用于从处于断电状态的器件中泄放电源电压的电路
专利汇可以提供用于从处于断电状态的器件中泄放电源电压的电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本公开的实施方案包括一种装置。所述装置包括供压线路、耦合到所述供压线路的感测 电路 以及泄放电路。所述感测电路被配置为感测所述供压线路的 电压 电平。所述泄放电路被配置为当所述电压电平达到器件 阈值 电压时泄放电容器上可用的剩余电荷。所述器件阈值电压由连接至所述装置的器件产生。，下面是用于从处于断电状态的器件中泄放电源电压的电路专利的具体信息内容。
1.一种装置，包括：
供压线路；
感测电路，所述感测电路耦合到所述供压线路，所述感测电路被配置为感测所述供压线路的电压电平；
泄放电路，所述泄放电路被配置为当所述电压电平达到器件阈值电压时泄放电容器上可用的剩余电荷，所述器件阈值电压由连接至所述装置的器件产生。
2.根据权利要求1所述的装置，还包括耦合到所述感测电路和所述泄放电路的控制电路，所述控制电路被配置为：
检测所述供压线路的值是否小于或等于所述器件阈值电压；以及
响应于检测到所述供压线路的所述值小于或等于所述器件阈值电压，输出被配置为允许电流在所述供压线路和地之间流动的控制信号。
3.根据权利要求1或2所述的装置，还包括耦合到所述感测电路和所述泄放电路的控制电路，所述控制电路被配置为：
检测所述供压线路上的电压是否大于所述器件中的晶体管的所述器件阈值电压；以及响应于检测到所述供压线路上的所述电压大于所述器件中的晶体管的所述器件阈值电压，输出被配置为抑制电流在所述供压线路和地之间流动的控制信号。
4.根据权利要求2或3所述的装置，其中所述感测电路和所述控制电路在同一电路中实现。
5.根据权利要求2或3所述的装置，其中所述控制电路包括施密特触发器。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中所述泄放电路包括：
电阻器，所述电阻器包括耦合到所述供压线路的第一侧；
第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到所述电阻器的第二侧的第一端子；和第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述第一晶体管的第二端子的第一端子，所述第二端子接地。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二晶体管包括小于所述器件阈值电压的晶体管阈值电压。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二晶体管包括通信地耦合到所述控制电路的输出的栅极。
9.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二晶体管的所述栅极通过耦合电容器通信地耦合到所述感测电路的所述输出。
10.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一晶体管是具有超低阈值电压的中压原生晶体管。
11.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二晶体管是低压晶体管。
12.一种装置，包括：
闪存存储器，所述闪存存储器包括用于导通/断路状态的器件阈值电压；
去耦电容器；
供压线路，所述供压线路连接至所述闪存存储器和所述去耦电容器；
感测电路，所述感测电路耦合到所述供压线路，所述感测电路被配置为感测所述供压线路的电压电平；和
泄放电路，所述泄放电路被配置为泄放所述去耦电容器上可用的剩余电荷；
其中：
所述感测电路被配置为基于所述供压线路的所述电压电平确定所述闪存存储器的状态；
所述泄放电路被配置为当所述闪存存储器处于断路状态时泄放所述去耦电容器上可用的所述剩余电荷；并且
所述泄放电路被配置为当所述闪存存储器处于导通状态时保持所述去耦电容器上可用的所述剩余电荷。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述泄放电路被配置为根据通过所述供压线路检测到的所述闪存存储器的所述导通/断路状态保持所述闪存存储器的读/写状态。
14.根据权利要求12或13所述的装置，还包括耦合到所述感测电路和所述泄放电路的控制电路，所述控制电路被配置为：
检测所述供压线路的值是否小于或等于所述器件阈值电压；以及
响应于检测到所述供压线路的所述值小于或等于所述器件阈值电压，输出被配置为允许电流在所述供压线路和地之间流动的控制信号。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的装置，还包括耦合到所述感测电路和所述泄放电路的控制电路，所述控制电路被配置为：
检测所述供压线路上的电压是否大于所述器件中的晶体管的所述器件阈值电压；以及响应于检测到所述供压线路上的所述电压大于所述器件中的晶体管的所述器件阈值电压，输出被配置为抑制电流在所述供压线路和地之间流动的控制信号。
16.根据权利要求14或15所述的装置，其中所述感测电路和所述控制电路在同一电路中实现。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述控制电路包括施密特触发器。
18.根据权利要求12至17中任一项所述的装置，其中所述泄放电路包括：
电阻器，所述电阻器包括耦合到所述供压线路的第一侧；
第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到所述电阻器的第二侧的第一端子；和第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述第一晶体管的第二端子的第一端子，所述第二端子接地。
19.根据权利要求18所述的装置，其中所述第二晶体管包括小于所述器件阈值电压的晶体管阈值电压。
20.根据权利要求18所述的装置，其中所述第二晶体管包括通信地耦合到所述控制电路的输出的栅极。
21.根据权利要求18所述的装置，其中所述第二晶体管的所述栅极通过耦合电容器通信地耦合到所述感测电路的所述输出。
22.根据权利要求18所述的装置，其中所述第一晶体管是具有超低阈值电压的中压原生晶体管。
23.根据权利要求18所述的装置，其中所述第二晶体管是低压晶体管。
24.一种方法，包括：
感测装置上的供压线路的电压电平；以及
当所述电压电平达到器件阈值电压时泄放电容器上可用的剩余电荷，所述器件阈值电压由连接至所述装置的器件产生。
25.根据权利要求24所述的方法，还包括：
检测所述供压线路的值是否小于或等于所述器件阈值电压；以及
响应于检测到所述供压线路的所述值小于或等于所述器件阈值电压，输出被配置为允许电流在所述供压线路和地之间流动的控制信号。
26.根据权利要求24或25所述的方法，还包括：
检测所述供压线路上的电压是否大于所述器件中的晶体管的所述器件阈值电压；以及响应于检测到所述供压线路上的所述电压大于所述器件中的晶体管的所述器件阈值电压，输出被配置为抑制电流在所述供压线路和地之间流动的控制信号。
27.根据权利要求24至26中任一项所述的方法，其中所述器件为闪存存储器，并且还包括根据通过所述供压线路检测到的所述闪存存储器的导通/断路状态保持所述闪存存储器的读/写状态。
用于从处于断电状态的器件中泄放电源电压的电路
技术领域
背景技术
具体实施方式
406可具有产生适于晶体管408和晶体管410的电流的任何合适的电阻值。
410的第三端子(例如，栅极端子)可电连接至控制电路416以接收用于操作晶体管410的控制信号。晶体管可使用任何合适的技术或技术的组合来实现。例如，晶体管410可被实现为低电压晶体管(例如，具有显著低于Vth的阈值电压)。
404上的电压显著高于Vth时(例如，当电力被供应到电源线404时)，控制电路416可被配置为输出低于晶体管410的阈值电压的信号，从而使晶体管410充当开启开关。例如，高于Vth的此类显著量可以是Vth的两倍。然而，当电源线404上的电压下降至接近Vth时，控制电路
416可被配置为输出具有至少为晶体管410的阈值电压的电压的控制信号。这可使晶体管
410充当闭合开关。因此，电流可流经电阻器406、晶体管408，以及电源线404和地之间的晶体管410。这可将电源线404上的电压降至显著低于Vth。例如，这可低至比NMOS晶体管的Vth低约200mV。
可使用联接至NMOS晶体管(其具有连接至电源的NMOS栅极)的漏极的固定小电流源。当电源接近零时，该电流源因此将输出拉至正轨。当电源高于Vth时，该NMOS可克服来自该电流源的电流并且将输出拉至地。因为控制电路416可被配置为在不再向电源线404供应电力时操作，所以用于控制电路416中的有源部件的任何电源电压或参考电压低于电源线404上供应的正常操作电压。
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