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一种微型冷却单元及其集成方法和装置

阅读:0发布:2021-01-17

专利汇可以提供一种微型冷却单元及其集成方法和装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种微型冷却单元及其集成方法和装置,该微型冷却单元包括 硅 基片和玻璃盖板,硅基片和玻璃盖板通过 阳极 键合形成内部流道;硅基片中间区域为 冷却液 流动换热区域,布置有由多个 散热 翅片组成的微通道阵列,冷却液流动换热区域两端分别为整流区,布置有导流翅片,散热翅片和导流翅片均采用干法 刻蚀 工艺实现;玻璃盖板的左右两端设置有对应于硅基片中的整流区正中 位置 的孔,用于冷却液的进出;微型冷却单元的上表面和下表面均为 金属化 表面。集成方法包括 半导体 功率芯片的低热阻键合、半导体功率芯片接地及微型冷却单元到盒体的 水 密性封装。本发明的微型冷却单元具有高深宽比的流道,在提高散热效率和降低流阻方面优势凸显。,下面是一种微型冷却单元及其集成方法和装置专利的具体信息内容。

1.一种微型冷却单元,其特征在于,包括基片和玻璃盖板,硅基片和玻璃盖板通过阳极键合集成在一起,用以实现硅基片和玻璃盖板的密封;硅基片中间区域为冷却液流动换热区域,布置有由多个散热翅片组成的微通道阵列,冷却液流动换热区域两端分别为整流区,布置有导流翅片,散热翅片和导流翅片均采用干法刻蚀工艺实现;玻璃盖板的左右两端设置有对应于硅基片中的整流区正中位置的孔,用于冷却液的进出;微型冷却单元的上表面和下表面均为金属化表面;采用干法刻蚀工艺,在硅基片上实现高深宽比的微通道结构,微通道刻蚀平均深度接近常规刻蚀深度的2倍;微通道深宽比>5:1;玻璃盖板上的冷却液入口和冷却液出口采用激光打孔的方式实现所需直径的孔;当微型冷却单元在后期实现可视化测试,用于对微通道中流体的流态进行分析。
2.根据权利要求1所述的一种微型冷却单元,其特征在于,相邻散热翅片之间的微通道宽为20um-100um。
3.根据权利要求1所述的一种微型冷却单元,其特征在于,微通道的形状为直通道、周期间断直通道、蛇形通道或者周期圆柱通道。
4.一种如权利要求1-3中任一项所述的微型冷却单元的集成方法,其特征在于,包括:
半导体功率芯片通过低热阻键合方式集成到微型冷却单元的金属化表面;将半导体功率芯片接地;将微型冷却单元密性封装到盒体,盒体底板内设置有冷却液分配管路,盒体外侧面设置有冷却液入口和冷却液出口,盒体底板上设置有单个或阵列化的小方槽,微型冷却单元安装在小方槽内,小方槽底部设置有两个开口,用于实现微型冷却单元的冷却液入口和冷却液出口与盒体底板内的冷却液分配管路连通,盒体底板内的冷却液分配管路将冷却液分配到每个微型冷却单元的通道内;低热阻键合的界面材料是通过纳米烧结浆的工艺实现,低热阻键的合界面材料包括纳米银和粘结剂,通过在程控炉设置烧结曲线,用以在排除溶剂后形成多孔银状或薄膜材料,并且实现合理的空洞率,最终获得热导率合理的连接界面;半导体功率芯片上的源、漏、栅极键合点以引线键合的方式与微型冷却单元上金属化表面连接;并在微型冷却单元的四个边处裹上金带,实现微型冷却单元上金属化表面与微型冷却单元下金属化表面的连接。
5.根据权利要求4所述的一种微型冷却单元的集成方法,其特征在于,金带采用平行微隙焊的方式进行压带。
6.根据权利要求4所述的一种微型冷却单元的集成方法,其特征在于,在微型冷却单元玻璃盖板的孔部位加工台阶限位结构,在盒体小方槽的开口部位加工凹槽限位结构,所述台阶限位结构与凹槽限位结构完全匹配。
7.一种微型冷却单元的集成装置,其特征在于,包括如权利要求1-3中任一项所述的微型冷却单元、半导体功率芯片和盒体,半导体功率芯片通过低热阻键合方式集成到微型冷却单元的金属化表面,且半导体功率芯片接地;微型冷却单元水密性封装到盒体,盒体底板内设置有冷却液分配管路,盒体外侧面设置有冷却液入口和冷却液出口,盒体底板上设置有单个或阵列化的小方槽,微型冷却单元安装在小方槽内,小方槽底部设置有两个开口,用于实现微型冷却单元的冷却液入口和冷却液出口与盒体底板内的冷却液分配管路连通,盒体底板内的冷却液分配管路将冷却液分配到每个微型冷却单元的流道内。
8.根据权利要求7所述的一种微型冷却单元的集成装置,其特征在于,低热阻键合方式的界面材料通过纳米烧结银浆工艺实现,材料本身包括纳米银和粘结剂。
9.根据权利要求7所述的一种微型冷却单元的集成装置,其特征在于,半导体功率芯片接地的方式为:半导体功率芯片上的源极、漏极和栅极键合点以引线键合的方式与微型冷却单元上金属化表面连接;微型冷却单元上金属化表面通过微型冷却单元四个边角处的金带与微型冷却单元下金属化表面连接。
10.根据权利要求9所述的一种微型冷却单元的集成装置,其特征在于,金带采用平行微隙焊的方式进行压带。
11.根据权利要求7所述的一种微型冷却单元的集成装置,其特征在于,微型冷却单元玻璃盖板的孔部位加工有台阶限位结构,盒体小方槽的开口部位加工有凹槽限位结构,所述台阶限位结构与凹槽限位结构完全匹配。

说明书全文

一种微型冷却单元及其集成方法和装置

技术领域

[0001] 本发明涉及电子设备散热技术领域,尤其涉及一种微型冷却单元及其集成方法和装置。

背景技术

[0002] 针对大功率、气密性的功能单元,近几年出现的新的封装形式如系统级封装(SiP)、基于封装的系统(SoP)集成方式等,由于其尺寸小、密度高、功能复杂,传统的冷却技术和散热集成装置已经不适用,另外,整个功能单元及系统的封装形式从材料体系上必须更加注重热膨胀系数不匹配所带来的问题,导致传统的大尺寸金属基微通道问题会更加突出,材料体系和系统体积决定了传统的散热/冷却技术已明显受限,必须采用合适的散热方式,保证设备内部温度敏感性电子元器件的温度低于正常工作的极限温度。
[0003] 现有的基微通道加工工艺及散热技术的专利如:硅基微通道换热器,专利号:CN1558448A;具有电流体的硅基微通道换热器及其制造方法,专利号:
CN103839905A,重点集中在微通道冷却单元制造本身,旨在打通单元级的工艺实现路径。而比较典型的解决微通道散热集成的专利如:一种硅基微通道散热器集成冷却装置,专利号:
CN104201158A,提出了将硅基微通道散热器集成到盒体中,但使用范围非常受限,并未解决芯片接地和贴装的密性问题,这些典型的技术并未提出一套完整的高可靠性的、散热能力强的、流阻特性好的集成冷却系统解决方案。
[0004] 从前面描述可知,现有冷却单元制作及集成解决方案中,芯片的使用范围受限、散热系统的性能欠佳,在实际工程中存在以下问题:
[0005] 1)未考虑集成冷却中功率芯片的接地问题;
[0006] 2)功率芯片在使用中的热界面问题;
[0007] 3)冷却液在进出口处的水密性问题及长期使用中焊接界面的耐冲刷、腐蚀问题。

发明内容

[0008] 本发明所要解决的技术问题是:针对现有技术存在的问题,提出一种微型冷却单元及其集成方法和装置,可以解决目前高功率、高热流密度半导体芯片的散热难题。本发明通过硅微加工和阳极键合的方法,实现高深宽比流道结构的硅-玻璃基微型冷却单元,通过优化半导体功率芯片集成的界面热阻、半导体功率芯片接地实现方式及微型冷却单元到盒体的水密性封装,有效保证半导体功率芯片及器件的正常工作。
[0009] 本发明提供的一种微型冷却单元,其特征在于,包括硅基片和玻璃盖板,硅基片和玻璃盖板通过阳极键合集成在一起;硅基片中间区域为冷却液流动换热区域,布置有由多个散热翅片组成的微通道阵列,冷却液流动换热区域两端分别为整流区,布置有导流翅片,散热翅片和导流翅片均采用干法刻蚀工艺实现;玻璃盖板的左右两端设置有对应于硅基片中的整流区正中位置的孔,用于冷却液的进出;微型冷却单元的上表面和下表面均为金属化表面。
[0010] 进一步,相邻散热翅片之间的微通道宽为20um-100um。
[0011] 进一步,微通道的形状为直通道、周期间断直通道、蛇形通道或者周期圆柱通道。
[0012] 本发明的另一方面提供的一种如上所述的微型冷却单元的集成方法,包括:将半导体功率芯片通过低热阻键合方式集成到微型冷却单元的金属化表面;将半导体功率芯片接地;将微型冷却单元水密性封装到盒体,盒体底板内设置有冷却液分配管路,盒体外侧面设置有冷却液入口和冷却液出口,盒体底板上设置有单个或阵列化的小方槽,微型冷却单元安装在小方槽内,小方槽底部设置有两个开口,用于实现微型冷却单元的冷却液入口和冷却液出口与盒体底板内的冷却液分配管路连通,盒体底板内的冷却液分配管路将冷却液分配到每个微型冷却单元的通道内。
[0013] 进一步,低热阻键合的具体方法为:通过纳米烧结浆工艺实现界面材料,材料本身包括纳米银和粘结剂。
[0014] 进一步,将半导体功率芯片接地的具体方法为:将半导体功率芯片上的源极、漏极和栅极键合点以引线键合的方式与微型冷却单元上金属化表面连接;并在微型冷却单元的四个边处裹上金带,实现微型冷却单元上金属化表面与微型冷却单元下金属化表面的连接。
[0015] 进一步,金带采用平行微隙焊的方式进行压带。
[0016] 进一步,在微型冷却单元玻璃盖板的孔部位加工台阶限位结构,在盒体小方槽的开口部位加工凹槽限位结构,所述台阶限位结构与凹槽限位结构完全匹配。
[0017] 本发明的另一方面提供的一种微型冷却单元的集成装置,包括如上所述的微型冷却单元、半导体功率芯片和盒体,半导体功率芯片通过低热阻键合方式集成到微型冷却单元的金属化表面,且半导体功率芯片接地;微型冷却单元水密性封装到盒体,盒体底板内设置有冷却液分配管路,盒体外侧面设置有冷却液入口和冷却液出口,盒体底板上设置有单个或阵列化的小方槽,微型冷却单元安装在小方槽内,小方槽底部设置有两个开口,用于实现微型冷却单元的冷却液入口和冷却液出口与盒体底板内的冷却液分配管路连通,盒体底板内的冷却液分配管路将冷却液分配到每个微型冷却单元的流道内。
[0018] 进一步,低热阻键合方式的界面材料通过纳米烧结银浆工艺实现,材料本身包括纳米银和粘结剂。
[0019] 进一步,半导体功率芯片接地的方式为:半导体功率芯片上的源极、漏极和栅极键合点以引线键合的方式与微型冷却单元上金属化表面连接;微型冷却单元上金属化表面通过微型冷却单元四个边角处的金带与微型冷却单元下金属化表面连接。
[0020] 进一步,金带采用平行微隙焊的方式进行压带。
[0021] 进一步,微型冷却单元玻璃盖板的孔部位加工有台阶限位结构,盒体小方槽的开口部位加工有凹槽限位结构,所述台阶限位结构与凹槽限位结构完全匹配。
[0022] 与现有技术相比,本发明实现了完整可靠的散热解决方案,集成界面热阻低,能保证完好的芯片接地,克服了硅、玻璃基板金属化通孔互连接地深度受限制的约束,所采用的限位结构水密性好,能实现精准对位、防止焊料阻塞进出孔和避免冷却液腐蚀焊料等问题,工程实用化强。附图说明
[0023] 本发明将通过实施例并参照附图的方式说明,其中:
[0024] 图1为微型冷却单元的结构示意图;
[0025] 图2(1)-2(4)分别为直通微通道结构、周期间断直通微通道结构、蛇形微通道结构和周期圆柱微通道结构的示意图;
[0026] 图3为半导体功率芯片集成到微型冷却单元并实现半导体功率芯片接地的整体结构正面示意图;
[0027] 图4为半导体功率芯片集成到微型冷却单元并实现半导体功率芯片接地的整体结构背面示意图;
[0028] 图5为盒体及微型冷却单元集成到盒体上的结构示意图;
[0029] 图6为微型冷却单元集成到盒体的整体示意图。
[0030] 图中标记:3-微型冷却单元;31—硅基片;311—微通道阵列;312—整流区;313—导流翅片;32—玻璃盖板;321—微型冷却单元冷却液入口;322—微型冷却单元冷却液出口;314—微型冷却单元上金属化表面;33—半导体功率芯片;34—金丝;35—低热阻键合界面材料;323—台阶限位结构;324—微型冷却单元下金属化表面;36—接地金带;1—盒体;11—盒体冷却液入口;12—盒体冷却液出口;13—盒体上小方槽冷却液入口;14—盒体上小方槽冷却液出口;15—小方槽;16—凹槽限位结构;17—盒体底板;18—冷却液分配管路;
2—密封盖板。

具体实施方式

[0031] 本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。
[0032] 本说明书中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
[0033] 本发明所要解决的问题是目前高功率、高热流密度半导体功率芯片的散热难题,通过硅微加工和阳极键合的方法,实现高深宽比通道结构的硅-玻璃基微型冷却单元,并提出一整套面向工程化应用的微型冷却单元集成方法及装置,其中包括:半导体功率芯片的低热阻键合、半导体功率芯片接地及微型冷却单元到盒体的水密性封装。
[0034] 一、微型冷却单元
[0035] 如图1所示,微型冷却单元3包括硅基片31和玻璃盖板32,两者通过阳极键合工艺集成在一起,硅基片31的材料为硅基材料,玻璃盖板32的材料为耐高温玻璃。
[0036] 硅基片31的中间区域为冷却液流动换热区域,布置有由多个散热翅片组成的微通道阵列311,有效面积可根据半导体功率芯片的尺寸灵活变动,要求微通道阵列311的有效面积大于半导体功率芯片的面积。在一些实施例中,相邻散热翅片之间的微通道宽最小为20um,最大为100um。冷却液流动换热区域两端分别为整流区312,布置有导流翅片313,可保证所有微通道内的流速尽量一致,提高散热效率。在一些实施例中,散热翅片和导流翅片
313均采用干法刻蚀工艺实现,微通道形状可以为直通道、周期间断直通道、蛇形通道或周期圆柱通道等结构,分别如图2(1)-2(4)所示,其具体实现方法如下:
[0037] 采用硅材料,通过半导体加工工艺实现,具体的工艺流程为:晶圆准备→掩膜版制备→背面金属化→正面刻蚀阻挡层→光刻图形化→等离子体干法刻蚀→去除刻蚀阻挡层,最终形成如图2所示的硅基片。
[0038] 玻璃盖板的左右两端设置有对应于硅基片中的整流区正中位置的孔,用于冷却液的进出,即微型冷却单元冷却液入口321和微型冷却单元冷却液出口322。在一些实施例中,微型冷却单元冷却液入口321和微型冷却单元冷却液出口322采用激光打孔的方式实现。微型冷却单元的上表面和下表面均采用金属化工艺。
[0039] 本发明的微型冷却单元,采用MEMS加工中常用的干法刻蚀工艺,通过优化参数,在硅基片上实现高深宽比的微通道结构,在相同的特征尺寸下,本发明的微通道刻蚀平均深度接近常规刻蚀深度的2倍。研究表明,高的深宽比在散热试验中能表现出优异的流阻特性,要求微通道深宽比>5:1。玻璃盖板上的冷却液入口和冷却液出口采用激光打孔的方式实现所需直径的孔。微型冷却单元的上表面和下表面均采用金属化工艺。通过阳极键合,实现硅基片和玻璃盖板的密封,由于玻璃本身透光性好,此种微型冷却单元在后期测试时可以完全可视化,便于对微通道中流体的流态进行深入分析。另外,采用硅-玻璃阳极键合的方法,相比于硅-硅直接键合,对操作环境的洁净度要求要低很多,避免了苛刻的实验环境要求。
[0040] 二、半导体功率芯片的低热阻键合及接地
[0041] 如图3和4所示,半导体功率芯片33通过低热阻键合界面材料35集成到微型冷却单元上金属化表面314,在一些实施例中,低热阻键合界面材料35是通过纳米烧结银浆的工艺实现的,材料本身包括纳米银和粘结剂,通过在程控炉设置合理的烧结曲线,使得在排除溶剂后形成多孔银状或薄膜材料,并且可以实现非常低的空洞率,最终获得热导率较高的连接界面。通过纳米烧结银工艺保证了半导体功率芯片和微型冷却单元的高导集成,降低了界面热阻。
[0042] 本发明中半导体功率芯片33上的源、漏、栅极键合点以引线键合的方式与微型冷却单元上金属化表面314连接;微型冷却单元上金属化表面314通过微型冷却单元3四个边角处的金带36与微型冷却单元下金属化表面324连接,起到侧边金属化的作用,实现微型冷却单元到盒体的接地。在一些实施例中,所述引线是金丝34,且所述金丝通过超声热压焊的方式进行焊接。为了保证金带与微型冷却单元上金属化表面314和微型冷却单元下金属化表面324的可靠连接,在一些实施例中,采用平行微隙焊的方式进行压带。本发明的接地方式避免了在硅基片和玻璃盖板上制作金属化垂直接地通孔对微型冷却单元厚度的限制,可以允许制作更深的微通道尺寸,对降低系统流阻有很大贡献。
[0043] 三、微型冷却单元到盒体的水密性封装
[0044] 如图5和图6所示,盒体1的盒体底板17内设置有冷却液分配管路18,盒体外侧面设置有盒体冷却液入口11和盒体冷却液出口12;根据需要可在盒体底板17上设置单个或阵列化的小方槽15,微型冷却单元3安装在小方槽15内,小方槽15底部设置有两个开口,用于实现微型冷却单元3的冷却液入口321和冷却液出口322与盒体底板内的冷却液分配管路18连通,盒体底板内的冷却液分配管路18将冷却液分配到每个微型冷却单元3的流道内。
[0045] 在一些实施例中,小方槽15的开口部位加工有凹槽限位结构16,玻璃盖板上的台阶限位结构323与盒体上的凹槽限位结构16完全匹配,在集成过程中很容易实现微型冷却单元3的冷却液入口321和冷却液出口322分别与盒体上小方槽15的冷却液入口13和冷却液出口14的精准对位,并防止焊料溢流造成冷却液入口和冷却液出口的阻塞,同时使得靠近冷却液入口和冷却液出口的焊料避免经受冷却液长期冲刷,进而大幅提升整个集成工艺的可靠性。
[0046] 在一个具体实施例中,盒体1采用金属材料通过机加工形成阵列形式的小方槽15,冷却液从盒体冷却液入口11进入,通过盒体1的盒体底板17内的冷却液分配管路18分流到盒体上小方槽冷却液入口13,流经微型冷却单元3后从盒体上小方槽冷却液出口14流出,合并后又通过盒体底板17内的冷却液分配管路18汇总,最终流出盒体冷却液出口12,进入冷却液循环系统。
[0047] 在一些实施例中,集成有半导体功率芯片的微型冷却单元3最终以焊接的方式集成到盒体上的小方槽15中,盒体上小方槽的凹槽限位结构16与玻璃盖板上的台阶限位结构323精准对位后互相嵌套,最终微型冷却单元下金属化表面324与盒体上小方槽15的底面无缝贴焊,保证冷却液能顺利通过微型冷却单元3。
[0048] 如上所述,本发明提出的微型冷却单元的集成方法及装置中,微型冷却单元本身由于具有高深宽比的流道,在提高散热效率和降低流阻方面优势凸显。而本发明中半导体功率芯片与微型冷却单元间采用纳米烧结银的高热导率集成方法,大大降低了界面热阻,使得半导体功率芯片产生的热量能快速导入微型冷却单元,采用本发明中的半导体功率芯片接地方法,能够在解决散热的同时,方便而又低成本地保证功率器件接地电性能完好。此外,本发明中采用的带有限位结构的水密性封装能在精准对位、防止焊料阻塞冷却液入口和冷却液出口,以及防止冷却液腐蚀焊料方面均表现出优异性能。因而,本发明是一种高效的微型冷却单元在集成方面的系统性解决方法及装置。
[0049] 本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明可扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
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