用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂及使用方法
阅读：857发布：2020-05-08
专利汇可以提供用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂及使用方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种用于低 碳 微 合金 钢 细小奥氏体 晶界 显示的 腐蚀 剂，其组成物及体积百分比为饱和 柠檬酸 溶液97.5-99%、饱和FeCl3溶液0.5-1%、洗洁精0.5-1.5%；将本发明 腐蚀剂 用于低碳微 合金钢 细小奥氏体晶界显示，实验结果显示可以得到晶界清晰的金相；本发明的腐蚀剂腐蚀出的晶界显示完全，并且腐蚀效果稳定，最重要的是，此腐蚀剂配方和使用过程都不需要苦味酸，减少人体危害，增加实验室安全。，下面是用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂及使用方法专利的具体信息内容。
用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂及使用方法
技术领域
背景技术
[0002] 以往钢的奥氏体晶界显示方法是将抛光好的钢样浸泡在过饱和苦味酸里通过水浴加热（热蚀法）显示；但是这种方法不稳定，苦味酸腐蚀出的样品会出现腐蚀不均匀的现象，会出现部分过腐蚀（粗晶界）部分晶界不出。同时，苦味酸危害大，人体接触量多或者接触时间久，会引起接触性皮炎、结膜炎和支气管炎，同时会有头痛、头晕、恶心呕吐等反应。而苦味酸实验过程也很危险，如不小心溅在仪器上会损坏仪器，加热过程有爆炸危险。因此，寻找能代替苦味酸腐蚀钢样品晶界的腐蚀剂非常重要。
发明内容
[0003] 针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂；其组成物及体积百分比为：饱和柠檬酸溶液97.5-99%、饱和FeCl3溶液0.5-1%、洗洁精0.5-1.5%。
[0004] 本发明另一目的是提供上述用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂的使用方法，使用时，将腐蚀剂加热到60℃ 80℃，将抛光好的钢样放入腐蚀剂中，抛光面向~上，保温3 6min；将钢样取出洗干净后，用无水乙醇擦抛光面，吹干后，即得到晶界清晰的金~
相。
相。
[0005] 本发明与现有的技术相比具有如下优点：1、此腐蚀剂能够稳定腐蚀出连续均匀的晶界，易于进行晶粒度级别评定；
2、此腐蚀剂的配方和使用方法和传统腐蚀剂相比完全脱离苦味酸，减少人体的危害，增加实验室安全。
附图说明
2、此腐蚀剂的配方和使用方法和传统腐蚀剂相比完全脱离苦味酸，减少人体的危害，增加实验室安全。
附图说明
[0006] 图1为传统苦味酸腐蚀剂腐蚀的钢样金相效果；图2为本发明的腐蚀剂腐蚀出的钢样金相效果。
具体实施方式
[0007] 下面通过实施例对本发明作进一步详细说明，但本发明保护范围不局限于所述内容。
[0008] 实施例1：本用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂组成物为饱和柠檬酸溶液97.5%、饱和FeCl3溶液1%、洗洁精1.5%。
[0009] （1）在两个烧杯中分别加入去离子水10mL，烧杯A中加入柠檬酸到饱和，烧杯B中加入FeCl3到饱和，然后使用胶头滴管将饱和FeCl3溶液滴加到烧杯A中，再滴加入洗洁精后搅拌均匀；腐蚀剂的量可以根据样品和烧杯容量决定，要求腐蚀剂可以浸泡样品；（2）将烧杯A放入水浴加热炉中加热到70℃后，将抛光好的钢样放入烧杯A中，抛光面向上，保温4min，为了防止过腐蚀，腐蚀过程应该每腐蚀一分钟拿出来观察抛光面；腐蚀完全后将钢样取出洗干净后，用含有无水乙醇的脱脂棉轻轻擦干抛光面，然后用吹风机吹干；传统苦味酸腐蚀出的金相效果如图1所示，会有部分晶界不显示，并且腐蚀效果有时候不佳，腐蚀结果不稳定；而本发明的腐蚀剂腐蚀出的晶界显示完全（图2），并且腐蚀效果稳定，最重要的是，此腐蚀剂配方和使用过程都不需要苦味酸，减少人体危害，增加实验室安全。
[0010] 本发明合适腐蚀低碳微合金钢细小奥氏体晶界，碳含量过高和大晶粒晶界的钢样使用此腐蚀方法效果不佳。
[0011] 实施例2：本用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂组成物为饱和柠檬酸溶液:98%、饱和FeCl3溶液1%、洗洁精1%。
[0012] 使用时，将腐蚀剂加热到60℃，将抛光好的钢样放入腐蚀剂中，抛光面向上，保温5min；将钢样取出洗干净后，用无水乙醇擦抛光面，吹干后，即得到晶界清晰的金相；且腐蚀剂腐蚀出的晶界显示完全，并且腐蚀效果稳定。
[0013] 实施例3：本用于低碳微合金钢细小奥氏体晶界显示的腐蚀剂组成物为饱和柠檬酸溶液99%、饱和FeCl3溶液0.5%、洗洁精0.5%。
[0014] 使用时，将腐蚀剂加热到80℃，将抛光好的钢样放入腐蚀剂中，抛光面向上，保温3min；将钢样取出洗干净后，用无水乙醇擦抛光面，吹干后，即得到晶界清晰的金相；且腐蚀剂腐蚀出的晶界显示完全，并且腐蚀效果稳定。
[0015] 本发明合适腐蚀低碳微合金钢细小奥氏体晶界，碳含量过高和大晶粒晶界的钢样使用此腐蚀方法效果不佳。
[0016] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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