Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and thin film solar cell
专利汇可以提供Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and thin film solar cell专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PROBLEM TO BE SOLVED: To raise light collection efficiency by allowing a semiconductor thin film to comprise a solid solution represented by a specific equation as main component. SOLUTION: A main component is (Inx Ga1-x )(Sey S1-y )2 (where, x and y are value of 0-1, z is value of 1-1.5). On a CuInSe2 thin film formed on a soda lime glass substrate through an Mo thin film, In, Se, and S are simultaneously vapor- deposited while substrate temperature set to 100-300 deg.C, vacuum level set to 10 toor or less. Here, with evaporation rate of vapor-deposition source as In; 5 Å/s, Se; 10 Å/s, S; 5 Å/s, a film of film thickness about 500 Å, In:Se:S =40:50:10 is formed. An absorption-end wavelength of a solid solution thin film moves to the short wavelength side as x becomes large, for wider band gap. Therefor, as the band gap of a film becomes larger, the number of photons P incident on a p-n joint interface increases, resulting in larger current value for raised light collection efficiency.，下面是Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and thin film solar cell专利的具体信息内容。
〜１．５の値である。 ］固溶体を主体としてなることを特徴とする半導体薄膜。
（式中、ｘは、０〜１の値である。）、Ｇａ、Ｓｅ及びＳをそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴とする請求項３記載の半導体薄膜の製造方法。
及びＧａ 2 Ｓｅ 3を別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴とする請求項５記載の半導体薄膜の製造方法。
不活性ガス雰囲気、Ｓｅ雰囲気及びＳ雰囲気の内の少なくとも１つの雰囲気中で、熱処理することを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
それらの両方の薄膜を積層し、これを、Ｓ雰囲気又はＳ
ｅ雰囲気、或いは、それら２つを組み合わせた雰囲気中で、熱処理することを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜の製造方法。
（Ｓｅ y Ｓ 1-y ） z ［式中、ｘ及びｙは、０〜１の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。 ］固溶体を主体としてなる半導体薄膜を有することを特徴とする太陽電池。
ｕＩｎＳｅ 2 、ＣｕＩｎＳ 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ
ｅ 2 、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）
（Ｓ，Ｓｅ） 2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ 2よりなることを特徴とする請求項１０記載の太陽電池。
Ｉｂ族元素をドープした半導体薄膜よりなることを特徴とする請求項１０又は１１記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体薄膜及びその製造方法並びにそれを太陽電池のバッファー層として用いた薄膜太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のカルコパイライト型太陽電池の断面概略説明図である。 図２に示すように、ガラス板基板１に電極としてＭｏ膜２が形成され、その上に、ＣｕＩｎＳｅ 2膜３よりなるカルコパイライト構造のｐ型半導体層が形成されている。 そして、このｐ型半導体層上に、バッファー層として、ＣｄＳ膜４よりなるｎ型半導体層が形成され、さらに、ＺｎＯ膜５よりなる透明電極層が形成されている。
【０００３】このように、カルコパイライト型太陽電池のバッファー層として、一般的に、ＣｄＳ（バンドギャップ：２．４ｅＶ）の薄膜が使用されている。 このＣｄ
Ｓの薄膜は、応用物理第６２巻第２号（１９９３年２月発行）、第１３９〜１４２頁に記載されているように、
主として、溶液成長法と呼ばれる湿式法により成膜されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従来のカルコパイライト型太陽電池は、その製造時及び廃棄時に有害なＣｄ廃棄物を排出するので、環境保全の観点から問題がある。 最近では、Ｃｄの代替物として、Ｉ
ｎのカルコゲン化物が提案されているが、このＩｎのカルコゲン化物は、例えば、Ｉｎ 2 Ｓｅ 3のバンドギャップが１．７０ｅＶであるように、そのバンドギャップがＣ
ｄＳのバンドギャップ（２．４ｅＶ）と比べて小さいので、光収集効率が低下するという問題がある。
【０００５】また、カルコパイライト型太陽電池のバッファー層として、ＺｎＸ−ＭｇＸ固溶体薄膜（Ｘ＝Ｓ、
Ｓｅ又はＴｅ）が提案されているが、変換効率が安定しない等の欠点があることが報告されている。
【０００６】本発明は、かかる問題を解決することを目的としている。 即ち、本発明は、有害なＣｄ廃棄物を排出させないで、光収集効率を高く維持した半導体薄膜及びその製造方法並びにそれを用いた薄膜太陽電池を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】Ｉｎのカルコゲン化物であるＩｎ 2 Ｓｅ 3のバンドギャップが１．７０ｅＶであるは、前述のとおりであるが、本発明者は、かかるＩｎのカルコゲン化物にＳ又はＧａ或いはそれらの両方をドープしていくにつれて、次第にその膜のバンドギャップが大きくなることを見出して、本発明を完成するに至った。
【０００８】本第１発明は、半導体薄膜が（Ｉｎ x Ｇａ
1-x ）（Ｓｅ y Ｓ 1-y ） z ［式中、ｘ及びｙは、０〜１の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。 ］固溶体を主体としてなることを特徴としている。
【０００９】本第２発明は、本第１発明の半導体薄膜の製造において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳのうち少なくとも２つ以上の元素をそれぞれ別々の蒸着源として同時に蒸着することを特徴としている。
【００１０】本第３発明は、本第１発明の半導体薄膜の製造において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、それらの元素の２つ以上を含む化合物並びにそれら個々の元素の単体をそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴としている。
【００１１】本第４発明は、本第３発明において、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、Ｉｎ x Ｓ 1-x （式中、ｘは、０
〜１の値である。 ）、Ｇａ、Ｓｅ及びＳをそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴としている。
【００１２】本第５発明は、本第１発明において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、それらの２つ以上を含む化合物をそれぞれ別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴としている。
【００１３】本第６発明は、本第５発明において、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳを、Ｉｎ 2 Ｓｅ 3及びＧａ 2 Ｓｅ 3を別々の蒸着源として、同時に蒸着することを特徴としている。
【００１４】本第７発明は、本第１発明において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの固溶体の蒸着源より蒸着することを特徴としている。
【００１５】本第８発明は、本第１発明において、基板上にＩｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの内の少なくとも３つの薄膜を積層し、これを、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、
Ｓｅ雰囲気及びＳ雰囲気の内の少なくとも１つの雰囲気中で、熱処理することを特徴としている。
【００１６】本第９発明は、本第１発明において、基板上にＩｎ又はＧａの薄膜、或いは、それらの両方の薄膜を積層し、これを、Ｓ雰囲気又はＳｅ雰囲気、或いは、
それら２つを組み合わせた雰囲気中で、熱処理することを特徴としている。
【００１７】本第１０発明は、基板上にカルコパイライト構造の半導体層、バッファー層及び透明電極層を順次有する太陽電池において、バッファー層として、（Ｉｎ
x Ｇａ 1-x ）（Ｓｅ y Ｓ 1-y ） z ［式中、ｘ及びｙは、０〜
１の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。 ］固溶体を主体としてなる半導体薄膜を有することを特徴としている。
【００１８】本第１１発明は、本第１０発明において、
カルコパイライト構造の半導体層がＣｕＩｎＳｅ 2 、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ 2 、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ） 2 、Ｃ
ｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ） 2又はＣｕＩｎＳ 2よりなることを特徴としている。
【００１９】本第１２発明は、本第１０又は１１発明において、透明電極層がＺｎＯ又はＺｎＯにＩＩＩｂ族元素をドープした半導体薄膜よりなることを特徴としている。
【００２０】本第１３発明は、本第１２発明において、
ＩＩＩｂ族元素がＢ又はＡｌであることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の太陽電池におけるカルコパイライト構造の半導体層を構成する化合物は、例えば、ＣｕＩｎＳｅ 2 、ＣｕＩｎＳ 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）Ｓｅ 2 、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）（Ｓ，Ｓｅ） 2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ 2が挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではなく、
本発明の目的に合致する限り、それら以外のカルコパイライト構造の半導体層を構成する化合物をも含む。
【００２２】本発明のＩｎ 2 （Ｓｅ 1-x Ｓ x ） 3による固溶体膜の吸収端波長（ｎｍ）及びバンドギャップ（ｅＶ）
は、次の表１に示され、そして、それらの分光透過率を測定した結果は、図１に示される。 それぞれの膜厚は、
４０００Åである。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１及び図１から、吸収端波長は、ｘが大きくなると、端波長側に移動し、バンドギャップが広くなることがわかる。 太陽電池においては、膜のバンドギャップが大きくなると、ｐ−ｎ接合界面に入射する光子の数が増えるので、電流値が大きくなり、変換効率が向上する。 ただし、Ｔｒ＝０．５となる波長を吸収端波長、これに相当するエネルギーをバンドギャップとした。 これらの膜は、いずれも、ｎ型の伝導性を示し、抵抗率も１０〜１０ 4 Ω・ｃｍとバッファー層に適した特性を示している。
【００２５】
（実施例１）ソーダライムガラス基板にＭｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、基板温度１００
〜３００℃及び真空度１０ -5 torr以下に設定して、Ｉ
ｎ、Ｓｅ及びＳを３元同時蒸着させた。 その際、これらの蒸着源の蒸発レートをＩｎ；５Å／ｓ、Ｓｅ；１０Å
／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓとし、約２分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５
０：１０の膜が成膜された。
【００２６】（実施例２）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、基板温度１００〜３００℃、及び、真空度１０ -5 torr以下に設定して、Ｉｎ 2 Ｓｅ 3及びＳを２元同時蒸着させた。
その際、これらの蒸着源の蒸発レートをＩｎ 2 Ｓｅ 3 ；５
Å／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓとし、約３分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５
５：５の膜が成膜された。
【００２７】（実施例３）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、基板温度１００〜３００℃及び真空度１０ -5 torr以下に設定して、Ｉｎ 2 Ｓｅ 3及びＧａ 2 Ｓ 3を２元同時蒸着させた。 その際、これらの蒸着源の蒸発レートをＩｎ 2 Ｓ
ｅ 3 ；５Å／ｓ、及び、Ｇａ 2 Ｓ 3 ；５Å／ｓとし、約４
分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉｎ：Ｇ
ａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１０：５０：１０の膜が成膜された。
【００２８】（実施例４）Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ及びＳの単体を石英管に挿入して１２００℃に加熱することにより、（Ｉｎ、Ｇａ） 2 （Ｓｅ、Ｓ） 3バルクを作成した。
バルクの組成比は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１
０：５０：１０であった。 そして、ソーダライムガラス基板にＭｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、基板温度１００〜３００℃及び真空度１０ -5 torr
以下に設定して、前記バルクを蒸着源として用いて蒸着させた。 その際、蒸着源の蒸発レートを１０Å／ｓとし、約２分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、Ｉ
ｎ：Ｇａ：Ｓｅ：Ｓ＝３０：１０：５０：１０の膜が成膜された。
【００２９】（実施例５）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、基板温度１００〜３００℃及び真空度１０ -5 torr以下に設定して、Ｉｎ、Ｓｅ及びＳの順でＩｎ；２００Å、Ｓ
ｅ；５００Å、及び、Ｓ；２００Åの膜厚に連続して積層した。 これを３００℃で熱処理したところ、膜厚約５
００Å、Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５０：１０の膜が成膜された。
【００３０】（実施例６）ソーダライムガラス基板にＭ
ｏ薄膜を介して成膜されたＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、基板温度１００〜３００℃及び真空度１０ -5 torr以下に設定して、Ｉｎを２００Åの膜厚に蒸着し、次に、Ｓｅ及びＳを２元同時蒸着させた。 その際、Ｓｅ及びＳの蒸着源の蒸発レートをＳｅ；５Å／ｓ、及び、Ｓ；５Å／ｓ
とし、約３分間蒸着を行ったところ、膜厚約５００Å、
Ｉｎ：Ｓｅ：Ｓ＝４０：５０：１０の膜が成膜された。
【００３１】（実施例７）約１ｍｍ厚のガラス基板上に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３元同時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ 2薄膜を約２μｍ厚に成膜した。 さらに、このＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、Ｉｎ及びＳｅの２元同時蒸着により、Ｉｎ Ｓｅ 薄膜を約０．２
μｍ厚に成膜し、続いて、このＩｎ Ｓｅ 薄膜上に、スパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ［ＺｎＯにＡｌを２〜３重量％
（以下、「ｗｔ％」という。）ドープしたもの］を約１．０μｍ厚に成膜した。 得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ 2の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、９．３％であった。
【００３２】（実施例８）約１ｍｍ厚のガラス基板上に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳ
ｅを４元同時蒸着させて、ＣｕＩｎ 0.75 Ｇａ 0.25 Ｓｅ 2
薄膜を約２μｍ厚に成膜した。 さらに、このＣｕＩｎ
0.75 Ｇａ 0.25 Ｓｅ 2薄膜上に、Ｉｎ 2 Ｓ 3薄膜を真空蒸着することにより、ＩｎＳ薄膜を約０．２μｍ厚に成膜し、続いて、このＩｎＳ薄膜上に、スパッタ法でＺｎ
Ｏ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。 得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ 2の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、９．６％であった。
【００３３】（実施例９）約１ｍｍ厚のガラス基板上に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成膜し、このＭｏ薄膜上に、真空蒸着法によりＣｕ薄膜及びＩｎ薄膜をそれぞれ０．２μｍ厚及び０．５μｍ厚に連続積層成膜し、そして、この積層体を硫黄雰囲気中において５５０℃で１時間加熱処理してＣｕＩｎＳ 2薄膜を約２μｍ厚に成膜した。 さらに、このＣｕＩｎＳ 2薄膜上に、Ｉｎ、Ｓ及びＳｅの３元蒸着により、Ｉｎ
2 （Ｓ，Ｓｅ） 3薄膜を約０．２μｍ厚に成膜し、続いて、このＩｎ 2 （Ｓ，Ｓｅ）薄膜上に、スパッタ法でＺ
ｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。 得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ 2の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、６．１％であった。
【００３４】（実施例１０）約１ｍｍ厚のガラス基板上に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３
元同時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ 2薄膜を約２μｍ厚に成膜した。 さらに、このＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に、Ｇａ
2 Ｓｅ 3を真空蒸着することにより、ＧａＳｅ薄膜を約０．２μｍ厚に成膜し、続いて、このＧａＳｅ薄膜上にスパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ
％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。 得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／
ｃｍ 2の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、９．１％であった。
【００３５】（従来例１）約１ｍｍ厚のガラス基板上に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを３
元同時蒸着させて、ＣｕＩｎＳｅ 2薄膜を約２μｍ厚に成膜した。 さらに、このＣｕＩｎＳｅ 2薄膜上に真空蒸着法でＣｄＳ薄膜を約０．４μｍ厚に成膜し、続いて、
このＣｄＳ薄膜上にスパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯ
にＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ
厚に成膜した。 得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ 2の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、
９．０％であった。
【００３６】（従来例２）約１ｍｍ厚のガラス基板上に、裏面電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成膜し、このＭｏ薄膜上に、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳ
ｅを４元同時蒸着させて、ＣｕＩｎ 0.75 Ｇａ 0.25 Ｓｅ 2
薄膜を約２μｍ厚に成膜した。 さらに、このＣｕＩｎ
0.75 Ｇａ 0.25 Ｓｅ 2薄膜上に真空蒸着法でＣｄＳ薄膜を約０．４μｍ厚に成膜し、続いて、このＣｄＳ薄膜上に、スパッタ法でＺｎＯ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３
ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。
得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１
Ｗ／ｃｍ 2の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、９．５％であった。
【００３７】（従来例３）約１ｍｍ厚のガラス基板上に、電極として、Ｍｏをスパッタ法で１．０μｍ厚に成膜し、このＭｏ薄膜上に、真空蒸着法によりＣｕ薄膜及びＩｎ薄膜をそれそれ０．２μｍ厚及び０．５μｍ厚に連続積層成膜し、そして、この積層体を硫黄雰囲気中において５５０℃で１時間加熱処理してＣｕＩｎＳ 2薄膜を約２μｍ厚に成膜した。 さらに、このＣｕＩｎＳ 2薄膜上に真空蒸着法でＣｄＳ薄膜を約０．４μｍ厚に成膜し、続いて、このＣｄＳ薄膜上に、スパッタ法でＺｎ
Ｏ：Ａｌ（ＺｎＯにＡｌを２〜３ｗｔ％ドープしたもの）を約１．０μｍ厚に成膜した。 得られた太陽電池のソーラーシュミレータによる０．１Ｗ／ｃｍ 2の光照射下でのエネルギー変換効率を測定したところ、そのエネルギー変換効率は、６．０％であった。
【００３８】以上説明したように、本発明の構成によれば、カルコパイライト型の結晶構造をもつｐ型半導体薄膜、例えば、ＣｕＩｎＳｅ 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ
2 、ＣｕＩｎＳ 2等の薄膜に、バッファー層として、従来のＣｄＳ薄膜に代えて、Ｃｄを含まない、（Ｉｎ x Ｇ
ａ 1-x ）（Ｓｅ y Ｓ 1-y ） z ［式中、ｘ及びｙは、０〜１
の値であり、そして、ｚは、１〜１．５の値である。 ］
固溶体を主体としてなる半導体薄膜を接触させ、さらに、この薄膜に、例えば、ＺｎＯ：Ａｌ薄膜を接触させることにより、無公害でしかも従来のＣｄＳ薄膜使用時と同等のエネルギー変換効率を発揮する太陽電池が得られる。
【００３９】
【発明の効果】有害なＣｄ廃棄物を排出させないで、光収集効率を高く維持した半導体薄膜及びその製造方法並びにそれを用いた薄膜太陽電池を提供することができる。 そして、同一真空装置内で各薄膜を成膜することができるので、工業的メリットも大きい。
【図１】本発明のＩｎ 2 （Ｓｅ 1-x Ｓ x ） 3固溶体薄膜の分光透過率を示す図である。
【図２】従来のカルコパイライト型太陽電池の断面概略説明図である。
１ ガラス基板 ２ Ｍｏ膜 ３ ＣｕＩｎＳｅ 2膜 ４ ＣｄＳ膜 ５ ＺｎＯ膜
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法 | 2020-06-01 | 1 |
| Ta-Zr-C三元陶瓷及其制备方法 | 2020-10-31 | 1 |
| 锂离子二次电池 | 2021-08-06 | 2 |
| 一种纯Zn作为中间反应材料层的40%碳化硅颗粒增强铝基复合材料的焊接方法 | 2020-06-13 | 2 |
| 一种具有电氧化催化性能的纳米多孔Pd材料及其制备方法 | 2020-11-01 | 1 |
| 一种高温超导涂层导体RESbO3缓冲层及其制备方法 | 2020-12-27 | 2 |
| Method and system for producing an infrared transmitting fiber | 2021-09-07 | 0 |
| Solid composition | 2021-02-12 | 1 |
| High strength hot rolled steel sheet excellent in bore expanding workability and method for production thereof | 2021-02-06 | 2 |
| 2,9-Dichloro-quinacridone as alpha-quinacridone crystal phase inhibitor | 2022-04-03 | 1 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
