Manufacturing of semiconductor integrated circuit device
专利汇可以提供Manufacturing of semiconductor integrated circuit device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain an IC devices with a broad range of application, by providing an NPN type bi-polar transistor on an N layer on a P type substrate, and also by making it possible to separate it from the P type substrate electrically and incorporate a PNP-structure circuit element in the system. CONSTITUTION:With SiO2 9' as a mask, B ion is injected and dispersed on an N epitaxial layer 8 on a P type substrate 6, having an N flush layer, to form a P separating layer 10' and second gate layer 11 of a joining type FET. And then, by dispersion, an N emitter layer 15, a collector joining layer 16 and N layers 17 and 18 of FET are formed on a P type layer 14. At the time of forming the P layer 11', if an N flush layer 19 is provided also on the bottom side of the layer 11', a PNP tri-layer-structure FET by the layers 11'-12'-13' can be electrically separated from the P type substrate 8 and incorporated into the system. There is an extremely wide variety of application for an IC in which N channel joining type FET is thus incorporated.，下面是Manufacturing of semiconductor integrated circuit device专利的具体信息内容。
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