专利汇可以提供一种高电源抑制比耗尽基准电压源专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提出一种高电源抑制比耗尽基准 电压 源,包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5,M6、M7和 电阻 R1以及电容C1,将耗尽型NMOS管M3产生的 电流 作用到增强型NMOS管M4上,产生增强管M4的VGS,在传统耗尽基准的 基础 上,使用耗尽型NMOS管M1、M2、M3和M5、M6、M7两组三级套筒耗尽管结构,提高了电压基准的电源抑制比,扩展了高电源抑制比 频率 范围,并在此基础上设计了软 启动 电路 ,达到了基准电压上电平缓的目的。,下面是一种高电源抑制比耗尽基准电压源专利的具体信息内容。
1.一种高电源抑制比耗尽基准电压源,其特征在于:包括基准电压源主体和软启动电路两部分:
基准电压源主体部分包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5,M6、M7和电阻R1以及电容C1,NMOS管M1、M2、M3、M5、M6及M7均为耗尽型晶体管;NMOS管M1的漏极连接电源VDD,NMOS管M1的源极连接NMOS管M2的漏极,NMOS管M2的源极连接NMOS管M3的漏极和NMOS管M1的栅极,NMOS管M3的栅极与源极互连并与NMOS管M4的漏极、NMOS管M2的栅极、NMOS管M6的栅极以及NMOS管M7的栅极连接在一起,NMOS管M4的栅极连接电容C1的一端和电阻R1的一端以及NMOS管M7的源极并输出基准电压Vref,电容C1的另一端和NMOS管M4的源极均接地,NMOS管M5的源极连接NMOS管M6的漏极,NMOS管M5的栅极连接NMOS管M6的源极和NMOS管M7的漏极,NMOS管M1的衬底与NMOS管M2的衬底、NMOS管M3的衬底以及NMOS管M4的衬底连接在一起并接地,NMOS管M5的衬底与NMOS管M6的衬底以及NMOS管M7的衬底连接在一起并接地;
软启动电路部分包括PMOS管M9、M10、M11、M13和M14,NMOS管M8和M12以及反相器INV1,PMOS管M9的源极和衬底、PMOS管M10的源极和衬底、PMOS管M11的源极和衬底、PMOS管M13的源极和衬底以及PMOS管M14的源极和衬底均连接电源VDD,PMOS管M11的栅极与漏极互连并连接PMOS管M10的栅极和偏置电流Ibias,PMOS管M10的漏极连接PMOS管M13的漏极、NMOS管M5的漏极、PMOS管M9的漏极和反相器INV1的输入端,反相器INV1的输出端连接PMOS管M9的栅极,PMOS管M13的栅极与PMOS管M14的栅极互连并连接M14的漏极和NMOS管M12的漏极,NMOS管M8的栅极与漏极互连并连接NMOS管M12的栅极和基准电压源主体部分中电阻R1的另一端,NMOS管M8的源极和衬底以及NMOS管M12的源极和衬底均接地。
2.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比耗尽基准电压源,其特征在于:所述PMOS管M9、M10、M11、M13和M14以及NMOS管M4、M8和M12均为增强型晶体管。
3.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比耗尽基准电压源,其特征在于:所述偏置电流Ibias由电流偏置电路产生并提供。
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