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一种高品质光伏晶 硅 电池片的制备方法

阅读：432发布：2020-05-11

专利汇可以提供一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→ 刻蚀 →热氧 →ALD→PE正、背面镀膜 →丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀通过刻蚀槽刻蚀→ 水槽冲洗→ 碱槽中和→水槽冲洗→酸槽除杂→水槽冲洗→烘干→自动化下料→转向升降的刻蚀方法，将传输皮带转向升降距离限定为0.5-1.5mm，并在硅片接触传输皮带后使传输皮带速度由零加速至3-5m/min的工作速度，从而不仅有效有效减小了刻蚀工序中传输皮带与硅片正面的摩擦，减小了硅片的损伤，又不影响硅片正常的生产效率，同时还有效减少了硅片的堵片率和碎片率，提升了硅片的质量品质。，下面是一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→包装入库的方法制备而成，其特征在于：所述刻蚀包括以下步骤：
步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀；
步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；
步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用KOH中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；
步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的KOH；
步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用HF除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；
步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的HF；
步骤七：对步骤六处理过的硅片进行烘干；
步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至工作速度；
步骤九：使步骤八中的传输皮带进行纵向运动一定时间后，转入横向运动，同时使传输皮带转向升降0.5-1.5mm；
步骤十：启动纵向舌头，并收集硅片。
2.根据权利要求1所述的一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤一中所述的HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.2-0.5g，且所述硅片的重量为9-11g。
3.根据权利要求1所述的一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤二、步骤四和步骤六中使用去离子水的形式均为浸没式，且去离子水的循环流量均为50-
60L/min；步骤三中使用KOH的形式为喷淋式，且KOH溶液的质量浓度为4-6％，KOH溶液的喷淋流量为15-25L/min；步骤五中使用HF的形式为浸没式，且HF溶液的质量浓度为10-16％，HF溶液的循环流量为100L/min。
4.根据权利要求1所述的一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤七中选用烘干机对硅片进行烘干，且烘干时间为25-30s，烘干温度为55-65℃。
5.根据权利要求1所述的一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤八中传输皮带的工作速度为3-5m/min。
6.根据权利要求1所述的一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤九中传输皮带纵向运动的速度为1.5-3.5m/min，纵向运动的时间为10-20s；步骤九中传输皮带横向运动的速度为2.5-4.5m/min，横向运动的时间为10-15s。
7.根据权利要求1所述的一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，其特征在于，步骤十中纵向舌头的速度为4-6m/min，时间为5-10s。

说明书全文

一种高品质光伏晶硅 电池片的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及新能源光伏晶硅电池技术领域，更具体的说是涉及一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法。

背景技术

[0002] 随着光伏平价上网的迅速接近，2019年将成为全球太阳能行业的里程碑，广发成本持续下降，给我们创造了巨大机遇，同时对高转化效率的电池片需求旺盛，不断提升电池片的转换效率是光伏行业不断前进的方向和动力，效率每提升0.1％，整个生产线的管控需要提升一个级别，硅片在自动化的传输过程需要更平稳、更清洁。

[0003] 目前单晶PERC效率通过工艺的不断优化、改善，效率不断提升，但效率提升的同时，带来很多品质问题。行业内目前比较严重的品质问题，圆斑、黑点、划伤、雾状污染、断栅、套印污染等一直是比较棘手的问题。尤其圆斑污染，在PERC叠加热氧工序之前，比例很低，可控制在0.05％以内，加上热氧之后，比例升到0.5％，严重影响电池片良率。行业内对于圆斑污染大多停留在制成污染的阶段，比如车间洁净度不达标、制成吹扫污染硅片、刻蚀药液污染、PE粉尘污染，大部分归结到杂质污染片子后，形成复合中心，导致少子在污染处复合严重，导致污染圆斑。

[0004] 经过大量实验排查的数据显示，大部分圆斑是制成中固定位置的皮带摩擦造成的，尤其在叠加热氧工序后。由于热氧工艺是在高温(600℃以上)，镀一层很薄的二氧化硅层(2-3nm)，对刻蚀后扩散面的平整度要求很高。目前行业内刻蚀背抛后都是选择正面接触皮带避免皮带印，正面接触皮带在刻蚀下料自动化转向处升降时就容易造成严重摩擦缺陷，高温热氧后加剧了此处的缺项，形成摩擦性圆斑。目前，行业内常规转向处升降皮带，升降距离均在1cm以上，而且在接触片子之前都是在进行高速度的匀速直线运动。当片子到达升降位置：a.升降在短时间内升高1cm以上需要很高的速度，同时以这个速度碰撞片子(竖直碰撞)，b.升降皮带在接触片子前即以恒定的速度运转，接触皮带后瞬间对片子产生很大的相对摩擦力(水平摩擦)。竖直碰撞和水平摩擦直接造成的硅片正面的损伤，热氧后加剧形成圆斑。

[0005] 因此，提供一种能够有效提高光伏晶硅电池片品质的制备方法是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

[0006] 本发明旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一，提供了一种能够有效提高光伏晶硅电池片品质的光伏晶硅电池片制备方法。

[0007] 为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

[0008] 一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0009] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀；

[0010] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0011] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用KOH中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0012] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0013] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用HF除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0014] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0015] 步骤七：对步骤六处理过的硅片进行烘干；

[0016] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至工作速度；

[0017] 步骤九：使步骤八中的传输皮带进行纵向运动一定时间后，转入横向运动，同时使传输皮带转向升降0.5-1.5mm；

[0018] 步骤十：启动纵向舌头，并收集硅片。

[0019] 经由上述的技术方案可知，与现有技术方案相比，本发明提供了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用该方法能有效克服现有技术中光伏晶硅电池片圆斑产生率较高的问题，本发明结合物理学中冲量、动力和加速度定理，通过减小传输皮带转向升降中的升降距离，同时使传输皮带接触硅片后由零速度加速到一定速度，从而减小了传输皮带与硅片接触的瞬间摩擦力，减小了对硅片造成的损伤，利用该制备方法不仅能够减小传输皮带对硅片正面的摩擦，又不影响硅片产能，还可减少光伏晶硅电池片制备过程中的堵片率和碎片率，从而在保证生产效率的基础上有效提高了光伏晶硅电池片的产品品质。

[0020] 进一步的，步骤一中所述的HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.2-0.5g，且所述硅片的重量为9-11g。

[0021] 采用上述技术方案产生的有益效果是，对硅片背面腐蚀去重0.2-0.5g有助于对硅片达到背面抛光的效果，从而有利于在后段工序中AlD在硅片背面形成平整的Al2O3层[0022] 进一步的，步骤二、步骤四和步骤六中使用去离子水的形式均为浸没式，且去离子水的循环流量均为50-60L/min；步骤三中使用KOH的形式为喷淋式，且KOH溶液的质量浓度为4-6％，KOH溶液的喷淋流量为15-25L/min；步骤五中使用HF的形式为浸没式，且HF溶液的质量浓度为10-16％，HF溶液的循环流量为100L/min。

[0023] 采用上述技术方案产生的有益效果是，使用浸没式的去离子水对硅片进行循环冲洗能够有效冲洗掉由前一个槽体附着在硅片上的化学品，从而防止带着前一个槽的化学品随着硅片到达后一个化学品槽后，对整个工艺过程产生有害的化学反应；KOH能够有效中和硅片上的HF/HNO3以及去除前一道工序中残留的多孔硅；HF能够有效中和硅片上的KOH以及去除前一道工序中形成的磷硅玻璃，最终使硅片表面干净且无异物残留，只保留硅片正面的PN结。

[0024] 进一步的，步骤七中选用烘干机对硅片进行烘干，且烘干时间为25-30s，烘干温度为55-65℃。

[0025] 采用上述技术方案产生的有益效果是，能够将硅片表面烘干，使硅片表面无液体残留。

[0026] 进一步的，步骤八中传输皮带的工作速度为3-5m/min。

[0027] 采用上述技术方案产生的有益效果是，能够使传输皮带衔接主机台槽体，实现自动化作业，匹配产能，同时避免堵片情况的发生。

[0028] 进一步的，步骤九中传输皮带纵向运动的速度为1.5-3.5m/min，纵向运动的时间为10-20s；步骤九中传输皮带横向运动的速度为2.5-4.5m/min，横向运动的时间为10-15s。

[0029] 采用上述技术方案产生的有益效果是，使硅片经过纵向皮带后，再分别经过两边的横向皮带进行传输，从而达到衔接前后皮带、匹配产能的要求。

[0030] 进一步的，步骤十中纵向舌头的速度为4-6m/min，时间为5-10s。

[0031] 采用上述技术方案产生的有益效果是，能够使纵向舌头最终自动进入花篮与花篮进行衔接，实现纵向舌头的自动化作业，且使纵向舌头的运行速度较快，避免堵片情况的发生，提高硅片的制备效率。

具体实施方式

[0032] 下面详细描述本发明的实施例，下述实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0033] 实施例1

[0034] 本实施例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0035] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀，其中，硅片的重量为9g，HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.3g；

[0036] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为50L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0037] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用溶液浓度为4％、喷淋流量为15L/min的KOH溶液对硅片进行喷淋，以中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0038] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为55L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0039] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用溶液浓度为10％、循环流量为100L/min的HF溶液除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0040] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为52L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0041] 步骤七：利用烘干机对步骤六处理过的硅片进行烘干，烘干温度为55℃，烘干时间为30s；

[0042] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至4.5m/min；

[0043] 步骤九：使步骤八中的传输皮带以2.5m/min的速度纵向运动15s后，转入横向运动，且横向运动速度为3m/min，横向运动时间为10s，同时使传输皮带转向升高1mm；

[0044] 步骤十：保持5m/min的纵向舌头速度运行5s，并收集硅片。

[0045] 实施例2

[0046] 本实施例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0047] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀，其中，硅片的重量为10g，HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.4g；

[0048] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为55L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0049] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用溶液浓度为5％、喷淋流量为20L/min的KOH溶液对硅片进行喷淋，以中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0050] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为57L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0051] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用溶液浓度为13％、循环流量为100L/min的HF溶液除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0052] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为55L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0053] 步骤七：利用烘干机对步骤六处理过的硅片进行烘干，烘干温度为58℃，烘干时间为28s；

[0054] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至4.5m/min；

[0055] 步骤九：使步骤八中的传输皮带以2.8m/min的速度纵向运动13s后，转入横向运动，且横向运动速度为3.5m/min，横向运动时间为12s，同时使传输皮带转向升高1mm；

[0056] 步骤十：保持6m/min的纵向舌头速度运行6s，并收集硅片。

[0057] 实施例3

[0058] 本实施例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0059] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀，其中，硅片的重量为11g，HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.5g；

[0060] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为60L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0061] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用溶液浓度为6％、喷淋流量为25L/min的KOH溶液对硅片进行喷淋，以中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0062] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为60L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0063] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用溶液浓度为16％、循环流量为100L/min的HF溶液除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0064] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为55L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0065] 步骤七：利用烘干机对步骤六处理过的硅片进行烘干，烘干温度为65℃，烘干时间为26s；

[0066] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至4.5m/min；

[0067] 步骤九：使步骤八中的传输皮带以3.5m/min的速度纵向运动10s后，转入横向运动，且横向运动速度为4.5m/min，横向运动时间为10s，同时使传输皮带转向升高1mm；

[0068] 步骤十：保持4m/min的纵向舌头速度运行8s，并收集硅片。

[0069] 实施例4

[0070] 本实施例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0071] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀，其中，硅片的重量为10g，HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.3g；

[0072] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为56L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0073] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用溶液浓度为6％、喷淋流量为20L/min的KOH溶液对硅片进行喷淋，以中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0074] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为60L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0075] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用溶液浓度为14％、循环流量为100L/min的HF溶液除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0076] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为58L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0077] 步骤七：利用烘干机对步骤六处理过的硅片进行烘干，烘干温度为60℃，烘干时间为30s；

[0078] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至4.5m/min；

[0079] 步骤九：使步骤八中的传输皮带以2m/min的速度纵向运动20s后，转入横向运动，且横向运动速度为4m/min，横向运动时间为10s，同时使传输皮带转向升高1mm；

[0080] 步骤十：保持4m/min的纵向舌头速度运行10s，并收集硅片。

[0081] 实施例5

[0082] 本实施例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0083] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀，其中，硅片的重量为10.5g，HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.4g；

[0084] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为52L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0085] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用溶液浓度为5％、喷淋流量为22L/min的KOH溶液对硅片进行喷淋，以中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0086] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为58L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0087] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用溶液浓度为12％、循环流量为100L/min的HF溶液除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0088] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为60L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0089] 步骤七：利用烘干机对步骤六处理过的硅片进行烘干，烘干温度为62℃，烘干时间为30s；

[0090] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至4.5m/min；

[0091] 步骤九：使步骤八中的传输皮带以2.5m/min的速度纵向运动18s后，转入横向运动，且横向运动速度为3.5m/min，横向运动时间为13s，同时使传输皮带转向升高1mm；

[0092] 步骤十：保持5.5m/min的纵向舌头速度运行8s，并收集硅片。

[0093] 实施例6

[0094] 本实施例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0095] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀，其中，硅片的重量为9.5g，HNO3/HF对硅片的腐蚀量为0.25g；

[0096] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为55L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0097] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用溶液浓度为4％、喷淋流量为25L/min的KOH溶液对硅片进行喷淋，以中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0098] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为52L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0099] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用溶液浓度为16％、循环流量为100L/min的HF溶液除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0100] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为60L/min 的去离子水对硅片进行浸没式冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0101] 步骤七：利用烘干机对步骤六处理过的硅片进行烘干，烘干温度为58℃，烘干时间为26s；

[0102] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，待硅片接触皮带后，使皮带速度从零增加至4.5m/min；

[0103] 步骤九：使步骤八中的传输皮带以3.5m/min的速度纵向运动12s后，转入横向运动，且横向运动速度为4m/min，横向运动时间为15s，同时使传输皮带转向升高1mm；

[0104] 步骤十：保持4.5m/min的纵向舌头速度运行9s，并收集硅片。

[0105] 对比例1

[0106] 本对比例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0107] 本实施例公开了一种高品质光伏晶硅电池片的制备方法，采用制绒→扩散→激光SE→刻蚀→热氧→ALD→PE正、背面镀膜→丝网印刷→测试分选→ 包装入库的方法制备而成，所述刻蚀包括以下步骤：

[0108] 步骤一：将硅片置于刻蚀槽中，利用HNO3/HF对硅片背面进行腐蚀，其中 HNO3/HF的量为0.3g，硅片的量为10g；

[0109] 步骤二：将步骤一处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为50L/min 的去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的HNO3/HF；

[0110] 步骤三：将步骤二处理过的硅片置于碱槽中，利用溶液浓度为5％、喷淋流量为20L/min的KOH溶液中和硅片上残留的HNO3/HF和部分多孔硅；

[0111] 步骤四：将步骤三处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为55L/min 的去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的KOH；

[0112] 步骤五：将步骤四处理过的硅片置于酸槽中，利用溶液浓度为12％、循环流量为100L/min的HF除去扩散工序中残留在硅片上的磷硅玻璃；

[0113] 步骤六：将步骤五处理过的硅片置于水槽中，利用循环流量为56L/min 的去离子水对硅片进行冲洗，除去硅片上残留的HF；

[0114] 步骤七：利用烘干机对步骤六处理过的硅片进行烘干，烘干温度为60℃，烘干时间为28s；

[0115] 步骤八：将步骤七处理过的硅片置于传输皮带上，并使硅片正面朝下接触皮带，在硅片还未接触传输皮带时，皮带即以4.5m/min的速度传输；

[0116] 步骤九：使步骤八中的传输皮带以3.5m/min的速度纵向运动15s后，转入横向运动，且横向运动速度为4.5m/min，横向运动时间为12s，同时使传输皮带转向升高10mm；

[0117] 步骤十：保持5m/min的纵向舌头运行8s，并收集硅片。

[0118] 检测数据结果

[0119] 实施例1-6及对比例1制备的光伏晶硅电池片的具体检测数据如下表1 所示。

[0120] 表1

[0121]

[0122] 由上述表格得出，采用现有技术的制备方法所生产的光伏晶硅电池片不良率高达0.5％，对其进行质量判定时均需要降级处理，若遇上刻蚀堵片、叠片情况发生，将槽体内的液体带到传输皮带上时，将会爆发式增长电池片的圆斑不良数，从而使圆斑不良比例达到1％以上；采用本发明制备方法所生产的光伏晶硅电池片圆斑不良数为零，遇上刻蚀堵片、叠片情况发生，将槽体内的液体带到传输皮带上时，电池片会产生轻微圆斑，对其进行质量判定是不需要降级。由此可知，采用本发明制备方法所制备的光伏晶硅电池片的质量品质和现有技术中生产的光伏晶硅电池片的质量品质相比圆斑不良数有效减少，且产能相同，在保证了光伏晶硅电池片生产效率的同时，还有效提高了光伏晶硅电池片的质量品质。

[0123] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

[0124] 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

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