技术领域
[0001] 本
发明涉及芯片生产技术领域,尤其涉及一种
半导体芯片生产方法。
背景技术
[0002] 半导体芯片:在半导体片材上进行浸蚀、布线,制成的能实现某种功能的半导体器件,
硅晶棒是半导体芯片生产中必不可少的东西,硅晶棒在使用前需要进行加工。
[0003]
现有技术中,在对硅晶棒加工时不便于对加工工序的
精度进行控制,导致硅晶棒加工的废品率较高,因此我们提出了一种半导体芯片生产方法,用来解决上述问题。
发明内容
[0004] 本发明的目的是为了解决现有技术中存在硅晶棒加工时不便于对加工工序的精度进行控制,导致硅晶棒加工的废品率较高的缺点,而提出的一种半导体芯片生产方法。
[0005] 为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种半导体芯片生产方法,包括以下步骤:
S1:准备硅晶棒,将硅晶棒的尺寸数据输入电脑,对硅晶棒的加工工序进行模拟,随后根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,加工完成后对硅晶棒进行切片,得到
晶圆;
S2:对晶圆进行涂膜、
光刻显影、蚀刻;
S3:对晶圆中植入离子,生成半导体;
S4:对半导体进行测试,测试完成后进行封装;
S5:检查封装后的产品能否正常工作,通过测试即可制得半导体芯片。
[0006] 优选的,所述S1中,对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案。
[0007] 优选的,所述加工方案包括打磨、切割、
倒角和
研磨方案,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集。
[0008] 优选的,所述加工数据包括打磨设备的控制数据、切割设备的控制数据、倒角设备的控制数据和研磨设备的控制数据,将得到的加工数据分别输入到打磨设备、切割设备、倒角设备和研磨设备的控制终端,控制终端根据接收的数据控制设备运转,完成加工。
[0009] 优选的,所述打磨设备上设有夹具,将硅晶棒放置到打磨设备的
工作台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,控制终端控制打磨设备对硅晶棒的表面进行打磨,在打磨的同时通过
吸尘器对打磨产生的碎屑、灰尘进行收集。
[0010] 优选的,所述切割设备包括驱动机构和切刀,通过驱动机构控制切刀的移动,驱动机构由控制终端控制,将打磨完成后的硅晶棒放置在切割设备的切割台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,然后由驱动机构控制切刀逐渐靠近硅晶棒,完成对硅晶棒进行切片,得到晶圆,切片完成后对晶圆进行倒角、研磨。
[0011] 优选的,所述S4中,通过针测的方式对半导体每个晶粒进行电气特性检测。
[0012] 优选的,所述S3中,从晶圆上暴露的区域开始,放入化学离子
混合液中,对晶圆中植入离子,生成P、N类半导体。
[0013] 优选的,所述S1中,制备硅晶棒的过程如下:将
块状的高纯度复晶硅置于
石英坩锅内,加热到1420-1450°C,使其完全融化,待硅融浆的
温度稳定之后,将晶种慢慢插入其中成长,最终使晶棒与液面完全分离,即得到硅晶棒。
[0014] 优选的,在倒角、研磨后对晶圆进行检测,避免出现棱角、毛刺、崩边、裂缝、边缘污染现象。
[0015] 与现有技术相比,本发明的有益效果在于:(1)本方案通过对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,确保加工方案的准确性;
(2)本方案根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,能够提高硅晶棒的加工精准度;
(3)本发明能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率。
具体实施方式
[0016] 下面对本发明
实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
[0017] 实施例一一种半导体芯片生产方法,包括以下步骤:
S1:制备硅晶棒,制备硅晶棒的过程如下:将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内,加热到1420°C,使其完全融化,待硅融浆的温度稳定之后,将晶种慢慢插入其中成长,最终使晶棒与液面完全分离,即得到硅晶棒,对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,加工方案包括打磨、切割、倒角和研磨方案,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,加工数据包括打磨设备的控制数据、切割设备的控制数据、倒角设备的控制数据和研磨设备的控制数据,将得到的加工数据分别输入到打磨设备、切割设备、倒角设备和研磨设备的控制终端,控制终端根据接收的数据控制设备运转,完成加工,随后根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,加工完成后对硅晶棒进行切片,得到晶圆;
S2:对晶圆进行涂膜、光刻显影、蚀刻;
S3:从晶圆上暴露的区域开始,放入化学离子混合液中,对晶圆中植入离子,生成P、N类半导体;
S4:对半导体进行测试,测试完成后进行封装,通过针测的方式对半导体每个晶粒进行电气特性检测;
S5:检查封装后的产品能否正常工作,通过测试即可制得半导体芯片,通过对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,确保加工方案的准确性,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,能够提高硅晶棒的加工精准度,本发明能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率。
[0018] 本发明中,打磨设备上设有夹具,将硅晶棒放置到打磨设备的工作台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,控制终端控制打磨设备对硅晶棒的表面进行打磨,在打磨的同时通过吸尘器对打磨产生的碎屑、灰尘进行收集,切割设备包括驱动机构和切刀,通过驱动机构控制切刀的移动,驱动机构由控制终端控制,将打磨完成后的硅晶棒放置在切割设备的切割台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,然后由驱动机构控制切刀逐渐靠近硅晶棒,完成对硅晶棒进行切片,得到晶圆,切片完成后对晶圆进行倒角、研磨,在倒角、研磨后对晶圆进行检测,避免出现棱角、毛刺、崩边、裂缝、边缘污染现象,通过对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,确保加工方案的准确性,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,能够提高硅晶棒的加工精准度,本发明能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率。
[0019] 实施例二一种半导体芯片生产方法,包括以下步骤:
S1:制备硅晶棒,制备硅晶棒的过程如下:将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内,加热到1430°C,使其完全融化,待硅融浆的温度稳定之后,将晶种慢慢插入其中成长,最终使晶棒与液面完全分离,即得到硅晶棒,对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,加工方案包括打磨、切割、倒角和研磨方案,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,加工数据包括打磨设备的控制数据、切割设备的控制数据、倒角设备的控制数据和研磨设备的控制数据,将得到的加工数据分别输入到打磨设备、切割设备、倒角设备和研磨设备的控制终端,控制终端根据接收的数据控制设备运转,完成加工,随后根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,加工完成后对硅晶棒进行切片,得到晶圆;
S2:对晶圆进行涂膜、光刻显影、蚀刻;
S3:从晶圆上暴露的区域开始,放入化学离子混合液中,对晶圆中植入离子,生成P、N类半导体;
S4:对半导体进行测试,测试完成后进行封装,通过针测的方式对半导体每个晶粒进行电气特性检测;
S5:检查封装后的产品能否正常工作,通过测试即可制得半导体芯片,通过对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,确保加工方案的准确性,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,能够提高硅晶棒的加工精准度,本发明能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率。
[0020] 本发明中,打磨设备上设有夹具,将硅晶棒放置到打磨设备的工作台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,控制终端控制打磨设备对硅晶棒的表面进行打磨,在打磨的同时通过吸尘器对打磨产生的碎屑、灰尘进行收集,切割设备包括驱动机构和切刀,通过驱动机构控制切刀的移动,驱动机构由控制终端控制,将打磨完成后的硅晶棒放置在切割设备的切割台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,然后由驱动机构控制切刀逐渐靠近硅晶棒,完成对硅晶棒进行切片,得到晶圆,切片完成后对晶圆进行倒角、研磨,在倒角、研磨后对晶圆进行检测,避免出现棱角、毛刺、崩边、裂缝、边缘污染现象,通过对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,确保加工方案的准确性,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,能够提高硅晶棒的加工精准度,本发明能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率。
[0021] 实施例三一种半导体芯片生产方法,包括以下步骤:
S1:制备硅晶棒,制备硅晶棒的过程如下:将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内,加热到1450°C,使其完全融化,待硅融浆的温度稳定之后,将晶种慢慢插入其中成长,最终使晶棒与液面完全分离,即得到硅晶棒,对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,加工方案包括打磨、切割、倒角和研磨方案,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,加工数据包括打磨设备的控制数据、切割设备的控制数据、倒角设备的控制数据和研磨设备的控制数据,将得到的加工数据分别输入到打磨设备、切割设备、倒角设备和研磨设备的控制终端,控制终端根据接收的数据控制设备运转,完成加工,随后根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,加工完成后对硅晶棒进行切片,得到晶圆;
S2:对晶圆进行涂膜、光刻显影、蚀刻;
S3:从晶圆上暴露的区域开始,放入化学离子混合液中,对晶圆中植入离子,生成P、N类半导体;
S4:对半导体进行测试,测试完成后进行封装,通过针测的方式对半导体每个晶粒进行电气特性检测;
S5:检查封装后的产品能否正常工作,通过测试即可制得半导体芯片,通过对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,确保加工方案的准确性,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,能够提高硅晶棒的加工精准度,本发明能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率。
[0022] 本发明中,打磨设备上设有夹具,将硅晶棒放置到打磨设备的工作台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,控制终端控制打磨设备对硅晶棒的表面进行打磨,在打磨的同时通过吸尘器对打磨产生的碎屑、灰尘进行收集,切割设备包括驱动机构和切刀,通过驱动机构控制切刀的移动,驱动机构由控制终端控制,将打磨完成后的硅晶棒放置在切割设备的切割台上,使用夹具对硅晶棒进行固定,然后由驱动机构控制切刀逐渐靠近硅晶棒,完成对硅晶棒进行切片,得到晶圆,切片完成后对晶圆进行倒角、研磨,在倒角、研磨后对晶圆进行检测,避免出现棱角、毛刺、崩边、裂缝、边缘污染现象,通过对需要加工的硅晶棒进行扫描,将扫描的数据上传至电脑,根据上传的硅晶棒的数据与加工后需要的数据进行比对,根据比对的数据偏差设计加工方案,确保加工方案的准确性,根据设计的加工方案在电脑上对加工步骤进行模拟,模拟完成后对将得到的硅晶棒的数据与实际需要的数据进行对比,合格后对加工方案所使用的加工数据进行收集,根据模拟数据操作机器对硅晶棒进行加工,能够提高硅晶棒的加工精准度,本发明能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率。
[0023] 通过实施例一、二、三提出的半导体芯片生产方法,能够有效的提高硅晶棒的加工精度,降低废品率,提高生产效率,且实施例三为最佳实施例。
[0024] 以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉
本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。