技术领域
[0001] 本
发明涉及
多晶硅生产技术领域，具体涉及一种氯硅烷及高聚物泄露清理系统。
背景技术
[0002] 在多晶硅的生产过程中，若氯硅烷及高聚物发生泄露，会严重
腐蚀各种设备和管道，同时高聚物泄露遇到空气会燃烧起火，对正常生产和生产安全造成了极大危害。
[0003] 现有的对氯硅烷及高聚物泄露的清理方法主要是将其排入
碱液池中，进行中和
水解反应，但是这种方法也存在着弊端，需要高
频率的排放废液，物料损耗较大，由于高聚氯硅烷具有一定粘性，会粘附在设备管道内壁，容易造成设备和排废管线的堵塞。
发明内容
[0004] (一)解决的技术问题
[0005] 针对
现有技术的不足，本发明提供了一种氯硅烷及高聚物泄露清理系统，克服了现有技术的不足，设计合理，结构紧凑，可以将泄露的氯硅烷及高聚物完全清理，减少了对正常生产和生产安全的危害，同时可以减少物料浪费和物料损耗，避免了
泄漏物粘附在设备管道内壁造成的堵塞。
[0006] (二)技术方案
[0007] 为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
[0008] 一种氯硅烷及高聚物泄露清理系统，该系统包括洗涤塔和
乙二胺四乙酸钠配液罐；所述洗涤塔用于将通过泄漏物料进料管线进入洗涤塔中的氯硅烷及高聚物进行处理，所述泄漏物料进料管线上设有进料
阀门，所述洗涤塔内设有第一塔板和第一
再沸器，洗涤塔上设有第一
温度计，所述洗涤塔底部设有第一排废管线，所述第一排废管线上设有第一排废阀门；所述乙二胺四乙酸钠配液罐用于配置清理氯硅烷及高聚物的乙二胺四乙酸钠液体，所述乙二胺四乙酸钠配液罐顶部设有乙二胺四乙酸钠进料管线，所述乙二胺四乙酸钠进料管线上设有乙二胺四乙酸钠进料阀门，所述乙二胺四乙酸钠配液罐的两侧分别设有第一进液管线和进水管线，所述进水管线上设有进水阀门，所述第一进液管线上设有第一进液阀门，所述第一进液管线与洗涤塔上方相连，所述第一进液阀门与洗涤塔之间设有洗涤塔液位指示器。
[0009] 该系统还包括蒸馏塔；所述蒸馏塔用于将洗涤塔处理过的氯硅烷及高聚物进行二次清理，所述蒸馏塔内设有第二塔板和第二再沸器，蒸馏塔上设有第二
温度计，所述蒸馏塔的底部设有第二排废管线，所述第二排废管线上设有第二排废阀门，所述蒸馏塔与洗涤塔之间连接有第一气相出口管线，所述蒸馏塔与乙二胺四乙酸钠配液罐之间连接有第二进液管线，所述第二进液管线上设有第二进液阀门，所述第二进液阀门与蒸馏塔之间设有蒸馏塔液位指示器。
[0010] 该系统还包括气体
过滤器、冷凝罐和回流
泵；所述
气体过滤器与蒸馏塔之间连接有第二气相出口管线，所述气体过滤器的一端设有排气管线，所述气体过滤器与冷凝罐之间连接有过滤管线，所述冷凝罐与回流泵之间连接有冷凝出口管线，所述回流泵与洗涤塔之间连接有回流出口管线。
[0012] 所述第一进液阀门与洗涤塔液位指示器之间联
锁控制。
[0013] 所述第二进液阀门与蒸馏塔液位指示器之间联锁控制。
[0014] 所述第一再沸器使用釜式再沸器。
[0015] 所述第二再沸器使用卧式再沸器。
[0016] (三)有益效果
[0017] 本发明提供了一种氯硅烷及高聚物泄露清理系统。具备以下有益效果：
[0018] (1)该氯硅烷及高聚物泄露清理系统，通过乙二胺四乙酸钠进料管线和进水管线，向乙二胺四乙酸钠配液罐中输送工艺水和乙二胺四乙酸钠，乙二胺四乙酸钠溶于水，经第一进液管线输送进洗涤塔中，启动第一再沸器，使乙二胺四乙酸钠在加热条件下，与氯硅烷及高聚物发生反应，生成可安全排放的残渣，减少了物料的浪费，同时无需高频率排放，减少了物料损耗。
[0019] (2)该氯硅烷及高聚物泄露清理系统，通过加入蒸馏塔，可以对在洗涤塔中未能与乙二胺四乙酸钠反应完全的氯硅烷及高聚物气体进行再次清理，避免了氯硅烷及高聚物在洗涤塔中堆积造成的堵塞问题，同时可以将泄露的氯硅烷及高聚物清理得更彻底，避免出现安全隐患。
[0020] (3)该氯硅烷及高聚物泄露清理系统，通过气体过滤器，可以将蒸馏塔中处理完全的安全气体排出，将二次处理后仍未清理的氯硅烷及高聚物气体排入冷凝罐中，冷凝罐将其
液化后再通过回流泵将其输送如洗涤塔中进行循环处理，避免了氯硅烷及高聚物在蒸馏塔中堆积造成的堵塞问题，同时可以避免蒸馏塔中因气体过多造成的气压过大的问题。
[0021] (4)该氯硅烷及高聚物泄露清理系统，通过第一温度计和第二温度计，可以实时监控洗涤塔和蒸馏塔内的温度，避免出现洗涤塔和蒸馏塔内温度过高或过低，无法达到氯硅烷及高聚物反应的沸点，造成泄漏物未能及时清理的问题。
附图说明
[0022] 为了更清楚地说明本发明
实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023] 图1本发明实施例1的工作流程示意图；
[0024] 图2本发明实施例2的工作流程示意图；
[0025] 图3本发明实施例3的工作流程示意图。
[0026] 示意图中的标号说明：1、泄露物料进料管线；2、进料阀门；3、洗涤塔；4、第一塔板；5、第一再沸器；6、第一气相出口管线；7、蒸馏塔；8、第二塔板；9、第二再沸器；10、第二气相出口管线；11、气体过滤器；12、排气管线；13、过滤管线；14、冷凝罐；15、冷凝出口管线；16、回流泵；17、回流出口管线；18、第一排废管线；19、第一排废阀门；20、第二排废管线；21、第二排废阀门；22、第一温度计；23、第二温度计；24、乙二胺四乙酸钠进料管线；25、乙二胺四乙酸钠进料阀门；26、进水管线；27、进水阀门；28、乙二胺四乙酸钠配液罐；29、第一进液管线；30、第一进液阀门；31、洗涤塔液位指示器；32、第二进液管线；33、第二进液阀门；34、蒸馏塔液位指示器。
具体实施方式
[0027] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0028] 实施例1：
[0029] 如图1所示，本实施了提供一种氯硅烷及高聚物泄露清理系统，该系统包括洗涤塔3和乙二胺四乙酸钠配液罐28；所述洗涤塔3用于将通过泄漏物料进料管线1进入洗涤塔3中的氯硅烷及高聚物进行处理，所述泄漏物料进料管线1上设有进料阀门2，所述洗涤塔3内设有第一塔板4和第一再沸器5，所述第一再沸器5使用釜式再沸器，所述洗涤塔3上设有第一温度计22，所述洗涤塔3底部设有第一排废管线18，所述第一排废管线18上设有第一排废阀门19；所述乙二胺四乙酸钠配液罐28用于配置清理氯硅烷及高聚物的乙二胺四乙酸钠液体，所述乙二胺四乙酸钠配液罐28顶部设有乙二胺四乙酸钠进料管线24，所述乙二胺四乙酸钠进料管线24上设有乙二胺四乙酸钠进料阀门25，所述乙二胺四乙酸钠配液罐28的两侧分别设有第一进液管线29和进水管线26，所述进水管线26上设有进水阀门27，所述第一进液管线29上设有第一进液阀门30，所述第一进液管线29与洗涤塔3上方相连，所述第一进液阀门30与洗涤塔3之间设有洗涤塔液位指示器31，所述第一进液阀门30与洗涤塔液位指示器31之间联锁控制。
[0030] 本实施例通过乙二胺四乙酸钠进料管线24和进水管线26，向乙二胺四乙酸钠配液罐28中输送工艺水和乙二胺四乙酸钠，乙二胺四乙酸钠溶于水，经第一进液管线29输送进洗涤塔3中，启动第一再沸器5，使乙二胺四乙酸钠在加热条件下，与氯硅烷及高聚物发生反应，生成可安全排放的残渣，减少了物料的浪费，同时无需高频率排放，减少了物料损耗。
[0031] 实施例2：
[0032] 如图2所示，本实施了提供一种氯硅烷及高聚物泄露清理系统，该系统包括洗涤塔3、乙二胺四乙酸钠配液罐28和蒸馏塔7；所述洗涤塔3用于将通过泄漏物料进料管线1进入洗涤塔3中的氯硅烷及高聚物进行处理，所述泄漏物料进料管线1上设有进料阀门2，所述洗涤塔3内设有第一塔板4和第一再沸器5，所述第一再沸器5使用釜式再沸器，所述洗涤塔3上设有第一温度计22，所述洗涤塔3底部设有第一排废管线18，所述第一排废管线18上设有第一排废阀门19；所述乙二胺四乙酸钠配液罐28用于配置清理氯硅烷及高聚物的乙二胺四乙酸钠液体，所述乙二胺四乙酸钠配液罐28顶部设有乙二胺四乙酸钠进料管线24，所述乙二胺四乙酸钠进料管线24上设有乙二胺四乙酸钠进料阀门25，所述乙二胺四乙酸钠配液罐28的两侧分别设有第一进液管线29和进水管线26，所述进水管线26上设有进水阀门27，所述第一进液管线29上设有第一进液阀门30，所述第一进液管线29与洗涤塔3上方相连，所述第一进液阀门30与洗涤塔3之间设有洗涤塔液位指示器31，所述第一进液阀门30与洗涤塔液位指示器31之间联锁控制；所述蒸馏塔7用于将洗涤塔3处理过的氯硅烷及高聚物进行二次清理，所述蒸馏塔7内设有第二塔板8和第二再沸器9，所述第二再沸器9使用卧式再沸器，所述蒸馏塔7上设有第二温度计23，所述蒸馏塔7的底部设有第二排废管线20，所述第二排废管线20上设有第二排废阀门21，所述蒸馏塔7与洗涤塔3之间连接有洗涤塔3气相出口至蒸馏塔管线6，所述蒸馏塔7与乙二胺四乙酸钠配液罐28之间连接有第二进液管线32，所述第二进液管线32上设有第二进液阀门33，所述第二进液阀门33与蒸馏塔7之间设有蒸馏塔液位指示器34，所述第二进液阀门33与蒸馏塔液位指示器34之间联锁控制。
[0033] 本实施例通过加入蒸馏塔7，可以对在洗涤塔3中未能与乙二胺四乙酸钠反应完全的氯硅烷及高聚物气体进行再次清理，避免了氯硅烷及高聚物在洗涤塔3中堆积造成的堵塞问题，同时可以将泄露的氯硅烷及高聚物清理得更彻底，避免出现安全隐患；通过第一温度计22和第二温度计23，可以实时监控洗涤塔3和蒸馏塔7内的温度，避免出现洗涤塔3和蒸馏塔7内温度过高或过低，无法达到氯硅烷及高聚物反应的沸点，造成泄漏物未能及时清理的问题。
[0034] 实施例3：
[0035] 如图3所示，本实施了提供一种氯硅烷及高聚物泄露清理系统，该系统包括洗涤塔3、乙二胺四乙酸钠配液罐28、蒸馏塔7、气体过滤器11、冷凝罐14和回流泵16；所述洗涤塔3用于将通过泄漏物料进料管线1进入洗涤塔3中的氯硅烷及高聚物进行处理，所述泄漏物料进料管线1上设有进料阀门2，所述洗涤塔3内设有第一塔板4和第一再沸器5，所述第一再沸器5使用釜式再沸器，所述洗涤塔3上设有第一温度计22，所述洗涤塔3底部设有第一排废管线18，所述第一排废管线18上设有第一排废阀门19；所述乙二胺四乙酸钠配液罐28用于配置清理氯硅烷及高聚物的乙二胺四乙酸钠液体，所述乙二胺四乙酸钠配液罐28顶部设有乙二胺四乙酸钠进料管线24，所述乙二胺四乙酸钠进料管线24上设有乙二胺四乙酸钠进料阀门25，所述乙二胺四乙酸钠配液罐28的两侧分别设有第一进液管线29和进水管线26，所述进水管线26上设有进水阀门27，所述第一进液管线29上设有第一进液阀门30，所述第一进液管线29与洗涤塔3上方相连，所述第一进液阀门30与洗涤塔3之间设有洗涤塔液位指示器
31，所述第一进液阀门30与洗涤塔液位指示器31之间联锁控制；所述蒸馏塔7用于将洗涤塔
3处理过的氯硅烷及高聚物进行二次清理，所述蒸馏塔7内设有第二塔板8和第二再沸器9，所述第二再沸器9使用卧式再沸器，所述蒸馏塔7上设有第二温度计23，所述蒸馏塔7的底部设有第二排废管线20，所述第二排废管线20上设有第二排废阀门21，所述蒸馏塔7与洗涤塔
3之间连接有第一气相出口管线6，所述蒸馏塔7与乙二胺四乙酸钠配液罐28之间连接有第二进液管线32，所述第二进液管线32上设有第二进液阀门33，所述第二进液阀门33与蒸馏塔7之间设有蒸馏塔液位指示器34，所述第二进液阀,33与蒸馏塔液位指示器34之间联锁控制。；所述气体过滤器11与蒸馏塔7之间连接有第二气相出口管线10，所述气体过滤器11的一端设有排气管线12，所述气体过滤器11与冷凝罐14之间连接有过滤管线13，所述冷凝罐
14内设有冷凝器，所述冷凝罐14与回流泵16之间连接有冷凝出口管线15，所述回流泵16与洗涤塔3之间连接有回流出口管线17。
[0036] 本实施例通过气体过滤器11，可以将蒸馏塔7中处理完全的安全气体排出，将二次处理后仍未清理的氯硅烷及高聚物气体排入冷凝罐14中，冷凝罐14将其液化后再通过回流泵16将其输送如洗涤塔3中进行循环处理，避免了氯硅烷及高聚物在蒸馏塔7中堆积造成的堵塞问题，同时可以避免蒸馏塔7中因气体过多造成的气压过大的问题。
[0037] 在多晶硅的生产中，当出现氯硅烷及高聚物的泄漏时，将泄露口对准泄漏物料进料管线1，将泄漏物输送入洗涤塔3中，通过乙二胺四乙酸钠进料管线24和进水管线26，向乙二胺四乙酸钠配液罐28中输送工艺水和乙二胺四乙酸钠，乙二胺四乙酸钠溶于水，经第一进液管线29输送进洗涤塔3中，启动第一再沸器5，使乙二胺四乙酸钠在加热条件下，与氯硅烷及高聚物发生反应，未反应完全的氯硅烷及高聚物经第一气相出口管线6进入蒸馏塔7中，乙二胺四乙酸钠配液罐28将乙二胺四乙酸钠输送如蒸馏塔7中，再次反应，对氯硅烷及高聚物进行二次清理，此时仍有未处理的氯硅烷及高聚物通过第二气相出口管线10到达气体过滤器11处，气体过滤器11排出安全气体，将氯硅烷及高聚物排入冷凝罐中，冷凝罐将其液化后再通过回流泵16将其输送如洗涤塔3中进行循环处理。
[0038] 需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0039] 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行
修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
