚光应用中的封装结构从下至上依次为铝基板，绝缘耐压导热层，电路基层，太阳电池和玻璃。
绝缘耐压导热层是一层均匀附着在铝基板上的氮化铝层，氮化铝的绝缘和散热性能良好，能够将太阳电池片工作时所产生的热量快速传递散发，使太阳电池保持高的转换效率，同时达到光伏组件耐压的要求，保证安全问题。
电路基层是电镀在绝缘耐压导热层上的金属铜层，其线路按指状交叉且互不相连的反对称形式排布，在其首尾焊接有旁路二极管。太阳电池的背电极的线路与金属铜层的线路一致，两者对应重合焊接成一体。铜的导热率较高，电阻较小，是良好的导体。旁路二极管防止出现“热斑效应”。
玻璃由高透明的硅凝胶粘结在最上层，防止工作电路被氧化和污染，延长其工作寿命。
附图说明
图1是本发明的实施例的结构示意图。
图中，1.铝基板，2.绝缘耐压导热层，3.电路基层，4.太阳电池，5.玻璃，6.硅凝胶层，7.旁路二极管
具体实施方式
铝基板1也可以由铜基板代替。
绝缘耐压导热层2可采用氮化铝，三氧化二铝或其它导热绝缘材料。
铝基板1的厚度为1.0～3mm；绝缘耐压导热层2的厚度为0.1～0.2mm；电路基层3的厚度为0.03～0.1mm；太阳电池4的厚度为0.2mm；玻璃5的厚度为0.1～3.2mm；硅凝胶层6的厚度为0.05～0.2mm。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，但并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内所作之各种更动与润饰，亦属本发明之范围。因此，本发明之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。
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