直流灭弧电路及装置
阅读：23发布：2023-03-21
专利汇可以提供直流灭弧电路及装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种直流灭弧 电路 及装置特别是一种适合于对机械 开关 等机械触点快速灭弧的直流灭弧电路及装置，其包括功率 半导体 器件、一电容，功率半导体器件与电容连接，机械开关分断过程中，功率半导体器件在机械开关的两端电位差大于5伏特导通；一 电流 通过所述功率半导体器件、负载，用于机械开关分断灭弧，电流为电容的充电电流或放电电流。本发明设计合理，本发明具有成本低，灭弧速度快高的优点。，下面是直流灭弧电路及装置专利的具体信息内容。
1.一种直流灭弧电路，所需灭弧的机械开关与负载串联，其特征是：包括功率半导体器件、一电容，所述功率半导体器件与所述电容连接，所述机械开关分断过程中，一电流通过所述功率半导体器件、所述负载，用于所述机械开关分断灭弧，所述电流为所述电容的充电电流或放电电流。
2.根据权利要求1所述的直流灭弧电路，其特征是：所述功率半导体器件为半控型器件。
3.根据权利要求1所述的直流灭弧电路，其特征是：所述功率半导体器件为单向晶闸管。
4.根据权利要求1所述的直流灭弧电路，其特征是：所述机械开关数量至少为二，分别为第一机械开关、第二机械开关；所述负载数量至少为二，分别为第一负载、第二负载；所述功率半导体器件数量至少为二，分别为第一功率半导体器件、第二功率半导体器件。
5.根据权利要求4所述的直流灭弧电路，其特征是：所述第一机械开关与所述第一负载的连接端，与所述第二机械开关与所述第二负载的连接端，通过所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件相连接。
6.根据权利要求5所述的直流灭弧电路，其特征是：所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件的共同端与所述电容连接。
7.根据权利要求6所述的直流灭弧电路，其特征是：还包括第四半导体开关，所述第四半导体开关与所述电容组成的第二串联电路与所述共同端连接。
8.根据权利要求7所述的直流灭弧电路，其特征是：所述共同端的电压信号用于检测所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件工作状态。
9.根据权利要求7所述的直流灭弧电路，其特征是：所述第四半导体开关、所述第一功率半导体器件、所述第二功率半导体器件均为半控型器件。
10.一种包括权利要求1至9任一项所述的直流灭弧电路的直流灭弧装置，其特征是：还包括一控制单元。
直流灭弧电路及装置
[0001] 本申请是申请日为2018年7月18日、申请号为201810791947.7、申请名称为“直流灭弧电路及装置”的分案申请。
技术领域
背景技术
[0003] 目前在新能源汽车、轨道交通、舰船等直流电控系统中，普遍使用接触器（继电器）等机械开关对负载进行接通和分断控制，由于直流电没有零点，其分断电弧大，存在机械开关成本高（高压接触器）、电寿命短的缺点，机械开关的分断电压越大，其电寿命将大幅度降低，如图1所示，为某品牌高压接触器的分断电压（即断弧电压）对应电寿命曲线图。
发明内容
[0004] 本发明的目的在于解决现有直流电控系统中机械开关的电寿命短的问题，提供一种灭弧效果好、降低机械开关分断电压（断弧电压）、灭弧速度快的直流灭弧电路及装置。
[0005] 实现本发明的目的是通过以下技术方案来达到的：一种直流灭弧电路，所需灭弧的机械开关与负载串联，包括功率半导体器件、一电容，所述功率半导体器件与所述电容连接，所述机械开关分断过程中，所述功率半导体器件在所述机械开关的两端电位差大于5伏特导通；一电流通过所述功率半导体器件、所述负载，用于所述机械开关分断灭弧，所述电流为所述电容的充电电流或放电电流。
[0006] 一种直流灭弧电路，所述机械开关分断过程中，所述功率半导体器件在所述机械开关的两端电位差大于5伏特且小于或等于20伏特区间导通；或大于20伏特小于所述机械开关的工作电压区间导通。
[0007] 一种直流灭弧电路，所述功率半导体器件在所述机械开关燃弧后导通。
[0008] 一种直流灭弧电路，所述机械开关分断过程中， 所述功率半导体器件在所述机械开关的触点间开距的击穿电压大于所述机械开关的工作电压时导通。
[0009] 一种包括前面所述的直流灭弧电路的直流灭弧装置，所述功率半导体器件为半控型器件，所述半控型器件的触发极与所述半控型器件的阳极或第二阳极连接，形成一电压检测开关，所述功率半导体器件与所述电容组成第一串联电路，所述第一串联电路与所述机械开关并联。
[0010] 一种直流灭弧装置，还包括第一半导体器件，所述第一半导体器件开启电压大于3伏特，所述半控型器件的触发极通过所述第一半导体器件与所述阳极或所述第二阳极连接。
[0012] 一种直流灭弧装置，还包括第二二极管，所述第二二极管、所述第一半导体器件、所述半控型器件的触发极串联。
[0013] 一种直流灭弧装置，所述电压检测开关的检测端、所述电压检测开关的输出端之间非绝缘隔离。
[0014] 一种直流灭弧装置，所述电压检测开关为一延时半导体开关。
[0015] 一种直流灭弧装置，所述电压检测开关为二端电路。
[0016] 一种直流灭弧装置，还包括一用于对所述电容放电的放电单元，所述放电单元与所述半控型器件并联。
[0017] 一种直流灭弧装置，所述放电单元由第一二极管组成，或由第一限流元件组成，或由第一二极管与第一限流元件串联组成。
[0018] 一种直流灭弧装置，采用绝缘材料封装为一器件。
[0019] 一种直流灭弧装置，与一用于对所述电容放电的放电单元采用绝缘材料封装为一器件。
[0020] 一种包括前面所述的直流灭弧电路的直流灭弧装置，还包括一控制单元，所述控制单元与所述功率半导体器件连接。
[0021] 一种直流灭弧装置，所述控制单元、所述功率半导体器件组成一电压检测开关，所述机械开关与所述负载的连接端的电压信号传递至所述控制单元；所述电容与所述功率半导体器件组成第一串联电路，所述第一串联电路与所述机械开关并联。
[0022] 一种直流灭弧装置，所述机械开关分断过程中，所述控制单元检测到所述机械开关的触点断开，延时控制所述功率半导体器件导通，所述延时大于100微秒。
[0023] 一种直流灭弧装置，所述控制单元对所述电压信号进行A/D采集。
[0024] 一种直流灭弧装置，还包括用于对所述电容放电的放电单元，所述放电单元与所述功率半导体器件并联，所述电容通过所述机械开关、所述放电单元放电，所述电压信号为所述负载的电压。
[0025] 一种直流灭弧装置，所述电压信号为所述负载的电压，或相对于所述功率半导体器件的另一端的电压，或相对于所述机械开关的电源输入端的电压。
[0026] 一种直流灭弧装置，所述功率半导体器件为半控型器件。
[0027] 一种直流灭弧装置，所述机械开关的控制信号传递至所述控制单元，或所述控制单元的控制信号传递至所述机械开关。
[0028] 一种直流灭弧装置，所述控制单元储存有自适应控制程序，利用所述电压信号或所述功率半导体器件的相对于与所述负载连接端的另一端的电压信号的变化，优化灭弧控制参数。
[0029] 一种直流灭弧装置，还包括用于对所述电容放电的放电单元，所述放电单元至少包括一放电开关，所述控制单元的控制信号传递至所述放电开关。
[0030] 一种直流灭弧装置，所述放电开关为第一半导体开关，所述第一半导体开关为半控型器件。
[0031] 一种直流灭弧装置，还包括第一限流元件，所述放电开关与所述第一限流元件串联。
[0032] 一种直流灭弧装置，所述放电开关与所述电容并联，所述机械开关闭合工作过程中，所述控制单元控制所述放电开关、所述功率半导体器件导通，给所述负载供电，然后所述机械开关闭合；所述机械开关分断工作过程中，所述放电开关处于截止状态。
[0033] 一种直流灭弧装置，还包括第四半导体开关，所述第四半导体开关为半控型器件，所述第四半导体开关的控制端与所述控制单元连接，所述电容与所述第四半导体开关组成第二串联电路，所述机械开关的输入电源端通过所述第四半导体开关、所述功率半导体器件、所述负载对所述电容的充电。
[0034] 一种直流灭弧装置，还包括第三二极管，所述电容通过所述放电开关、所述第三二极管放电。
[0035] 一种直流灭弧装置，所述放电开关、所述功率半导体器件均为半控型开关，所述第二串联电路、所述放电开关、所述功率半导体器件连接的共同端的电压信号连接至所述控制单元。
[0036] 一种直流灭弧装置，用于检测所述功率半导体器件的工作状态。
[0037] 一种直流灭弧装置，用于检测所述放电开关的工作状态。
[0038] 一种直流灭弧装置，用于检测所述第四半导体开关的工作状态。
[0039] 一种直流灭弧装置，所述机械开关的控制信号传递至所述控制单元，或所述控制单元的控制信号传递至所述机械开关。
[0040] 一种直流灭弧装置，所述控制单元在所述机械开关分断状态下检测到燃弧时，所述控制单元控制所述功率半导体器件导通。
[0041] 一种直流灭弧装置，所述机械开关数量至少为二，分别为第一机械开关、第二机械开关；所述负载数量至少为二，分别为第一负载、第二负载；所述功率半导体器件数量至少为二，分别为第一功率半导体器件、第二功率半导体器件。
[0042] 一种直流灭弧装置，还包括第四机械开关，所述第四机械开关与所述放电开关、所述第一串联电路串联，所述控制单元的控制信号连接至所述第四机械开关的控制端。
[0043] 一种直流灭弧装置，所述机械开关分断过程中，所述控制单元检测到所述机械开关的触点断开，延时控制所述功率半导体器件导通，所述延时大于100微秒，所述控制单元储存与所述负载的电流相关的参数，或输入与所述负载的电流相关的参数，所述机械开关分断工作过程中，所述负载的电流越大，所述延时的时间越长。
[0044] 一种直流灭弧装置，所述控制单元储存有自适应控制程序，利用所述电压信号或所述功率半导体器件的相对于与所述负载连接端的另一端的电压信号的变化，优化灭弧控制参数。
[0045] 一种直流灭弧电路，如图2所示，所需灭弧的机械开关K1与负载RL1串联，包括功率半导体器件TR1、电容C1，功率半导体器件TR1与电容C1连接，机械开关K1分断过程中，功率半导体器件TR1在机械开关K1的两端电位差大于5伏特导通；电流通过功率半导体器件TR1、负载RL1，用于机械开关K1分断灭弧，电流为电容C1的充电电流（注：当把P1端与负载RL1端连接，电流为电容C1的放电电流）。
[0046] 工作原理：机械开关K1分断过程中，功率半导体器件TR1在机械开关K1的两端电位差大于5伏特时导通；机械开关K1的电源输入端输出的电流通过功率半导体器件TR1、负载RL1对电容C1充电，该电流为电容C1的充电电流，负载RL1的电压快速上升，机械开关K1的触点间电场强度迅速下降，达到机械开关K1分断灭弧的目的（即达到无电弧分断，或燃弧时间极短分断的目的）。注意：图1所示的电容C1的充电电源由机械开关K1的电源输入端提供，具有成本低电路简单的优点，实际应用中也可以采用其它电源作为电容C1的充电电源。
[0047] 当把P1端改为与负载RL1端连接，工作原理为：机械开关K1闭合，控制功率半导体器件TR1导通对电容C1充电（也可以电容预先采用其它电源充满电），机械开关K1分断过程中，功率半导体器件TR1在机械开关K1的两端电位差大于5伏特导通；电流通过功率半导体器件TR1、负载RL1，该电流为电容C1的放电电流，负载RL1的电压快速上升，机械开关K1的触点间电场强度迅速下降，达到机械开关K1分断灭弧的目的（即达到无电弧分断，或燃弧时间极短分断的目的）；本发明设计合理，由于在功率半导体器件TR1在机械开关K1的两端电位差大于5伏特导通时，机械开关K1的触点两端已经存在一定开距，容易快速灭弧，灭弧后或无电弧分断后，电弧不易重燃，本发明具有灭弧效果好、降低机械开关分断电压、灭弧速度快的优点。
附图说明
附图说明
[0048] 图1是背景技术某品牌高压接触器的分断电压对应电寿命曲线图。
[0049] 图2是本发明直流灭弧电路电路原理图。
[0050] 图3是本发明直流灭弧装置实施例一电路原理图。
[0051] 图4是本发明直流灭弧装置实施例二电路原理图。
[0052] 图5是本发明直流灭弧装置的电压检测开关的延时电路图。
[0053] 图6是本发明直流灭弧装置的封装示意图之一。
[0054] 图7是本发明直流灭弧装置的封装示意图之二。
[0055] 图8是本发明直流灭弧装置实施例三电路原理图。
[0056] 图9是本发明直流灭弧装置实施例四电路原理图。
具体实施方式
[0057] 本发明直流灭弧装置的实施例一，如图3所示：一种直流灭弧电路，所需灭弧的机械开关K1与负载RL1串联，包括功率半导体器件TR1（半控型器件，为双向晶闸管）与电容C1，机械开关K1分断过程中，功率半导体器件TR1在机械开关K1的两端电位差大于5伏特导通；电流通过功率半导体器件TR1、负载RL1，用于机械开关K1分断灭弧，电流为电容C1的充电电流。
[0058] 一种直流灭弧装置，包括前面所述的直流灭弧电路，还包括第一半导体器件Z1（稳压二极管），功率半导体器件TR1的触发极通过第一半导体器件Z1与功率半导体器件TR1的第二阳极连接，组成电压检测开关A，功率半导体器件TR1与电容C1串联组成第一串联电路，第一串联电路与机械开关K1并联。
[0059] 工作原理：机械开关K1闭合，电容C1通过机械开关K1、功率半导体器件TR1放电，机械开关K1分断过程中，当机械开关K1的两端的电位差大于电压检测开关A的开启电压（大于5伏特）时，功率半导体器件TR1触发导通，机械开关K1的输入电源端通过功率半导体器件TR1、负载RL1对电容C1快速充电，负载RL1两端电压上升，机械开关K1的触点间电场强度快速下降，达到对机械开关K1快速灭弧的目的。
[0060] 本实施例，电压检测开关A采用双向晶闸管，具有电路简单的优点。
[0061] 本发明灭弧装置的实施例二，如图4所示：一种直流灭弧电路，所需灭弧的机械开关K1与负载RL1串联，包括功率半导体器件SCR1（半控型器件，为单向晶闸管）与电容C1，机械开关K1分断过程中，功率半导体器件SCR1在机械开关K1的两端电位差大于5伏特导通；电流通过功率半导体器件SCR1、负载RL1，用于机械开关K1分断灭弧，电流为电容C1的充电电流。
[0062] 一种直流灭弧装置，包括前面所述的直流灭弧电路，还包括第一半导体器件Z1（稳压二极管）、第二二极管D2、放电单元B，功率半导体器件SCR1的触发极通过第二二极管D2（用于防止反向电压对电路的影响）、第一半导体器件Z1与功率半导体器件SCR1的阳极连接，组成电压检测开关A，用于检测机械开关K1两端的电位差，功率半导体器件SCR1与电容C1串联组成第一串联电路，第一串联电路与机械开关K1并联。
[0063] 放电单元B：与功率半导体器件SCR1并联，由第一二极管D1与第一限流元件R1（电阻）串联组成，根据实际情况也可单独由第一限流元件R1组成，或第一二极管D1组成。
[0064] 工作原理：机械开关K1闭合，电容C1通过机械开关K1、放电单元B放电，机械开关K1分断过程中，当机械开关K1的两端的电位差大于电压检测开关A的开启电压时，功率半导体器件SCR1触发导通，电容C1通过功率半导体器件SCR1、负载RL1快速充电，负载RL1两端电压上升，机械开关K1的触点间电场强度快速下降，达到对机械开关K1快速灭弧的目的。
[0065] 本实施例，电压检测开关A采用单向晶闸管，具有电流上升速率耐受力高、可靠性好的优点，同时采用了放电单元B，当串联第一限流元件R1时具有电流冲击小的优点。
[0066] 以上实施例，电压检测开关A为二端电路，且为半控型开关，由半导体器件组成，具有电路简单、成本低优点。
[0067] 以上实施例一、二，第一半导体器件Z1的开启电压需大于3伏特（要大于系统纹波电压的峰峰值），可以采用瞬态二极管，或触发二极管，或压敏电阻等等同器件，采用晶闸管的开启电压大于5伏特时，第一半导体器件Z1根据使用工况需要选用。
[0068] 机械开关K1分断过程中，功率半导体器件的触发极无需串联电阻限流，可以提高功率半导体器件触发速度，克服电容在功率半导体器件导通前充电，提升电容的容量利用率，以上实施例电压检测开关A的检测端、电压检测开关A的输出端之间非绝缘隔离，具有成本低的优点。
[0069] 实际使用时也可以在电压检测开关A的第一半导体器件Z1采用如图5的延时电路或类似于如图5的延时电路，此时电压检测开关为一延时导通开关，可以保证机械开关K1断开有足够的开距，进行灭弧，防止电弧灭弧后重燃，延时导通开关的延时导通时间最好控制大于100微秒。为方便普及推广使用，有利于标准化、批量化，成为通用器件，对以上实施例可采用绝缘材料封装为一器件，可以采用两端口或三端口形式，放电单元根据情况可以外置（外置时为三端口，其中一端口为电容与功率半导体器件连接的端点），也可以内置，可以采用圆型结构（图6所示），或方形结构（图7所示）。
[0070] 本发明直流灭弧装置的实施例三，如图8所示：一种直流灭弧电路，所需灭弧的机械开关K1与负载RL1串联，包括功率半导体器件SCR1（半控型器件，为单向晶闸管）与电容C1，机械开关K1分断过程中，功率半导体器件SCR1在机械开关K1的两端电位差大于5伏特导通；电流通过功率半导体器件SCR1、负载RL1，用于机械开关K1分断灭弧，电流为电容C1的充电电流。
[0071] 一种直流灭弧装置，包括以上所述的直流灭弧电路，还包括控制单元C、放电单元B，所述控制单元C与功率半导体器件SCR1连接组成电压检测开关A；功率半导体器件SCR1与电容C1串联组成第一串联电路，第一串联电路与机械开关K1并联。
[0072] 电压检测开关A：由控制单元C、功率半导体器件SCR1（为半控型器件，单向晶闸管）组成，功率半导体器件SCR1与电容C1组成第一串联电路，第一串联电路与机械开关K1并联，机械开关K1与负载RL1的连接端的电压信号传递至控制单元C；功率半导体器件SCR1与控制单元C连接；机械开关K1分断过程中，功率半导体器件SCR1导通，机械开关K1的电源输入端通过功率半导体器件SCR1、负载RL1对电容C1充电，J1端口为控制电源端；J2端口为通信口，用于接受控制指令及数据、传送本装置及外部状态信息（如机械开关、负载状态等），J1、 J2根据需要选用。
[0073] 控制单元C：内置可编程器件（微控制器），对负载RL1的电压进行A/D采集，机械开关K1的控制信号传递至控制单元C（根据需要选择），也可以采用机械开关K1的控制信号由控制单元C提供的控制方式（根据需要选择），其储存与负载RL1的电流相关的参数，或输入与负载RL1的电流相关的参数，机械开关K1分断工作过程中，检测到机械开关K1的触点断开，延时控制功率半导体SCR1导通，负载RL1的电流越大，延时的时间越长，延时的时间与负载RL1的电流成正比；机械开关K1分断工作过程中，负载RL1的电流越大，电容C1与负载RL1之间电压差越大，功率半导体器件SCR1导通，用于提高电容C1的充电的电流，提升灭弧效果。
[0074] 放电单元B：与功率半导体器件SCR1并联，电容C1通过机械开关K1、放电单元B放电，其由第一二极管D1与第一限流元件R1串联组成，也可以单独采用第一二极管D1组成，或由第一限流元件R1组成；当功率半导体器件SCR1采用双向晶闸管，放电单元B可根据需要选用。
[0075] 工作原理：机械开关K1闭合，电容C1通过机械开关K1、放电单元B放电（如电容C1原来存储有电荷），机械开关K1分断过程中，控制单元C检测到机械开关K1的触点断开，延时控制功率半导体器件SCR1导通（延时大于100微秒，或同时符合控制单元C设定的电压值，延时的时间值与机械开关K1的分断速度有关），或检测到机械开关K1与负载RL1连接端的电压信号达到设定的电压值时（或同时符合控制单元C设定的时间值，该时间值与机械开关K1的分断速度有关），控制功率半导体器件SCR1导通，电容C1通过功率半导体器件SCR1、负载RL1快速充电，负载RL1两端电压上升，机械开关K1的触点间电场强度快速下降，达到对机械开关K1快速灭弧的目的。
[0076] 本实施例，机械开关K1与负载RL1的连接端的电压信号为负载RL1的电压，也可以为电容C1与负载RL1之间的电位差（即相对于功率半导体器件SCR1的另一端的电压）；机械开关K1的输入电源端上电时，不会存在电容C1上电冲击电流，电压检测开关A采用单向晶闸管，具有电流上升速率耐受力高、可靠性好的优点，同时采用了放电单元B，具有机械开关K1闭合电流冲击小（串联第一限流元件时）的优点，控制单元C储存自适应控制程序，机械开关K1分断过程中，利用机械开关K1与负载RL1连接端的电压信号或相对于功率半导体器件SCR1与负载RL1连接端的另一端（即电容C1与功率半导体器件SCR1连接端）的电压信号的变化，优化灭弧控制参数（即调整控制功率半导体器件导通与机械开关的触点断开的时间差），达到最佳的灭弧效果，控制单元C采用包括一可编程器件，其内置控制程序的智能化单元，可以完成定时、A/D采集、电压比较、逻辑处理等，有利简化电路，可以对负载的不同状况（电压变化），调整控制方式，提高灭弧效果，有效提升机械开关的电寿命，根据燃弧情况及操作次数对机械开关电寿命计算，无需辅助触点，能实时检测到机械开关K1的触点状态（接通状态、断开状态、燃弧状态），并传输相关信息。
[0077] 本发明直流灭弧装置的实施例四，如图9所示：一种直流灭弧电路，所需灭弧的机械开关（K1、K2、K3）与负载（RL1、RL2、RL3）串联，包括功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3半控型器件，为单向晶闸管）与电容C1，机械开关K1分断过程中，功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）在机械开关（K1、K2、K3）的两端电位差大于5伏特导通；电流通过功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）、负载（RL1、RL2、RL3），用于机械开关（K1、K2、K3）分断灭弧，电流为电容C1的充电电流。
[0078] 一种适用于多路机械开关电控系统的直流灭弧装置（即一种直流电弧管理系统），包括以上所述的直流灭弧电路，功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）与电容C1串联组成第一串联电路，第一串联电路与机械开关（K1、K2、K3）并联，还包括控制单元C、放电单元B、第三二极管D3、第四半导体开关SCR4（半控型器件，单向晶闸管，PA与PB之间根据需要可断开，但不推荐，当PA与PB之间断开时，控制单元C要采集PA和PB端点电压）、第四机械开关K4，第四机械开关K4的控制信号由控制单元C提供，控制单元C与功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）连接组成电压检测开关A，第三二极管D3与第四半导体开关SCR4并联，第四半导体开关SCR4的控制端与控制单元C连接，电容C1与第四半导体开关SCR4组成的第二串联电路、放电单元B的第一半导体开关S1（半控型器件，单向晶闸管，放电开关）、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3，半控型器件，单向晶闸管）连接的共同端PB的电压信号连接至控制单元C；机械开关（K1、K2、K3）的输入电源端连接有电池BT，电池BT的负极通过第六机械开关K6（主负接触器）与工作地连接。J1端口为控制电源端；J2端口为通信口，用于接受控制指令及数据、传送本装置及外部状态信息（如机械开关、负载状态等），J1、 J2根据需要选用。
[0079] 电压检测开关A：由控制单元C、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）组成，功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）、第四半导体开关SCR4（根据需要选用）、电容C1组成第一串联电路，第一串联电路与机械开关（K1、K2、K3）并联，机械开关（K1、K2、K3）与负载（RL1、RL2、RL3）的连接端的电压信号传递至控制单元C；功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）与控制单元C连接。
[0080] 控制单元C：内置可编程器件（微控制器），对负载（RL1、RL2、RL3）的电压及共同端PB的电压信号进行A/D采集，机械开关K1的输入电源端的电压信号连接至控制单元C（A/D采集）。机械开关（K1、K2、K3）分断工作过程中，检测到机械开关（K1、K2、K3）的触点断开，延时控制功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）导通，由于与控制单元C连接的机械开关（K1、K2、K3）及负载（RL1、RL2、RL3）电特性未必一致，为达到最佳灭弧效果，控制单元C需储存与负载（RL1、RL2、RL3）的电流相关的参数，或输入与负载（RL1、RL2、RL3）的电流相关的参数。机械开关（K1、K2、K3）分断工作过程中，负载（RL1、RL2、RL3）的电流越大，延时的时间越长，延时的时间与负载（RL1、RL2、RL3）的电流成正比；延时控制的时间参数可以由控制单元C内置的微控制器完成；机械开关（K1、K2、K3、K5、K6）的控制信号传递至控制单元C（提高灭弧准确性，实时性，根据需要选择），也可以采用机械开关（K1、K2、K3、K5、K6）的控制信号由控制单元C提供的控制方式（更有利于对各个机械开关的动作逻辑、灭弧控制逻辑优化控制，根据需要选择）；放电单元B：包括第一限流元件R1（电阻，当第三二极管D3串联有限流元件及负载为非容性负载时，可省略）、第一半导体开关S1（半控型器件，单向晶闸管），第一半导体开关S1为放电开关，控制单元C的控制信号控制第一半导体开关S1导通，电容C1通过第一限流元件R1、第一半导体开关S1、第三二极管D3（当第四半导体开关SCR4采用双向晶闸管时，可根据需要选用）放电。
[0081] 工作原理：机械开关K6闭合，机械开关（K1、K2、K3）的电源输入端上电后（接通电池BT），控制单元C先控制第四机械开关K4闭合，控制单元C提供一脉冲信号触发第一半导体开关S1导通，对电容C1放电，当放电电流小于第一半导体开关S1最小保持导通电流时，第一半导体开关S1自行截止，机械开关（K1、K2、K3）闭合工作过程中，控制单元C提供一脉冲信号触发第一半导体开关S1及功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3，任一）导通，对负载（RL1、RL2、RL3，任一）充（供）电（如对电机控制器，直流变换器等），可有效克服容性负载对机械开关（K1、K2、K3）的电流冲击和闭合电弧，控制单元C通过检测共同端PB点的电压，可得知第一半导体开关S1及功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）是否截止，如截止，则表示机械开关（K1、K2、K3）完成闭合。
[0082] 机械开关（K1、K2、K3）分断过程中，第一半导体开关S1处于截止状态，控制单元C检测到机械开关（K1、K2、K3）的触点断开，延时控制第四半导体开关SCR4、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）导通（延时大于100微秒，可由内置的微控制器完成，或同时符合控制单元C设定的电压值，延时的时间值与对应的机械开关的分断速度有关），或检测到机械开关（K1、K2、K3）与负载（RL1、RL2、RL3）连接端的电压信号达到设定的电压值时（或同时符合控制单元C设定的时间值，该时间值与对应机械开关的分断速度有关），控制第四半导体开关SCR4、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）导通，控制单元C通过检测共同端PB点的电压，可以得知第四半导体开关SCR4、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）是否处于导通状态，机械开关（K1、K2、K3）的输入电源端通过第四半导体开关SCR4、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）、负载（RL1、RL2、RL3）对电容C1快速充电，负载（RL1、RL2、RL3）两端电压上升，机械开关（K1、K2、K3）的触点间电场强度快速下降，达到对机械开关（K1、K2、K3）快速灭弧的目的，控制单元C通过检测共同端PB点的电压，可以通过第四半导体开关SCR4、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）是否处于截止状态，来判断电容C1是否完成充电，为对电容C1下次放电做准备。
[0083] 控制单元C对共同端PB的电压信号进行A/D采集（或高低电平采集），具有以下优点：1、利用单一个端点且无需高分辨率A/D采集就可以快速准确检测出第四半导体开关SCR4、第一半导体开关S1、功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）在导通状态、截止状态（充电或放电是否完成）、击穿状态，保证系统的响应速度和安全性。
[0084] 负载（RL1、RL2、RL3）可以为电机控制器、DC/DC变换器、电机、电阻等负载。
[0085] 以上所述的机械开关（K1、K2、K3）与负载（RL1、RL2、RL3）连接端的电压信号为负载（RL1、RL2、RL3）的电压（当采用控制单元C电压信号进行A/D采集，具有不影响机械开关K1两端的绝缘耐压，机械开关K1常开状态下，无泄漏电流的优点），电压信号也可以为相对于功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）的另一端的电压，或相对于机械开关（K1、K2、K3）的电源输入端的电压。
[0086] 机械开关分断过程中，电压信号变化速度小于控制单元C设定的变化速度时，控制单元C不提供相关的功率半导体器件导通控制信号，防止电容C1充电过慢，功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）很慢截止，影响其它机械开关灭弧的响应速度；当控制单元C存储与负载的残压变化有关参数，有利于提高对机械开关分断检测的准确性，控制单元C储存自适应控制程序，机械开关（K1、K2、K3）分断过程中，利用机械开关（K1、K2、K3、K5）与负载（RL1、RL2、RL3）连接端的电压信号或相对于功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）与负载（RL1、RL2、RL3）连接端的另一端（PB）的电压信号的变化，优化灭弧控制参数（即调整控制功率半导体器件导通与机械开关的触点断开的时间差），达到最佳的灭弧效果。
[0087] 机械开关K1、机械开关K2、机械开关K3分别定义为第一机械开关、第二机械开关、第三机械开关；负载RL1、负载RL2、负载RL3分别定义为第一负载、第二负载、第三负载；
功率半导体器件SCR1、功率半导体器件SCR2、功率半导体器件SCR3，分别定义为第一功率半导体器件、第二功率半导体器件、第三功率半导体器件。
功率半导体器件SCR1、功率半导体器件SCR2、功率半导体器件SCR3，分别定义为第一功率半导体器件、第二功率半导体器件、第三功率半导体器件。
[0088] 多路机械开关灭弧的场合上使用时，在灭弧失败时，控制第六机械开关K6分断；控制单元C检测到异常时（如第一半导体开关击穿或误导通、功率半导体器件击穿或误导通），控制第四机械开关K4分断；除第六机械开关K6、第四机械开关K4外，其余采用本发明直流灭弧装置灭弧的机械开关（K1、K2、K3）可以采用在普通（非高压密封）接触器，可以大幅度降低成本，提高安全性（无漏气风险），特别是应用在汽车等运动并可能出现意外机械冲击（如碰撞、翻车等）的工况下，机械开关（K1、K2、K3）常开状态下可能意外闭合又分断，或开距变小，或机械开关（K1、K2、K3）两端出现冲击电压，这时可能出现燃弧，当控制单元C在机械开关（K1、K2、K3）分断状态下检测到燃弧时，控制单元C控制功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）导通，电容通过功率半导体器件（SCR1、SCR2、SCR3）、负载（RL1、RL2、RL3）形成充电回路，进行灭弧；控制单元C在检测到灭弧失败时，输出一信号，控制机械开关K6分断。
[0089] 本实施例，控制单元采用包括一可编程器件，其内置控制程序的智能化单元，可以对负载（RL1、RL2、RL3）、机械开关（K1、K2、K3）各自的不同状况，调整控制方式，提高灭弧效果，有效提升机械开关的电寿命，完成定时（延时控制功率半导体器件）、A/D采集、电压比较、逻辑处理等，有利简化电路；共用电容、控制单元、放电开关对多路机械开关（各机械开关与各负载组成的串联电路，各串联电路为并联关系）进行灭弧控制、对负载的预充电（或闭合灭弧）和检测（接通状态、断开状态、燃弧状态），根据燃弧情况及操作次数对机械开关电寿命计算，并传输相关信息（故障代码等），有利于提高电控系统的整体安全性，具有更高性价比的特点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、舰船、航空、自动化控制等领域，作为一种具备电弧管理及灭弧职能的直流灭弧装置（直流电弧管理系统）。
[0090] 根据实际工况，电容C1与第四半导体开关也可以多个，可以提升响应速度，并可以采用多脉冲灭弧方式（2个或2个以上电容，分2个或2个以上脉冲对机械开关灭弧），放电单元B也可以采用开关电源。
[0091] 实施例三、四，控制单元C建议采用变压器触发功率半导体器件；控制单元C储存自适应控制程序，控制单元C利用机械开关的分断过程中，机械开关与负载连接端的电压信号的电压变化速率调整功率半导体器件导通与机械开关的触点断开的时间差，变化速率小则意味分断电流大，需加大时间差，使得机械开关的触点间比较大的开距，机械开关断弧能力也强，结合电容充电灭弧，可达到稳定可靠灭弧的目的。
[0092] 以上实施例，电压检测开关的电参数可以参考以下要求选取：1、机械开关的工作电压小于或等于200伏特时，或电容容量较大，可设计为功率半导体器件在机械开关的两端电位差大于5伏特且小于或等于20伏特区间导通（当电容容量足够大时，可适当放低电压值）；
2、机械开关的工作电压大于200伏特时，或电容容量较小，或充电回路內阻较大时，可设计为机械开关分断过程中，机械开关的两端电压大于20伏特且小于机械开关的工作电压区间功率半导体器件导通，因为机械开关分断期间，机械开关的两端电压在0到20伏特区间电压上升速率很高，且推荐小于机械开关的工作电压的1/2为佳，用于获得机械开关较大的开距及较大的充电电流，提高灭弧的可靠性。
2、机械开关的工作电压大于200伏特时，或电容容量较小，或充电回路內阻较大时，可设计为机械开关分断过程中，机械开关的两端电压大于20伏特且小于机械开关的工作电压区间功率半导体器件导通，因为机械开关分断期间，机械开关的两端电压在0到20伏特区间电压上升速率很高，且推荐小于机械开关的工作电压的1/2为佳，用于获得机械开关较大的开距及较大的充电电流，提高灭弧的可靠性。
[0093] 3、功率半导体器件在机械开关燃弧后导通，因为机械开关分断过程中，机械开关燃弧前，机械开关两端的电压变化速率大，机械开关的触点之间开距极小，需要电容的容量大才能稳定灭弧，即无电弧分断，功率半导体器件导通后100微秒内电弧熄灭，如果时间过长，电容容量需极大、灭弧稳定性差。
[0094] 4、机械开关分断过程中， 功率半导体器件在机械开关的触点间开距的击穿电压大于机械开关的工作电压时导通，可通过功率半导体器件延时导通来达到目的，延时可以采用在检测到机械开关的触点断开时由延时电路（如控制单元的微控制器，或电阻电容延时电路）完成对功率半导体器件延时控制，或电压检测开关检测到机械开关两端存在较高的电压时导通来解决（即采用高开启电压的电压检测开关），具有有效防止灭弧后电弧重燃，电容的容量要求极小的优点；参数可根据机械开关的分断速度、电容的容量、机械开关的工作电压、负载的特性调整。
[0095] 以上实施例，不超出功率半导体器件电流上升速率承受范围内，尽可能减少充电回路的电感量，提升电容充电电流的上升速率，可减少电容的容量要求，功率半导体器件可采用大于180A每微秒的单向晶闸管（可多个并联使用），利用放电回路的内阻，使得功率半导体器件的工作在安全范围内，提高灭弧速度和灭弧的可靠性。
[0097] 综上所述，本发明具有以下优点：1、由于机械开关的两端形成较大的电位差，功率半导体器件导通，有利于克服电容充电回路内阻的影响，提高电容瞬间充电电流，电容容量要求小，由于电容容量小，具有第一限流元件所需功率小及响应速度快（即充放电速度快，这对多路机械开关的灭弧提升响应速度至关重要，当电容设计为30微法，第一限流元件设计为33欧姆对几十安培至几百安培负载的机械开关灭弧，可以在十毫秒内完成电容充放电整个灭弧过程，按图9所示的技术方案，可在1秒钟内对数十个甚至超百个机械开关完成灭弧）、成本低、体积小、可靠性高的优点，对800伏特，500安培负载，只要几十微法电容，即可满足在几微秒到几十微秒时间内（不能超100微秒）电弧熄灭。
[0098] 2、采用半控型器件（开关）与全控型器件相比具有过载能力大、导通时间短、成本低、电流过零截止不产生分断过电压的优点，经济地解决百安培以上负载的灭弧问题（可采用额定工作电流为25安培单向晶闸管，对几百安培以上电流灭弧）。
[0099] 3、与机械开关并联灭弧方式，方便与机械开关作为一个整体使用，采用电容充电的方式灭弧，能有效克服切除负载过电压现象。
[0100] 4、工作电压波动时，电压检测开关不导通，电压检测开关无温升，电容电寿命长。
[0101] 5、可以对没有控制线圈的手动控制的开关、行程开关等机械开关进行灭弧，适用范围广。
[0102] 6、降低机械开关的分断电压（断弧电压），大幅度提升机械开关电寿命（如图1所示，当机械开关的两端工作电压为600V时，做300A的负载电流分断时，电寿命约为150次，采用机械开关配合本发明直流灭弧装置，机械开关分断的工作过程中，当机械开关的两端电压为90伏特时功率半导体器件导通（即把电压检测开关开启值设计为90V），相当于机械开关分断90V/300A的直流，则机械开关电寿命可以达2万次以上）。
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