适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器
专利汇可以提供适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏 电阻 器 ，它是由层片状高分子基PTC芯片、金属 电极 片、弹性金属片和导电连接层组成。本实用新型在于采用叠层法在层片状高分子基PTC芯片的 基础 上有效提高 热敏电阻 器的耐 电压 性能，同时不损害热敏 电阻器 的其它性能，从而达到大功率应用场合的使用要求，且有效实现元件的自动化表面贴装，大大提高生产效率。，下面是适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器专利的具体信息内容。
1.一种适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器，它是由层片状高分子基PTC 芯片(2、3)、金属电极片(4)、导电连接层(6)、上部金属片(1)和下部金属片(5) 组成，其特征在于：上下两个高分子基PTC热敏电阻器叠放在一起，通过导电连接层(6)使 上下两个高分子基PTC热敏电阻器以及上下两片金属片(1、5)实现电气连接。
2.如权利要求1所述的适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器，其特征在 于：叠放在一起通过导电连接层(6)形成电气连接的高分子基PTC热敏电阻器可以是两个或 两个以上。
3.如权利要求1或2所述的适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器，其特 征在于：叠放在一起通过导电连接层(6)形成电气连接的高分子基PTC热敏电阻器是同型号 的。
4.如权利要求1所述的适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器，其特征在 于：导电连接层(6)可以由金属材料制成，也可以由高分子材料和导电材料复合制成。
5.如权利要求4所述的适用于表面贴装技术的大功率高分子基PTC热敏电阻器，其特征在 于：导电连接层(6)的电阻率小于10-2Ω·cm。
技术领域 本实用新型涉及一种用于通信领域的大功率高分子基PTC热敏电阻器。
背景技术 高分子基PTC热敏电阻器已广泛应用于通信、计算机、汽车、工业控制、电子 等众多领域。随着应用领域的迅速发展，对高分子基PTC热敏电阻器的性能要求也越来越高， 在GSM基站、交换中继线、ADSL、SDH接口电路等方面的应用使得提高高分子基PTC热敏电 阻器的耐电压性能、增大其使用功率成为迫切的需要。
发明内容 本实用新型的目的在于提供一种大功率高分子基PTC热敏电阻器，在原有高分 子基PTC热敏电阻器的基础上有效提高其耐电压性能，以满足应用领域对高分子基PTC热敏 电阻器更高的电性能要求。本实用新型在于采用叠层法在原层片状高分子基PTC芯片的基础 上有效提高热敏电阻器的耐电压性能，同时不损害热敏电阻器的其它性能，从而达到大功率 应用场合的使用要求。
本实用新型的目的还在于提供一种可表面贴装的大功率高分子基PTC热敏电阻器，有效 使用自动化贴装技术以大大提高生产效率且有良好的一致性。
本实用新型所提供的高分子基PTC热敏电阻器工作时，电流通过上下两个金属片流过芯 片，当电流过大时，PTC芯片的温度升高，导致热敏电阻器的电阻值迅速增大，从而实现过 流保护的作用。
本实用新型的设计目的可以由以下方法实现：它是由层片状高分子基PTC芯片(2、3)、 金属电极片(4)、弹性金属片(1、5)和导电连接层(6)组成，层片状高分子基PTC芯片(2、 3)与金属电极片(4)通过传统热压工艺进行复合，两个复合完成后的高分子基PTC热敏电 阻器层叠放置，金属电极片(4)之间、金属电极片(4)与弹性金属片(1、5)之间通过导 电连接层(6)形成电气连接。为了实现本实用新型的设计目的，应使两个层片状高分子基 PTC芯片(2、3)配方工艺相同、型号相同。
通过焊接工艺可以形成上述金属电极片(4)之间、金属电极片(4)与弹性金属片(1、 5)之间的导电连接层(6)，从而达到金属电极片(4)之间、金属电极片(4)与弹性金属片 (1、5)之间形成电气连接的目的。所用的焊接工艺为回流焊接工艺，金属电极片(4)之间、 金属电极片(4)与弹性金属片(1、5)之间的导电连接层(6)可以一次形成，也可以多次 形成。为避免高分子基PTC芯片性能受焊接温度影响而劣化，焊接温度应在允许范围内尽可 能低。
还可以通过使用高分子材料如环氧树脂、酚醛树脂等与导电颗粒材料如铜粉、银粉等复 合形成的导电材料制作上述金属电极片(4)之间、金属电极片(4)与弹性金属片(1、5) 之间的导电连接层(6)。为避免影响高分子基PTC热敏电阻器的零功率电阻、动作时间、动 作电流等技术指标，所用的高分子材料与导电颗粒材料复合形成的导电材料电阻率小于10-2 Ω·cm。
层片状高分子基PTC芯片(2、3)可采用已知通用工艺制作。
附图说明 附图中图1为本实用新型的结构示意图。
图2为弹性金属片(1)的外观示意图。
具体实施方式 下面通过具体的实施例并结合附图对本实用新型作进一步详细的描述。
实施例一：结构见附图图1，层片状高分子基PTC芯片(2、3)按美国专利4237441所 公布的组成和方法制作，芯片上下端面与金属电极片(4)热压复合，复合后芯片的室温电阻 值6.0Ω，最大耐压250V。导电连接层(6)采用日本GENMA香港有限公司生产的63-GS155-GK 型焊锡膏，经过回流焊之后形成金属电气连接。导电连接层(6)体积电阻≤2×10-5Ω·cm。 最终形成图1所示样品，室温电阻值12.OΩ，最大耐压达到600V。
实施例二：仍采用实施例一中的芯片，导电连接层(6)采用韩国DAEJOO电子材料有限 公司的DS-0915A型导电胶，150℃/30分钟固化形成，固化过程可在恒温烘箱或其他加热设 备中完成。导电连接层(6)体积电阻≤2×10-4Ω·cm。最终也形成图1所示样品，室温电阻 值12.0Ω，最大耐压达到550V。
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