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嵌入部件承载件中的不均匀磁箔

阅读:1025发布:2020-08-15

专利汇可以提供嵌入部件承载件中的不均匀磁箔专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且提供了一种部件承载件(100)以及制造部件承载件(100)的方法,其中,所述部件承载件(100)包括:堆叠体(102),该堆叠体包括多个电绝缘层结构(104)和/或多个导电层结构(106);以及集成在堆叠体(102)中的不均匀磁箔(108)。,下面是嵌入部件承载件中的不均匀磁箔专利的具体信息内容。

1.一种部件承载件(100),其中,所述部件承载件(100)包括:
堆叠体(102),所述堆叠体包括多个电绝缘层结构(104)和/或多个导电层结构(106);
不均匀磁箔(108),所述不均匀磁箔集成在所述堆叠体(102)中。
2.根据权利要求1所述的部件承载件(100),包括下述特征中的至少一个:
其中,所述不均匀磁箔(108)是经图案化的磁箔(108);
其中,所述不均匀磁箔(108)是能三维地弯折的或经三维地弯折的磁箔(108);
其中,所述不均匀磁箔(108)被构造为由下述组成的组中的一种:单个连续的磁箔结构;以及多个单独的岛状部结构的布置。
3.根据权利要求1或2所述的部件承载件(100),还包括至少一个竖向贯通连接部(110),所述至少一个竖向贯通连接部延伸穿过所述堆叠体(102)的至少一部分并延伸穿过所述磁箔(108),其中,特别地,所述至少一个竖向贯通连接部(110)通过所述电绝缘层结构(104)的材料与所述磁箔(108)在空间上分隔开。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的部件承载件(100),包括下述特征中的至少一个:
其中,所述磁箔(108)包括由下述组成的组中的至少一种:永磁材料、软磁材料以及体材料;
其中,所述磁箔(108)包括由下述组成的组中的一种:聚合物基体和嵌入所述聚合物基体中的磁颗粒,所述磁颗粒特别地为铁氧体颗粒;以及磁性氧化物材料;
其中,所述磁箔(108)布置在所述堆叠体(102)的第一部分(112)与所述堆叠体(102)的第二部分(114)之间;
其中,所述磁箔(108)被构造用于屏蔽电磁辐射(161、163)以防止所述电磁辐射在所述部件承载件(100)内和/或在所述部件承载件(100)与环境之间传播,特别地防止所述电磁辐射在所述堆叠体(102)的横向方向和所述堆叠体(102)的堆叠方向中的至少一个方向上传播;
其中,所述部件承载件(100)包括电感器,特别地嵌入式电感器,其中所述磁箔(108)形成所述电感器的一部分。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的部件承载件(100),包括下述特征中的至少一个:
所述部件承载件(100)还包括安装在所述电绝缘层结构(104)中至少之一和/或所述导电层结构(106)中至少之一上的并且/或者嵌入所述电绝缘层结构中至少之一和/或所述导电层结构中至少之一中的部件(116),其中,所述部件(116)特别地选自由下述组成的组:电子部件、不导电和/或导电的嵌体、热传递单元、导光元件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置、滤波器、集成电路信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器致动器、微机电系统微处理器、电容器、电阻器、电感、累加器、开关、相机、天线、磁性元件、另外的部件承载件(100)以及逻辑芯片;
其中,所述导电层结构(106)中至少之一包括由下述组成的组中的至少一种:、镍、、金、钯和钨,所提及材料中的任一种可选地涂覆有超导材料诸如石墨烯;
其中,所述电绝缘层结构(104)中至少之一包括由下述组成的组中的至少一种:树脂,特别是增强或非增强树脂,例如环氧树脂或双来酰亚胺-三嗪树脂、FR-4、FR-5;氰酸酯;
聚亚苯基衍生物;玻璃;预浸料材料;聚酰亚胺;聚酰胺;液晶聚合物;环氧基积层膜;聚四氟乙烯;陶瓷;以及金属氧化物;
其中,所述部件承载件(100)被成形为板;
其中,所述部件承载件(100)被构造为由印刷电路板基板组成的组中之一;
所述部件承载件(100)被构造为层压型部件承载件(100)。
6.一种制造部件承载件(100)的方法,其中,所述方法包括:
连接具有多个导电层结构(106)和/或多个电绝缘层结构(104)的堆叠体(102);
将磁箔(108)不均匀地集成在所述堆叠体(102)中。
7.根据权利要求6所述的方法,包括下述特征中的至少一个:
其中,通过机械磨削移除所述磁箔(108)的材料来形成不均匀磁箔(108);
其中,通过对磁箔(108)特别是连续的磁箔进行铣削来形成所述不均匀磁箔(108),所述铣削特别地通过深度铣削和接触铣削中的一种来进行;
其中,通过对磁箔(108)特别是连续的磁箔进行激光处理来形成所述不均匀磁箔(108),所述激光处理特别地通过激光钻削进行。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,所述方法包括通过下述对所述磁箔(108)进行处理:
将所述磁箔(108)的一部分布置在释放结构(120)上或上方;
形成穿过所述磁箔(108)、延伸至少直到所述释放结构(120)的环形通孔;
将所述磁箔(108)的在所述环形通孔内的部分移除。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述方法包括通过由机械切割和激光切割组成的组中的一种来形成所述环形通孔。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法,其中,所述方法包括通过下述对所述磁箔(108)进行处理:
提供第一主体(124)和第二主体(126),所述第一主体和所述第二主体各自包括部件承载件材料;
引导所述磁箔(108)沿着所述主体(124、126)中的一个主体穿过所述主体(124、126)之间的间隙(128)一直到所述主体(128、126)中的另一个主体,从而使所述磁箔(108)三维地弯折。
11.根据权利要求10所述的方法,包括下述特征中的至少一个:
其中,所述磁箔(108)被引导成从所述第一主体(124)的上部主表面(130)起、经由所述间隙(128)到达所述第二主体(126)的下部主表面(132),使得所述磁箔(108)的中央部分(134)在所述间隙(128)中相对于所述主表面(130、132)倾斜;
其中,所述第一主体(124)和所述第二主体(126)各自形成有两个配合的表面轮廓部(136、138)中的相应的一个表面轮廓部,并且其中,所述磁箔(108)被引导成沿着两个表面轮廓部(136、138)的至少一部分,以便被三维地弯折;
其中,所述第一主体(124)和所述第二主体(126)在被组装时一起形成所述堆叠体(102)的至少一部分。
12.根据权利要求6至11中任一项所述的方法,其中,所述方法还包括:形成至少一个导电贯通连接部(110),所述至少一个导电贯通连接部延伸穿过所述堆叠体(102)的至少一部分并延伸穿过所述磁箔(108),其中,特别地,所述贯通连接部(110)相对于所述磁箔(108)横向地间隔开,从而与所述磁箔(108)电解耦。
13.根据权利要求6至12中任一项所述的方法,其中,所述方法还包括:将所述磁箔(108)层压在所述堆叠体(102)的第一部分(112)上;以及随后将所述堆叠体(102)的第二部分(114)层压在所述堆叠体(102)的所述第一部分和所述磁箔(108)上。
14.根据权利要求6至13中任一项所述的方法,其中,所述方法还包括:
将所述磁箔(108)连接在所述层结构(106、104)中的至少一种层结构上;
随后将所述磁箔(108)的材料中的一部分移除,其中,特别地,移除所述磁箔(108)的材料中的一部分包括将所述磁箔(108)分隔成单独的岛状部。
15.根据权利要求6至14中任一项所述的方法,其中,所述方法包括:在将磁箔(108)集成到所述堆叠体(102)中之前,提供柔性可弯折的磁箔(108)。

说明书全文

嵌入部件承载件中的不均匀磁箔

技术领域

[0001] 本发明涉及一种制造部件承载件的方法,并涉及一种部件承载件。

背景技术

[0002] 在部件承载件——尤其是配备一个或多个电子部件的部件承载件——的产品功能不断增加并且部件承载件日益微型化以及对部件承载件的功能需求不断增长的背景下,越来越多地采用更强大的部件承载件,这种部件承载件具有多个触点或接点,这些触点之间的间隔不断减小。另外,针对电磁干扰(EMI)的有效防护也成为日渐凸显的问题。同时,部件承载件应是机械稳健的且电气可靠的,以便甚至在恶劣条件下也能够运行。此外,用户对部件承载件的扩展功能有要求。

发明内容

[0003] 本发明的目的是提供一种允许高效可靠运行同时实现高度功能性的部件承载件。
[0004] 为了实现上述限定的目的,提供了根据本发明实施方式的一种制造部件承载件的方法以及一种部件承载件。
[0005] 根据本发明的示例实施方式,提供了一种部件承载件,该部件承载件包括多个电绝缘层结构和/或多个导电层结构,以及集成在堆叠体中的不均匀磁箔。
[0006] 根据本发明的另一示例实施方式,提供了一种制造部件承载件的方法,其中,该方法包括连接具有多个导电层结构和/或多个电绝缘层结构的堆叠体,以及将磁箔不均匀地集成(特别地连接,至少在集成的时候)在堆叠体中。
[0007] 在本申请的上下文中,术语“部件承载件”可以具体地指能在其上和/或其中容纳一个或多个部件以提供机械支撑和/或电气连接的任何支撑结构。换言之,部件承载件可以构造为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地,部件承载件可以是印刷电路板、有机插入件和IC(集成电路)基板中的一种。部件承载件还可以是结合了上述类型的部件承载件中的不同部件承载件的混合板。
[0008] 在本申请的上下文中,术语“不均匀磁箔”可以特别地指由偏离纯粹连续的平面形状的磁材料组成或包括这种磁材料的层、膜或片。这种不均匀磁箔可以例如是具有一个或多个内部和/或外部凹部(诸如通孔和/或盲孔)和/或被三维地弯折(即,不完全位于一个平面内)的磁箔。不均匀磁箔可以构成一个共同结构或经连接的一体结构,或者可以由多个单独的不再连接的岛状部(已在初始连续的箔基础上分隔开)构成。
[0009] 在本申请的上下文中,术语“集成在堆叠体中”可以特别地指不均匀磁箔可以部分地或完全地嵌入部件承载件材料的经连接(特别地,经层压)的堆叠体的内部,所述部件承载件材料特别地为PCB(印刷电路板)材料。
[0010] 根据本发明的示例实施方式,磁箔嵌入具有电绝缘层结构(例如包括树脂,可选地结合增强颗粒诸如纤维)和/或导电层结构(例如箔)的堆叠体中,使得磁箔以空间上不均匀的方式布置在对应的堆叠体中和/或上。实现这种嵌入过程具有下述有利效果:磁箔稳固连接在部件承载件材料内并由部件承载件材料保护,从而提供高机械稳定性。同时或协同地,磁箔的不均匀形状允许根据部件承载件中特定的磁功能和/或电功能或电磁辐射屏蔽功能定制磁箔。例如,不均匀磁箔可以至少部分地包围嵌入部件承载件中的发射电磁辐射和/或对电磁辐射敏感的部件,以减少甚至消除有关电磁干扰(EMI)的问题。不均匀磁箔还可以形成电感器的一部分,例如构成与集成在部件承载件中的线圈配合的体芯。因此,不均匀磁箔可以形成嵌入部件承载件中的电感器的一部分。考虑到其他边界条件,诸如需要在不形成寄生导电路径的情况下在部件承载件的内部形成凸出穿过磁箔的竖向互连部,还可以调整磁箔在部件承载件中的不均匀设计。
[0011] 下面将解释方法和部件承载件的其他示例实施方式。
[0012] 在一实施方式中,不均匀磁箔为经图案化的磁箔。有利地可以使用机械磨削技术来进行这种图案化,因为通过对(特别是先前为连续的)磁箔进行机械处理(例如,通过铣削或钻削)来移除箔的部分基本上适合磁箔的任何材料(与基于光刻和蚀刻的图案化相比,光刻和蚀刻例如无法处理磁性氧化物型磁箔或被提供为其中嵌入有磁颗粒例如铁氧体颗粒的聚合物基体的磁箔)。通过图案化,可以移除磁箔的部分,其中,某些应用不期望有磁箔存在。例如,这种没有磁材料的部分在形成了导电竖向连接元件而导电竖向连接元件不应与磁箔接触的情况下可能是有利的。
[0013] 另外地或可替代地,磁箔可以是经三维地弯折的箔。通过将磁箔三维地弯折形成其不均匀性质,可以精确地调整其中磁箔发挥功能的空间区域和/或空间方向。例如,在两个平区段之间具有倾斜或竖向过渡区段的经三维地弯折的磁箔可以允许提供横向电磁辐射屏蔽功能。
[0014] 在一实施方式中,磁箔构造为单个连续的磁箔结构。将磁箔形成为一体连接的结构简化了制造过程期间对磁箔的处理,磁箔可以被简单地视为一。这种性质在嵌入(例如,层压)过程期间也是有利的,因为连接的磁箔不包括多个单独的岛状部,多个单独的岛状部需要单独处理或者容易在空间上移入非预期区域,从而使空间精度劣化。
[0015] 更具体地,可以至少在制造过程的开始将磁箔设置为单个连续的磁箔。在这种实施方式中,磁箔可以作为片与其他层结构(诸如预浸料层和铜箔)——例如所有都具有相同的片尺寸——层压在一起。使用标准PCB技术就可以容易地实现这一点。在将诸如单个连续的磁箔与其他层结构压制在一起后就可以完成图案化。因此,相比于各个小块磁材料嵌入较大预浸料或铜板的方法,可以显著提高配准精度。
[0016] 在另一实施方式中,磁箔在制成的部件承载件中构造为多个单独的岛状部结构的布置。通过采取这种措施,还可以通过磁箔完成非常特殊和/或空间受限的磁任务,而不会限制部件承载件的其他部分的设计自由。特别地,在该实施方式中,非常有利的是首先将连续完整的磁箔与其他层结构嵌合在一起,以形成互连的堆叠体,然后再形成单独的磁性岛状部,以得到高配准精度。
[0017] 在优选实施方式中,磁箔包括聚合物基体和嵌入聚合物基体的磁颗粒,特别地是铁氧体颗粒。可替代地,磁箔包括磁性氧化物(例如,铁氧化物、磁铁等)材料。在聚合物基体和磁颗粒基础上形成的磁箔具有可自由弯曲的显著优点,使得可以自由调节嵌入式磁箔的不均匀性。此外,当对这种嵌入有磁颗粒的聚合物基体进行处理时,例如对对应磁箔进行图案化时,非常有利的是使用机械磨削程序(诸如铣削)或激光过程,因为这种材料不适合进行蚀刻。类似的考虑也适用于磁性氧化物材料。
[0018] 在一实施方式中,部件承载件还包括延伸穿过堆叠体的至少部分和磁箔的至少一个(特别地竖向)贯通连接部。特别地,该(特别地竖向)贯通连接部可以通过电绝缘层结构的材料(诸如树脂,特别地环氧树脂,具有增强颗粒,特别地玻璃纤维,例如预浸料或FR4)与磁箔分隔开。对应地,方法可以包括形成延伸穿过堆叠体的至少部分和磁箔的至少一个导电贯通连接部。有利地,(优选竖向的)贯通连接部可以通过电绝缘层结构中至少之一的材料与磁箔分隔开。在磁箔设置有通孔的情况下,可以引导竖向贯通连接部(诸如铜过孔)穿过该通孔,以完成磁箔上方和下方的导电结构或部件之间的电耦合,而不产生不期望的电路径。因此,嵌入式磁箔的存在可以满足部件承载件中的电边界条件。
[0019] 在一实施方式中,磁箔包括由下述组成的组中的至少一种:永磁材料、软磁材料以及铁氧体材料。永磁材料可以是铁磁材料或亚铁磁材料,并且可以例如在过渡金属(具有部分填充的3d壳层)诸如铁或镍的基础上或者在稀土金属(具有部分填充的4f壳层)的基础上提供。软磁材料可以是可容易再磁化——即,磁滞曲线范围小——的材料。换言之,软磁材料可以是容易磁化和消磁的那些材料。这些材料可以具有小于1000Am-1的固有矫顽磁性。铁氧体可以指由Fe2O3与一种或多种其他金属元素化学结合而构成的陶瓷混合体类型。铁氧体是既不导电且亚铁磁的,因此它们可以被磁铁磁化或吸引。铁氧体可以实施为硬铁氧体或软铁氧体,这取决于应用。
[0020] 在一实施方式中,磁箔的磁材料具有至少为10、特别地至少1000的相对磁导率μr。磁导率可以指衡量材料支持在其内形成磁场的能的测度。因此,其是材料响应于施加的磁场得到的磁化程度。
[0021] 在一实施方式中,磁箔夹在堆叠体的第一部分和堆叠体的第二部分之间。通过采取这种措施,恰当地防止了环境对磁箔的影响。此外,通过将磁箔定位在堆叠体内部而不是其表面上,磁箔可以直接在期望位置发挥其功能,从而有助于部件承载件作为整体的紧凑性。
[0022] 在一实施方式中,磁箔被构造用于屏蔽电磁辐射以防止电磁辐射在部件承载件内或堆叠体内传播(例如从堆叠体的第一部分传播至堆叠体的第二部分)。然而,磁箔还可以被构造用于屏蔽电磁辐射以防止电磁辐射在部件承载件和环境之间传播。这种屏蔽可以包括防止电磁辐射从部件承载件的外部传播至部件承载件的内部,从部件承载件的内部传播至部件承载件的外部,和/或在部件承载件的不同部分之间传播。特别地,可以沿堆叠体的横向方向(即,水平)和/或沿堆叠体的堆叠方向(即,竖向)实现这种屏蔽。在这种实施方式中,磁箔可以用于屏蔽电磁辐射,从而抑制不期望的电磁干扰(EMI)效应,特别是在射频(RF)情况下。例如,部件承载件的布置在堆叠体的第一部分中的嵌入式部件可能是电磁辐射的源,要屏蔽这种电磁辐射,以防止或至少抑制该电磁辐射转播至堆叠体的第二部分(例如对辐射敏感的另一嵌入式部件可能位于此处)。还可能的是,电磁辐射诸如射频辐射传播到堆叠体中,应防止其到达堆叠体中的对辐射敏感的部分(例如嵌入堆叠体中的部件)。
[0023] 在另一实施方式中,部件承载件包括电感器(例如,嵌入式电感器),其中,磁箔形成电感器的一部分(特别地形成电感器的芯的至少一部分)。例如,铁磁芯电感器(诸如铁芯电感器)可以使用由铁磁或亚铁磁材料诸如铁或铁氧体制成的磁芯来提高电感。因此,不均匀磁箔的至少一部分可以形成电感器的磁芯的一部分,例如用于制造变压器等。将磁箔嵌入堆叠体(特别是其内部)还允许形成其中磁箔或其部分形成电感器的芯(例如铁氧体芯)的嵌入式电感器。
[0024] 在一实施方式中,通过机械磨削(例如,通过铣削、钻削、研磨等)或激光切割移除磁箔的材料使磁箔不均匀。非常适合用作不均匀磁箔的若干尤其可弯折的磁箔无法通过蚀刻进行适当的图案化。一个示例是由其中具有磁颗粒(例如铁氧体颗粒)的聚合物基体构成的柔性膜。然而,结果证明这种箔型磁材料也可以通过减去程序适当地图案化(例如,用于形成一个或多个通孔和/或盲孔和/或用于将磁箔分隔成多个单独的磁性岛状部),减去程序是基于对磁箔的机械影响移除其材料。因此,通过机械处理对磁箔进行图案化在调整形状、调整图案化性质以及材料选择方面对于自由设计不均匀磁箔是一种强大的手段。
[0025] 在优选实施方式中,通过对(特别地之前是连续的)磁箔进行铣削来使箔变得不均匀,特别地通过深度铣削和接触铣削中的一种进行所述铣削。
[0026] 在本申请的上下文中,术语“铣削”可以特别地指使用具有一个或多个旋转刀具的铣削工具通过沿与铣削工具的轴线成度的方向推进铣削工具将材料从作为工件的堆叠体移除的机械加工过程。
[0027] 更具体地,术语“深度铣削”可以特别地指通过沿与制造中的部件承载件的主表面垂直的竖向方向控制铣削工具来控制部件承载件或其预成形体的铣削深度的铣削过程。深度铣削可能涉及在竖向或z方向上控制蚀刻深度的控制单元。
[0028] 除此以外,术语“深度铣削”可以特别地指下述铣削过程:可以对铣削工具(特别地旋转刀具)的底部与堆叠体的铣削程序应在其处终止的截止层之间的机械接触进行电检测并且可以根据该电检测控制铣削工具。在这种深度铣削过程中,可以通过设置电路来电检测铣削工具的(特别地导电)尖端接触堆叠体的(特别地导电)截止层(例如堆叠体的在磁箔下方的铜箔)的情况,在铣削工具接触截止层时,电路闭合。因此,指示竖向方向上的铣削程序完成的电信号可以防止不期望的过度铣削并因此允许制造具有高度精确性质的部件承载件。
[0029] 在一实施方式中,通过对(特别地之前连续的)磁箔进行激光处理使箔不均匀,特别地通过激光钻削进行所述激光处理。因此,可以通过高速激光处理对磁箔进行图案化。在一实施方式中,方法包括通过下述过程进行所述处理:将磁箔的一部分布置在释放结构上或上方;形成穿过磁箔延伸至少直到释放结构的环形通孔;以及将磁箔的在环形通孔内的部分移除。该释放层可以是堆叠体的其他部件承载件材料——包括磁箔——不会完全粘附在其上的图案化层结构(例如,由蜡质材料制成或基于铁氟龙制成)。因此,在该释放层上方切割出周向闭合的孔允许在释放层上方取出一块磁箔,从而完成图案化磁箔的形成。
[0030] 在一实施方式中,方法包括通过由机械切割和激光切割组成的组中的一种形成环形通孔。这种过程可以容易地控制,并允许制造设计自由度高的结构化磁箔。
[0031] 在一实施方式中,方法包括通过下述过程处理磁箔:提供包括部件承载件材料的第一主体和(例如横向并置或横向叠置或甚至竖向堆叠的)第二主体(例如第一主体和第二主体分别包括至少一个电绝缘层结构和/或至少一个导电层结构);以及引导磁箔沿着上述主体中的一个主体穿过主体之间的间隙直到上述主体中的另一个主体,从而使磁箔三维地弯折。第一主体和第二主体可以例如是单独的主体,或者可以是共同主体的被间隙(诸如狭缝)界定的部分。在这种实施方式中,可以通过两个配合的部件承载件主体的形状限定三维弯折的形状,沿着这两个配合的部件承载件主体可以精确引导磁箔。在主体之间的间隙处,箔还可以布置成倾斜的或甚至是竖向的,使得甚至可以实现横向的电磁辐射屏蔽。
[0032] 在一实施方式中,引导磁箔从第一主体的上部主表面经由间隙到达第二主体的下部主表面,使得磁箔的中央部分在间隙中相对于(优选平行的)主表面倾斜。这使得可以提供横向屏蔽功能,而不用对将经三维地弯折的磁箔和层结构层压在一起的层压过程进行实质改动。在层压(即,施加压力和/或热)时,在主体的相对主表面上的磁箔部分将与相应层结构层压在一起,而中间倾斜或竖向的磁箔部分同时压制在主体之间。
[0033] 在一实施方式中,第一主体和第二主体各自形成有两个配合的表面轮廓部中的相应的一个表面轮廓部。磁箔可以被引导成沿着两个表面轮廓部,以便被三维地弯折。例如,表面轮廓部可以主体的配合的梯级部。主体的表面轮廓部的形状和尺寸可以设置成使得表面轮廓部可以以形封闭形式彼此连接。描述性来说,主体的表面轮廓部可以形成为类似配合的拼图块。通过设置这种配合的表面轮廓部,可以进一步提高将(特别地柔性、弹性和/或可弯折的)磁箔引导成沿着所形成的部件承载件的内部的限定轨线的精度。因此可以提高在部件承载件内实现一个或多个其他磁性功能的自由。
[0034] 在一实施方式中,第一主体和第二主体在被组装时一起形成堆叠体。特别地,在被组装时,第一主体和第二主体可以改变,以形成板状结构。当单个来看时,第一主体和第二主体也可以各自形成板状结构,或者形成具有配合的表面轮廓部的结构,这种具有配合的表面轮廓部的结构仅在组装时构成板状结构。
[0035] 在一实施方式中,方法还包括将磁箔层压在堆叠体的第一部分上,然后将堆叠体的第二部分层压在堆叠体的第一部分和磁箔上。因此,磁箔可以首先层压在形成堆叠体的一部分的层结构上,优选地为连续的磁箔。然后尚裸露的磁箔可以经过处理(特别地通过机械磨削方法,诸如铣削或激光过程),以使其不均匀,符合期望的磁应用。然后,所得到的结构可以与堆叠体的其他层结构层压在一起,使得磁箔可以嵌入已形成的部件承载件的内部。
[0036] 在一实施方式中,方法还包括将磁箔连接在层结构中的至少一个层结构上,然后移除磁箔的材料的一部分。这种处理顺序使得可以连接大小与构成堆叠体的导电层结构和电绝缘层结构的片相同的片形式的磁箔。例如,片可以具有板尺寸(例如18英寸x12英寸)。当将这种片层压在一起时,不会出现对准或配准问题。通过在之后仅对已层压的磁箔进行图案化,可以在堆叠体上期望的目标位置处形成甚至微小的磁结构,定位精确。通过使用机械磨削方法进行图案化,基本上所有类型的磁材料都可以精确处理。
[0037] 在一实施方式中,将磁箔的材料的一部分移除包括将磁箔分隔成单独的岛状部。因此,磁箔不一定要在最终部件承载件中形成连续结构,而是可以由若干不连续的子结构或岛状部构成,子结构或岛状部可以例如全部位于同一平面。
[0038] 在一实施方式中,该方法包括:在将磁箔集成到堆叠体中之前,提供柔性可弯折的磁箔。这种可弯折箔可以是弹性可弯折的箔和/或塑性可变形的箔。
[0039] 部件承载件可以表面安装或嵌入至少一个部件。该至少一个部件可以选自由以下组成的组:不导电嵌体、导电嵌体(诸如金属嵌体,优选地包括铜或)、热传递单元(例如热管)、导光元件(例如光学波导或光导体连接装置)、电子部件或它们的组合。例如,部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储装置(例如DRAM或另一数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器传感器致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、累加器、开关、相机、天线结构、逻辑芯片、导光件和能量收集单元。然而,可以在部件承载件中嵌入其他部件。例如,可以将磁性元件用作部件。这种磁性元件可以是永磁元件(诸如铁磁元件、反铁磁元件或亚铁磁元件,例如铁氧体耦接结构),或者可以是顺磁性元件。然而,部件还可以是另外的部件承载件,例如板中板构造。部件可以表面安装在部件承载件上以及/或者可以嵌入其内部。此外,其他部件也可以用作部件。
[0040] 在一实施方案中,部件承载件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个导电层结构的堆叠体。例如,部件承载件可以是上述电绝缘层结构和导电结构构成的层压体,特别是通过施加机械压力形成的,如果需要的话所述形成过程受热能支持。上述堆叠体可以提供能够为另外的部件提供大安装表面但仍然非常薄且紧凑的板形部件承载件。术语“层结构”可以具体地表示公共平面内的连续层、图案化层或多个非连续岛状部。
[0041] 在一实施方案中,部件承载件成形为板。这有助于紧凑设计,不过其中所述部件承载件提供用于在其上安装部件的大基底。此外,尤其是作为嵌入式电子部件的示例的裸晶片由于厚度小可以方便地嵌入到薄板诸如印刷电路板中。
[0042] 在一实施方式中,部件承载件被构造成由印刷电路板和基板(特别地IC基板)组成的组中的一个。
[0043] 在本申请的上下文中,术语“印刷电路板”可以特别地指通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构层压在一起形成的部件承载件(其可以是板状的(如,平面的)、三维曲面的(例如当使用3D打印制造时)或者其可以具有任何其他形状),例如通过施加压力进行所述层压,如期望,同时伴随热能供应。作为用于PCB技术的优选材料,导电层结构由铜制成,而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维,所谓的预浸料或FR4材料。通过形成穿过层压体的通孔(例如通过激光钻孔或机械钻孔形成)并且通过利用导电材料(尤其是铜)填充这些通孔从而形成作为通孔连接的过孔,各种导电层结构可以以期望的方式彼此连接。除了可以嵌入印刷电路板中的一个或多个部件,印刷电路板通常被构造成在板状印刷电路板的一个或两个相反表面上容纳一个或多个部件。部件可以通过焊接连接至对应的主表面。PCB的介电部分可以包括具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂。
[0044] 在本申请的上下文中,术语“基板”可以特别地指与待安装在其上的部件(特别地电子部件)具有大致相同的大小的小型部件承载件。更具体地,基板可以理解为用于电气连接或电气网络以及与印刷电路板(PCB)相当的部件承载件,然而具有显著更高密度的横向和/或竖向布置的连接件。横向连接件例如为传导路径,而竖向连接件可以为例如钻孔。这些横向和/或竖向连接件布置在基板内,并可以用于提供尤其是IC芯片的所容置部件或未容置部件(诸如裸晶片)与印刷电路板或中间印刷电路板的电气和/或机械连接。因此,术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以包括具有增强球(诸如玻璃球)的树脂。
[0045] 在一实施方式中,该至少一个电绝缘层结构包含由下述组成的组中的至少一种:树脂(诸如增强或非增强树脂,例如环氧树脂或双来酰亚胺三嗪树脂,更具体地FR-4或FR-5)、氰酸酯、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别地玻璃纤维、多层玻璃、玻璃状材料)、预浸料材料、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物(LCP)、环氧基积层膜、聚四氟乙烯(Teflon)、陶瓷和金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强材料,诸如编织物、纤维或球体。虽然通常优选地是预浸料或FR4,但也可以使用其他材料。对于高频应用,可以在部件承载件中实施高频材料诸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂作为电绝缘层结构。
[0046] 在一实施方式中,该至少一个导电层结构包含由铜、铝、镍、、金、钯和钨组成的组中的至少一种。虽然通常优选的是铜,但其他材料或其涂覆形式也是可以的,特别地用超导电材料诸如石墨烯涂覆。
[0047] 在一实施方式中,部件承载件是层压型主体。在这种实施方式中,部件承载件为通过施加压紧力——如期望还伴随热——堆叠并连接在一起的多层结构的复合体
[0048] 根据下文描述的实施方式的实例将理解本发明的上述方面和其他方面,参考这些实施方式的实例对这些方面进行解释。附图说明
[0049] 图1至图6示出了在制造如图6所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件期间得到的结构的截面图。
[0050] 图7示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件的平面图。
[0051] 图8至图13示出了在制造如图13所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件期间得到的结构的截面图。
[0052] 图14至图19示出了在制造如图19所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件期间得到的结构的截面图。
[0053] 图20示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件的一部分的截面图。
[0054] 图21至图23示出了在制造如图23所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件期间得到的结构的截面图。
[0055] 图24至图26示出了在制造根据本发明的示例实施方式的部件承载件期间得到的结构的截面图。
[0056] 图27示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件的截面图。
[0057] 图28至图31示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件的不同视图。
[0058] 附图中的图示是示意性的。在不同的附图中,类似或相同的元件的附图标记相同。

具体实施方式

[0059] 参考附图,在更详细地描述示例实施方式之前,将总结一些基本考量,基于这些考量展开了本发明的示例实施方式。
[0060] 根据本发明的示例实施方式,在部件承载件中嵌入了一个或多个(尤其是成一体的或连接的,或分隔成单独的岛状部)磁层,使得该一个或多个磁层具有不均匀的形状或结构。
[0061] 已发现磁箔(诸如铁氧体箔、软磁箔、基于纳米晶体磁材料的箔等)具有关于部件承载件尤其是树脂片诸如预浸料材料的适合的粘附性质。同时,这种磁箔甚至符合部件承载件的具有挑战性的可靠性要求。
[0062] 当将这种磁箔嵌入部件承载件材料时,可能需要切除某些结构并将不均匀磁箔定位在板内的正确位置,作为部件承载件诸如印刷电路板(PCB)的预成型体。为了之后找到磁箔或其部分在板内部的正确位置,需要这样做。
[0063] 为了实现这一点,可以限定磁箔在承载件上的位置,随后可以通过减数法对磁箔进行图案化,直到只留下期望的不均匀磁箔结构。
[0064] 例如,对应的制造方法可能涉及下述程序:
[0065] 1.将磁箔与作为电绝缘层结构的预浸料箔和作为导电层结构的铜箔层压在一起,特别地通过施加压力来进行所述层压。
[0066] 2.通过铣削,特别地通过深度铣削、接触铣削或激光铣削,生成不均匀的磁箔结构。在该过程期间,在经铣削的部分中磁箔可以被完全地移除。例如,可以通过铣削在磁箔中形成一个或多个内部通孔,和/或磁箔可以分隔成单独的部分。
[0067] 3.此后,可以在复合体的磁(例如铁氧体)侧上将得到的层结构与另一电绝缘层结构(例如,另一预浸料箔)和另一导电层结构(特别地,另一铜箔)层压在一起,特别地通过施加压力进行所述层压。另外或可替代地,还可以使用RCC(树脂涂覆铜)箔、粘结片等用于该目的。树脂涂覆铜(RCC)箔是用树脂材料例如环氧树脂涂覆的铜箔,因此包括导电铜层和在该导电层上的两个电绝缘树脂层。还可以仅在上述铜层的一个主表面上设置电绝缘树脂层。
[0068] 4.此后,取决于待形成的部件承载件(特别地,印刷电路板)的特性,可以进行另外的部件承载件制造程序(例如,图案化、钻孔、覆、层压等)。
[0069] 在按照本发明的示例实施方式的制造过程处理磁箔期间,可以形成一个或多个基准点、对准标记或配准标记。需要时,可以通过X射线钻孔找到它们,并可以用于进一步的图案化和其他制造过程。在结构填充不足的情况下,可以在第二压制或层压过程后通过蚀刻将铜移除,并再次对复合体进行压制或层压。在要制造非常薄的混合体的实施方式中,可以结合接触铣削来实现一个或多个RCC箔。例如,可以将较厚(例如70μm或更厚)的铜箔与另一较薄(例如小于50μm)的铜箔以及与粘附箔(例如,UV释放粘附箔)结合使用。要强调的是,在这种实施方式中,铣削后,连接的载体层可以保留在磁箔(例如,铁氧体结构)下,其可以在第二层压或压制程序后再移除。另外在这种情况下,随后可以蚀刻铜材料,并重复压制或层压程序(例如,如果上部树脂层不足以用于填充的话)。另外或可替代地,还可以再次施加铜,例如通过沉积过程(例如以化学方式和/或电镀方式或溅射的任何组合)。
[0070] 在另一示例实施方式中,可以在磁箔下方实现埋藏的释放层或结构(例如,由蜡质成分制成或基于特氟龙)。由于这种释放层由具有相对于磁箔的磁材料粘附力刻意较低的材料制成,因此切削出穿过磁箔并一直延伸至释放层的周向通孔允许随后取掉在释放层上方的磁箔块,从而得到图案化的不均匀磁箔。因此,在这种实施方式中,下述过程是足够的:将呈一定圆周状的磁箔(例如,铁氧体结构)铣削掉,并随后将磁箔的该分离块释放并移除。
[0071] 以这种方式形成的相连的不均匀磁箔(例如,铁氧体层)可以用于制造电感或用于制造用来屏蔽部件承载件的传导迹线(特别地,夹层以及横向迹线)之间的干扰电磁信号的屏蔽件。
[0072] 简言之,示例实施方式介绍了对承载件上的磁层进行处理以制造具有嵌入式不均匀磁箔的部件承载件的减数法。利用这种架构,还可以在部件承载件诸如印刷电路板中形成不连续(即分隔的)磁结构。由于所描述的制造方法的实施方式中磁箔首先通过层压与堆叠体连接,然后进行图案化,因此未出现有关各种结构的定位和配准的问题。例如,这允许在部件承载件中嵌入一个或多个磁层以用于屏蔽目的和/或用于制造嵌入式电感器。还可以以高度紧凑的方式制造对应的部件承载件。
[0073] 图1至图6示出了在制造如图6所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件100期间得到的结构的截面图。
[0074] 参照图1,示出了待形成的堆叠体102尚分隔开的组成部分。这些组成部分包括导电层结构106(此处实施为铜箔)、电绝缘层结构104(此处实施为树脂或预浸料箔)以及磁箔108。在所示实施方式中,磁箔108由铁氧体、μ金属制成,或者可以是由其中具有磁颗粒(例如铁氧体颗粒)的非磁性聚合物基体组成的箔。提到的后一种复合箔具有可适当弯折的优点,并具有适合集成在部件承载件100中的性质。例如,为了提供针对高频情况中的电磁辐射的适当屏蔽功能,磁箔108的磁材料可以具有例如50至500、最高达10,000或者甚至100,
000或更高的相对磁导率μr。磁材料可以具有软磁或类似铁氧体的性质。图1中所示的所有层(参见附图标记104、106、108)均可以是板尺寸。
[0075] 为了得到图2所示的结构,图1所示的各个层可以通过层压连接,即,通过施加机械压力和/或热。从而得到由导电层结构106、电绝缘层结构104和磁箔108组成的互连堆叠体102的第一部分112。在将磁箔108集成在堆叠体102中之前,磁箔108在其根据图1的配置中可以是可弯折的。堆叠体102可以是柔性的或刚性的,取决于所采用的材料和/或积聚端厚度。通过层压,电绝缘层结构104的之前至少部分未固化的材料被固化,从而被动地被硬化,使得堆叠体102的第一部分112可以具有一定刚度。在与液晶聚合物(LCP)层或聚酰亚胺层层压在一起的情况下,构造体或堆叠体102被动地保持柔性,并用作柔性PCB。
[0076] 参照图3,使用铣削工具131,堆叠体102的(此处仍连续的)磁表面层以及下面的电绝缘层结构104的一部分经受深度铣削处理。在控制单元诸如处理器(未示出)的控制下,铣削工具131能转动,参见箭头135,并能沿可控(特别地,二维或三维)路径(参见附图标记137)移动。换言之,通过深度铣削对磁箔108进行图案化,从而通过机械磨削移除磁箔108的材料来制造不均匀的磁箔108。
[0077] 磁材料的图案化还可以简单地通过将堆叠体102钻出通孔而不是通过深度铣削来进行,或者与深度铣削结合进行。附图中未示出该过程,但根据图3至图6的考量可以容易地理解,因此未在附图中展示。堆叠体102中的钻孔随后用环氧树脂填充,并将出现与图6类似的情况。经过该过程后,可以用较小直径的钻具(参见附图标记139)精确地在磁材料上经过清除的地方再次对堆叠体102进行钻削。这种通孔可以用电镀铜过程进行镀覆。这种过程可以称为过孔中过孔。
[0078] 所描述的图案化程序可以被实施为使得保持在其内部中和在其横向边缘处具有通孔的一体连接的磁箔108。然而可替代地,还可以通过深度铣削移除部分磁箔108材料,从而将磁箔108分隔成多个单独的岛状部。在两种替代方案中,不存在配准精度的问题,因为磁箔108已与层结构104、106连接成整层,并仅通过随后的图案化变得不均匀。
[0079] 有利地,通过深度铣削对磁箔108进行图案化还可以允许同时形成关于磁箔108的磁材料的一个或多个对准标记(参见图7中附图标记133)。在同一机械磨削过程中限定磁箔108用于磁性任务的图案化部分以及限定这种对准标记133具有下述特殊优点:增加所制造的部件承载件100及其组成部分相对于彼此的位置精度。
[0080] 在另一实施方式中,可以在层结构104、106上层压预打孔的磁箔108,其可能已经包括配准标记。
[0081] 参照图4,示出了完成深度铣削程序后得到的结构。深度铣削程序可以特别地在磁材料对于部件承载件100的功能而言是不期望的区段中将磁材料从磁箔108移除。
[0082] 参照图5,示出了如图4所示的堆叠体102的第一部分112以及堆叠体102的另外第二部分114的组成部分。这些另外的组成部分包括另一导电层结构106(此处实施为铜箔)以及另一电绝缘层结构104(此处实施为树脂或预浸料箔)。
[0083] 参照图6,提到的第二堆叠体114的组成部分层压在堆叠体102的第一部分上,磁箔108位于两者之间。更具体地,该层压程序实施成使得该另一电绝缘层结构104与经图案化的磁箔108以及与第一部分112的电绝缘层结构104的裸露部分连接在一起。可以通过施加机械压力和/或热来完成层压。通过层压,该另一电绝缘层结构104的之前至少部分未固化的材料被固化。
[0084] 该制造过程的结果是,得到了如图6所示的板状层压型部件承载件100(此处实施为印刷电路板,PCB)。部件承载件100包括下述堆叠体102:该堆叠体由多个电绝缘层结构104和多个导电层结构106以及集成在堆叠体102中的图案化的并因此不均匀的磁箔108构成。由于两道层压程序,磁箔108稳固地夹在堆叠体102的下部第一部分112和堆叠体102的上部第二部分114之间。
[0085] 取决于对磁箔108进行的处理,部件承载件100可以具有集成的磁功能,例如,电磁辐射屏蔽功能、电感功能、磁芯功能等。
[0086] 如图6中附图标记139示意性所示,可以形成在部件承载件100的两个相反主表面之间延伸的一个或多个通孔(和/或形成从部件承载件100的两个相反主表面中之一延伸的一个或多个盲孔)。这种通孔(和/或盲孔)可以延伸穿过图案化磁箔108,以与其电解耦。通过使孔139相对于磁箔108横向地间隔开,可以确保可靠的电解耦,使得各个层之间的电接触不会因磁箔108的存在而劣化。然后可以用导电材料(例如通过铜材料,其可以通过镀覆、无电沉积、电镀等进行沉积)至少部分地填充这种通孔和/或盲孔,以提供竖向贯通连接部(参见图20中的附图标记110),以用于将部件承载件100的导电层结构106、嵌入式部件(参见图27中的附图标记116)等互连。提到的孔139可以通过钻削(例如,机械钻削、激光钻削等)形成。
[0087] 图7示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件100的平面图。在根据图7的部件承载件100中,示出了由五个单独的岛状部构成的不均匀磁箔108,即,一个具有若干个孔139的中央电磁辐射屏蔽结构141以及四个磁材料的对准标记133,该四个对准标记形成在部件承载件100的角落区域中,同时由与中央电磁辐射屏蔽结构141相同的磁箔108形成。
[0088] 图8至图13示出了在制造如图13所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件100期间得到的结构的截面图。
[0089] 参照图8,在磁箔108下面布置有RCC箔143(树脂涂覆铜)。RCC箔143由导电层结构106(此处实施为铜箔)构成,该导电层结构在其主表面上已覆盖有树脂层作为电绝缘层结构104。树脂层尚未固化,并将随后在层压期间被固化。
[0090] 为了得到图9所示的结构,通过层压——即,施加压力和/或热——使图8中所示的堆叠体102的组成部分互连,从而使电绝缘层结构104进一步固化。由此,得到图9所示的堆叠体结构102的成一体的第一部分112。
[0091] 参照图10,通过接触铣削对层堆叠体102的第一部分112进行图案化,其中导电层结构106用作铣削程序的截止层。从图10可以看出,设置了电路147,该电路允许仅在导电铣削工具131的尖端接触到导电层结构106时电流流动,这可以通过电检测单元145(诸如电流计或电容电桥)检测到。在信号检测的情况下,可以终止铣削程序,或者可以将铣削工具131升举起,以阻止对导电层结构106进行铣削。从而,可以精确地确保导电层结构106不会因对磁箔108(以及可选地对下面的电绝缘层结构104)的铣削而受损。因此,通过根据图10的铣削程序可以得到高度有利的深度控制。结果,制成的部件承载件100具有精确限定的性质并具有高机械可靠性和电可靠性。
[0092] 图11示出了当完成铣削过程并按照期望的磁应用对磁箔108进行图案化使得磁箔108的不均匀性得以建立时得到的结构。
[0093] 参照图12,示出了如图11所示的堆叠体102的第一部分112以及堆叠体102的第二部分114的组成部分。该组成部分包括由另一导电层结构106(此处实施为铜箔)和另一电绝缘层结构104(此处实施为尚未固化的树脂层)构成的另一RCC(树脂涂覆铜)箔151。
[0094] 参照图13,提到的第二堆叠体114的组成部分层压在堆叠体102的第一部分上,磁箔108在其裸露表面上。更具体地,该层压程序实施成使得该另一电绝缘层结构104与经图案化的磁箔108以及与第一部分112的电绝缘层结构104的裸露部分连接在一起。可以通过施加机械压力和/或热来完成层压。通过层压,该另一电绝缘层结构104的之前至少部分未固化的材料被固化。
[0095] 图14至图19示出了在制造如图19所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件100期间得到的结构的截面图。
[0096] 参照图14,磁箔108布置在释放结构120的若干部分上方,该若干部分夹在底侧上的导电层结构106(例如铜箔)和电绝缘层结构104(例如,树脂箔或预浸料箔)与顶侧上的磁箔108之间。例如,释放结构120可以是具有相对于用附图标记104、108表示的组成部分的材料的不粘附性质的图案化层。这种释放结构120可以是例如蜡质成分(其可以基于硬脂酸)或基于铁氟龙的材料,可以以膏体的形式应用,例如通过丝网印刷。释放结构120可以具有相对于磁箔108和部件承载件材料——特别是铜、环氧树脂、增强玻璃纤维等——的不粘附性质。在进行层压过程之前,结构120和104之间的顺序可以变化。在该情况下,可以将释放结构120(例如,层)施加在铜箔(更一般地,导电层结构106)上,用于激光过程(参见激光切割工具122)的截止层将是导电层结构106。
[0097] 参照图15,参照图14描述的组成部分可以通过层压——即,施加压力和/或热——互连。由此,得到堆叠体102的第一部分112。
[0098] 参照图16,可以通过激光切割工具122形成延伸穿过磁箔108并一直延伸至释放结构120的环形通孔。在顶视图中,每个通孔均包围释放结构120的对应岛状部。如附图标记155所指示的,激光切割工具122可移动,以将释放结构120的相应部分上方的磁箔108块切除。作为对激光切割的替代,可以通过机械切割等形成环形通孔。
[0099] 可以通过将磁箔108的在环形通孔内的以及在释放结构120上方的切除部分移除得到图17所示的结构。由于释放结构120的材料的不粘附性质,因此可以简单地取出这些磁块部分。可以通过超声振动支持释放切掉部分的程序。如期望或如需要,随后可以移除释放结构120的剩余材料,例如通过剥离进行所述移除。通过该程序,得到不均匀的磁箔108。
[0100] 由于根据17得到的结构基本上对应于根据图4得到的结构,因此按照图18的进一步处理可以按照上文参照图5所述的完成,按照图19的进一步处理可以按照上文参照图6所述的完成。根据图19的部件承载件120还可以额外地经受印刷电路板领域技术人员已知的铜结构化和互连处理。
[0101] 图20示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件100的一部分的截面图。根据图20的部件承载件100还包括磁箔108和延伸穿过堆叠体102的竖向贯通连接部110。竖向贯通连接部110通过电绝缘层结构104的材料与磁箔108横向间隔开。在所示实施方式中,竖向贯通连接部110为激光铜过孔。它们被如下形成:首先通过激光处理在堆叠体102中、在磁箔108的相邻岛状部或部分之间切割出孔,然后在形成的孔中填充铜材料(例如,通过镀覆、无电沉积、电镀过程等)。
[0102] 图21至图23示出了在制造如图23所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件100期间得到的结构的截面图。
[0103] 参照图21,设置有第一主体124和第二主体126,且两者并排布置,二者均包括部件承载件材料。在所示实施方式中,第一主体124和第二主体126各自包括嵌入电绝缘层结构104(诸如预浸料材料或FR4)的介电材料中的导电层结构106(诸如铜箔,其中部件116也可以嵌入在那里,参见图27)。除了或替代嵌入式导电层结构106,还可以在相应的第一主体
124和/或第二主体126中嵌入部件(诸如电磁辐射生成部件或电磁辐射敏感部件)。第一主体124和第二主体126通过间隙128横向间隔开。第一主体124和第二主体126的所示布置设置成准备好随后在第一主体124的上部主表面130、间隙128和第二主体126的下部主表面
132之间放置磁箔108。例如,可以通过将芯切割成两块或通过在一体芯(或其他基体)中形成狭缝状凹部作为间隙128来形成第一主体124和第二主体126。
[0104] 参照图22,柔性或可弯折磁箔108被三维地弯折,从而引导108从第一主体124的上部主表面130通过间隙128一直到第二主体126的下部主表面132,从而使磁箔108三维弯折。由此,磁箔108的中央部分134在间隙128中相对于主表面130、132倾斜。磁箔108可以是连续箔,或者可以是已预图案化或预结构化的。
[0105] 参照图23,可以在图22所示的结构顶部和下方放置由未固化材料(例如,树脂或预浸料材料)制成的另外的电绝缘层结构104。随后,可以通过层压——即,施加压力和/或热——使所有提到的组成部分互连。因此,用固化树脂填充腔或间隙128。从而,三维弯折的柔性磁箔108以三维弯折配置固定就位。由此,得到根据图23的部件承载件100。
[0106] 在该实施方式中,经三维弯折的(且可选地图案化的)磁箔108构造成用于屏蔽电磁辐射以防止电磁辐射从堆叠体102的第一部分112传播至堆叠体102的第二部分114,或者防止电磁辐射从堆叠体的第二部分传播至堆叠体的第一部分。如附图标记159所指示的,磁箔108的中央部分134提供对可能从第一主体124(例如,从其导电层结构106和/或嵌入其中的部件116)传播至第二主体126(例如,传播至其导电层结构106和/或嵌入其中的部件116)的电磁辐射161、163的横向屏蔽,和/或提供对可能从第二主体(例如,从其导电层结构和/或嵌入其中的部件)传播至第一主体(例如,传播至其导电层结构和/或嵌入其中的部件)的电磁辐射的横向屏蔽。
[0107] 图24至图26示出了在制造如图26所示的根据本发明的示例实施方式的部件承载件100期间得到的结构的截面图。
[0108] 参照图24,第一主体124和第二主体126是竖向间隔开的,并且各自形成有两个配合的表面轮廓部136、138中的一个相应表面轮廓部,配合的表面轮廓部在此处实施为梯级部。与根据图21至图23的实施方式类似,在本实施方式中,第一主体124和第二主体126也在组装并互连时一起形成堆叠体102。
[0109] 参照图25,磁箔108被引导成沿着主体124、126的两个表面轮廓部136、138,以便被三维地弯折并由此变得不均匀。磁箔108的中央部分134被引导成沿着保持位于经组装的主体124、126之间的空体积159(对应于间隙128)。
[0110] 参照图26,随后通过层压——即,施加压力和/或热——连接根据图25的组成部分。由此,电绝缘层结构104的之前未固化的材料变得固化,并且树脂也流入空体积159,以填充该空体积。如上文参照图23所述的,根据图26的部件承载件100还提供横向屏蔽功能,从而改善部件承载件100的EMI性能。
[0111] 图27示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件100的截面图。根据图27的部件承载件100包括多个嵌入式部件116。例如,部件116可以是用于高频应用的电子芯片,并且可以例如配置为信号处理部件、电压转换器、微处理器、逻辑芯片等。这些和其他类型的部件116可以生成电磁辐射161、163。如果这种电磁辐射161、163传播至对于这种电磁辐射161、163敏感的其他部件116,则可能干扰运行,并降低这种部件116的性能。为了预防这种不期望的影响,在堆叠体102中嵌入了两个图案化的并因此不均匀的磁箔108作为水平层,用以提供层间屏蔽,参见附图标记169。
[0112] 图28至图31示出了根据本发明的示例实施方式的部件承载件100的不同视图。参照图28至图31描述的应用涉及PCB平衡-不平衡转换器(balun,换衡器)上的铁氧体磁珠和扼流圈。铁氧体磁珠或铁氧体扼流圈是抑制电路中的高频噪声的无源电部件。
[0113] 参照图28,示出了图案化的不均匀磁箔108的顶视图,该磁箔具有通孔,铜过孔形式的导电层结构106被引导通过该通孔并连接至铜迹线。图29示出了对应的三维视图。图30示出了示意性示出所述耦合的截面视图。
[0114] 图31示出了对应的装置,该装置具有插头181,插头与线缆183连接,线缆被缠绕并引导通过连接器185(可以例如连接至打印机)。然而,参照图28至图30示意性示出的概念的许多其他应用也是可能的。
[0115] 应注意的是,术语“包括(comprising)”不排除其他元件或步骤,“一(a)”或“一(an)”不排除复数。另外,可以组合与不同实施方式相关地描述的元件。
[0116] 还应注意的是,权利要求中的附图标记不应理解为限制权利要求的范围。
[0117] 本发明的实现不限于附图中示出的和以上描述的优选实施方式。相反,可以有使用根据本发明的所示方案和原理的多种变型,即使是在基本不同的实施方式的情况下。
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