专利汇可以提供一种雪崩光电二极管及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 雪 崩光电 二极管 及其制造方法,涉及通信领域,能够解决现有雪崩 光电二极管 暗 电流 较大的问题,该 雪崩光电二极管 包括:绝缘体上锗GeOI衬底,本征锗I-Ge吸收层(31),用于吸收光 信号 ,产生光生载流子;第一p型锗 硅 SiGe层(23)、第二p型锗硅SiGe层(24),第一锗硅SiGe层(21)、第二锗硅SiGe层(22),其中,锗硅SiGe层中Si的含量小于等于20%;第一 二 氧 化硅 SiO 2 氧化层(72),第二 二氧化硅 SiO 2 氧化层(73);第一Taper型硅Si 波导 层(11)、第二Taper型硅Si波导层(12);n型重掺杂Si倍增层(13); 阳极 电极 (61)和 阴极 电极(62)。,下面是一种雪崩光电二极管及其制造方法专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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