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一种低杂散X波段上变频器

阅读：445发布：2024-02-21

专利汇可以提供一种低杂散X波段上变频器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种变频器，特别涉及一种低杂散X波段上变频器。本实用新型包括衰减电路、第一混频电路、第一本振放大电路、第一滤波放大电路、第二混频电路、第二本振放大电路、第二滤波放大电路、耦合电路、检测电路、功分电路，输入信号经过衰减电路，同时本振信号通过第一本振放大电路进行放大，以保证第一混频电路的能够正常工作，并输出足够大的一中频信号；同理，第二混频电路能够正常工作并输出足够大的二中频信号，二中频信号经过第二滤波放大电路放大后，通过耦合电路输出一路信号经检测电路进行检测，另一路经过功分电路后输出。本实用新型具有较高的带外抑制能力和较高的增益平坦度，而且本实用新型的结构简单、集成度高、易于实现。，下面是一种低杂散X波段上变频器专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：包括衰减电路(10)，所述衰减电路(10)的输出端连接第一混频电路(20)的第一输入端，所述第一混频电路(20)的第二输入端连接第一本振放大电路(30)的输出端，所述第一混频电路(20)的输出端连接第一滤波放大电路(40)的输入端，所述第一滤波放大电路(40)的输出端连接第二混频电路(50)的第一输入端，所述第二混频电路(50)的第二输入端连接第二本振放大电路(60)的输出端，所述第二混频电路(50)的输出端连接第二滤波放大电路(70)的输入端，所述第二滤波放大电路(70)的输出端连接耦合电路(80)的输入端，所述耦合电路(80)的第一输出端、第二输出端分别连接功分电路(100)的输入端、检测电路(90)的输入端。
2.如权利要求1所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述衰减电路(10)包括第一电容(C1)，所述第一电容(C1)的一端连接输入信号，第一电容(C1)的另一端连接第一电阻(R1)的一端、第二电阻(R2)的一端，所述第二电阻(R2)的另一端连接第三电阻(R3)的一端、第二电容(C2)的一端，所述第一电阻(R1)的另一端、第三电阻(R3)的另一端均接地，所述第二电容(C2)的另一端连接第一混频电路(20)的第一输入端。
3.如权利要求2所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述第一混频电路(20)包括第一混频器，所述第一混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC207S8芯片；所述第一混频器的引脚5连接第二电容(C2)的另一端，第一混频器的引脚2连接第一本振放大电路(30)的输出端，第一混频器的引脚7连接第一滤波放大电路(40)的输入端，第一混频器的引脚1、引脚3、引脚6、引脚8均接地，第一混频器的引脚4悬空放置。
4.如权利要求3所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述第一本振放大电路(30)包括第四电容(C4)，所述第四电容(C4)的一端连接第一混频器的引脚2，第四电容(C4)的另一端分别连接第一电感(L1)的一端、第一单片放大器的输出端，所述第一电感(L1)的另一端分别连接第七电阻(R7)的一端、第七电容(C7)的一端，所述第七电阻(R7)的另一端分别连接第八电容(C8)的一端、第九电容(C9)的一端、第十电容(C10)的一端以及电源，所述第七电容(C7)的另一端、第八电容(C8)的另一端、第九电容(C9)的另一端、第十电容(C10)的另一端均接地，所述第一单片放大器的输入端连接第三十三电容(C33)的一端，所述第三十三电容(C33)的另一端分别连接第五电阻(R5)的一端、第六电阻(R6)的一端，所述第五电阻(R5)的另一端分别连接第三电容(C3)的一端、第四电阻(R4)的一端，所述第三电容(C3)的另一端连接本振信号，所述第四电阻(R4)的另一端、第六电阻(R6)的另一端均接地。
5.如权利要求4所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述第一滤波放大电路(40)包括第五电容(C5)，所述第五电容(C5)的一端连接第一混频器的引脚7，第五电容(C5)的另一端连接第一滤波器的输入端，所述第一滤波器的输出端连接第六电容(C6)的一端，所述第六电容(C6)的另一端连接第二单片放大器的输入端，所述第二单片放大器的输出端分别连接第二电感(L2)的一端、第十五电容(C15)的一端，所述第二电感(L2)的另一端分别连接第十一电容(C11)的一端、第八电阻(R8)的一端，所述第八电阻(R8)的另一端分别连接第十二电容(C12)的一端、第十三电容(C13)的一端、第十四电容(C14)的一端、第十二电阻(R12)的一端以及电源，所述第十一电容(C11)、第十二电容(C12)、第十三电容(C13)、第十四电容(C14)的另一端均接地，所述第十五电容(C15)的另一端分别连接第九电阻(R9)的一端、第十电阻(R10)的一端，所述第十电阻(R10)的另一端分别连接第十一电阻(R11)的一端、第十六电容(C16)的一端，所述第九电阻(R9)的另一端、第十一电阻(R11)的另一端均接地，所述第十六电容(C16)的另一端连接第三单片放大器的输入端，所述第三单片放大器的输出端分别连接第十七电容(C17)的一端、第三电感(L3)的一端，所述第三电感(L3)的另一端连接第十二电阻(R12)的另一端以及第十八电容(C18)的一端，所述第十八电容(C18)的另一端接地，所述第十七电容(C17)的另一端连接第二滤波器的输入端，第二滤波器的输出端连接第十九电容(C19)的一端，所述第十九电容(C19)的另一端连接第二混频电路(50)的第一输入端。
6.如权利要求5所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述第二混频电路(50)包括第二混频器，所述第二混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC553LC3B芯片；
所述第二混频器的引脚5连接第十九电容(C19)的另一端，第二混频器的引脚2连接第二本振放大电路(60)的输出端，第二混频器的引脚8连接第二滤波放大电路(70)的输入端，第二混频器的引脚1、引脚3、引脚4、引脚6、引脚7、引脚9均接地，第二混频器的引脚10、引脚11、引脚12均悬空放置。
7.如权利要求6所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述第二本振放大电路(60)包括第四单片放大器，第四单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；所述第四单片放大器的输入端连接第二十三电阻(R23)的一端、第二十五电阻(R25)的一端，所述第二十三电阻(R23)的另一端连接第二十四电阻(R24)的一端、第三十二电容(C32)的一端，所述第三十二电容(C32)的另一端连接本振信号，所述第二十四电阻(R24)的另一端、第二十五电阻(R25)的另一端均接地，第四单片放大器的电源端连接第三十电容(C30)的一端、第二十六电阻(R26)的一端，第二十六电阻(R26)的另一端连接第三十一电容(C31)的一端以及电源，所述第三十一电容(C31)的另一端、第三十电容(C30)的另一端均接地，第四单片放大器的输出端连接第二混频器的引脚2。
8.如权利要求7所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述第二滤波放大电路(70)包括第三滤波器，所述第三滤波器的输入端连接第二混频器的引脚5，第三滤波器的输出端连接第五单片放大器的输入端，第五单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；所述第五单片放大器的电源端分别连接第十三电阻(R13)的一端、第二十八电容(C28)的一端，所述第十三电阻(R13)的另一端连接第二十九电容(C29)的一端以及电源，所述第二十八电容(C28)的另一端、第二十九电容(C29)的另一端均接地，第五单片放大器的输出端分别连接第十四电阻(R14)的一端、第十六电阻(R16)的一端，所述第十四电阻(R14)的另一端分别连接第十五电阻(R15)的一端以及耦合电路(80)的输入端，所述第十五电阻(R15)的另一端、第十六电阻(R16)的另一端均接地。
9.如权利要求8所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述耦合电路(80)包括第六单片放大器，所述第六单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；第六单片放大器的输入端连接第十四电阻(R14)的另一端，第六单片放大器的电源端分别连接第十七电阻(R17)的一端、第二十六电容(C26)的一端，所述第十七电阻(R17)的另一端连接第二十七电容(C27)的一端以及电源，所述第二十六电容(C26)的另一端、第二十七电容(C27)的另一端均接地，第六单片放大器的输出端连接第二十电容(C20)的一端，所述第二十电容(C20)的另一端分别连接功分电路(100)的输入端、检测电路(90)的输入端。
10.如权利要求9所述的一种低杂散X波段上变频器，其特征在于：所述功分电路(100)包括美国Hittite公司生产的HMC347LP3芯片；所述HMC347LP3芯片的引脚3分别连接3dB电桥的一个输出端以及第二十三电容(C23)的一端，所述3dB电桥的另一个输出端连接第十八电阻(R18)的一端，所述第十八电阻(R18)的另一端接地，3dB电桥的负载端连接检测电路(90)的输入端，3dB电桥的输入端连接第二十电容(C20)的另一端，HMC347LP3芯片的引脚7、引脚14分别连接第二十五电容(C25)的一端、第二十四电容(C24)的一端，所述第二十四电容(C24)的另一端连接第二十二电阻(R22)的一端，HMC347LP3芯片的引脚10、引脚11分别连接第五电感(L5)的一端、第四电感(L4)的一端。

说明书全文

一种低杂散X波段上变频器

技术领域

[0001] 本实用新型涉及一种变频器，特别涉及一种低杂散X波段上变频器。

背景技术

[0002] 在现代移动通信、军事、卫星通信等通信领域中，发射机系统占有着关键的地位，而上变频系统则在整个发射系统中占有着至关重要的地位，由于上变频电路对系统信号产生着严重的影响，因此其对系统指标具有举足轻重的作用。不论是微波通信、雷达、遥控、遥感，还是侦察与电子对抗，以及许多微波测量系统，对变频技术的研究都是必不可少的。所谓的上变频通常来说只是涉及相关频谱信号的搬移，一般不会对其携带的信号进行相关处理。所以说必须要求在进行上变频变换的过程中尽可能的不要对信号其本身的特性来产生影响，因此在噪声、增益平坦度和群时延等方面都有相关的严格的要求。

[0003] 现有技术中的上变频器不能有效地抑制谐波频率干扰和镜像干扰，带外抑制能力较低，因此亟需提出一种具有较高的带外抑制能力、较高的增益平坦度的上变频器。实用新型内容

[0004] 本实用新型为了克服上述现有技术的不足，提供了一种低杂散X波段上变频器，本实用新型具有较高的带外抑制能力和较高的增益平坦度，且本实用新型的结构简单、集成度高、易于实现。

[0005] 为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术措施：

[0006] 一种低杂散X波段上变频器，包括衰减电路，所述衰减电路的输出端连接第一混频电路的第一输入端，所述第一混频电路的第二输入端连接第一本振放大电路的输出端，所述第一混频电路的输出端连接第一滤波放大电路的输入端，所述第一滤波放大电路的输出端连接第二混频电路的第一输入端，所述第二混频电路的第二输入端连接第二本振放大电路的输出端，所述第二混频电路的输出端连接第二滤波放大电路的输入端，所述第二滤波放大电路的输出端连接耦合电路的输入端，所述耦合电路的第一输出端、第二输出端分别连接功分电路的输入端、检测电路的输入端。

[0007] 本实用新型还可以通过以下技术措施进一步实现。

[0008] 优选的，所述衰减电路包括第一电容，所述第一电容的一端连接输入信号，第一电容的另一端连接第一电阻的一端、第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接第三电阻的一端、第二电容的一端，所述第一电阻的另一端、第三电阻的另一端均接地，所述第二电容的另一端连接第一混频电路的第一输入端。

[0009] 优选的，所述第一混频电路包括第一混频器，所述第一混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC207S8芯片；所述第一混频器的引脚5连接第二电容的另一端，第一混频器的引脚2连接第一本振放大电路的输出端，第一混频器的引脚7连接第一滤波放大电路的输入端，第一混频器的引脚1、引脚3、引脚6、引脚8均接地，第一混频器的引脚4悬空放置。

[0010] 优选的，所述第一本振放大电路包括第四电容，所述第四电容的一端连接第一混频器的引脚2，第四电容的另一端分别连接第一电感的一端、第一单片放大器的输出端，所述第一电感的另一端分别连接第七电阻的一端、第七电容的一端，所述第七电阻的另一端分别连接第八电容的一端、第九电容的一端、第十电容的一端以及电源，所述第七电容的另一端、第八电容的另一端、第九电容的另一端、第十电容的另一端均接地，所述第一单片放大器的输入端连接第三十三电容的一端，所述第三十三电容的另一端分别连接第五电阻的一端、第六电阻的一端，所述第五电阻的另一端分别连接第三电容的一端、第四电阻的一端，所述第三电容的另一端连接本振信号，所述第四电阻的另一端、第六电阻的另一端均接地。

[0011] 进一步的，所述第一滤波放大电路包括第五电容，所述第五电容的一端连接第一混频器的引脚7，第五电容的另一端连接第一滤波器的输入端，所述第一滤波器的输出端连接第六电容的一端，所述第六电容的另一端连接第二单片放大器的输入端，所述第二单片放大器的输出端分别连接第二电感的一端、第十五电容的一端，所述第二电感的另一端分别连接第十一电容的一端、第八电阻的一端，所述第八电阻的另一端分别连接第十二电容的一端、第十三电容的一端、第十四电容的一端、第十二电阻的一端以及电源，所述第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容的另一端均接地，所述第十五电容的另一端分别连接第九电阻的一端、第十电阻的一端，所述第十电阻的另一端分别连接第十一电阻的一端、第十六电容的一端，所述第九电阻的另一端、第十一电阻的另一端均接地，所述第十六电容的另一端连接第三单片放大器的输入端，所述第三单片放大器的输出端分别连接第十七电容的一端、第三电感的一端，所述第三电感的另一端连接第十二电阻的另一端以及第十八电容的一端，所述第十八电容的另一端接地，所述第十七电容的另一端连接第二滤波器的输入端，第二滤波器的输出端连接第十九电容的一端，所述第十九电容的另一端连接第二混频电路的第一输入端。

[0012] 进一步的，所述第二混频电路包括第二混频器，所述第二混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC553LC3B芯片；所述第二混频器的引脚5连接第十九电容的另一端，第二混频器的引脚2连接第二本振放大电路的输出端，第二混频器的引脚8连接第二滤波放大电路的输入端，第二混频器的引脚1、引脚3、引脚4、引脚6、引脚7、引脚9均接地，第二混频器的引脚10、引脚11、引脚12均悬空放置。

[0013] 进一步的，所述第二本振放大电路包括第四单片放大器，第四单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；所述第四单片放大器的输入端连接第二十三电阻的一端、第二十五电阻的一端，所述第二十三电阻的另一端连接第二十四电阻的一端、第三十二电容的一端，所述第三十二电容的另一端连接本振信号，所述第二十四电阻的另一端、第二十五电阻的另一端均接地，第四单片放大器的电源端连接第三十电容的一端、第二十六电阻的一端，第二十六电阻的另一端连接第三十一电容的一端以及电源，所述第三十一电容的另一端、第三十电容的另一端均接地，第四单片放大器的输出端连接第二混频器的引脚2。

[0014] 进一步的，所述第二滤波放大电路包括第三滤波器，所述第三滤波器的输入端连接第二混频器的引脚5，第三滤波器的输出端连接第五单片放大器的输入端，第五单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；所述第五单片放大器的电源端分别连接第十三电阻的一端、第二十八电容的一端，所述第十三电阻的另一端连接第二十九电容的一端以及电源，所述第二十八电容的另一端、第二十九电容的另一端均接地，第五单片放大器的输出端分别连接第十四电阻的一端、第十六电阻的一端，所述第十四电阻的另一端分别连接第十五电阻的一端以及耦合电路的输入端，所述第十五电阻的另一端、第十六电阻的另一端均接地。

[0015] 更进一步的，所述耦合电路包括第六单片放大器，所述第六单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；第六单片放大器的输入端连接第十四电阻的另一端，第六单片放大器的电源端分别连接第十七电阻的一端、第二十六电容的一端，所述第十七电阻的另一端连接第二十七电容的一端以及电源，所述第二十六电容的另一端、第二十七电容的另一端均接地，第六单片放大器的输出端连接第二十电容的一端，所述第二十电容的另一端分别连接功分电路的输入端、检测电路的输入端。

[0016] 更进一步的，所述功分电路包括美国Hittite公司生产的HMC347LP3芯片；所述HMC347LP3芯片的引脚3分别连接3dB电桥的一个输出端以及第二十三电容的一端，所述3dB电桥的另一个输出端连接第十八电阻的一端，所述第十八电阻的另一端接地，3dB电桥的负载端连接检测电路的输入端，3dB电桥的输入端连接第二十电容的另一端，HMC347LP3芯片的引脚7、引脚14分别连接第二十五电容的一端、第二十四电容的一端，所述第二十四电容的另一端连接第二十二电阻的一端，HMC347LP3芯片的引脚10、引脚11分别连接第五电感的一端、第四电感的一端。

[0017] 本实用新型的有益效果在于：

[0018] 1)、本实用新型包括衰减电路、第一混频电路、第一本振放大电路、第一滤波放大电路、第二混频电路、第二本振放大电路、第二滤波放大电路、耦合电路、检测电路、功分电路，输入信号经过衰减电路，使有用的信号进入第一混频电路不会被压缩，同时本振信号通过第一本振放大电路进行放大，以保证第一混频电路的能够正常工作，并输出足够大的一中频信号，并具有较好的平坦度；同理，第二混频电路能够正常工作并输出足够大的二中频信号，二中频信号经过第二滤波放大电路放大后，通过耦合电路输出一路信号经检测电路进行检测，可以实时监测输出信号是否正常，另一路经过功分电路后输出，因此本实用新型具有较高的带外抑制能力和较高的增益平坦度，而且本实用新型的结构简单、集成度高、易于实现。

[0019] 值得特别指出的是：本实用新型只保护由上述物理部件以及连接各个物理部件之间的线路所构成的装置或者物理平台，而不涉及其中的软件部分。

[0020] 2)、所述第一混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC207S8芯片；所述第二混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC553LC3B芯片；第四单片放大器、第五单片放大器、第六单片放大器的型号均为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；上述多个特定型号的部件互相配合，实现了本实用新型的最优设计。附图说明

[0021] 图1为本实用新型的电路组成框图；

[0022] 图2为本实用新型的电路原理图。

[0023] 图中的附图标记含义如下：

[0024] 10—衰减电路 20—第一混频电路 30—第一本振放大电路[0025] 40—第一滤波放大电路 50—第二混频电路 60—第二本振放大电路[0026] 70—第二滤波放大电路 80—耦合电路 90—检测电路

[0027] 100—功分电路

具体实施方式

[0028] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

[0029] 如图1所示，一种低杂散X波段上变频器，包括衰减电路10，所述衰减电路10的输出端连接第一混频电路20的第一输入端，所述第一混频电路20的第二输入端连接第一本振放大电路30的输出端，所述第一混频电路20的输出端连接第一滤波放大电路40的输入端，所述第一滤波放大电路40的输出端连接第二混频电路50的第一输入端，所述第二混频电路50的第二输入端连接第二本振放大电路60的输出端，所述第二混频电路50的输出端连接第二滤波放大电路70的输入端，所述第二滤波放大电路70的输出端连接耦合电路80的输入端，所述耦合电路80的第一输出端、第二输出端分别连接功分电路100的输入端、检测电路90的输入端。

[0030] 如图2所示，所述衰减电路10包括第一电容C1，所述第一电容C1的一端连接输入信号，第一电容C1的另一端连接第一电阻R1的一端、第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接第三电阻R3的一端、第二电容C2的一端，所述第一电阻R1的另一端、第三电阻R3的另一端均接地，所述第二电容C2的另一端连接第一混频电路20的第一输入端。

[0031] 如图2所示，所述第一混频电路20包括第一混频器，所述第一混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC207S8芯片；所述第一混频器的引脚5连接第二电容C2的另一端，第一混频器的引脚2连接第一本振放大电路30的输出端，第一混频器的引脚7连接第一滤波放大电路40的输入端，第一混频器的引脚1、引脚3、引脚6、引脚8均接地，第一混频器的引脚4悬空放置。

[0032] 如图2所示，所述第一本振放大电路30包括第四电容C4，所述第四电容C4的一端连接第一混频器的引脚2，第四电容C4的另一端分别连接第一电感L1的一端、第一单片放大器的输出端，所述第一电感L1的另一端分别连接第七电阻R7的一端、第七电容C7的一端，所述第七电阻R7的另一端分别连接第八电容C8的一端、第九电容C9的一端、第十电容C10的一端以及电源，所述第七电容C7的另一端、第八电容C8的另一端、第九电容C9的另一端、第十电容C10的另一端均接地，所述第一单片放大器的输入端连接第三十三电容C33的一端，所述第三十三电容C33的另一端分别连接第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端，所述第五电阻R5的另一端分别连接第三电容C3的一端、第四电阻R4的一端，所述第三电容C3的另一端连接本振信号，所述第四电阻R4的另一端、第六电阻R6的另一端均接地。

[0033] 如图2所示，所述第一滤波放大电路40包括第五电容C5，所述第五电容C5的一端连接第一混频器的引脚7，第五电容C5的另一端连接第一滤波器的输入端，所述第一滤波器的输出端连接第六电容C6的一端，所述第六电容C6的另一端连接第二单片放大器的输入端，所述第二单片放大器的输出端分别连接第二电感L2的一端、第十五电容C15的一端，所述第二电感L2的另一端分别连接第十一电容C11的一端、第八电阻R8的一端，所述第八电阻R8的另一端分别连接第十二电容C12的一端、第十三电容C13的一端、第十四电容C14的一端、第十二电阻R12的一端以及电源，所述第十一电容C11、第十二电容C12、第十三电容C13、第十四电容C14的另一端均接地，所述第十五电容C15的另一端分别连接第九电阻R9的一端、第十电阻R10的一端，所述第十电阻R10的另一端分别连接第十一电阻R11的一端、第十六电容C16的一端，所述第九电阻R9的另一端、第十一电阻R11的另一端均接地，所述第十六电容C16的另一端连接第三单片放大器的输入端，所述第三单片放大器的输出端分别连接第十七电容C17的一端、第三电感L3的一端，所述第三电感L3的另一端连接第十二电阻R12的另一端以及第十八电容C18的一端，所述第十八电容C18的另一端接地，所述第十七电容C17的另一端连接第二滤波器的输入端，第二滤波器的输出端连接第十九电容C19的一端，所述第十九电容C19的另一端连接第二混频电路50的第一输入端。

[0034] 如图2所示，所述第二混频电路50包括第二混频器，所述第二混频器的型号为美国Hittite公司生产的HMC553LC3B芯片；所述第二混频器的引脚5连接第十九电容C19的另一端，第二混频器的引脚2连接第二本振放大电路60的输出端，第二混频器的引脚8连接第二滤波放大电路70的输入端，第二混频器的引脚1、引脚3、引脚4、引脚6、引脚7、引脚9均接地，第二混频器的引脚10、引脚11、引脚12均悬空放置。

[0035] 如图2所示，所述第二本振放大电路60包括第四单片放大器，第四单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；所述第四单片放大器的输入端连接第二十三电阻R23的一端、第二十五电阻R25的一端，所述第二十三电阻R23的另一端连接第二十四电阻R24的一端、第三十二电容C32的一端，所述第三十二电容C32的另一端连接本振信号，所述第二十四电阻R24的另一端、第二十五电阻R25的另一端均接地，第四单片放大器的电源端连接第三十电容C30的一端、第二十六电阻R26的一端，第二十六电阻R26的另一端连接第三十一电容C31的一端以及电源，所述第三十一电容C31的另一端、第三十电容C30的另一端均接地，第四单片放大器的输出端连接第二混频器的引脚2。

[0036] 如图2所示，所述第二滤波放大电路70包括第三滤波器，所述第三滤波器的输入端连接第二混频器的引脚5，第三滤波器的输出端连接第五单片放大器的输入端，第五单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；所述第五单片放大器的电源端分别连接第十三电阻R13的一端、第二十八电容C28的一端，所述第十三电阻R13的另一端连接第二十九电容C29的一端以及电源，所述第二十八电容C28的另一端、第二十九电容C29的另一端均接地，第五单片放大器的输出端分别连接第十四电阻R14的一端、第十六电阻R16的一端，所述第十四电阻R14的另一端分别连接第十五电阻R15的一端以及耦合电路80的输入端，所述第十五电阻R15的另一端、第十六电阻R16的另一端均接地。

[0037] 如图2所示，所述耦合电路80包括第六单片放大器，所述第六单片放大器的型号为美国Hittite公司生产的HMC441LP3芯片；第六单片放大器的输入端连接第十四电阻R14的另一端，第六单片放大器的电源端分别连接第十七电阻R17的一端、第二十六电容C26的一端，所述第十七电阻R17的另一端连接第二十七电容C27的一端以及电源，所述第二十六电容C26的另一端、第二十七电容C27的另一端均接地，第六单片放大器的输出端连接第二十电容C20的一端，所述第二十电容C20的另一端分别连接功分电路100的输入端、检测电路90的输入端。

[0038] 所述功分电路100包括美国Hittite公司生产的HMC347LP3芯片；所述HMC347LP3芯片的引脚3分别连接3dB电桥的一个输出端以及第二十三电容C23的一端，所述3dB电桥的另一个输出端连接第十八电阻R18的一端，所述第十八电阻R18的另一端接地，3dB电桥的负载端连接检测电路90的输入端，3dB电桥的输入端连接第二十电容C20的另一端，HMC347LP3芯片的引脚7、引脚14分别连接第二十五电容C25的一端、第二十四电容C24的一端，所述第二十四电容C24的另一端连接第二十二电阻R22的一端，HMC347LP3芯片的引脚10、引脚11分别连接第五电感L5的一端、第四电感L4的一端。

[0039] 本实用新型在使用时，可以与现有技术中的软件配合来进行使用。下面结合现有技术中的软件对本实用新型的工作原理进行描述，但是必须指出的是：与本实用新型相配合的软件不是本实用新型的创新部分，也不是本实用新型的组成部分。

[0040] 如图1、2所示，射频信号首先经过衰减电路10，通过调整所述衰减电路10的第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3的电阻值大小，使有用的信号进入第一混频电路20不会被压缩，同时，通过调节第一本振放大电路30的第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6的电阻值大小，将外部输入的本振信号放大至足够大，保证了第一混频电路20能够正常工作，所述第一混频电路20输出足够大的一中频信号，并具有较好的平坦度；在第二次混频前，所述第一滤波放大电路40对一中频信号进行滤波放大，对带外信号进行滤除，调节π衰减器第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11的电阻值大小，使得有用信号进入第二混频电路50并且不会被压缩，同时第二本振放大电路60对外面送入的本振信号进行放大，以保证第二混频电路50的能够正常工作并输出足够大的二中频信号，二中频信号通过第二滤波放大电路70，通过调节第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16的阻值，使输出信号达到指标要求；二中频信号通过耦合电路80后，耦合电路80输出一路信号通过检测电路90进行检测，调节第十九电阻R19、第二十电阻R20和第二十一电阻R21的阻值大小，使进入检测电路90的信号在线性检测范围内；另一路经过功分电路100功分成两路，一路直接输出，另一路经过开关控制后输出。

[0041] 本实用新型的故障信息与输入的射频信号和输入的本振信号有关，可以实时监控输出信号是否正常。当输入的射频信号断开时，故障信息输出低电平，输出故障；当输入的本振信号断开时，故障信息输出低电平，输出故障。

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