传感器及其制造方法
专利汇可以提供传感器及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 传感器 及其制造方法，传感器包括检测区，检测区包括多个检测单元，每个检测单元包括： 基板 ；位于基板一侧的驱动晶体管，驱动晶体管包括源极和漏极，源极和漏极位于基板一侧，且同层设置；位于源极远离基板一侧的感光器件，源极复用为感光器件的下 电极 ，感光器件包括功能层，功能层在基板所在平面的正投影与源极在基板所在平面的正投影相交叠。本发明的传感器将驱动晶体管的源极复用为感光器件的下电极，这样晶体管的源极和感光器件使用同一 块 掩膜板在同一制程中制作即可，相对于再用一个不同的掩膜板来单独制作感光器件的下电极，本发明大大减少了制作步骤，进而降低了制造成本。，下面是传感器及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种传感器，其特征在于，包括检测区，所述检测区包括多个检测单元，每个所述检测单元包括：
基板；
位于所述基板一侧的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述基板一侧，且同层设置；
位于所述源极远离所述基板一侧的感光器件，所述源极复用为所述感光器件的下电极，所述感光器件包括功能层，所述功能层在所述基板所在平面的正投影与所述源极在所述基板所在平面的正投影相交叠。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述感光器件的上电极位于所述功能层远离所述源极一侧，且与公共电极电连接，所述上电极在所述基板所在平面的正投影与所述功能层在所述基板所在平面的正投影相交叠；
每个所述检测单元还包括位于所述上电极远离所述功能层一侧的第一遮光层，所述第一遮光层复用为所述公共电极，所述第一遮光层在所述基板所在平面的正投影位于所述驱动晶体管在所述基板所在平面的正投影之内。
3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述驱动晶体管还包括栅极和金属氧化物半导体层，其中，
所述栅极位于所述基板一侧；
所述金属氧化物半导体层位于所述栅极远离所述基板一侧；
所述漏极和所述源极位于所述金属氧化物半导体层远离所述栅极一侧，并与所述金属氧化物半导体层电连接。
4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述检测区还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一导电薄膜层和第二遮光层，其中，
所述第一绝缘层位于所述基板与所述金属氧化物半导体层之间；
所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层与所述源极和所述漏极之间，所述第二绝缘层与所述金属氧化物半导体层对应位置处形成有第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述金属氧化物半导体层电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述金属氧化物半导体层电连接；
所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层与所述第一遮光层之间，所述第三绝缘层与所述上电极对应位置处形成有第三过孔；
所述第一导电薄膜层与所述第一遮光层同层设置，所述第一导电薄膜层通过所述第三过孔与所述上电极电连接，所述第一遮光层与所述第一导电薄膜层电连接；
所述第二遮光层覆盖所述第一遮光层、所述第一导电薄膜层和所述第三绝缘层。
5.根据权利要求4所述的传感器，其特征在于，还包括非检测区，所述非检测区包括：所述基板，以及在所述基板上依次堆叠的所述栅极连接线、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、连接电极、所述第三绝缘层、第二导电薄膜层和所述第二遮光层；所述栅极连接线与所述栅极同层设置，所述连接电极与所述源极同层设置，所述第二导电薄膜层与所述第一导电薄膜层同层设置；所述栅极连接线与所述栅极电连接；
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述栅极连接线对应位置处贯穿形成有第四过孔，所述连接电极通过所述第四过孔与所述栅极连接线电连接；
所述第三绝缘层与所述连接电极对应位置处形成有第五过孔，所述第二导电薄膜层通过所述第五过孔与所述连接电极电连接；
所述第二遮光层与所述第二导电薄膜层对应位置处形成有第六过孔。
6.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述感光器件为PIN型光电二极管。
7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述功能层包括相对设置的N端电极层和P端电极层，以及位于其之间的本征半导体层；
所述N端电极层位于所述源极远离所述基板一侧，并与所述源极电连接；所述P端电极层与所述上电极电连接。
8.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述金属氧化物半导体为铟镓锌氧化物IGZO。
9.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述第一遮光层的材料包括铝、钼、铝钼合金或铝镍合金。
10.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述金属氧化物半导体层在所述基板所在平面的正投影位于所述栅极在所述基板所在平面的正投影之内。
11.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述上电极的材料为氧化铟锡ITO。
12.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括检测区，所述检测区包括多个检测单元，所述检测单元的制造方法包括：
提供基板；
在所述基板一侧制作驱动晶体管，所述驱动晶体管包括源极和漏极，采用第一掩膜板在所述基板一侧制作所述源极和所述漏极；
在所述源极远离所述基板一侧制作光感光器件，所述源极复用为所述感光器件的下电极，所述感光器件包括功能层；采用第二掩膜板在所述源极远离所述基板一侧制作所述功能层，所述功能层在所述基板所在平面的正投影与所述源极在所述基板所在平面的正投影相交叠。
13.根据权利要求12所述的传感器的制造方法，其特征在于，还包括：
采用第三掩膜板在所述功能层远离所述源极一侧制作所述感光器件的上电极，所述上电极与公共电极电连接，所述上电极在所述基板所在平面的正投影与所述功能层在所述基板所在平面的正投影相交叠；
采用第四掩膜板在所述上电远离所述功能层一侧制作第一遮光层，所述第一遮光层复用为公共电极，所述第一遮光层在所述基板所在平面的正投影位于所述驱动晶体管在所述基板所在平面的正投影之内。
14.根据权利要求13所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述驱动晶体管的制造方法包括：
采用第五掩膜板在所述基板一侧制作栅极；
采用第六掩膜板在所述栅极远离所述基板一侧制作金属氧化物半导体层；
采用第一掩膜板在所述金属氧化物半导体层远离所述栅极一侧制作所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极与所述金属氧化物半导体层电连接。
15.根据权利要求14所述的传感器的制造方法，其特征在于，还包括：
采用第七掩膜板在所述基板和所述金属氧化物半导体层之间制作第一绝缘层；
采用第七掩膜板在所述第一绝缘层与所述源极和所述漏极之间制作第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述金属氧化物半导体层对应位置处形成有第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述金属氧化物半导体层电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述金属氧化物半导体层电连接；
采用第八掩膜板在所述第二绝缘层与所述第一遮光层之间制作第三绝缘层，所述第三绝缘层与所述上电极对应位置处形成有第三过孔；
采用第九掩膜板在所述第三绝缘层远离所述上电极一侧制作第一导电薄膜层，所述第一导电薄膜层与所述第一遮光层电连接，且通过所述第三过孔与所述上电极电连接；
采用第十掩膜板在所述第三绝缘层远离所述上电极一侧制作第二遮光层，所述第二遮光层覆盖所述第一遮光层和所述第一导电薄膜层。
16.根据权利要求15所述的传感器的制造方法，其特征在于，还包括非检测区，所述非检测区包括：所述基板，以及在所述基板上依次堆叠的所述栅极连接线、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、连接电极、所述第三绝缘层、第二导电薄膜层和所述第二遮光层；所述非检测区的制作方法包括：
所述栅极连接线与所述栅极采用所述第五掩膜板同一制程制作；
所述非检测区的第一绝缘层与所述检测区的第一绝缘层采用所述第七掩膜板同一制程制作；
所述非检测区的第二绝缘层和所述检测区的第二绝缘层采用所述第七掩膜板同一制程制作，所述非检测区的第一绝缘层和第二绝缘层与所述栅极连接线对应位置处贯穿形成有第四过孔；
所述连接电极与所述源极采用第一掩膜板同一制程制作，并通过所述第四过孔与所述栅极连接线电连接；
所述非检测区的第三绝缘层与所述检测区的第三绝缘层采用所述第八掩膜板同一制程制作，所述第三绝缘层与所述连接电极对应位置处形成有第五过孔；
所述第二导电薄膜层与所述第一导电薄膜层采用所述第九掩膜板同一制程制作，且通过所述第五过孔与所述连接电极电连接；
所述非检测区的第二遮光层与所述检测区的第二遮光层采用所述第十掩膜板同一制程制作，所述第二遮光层与所述第二导电薄膜层对应位置处形成有第六过孔。
17.根据权利要求13所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述功能层的制造方法包括：
采用所述第二掩膜板在所述源极与所述上电极之间依次制作N端电极层、本征半导体层、以及P端电极层；所述N端电极层与所述源极电连接；所述P端电极层与所述上电极电连接。
传感器及其制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
5′，栅极2′位于基板1′一侧，有源层3′位于栅极2′远离基板1′一侧，源极4′和漏极5′位于有源层3′远离栅极一侧；位于源极4′远离基板1′一侧的下电极6′，下电极6′与源极5′电连接；
位于下电极6′远离源极4′一侧的光电二极管7′；位于光电二极管7′远离下电极6′一侧的上电极8′；位于上电极8′远离光电二极管7′的第一导电薄膜9′和第二导电薄膜10′，第一导电薄膜9′分别与上电极8′和公共电极(图中未示出)电连接，第二导电薄膜10′与漏极5′电连接；位于第一导电薄膜9′和第二导电薄膜10′远离上电极8′一侧的遮光层11′；在基板1′与有源层3′之间设有第一绝缘层12′；在第一绝缘层12′与下电极6′之间设有第二绝缘层13′；
在下电极6′与第一导电薄膜9′之间设有第三绝缘层14′；在第三绝缘层14′与第一导电薄膜
9′之间设有第四绝缘层15′。从图1中可以看出，现有技术的光电二极管7′的下电极6′是单独设置一层的，在制作过程中需要用一个单独的掩膜板来进行光电二极管7′的下电极6′的制作；并且现有技术中的驱动晶体管T′的源极4′与下电极6′位于不同的层，所以驱动晶体管T′的源极4′与光电二极管7′的下电极6′需要在不同的制程中进行制作，即驱动晶体管的源极4′需要一个不同的掩膜板进行制作。需要的掩膜板越多，制作工艺越复杂，步骤越多，因为每制作一个膜层都需要进行一次掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，增加了制作时间、降低了生产效率、增加了制作成本。
图中栅极和有源层的大小和位置关系只是示意性的，其他符合要求的都适用于本实施例。
100工作更灵敏。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种用于飞翼式飞机的全嵌入式大气数据系统 | 2022-06-04 | 1 |
| 全自动充电系统 | 2022-07-25 | 1 |
| 热传感器和温度测量的方法 | 2023-07-04 | 0 |
| 测量紊流流动的燃烧设备 | 2022-09-24 | 1 |
| 智能花箱控制系统及方法 | 2021-01-18 | 1 |
| 一种具有自动暂停功能的激光快速成型机 | 2021-01-02 | 0 |
| 多用途飞机轮速信号模拟系统 | 2023-09-11 | 1 |
| 自身损失小的精度高的总温探头装置 | 2021-10-14 | 1 |
| 一种菌体收集仪 | 2023-01-17 | 0 |
| 一种汽车防侧倾系统 | 2021-04-02 | 1 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
