专利汇可以提供一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器及制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种用于药物释放的温控型柔性电容 传感器 及制备方法,所述电容传感器包括第一极板、第二极板及位于二者之间的温控型药物释放 水 凝胶 薄膜 ;所述的第一极板和第二极板包括:柔性基底、所述柔性基底上的丝素蛋白薄膜层和所述丝素蛋白薄膜层上的 石墨 烯 电极 层;所述的温控型药物释放水凝胶薄膜为聚N‑异丙基丙烯酰胺温敏薄膜。本 发明 提供一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器,环境 温度 变化时,利用温控型药物释放水凝胶薄膜的可收缩性对药物释放进行调节,进而电容器两极板间距发生变化,体现为电容改变。,下面是一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器及制备方法专利的具体信息内容。
1.一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,包括第一极板、第二极板及位于二者之间的温控型药物释放水凝胶薄膜;所述的第一极板和第二极板包括:柔性基底、所述柔性基底上的丝素蛋白薄膜层和所述丝素蛋白薄膜层上的石墨烯电极层;所述的温控型药物释放水凝胶薄膜为聚N-异丙基丙烯酰胺温敏薄膜。
2.根据权利要求1所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,所述的柔性基底的材料为PET、PI、PVA和PEN中的一种;所述的柔性基底表面的丝素蛋白薄膜层作为绝缘层。
3.根据权利要求1所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,所述的石墨烯电极层为先将CVD石墨烯转移到丝素蛋白薄膜层表面,然后利用反应离子刻蚀石墨烯图案化而成;所述的第一极板有10μm-100μm的小孔。
4.根据权利要求1所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,所述的位于柔性基底上的丝素蛋白薄膜层厚度为200nm-600nm,所述的石墨烯电极层的厚度为
50nm-150nm。
5.根据权利要求1所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,所述的温控型药物释放水凝胶薄膜厚度为5μm-200μm。
6.根据权利要求1所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,所述的聚N-异丙基丙烯酰胺温敏薄膜为药物载体,当温度升高时,借助聚N-异丙基丙烯酰胺凝胶网络收缩而释放药物。
7.根据权利要求1所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,所述的温控型药物释放水凝胶薄膜形成于第二极板的石墨烯电极层表面。
8.根据权利要求1所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器,其特征在于,所述的第一极板、温控型药物释放水凝胶薄膜与第二极板形成的层叠结构的侧面采用PDMS封装。
9.根据权利要求1-8任一所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)制备第一极板和第二极板:在柔性基底表面制备丝素蛋白薄膜层作为绝缘层,将CVD石墨烯转移到丝素蛋白薄膜层表面,然后利用反应离子刻蚀石墨烯图案化得到石墨烯电极层;采用激光钻孔技术在所述的第一极板上钻10μm-100μm的小孔用于药物释放;
(2)采用涂布的方法在第二极板的石墨烯电极层表面涂布聚N-异丙基丙烯酰胺铸膜液形成温控型药物释放水凝胶薄膜;
(3)将第一极板层叠设于所述温控型药物释放水凝胶薄膜上;
所述步骤(1)位于柔性基底上的丝素蛋白薄膜层厚度为200nm-600nm,所述的石墨烯电极层的厚度为50nm-150nm,所述步骤(2)的温控型药物释放水凝胶薄膜厚度为5μm-200μm。
10.根据权利要求9所述的用于药物释放的温控型柔性电容传感器的制备方法,其特征在于,采用PDMS对所述的第一极板、温控型药物释放水凝胶薄膜与第二极板形成的层叠结构的侧面进行封装。
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