一种圆片级深紫外LED的封装方式
专利汇可以提供一种圆片级深紫外LED的封装方式专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 为一种圆片级深紫外LED的封装方式。首先对深紫外LED芯片单元 外延 层边缘进行 刻蚀 ，并且刻蚀到衬底层，然后用绝缘层一对芯片除N层与P层 电极 接触 以外的地方进行绝缘包封，绝缘层一材料为SiO2或Si3N4，再通过溅射与 蒸发 工艺，制作 基板 焊接 电极 引出 电路 ，基板材料采用Si片或者陶瓷片，并将深紫外LED芯片通过表面贴片工艺焊接在基板上，另外在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉积绝缘层二，用绝缘层二将基板与深紫外LED芯片进行包封，最后根据芯片尺寸，对基板进行 激光切割 。本发明使用简单的封装就可以使芯片整体与使用环境进行隔离，达到保护芯片的目的，同时本发明工艺简单，在保证深紫外LED的出光效率的前提下，大大降低了深紫外LED封装的成本。，下面是一种圆片级深紫外LED的封装方式专利的具体信息内容。
1.一种圆片级深紫外LED的封装方式，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、对深紫外LED芯片单元外延层边缘进行刻蚀，并且刻蚀到衬底层，衬底层的刻蚀深度大于0.05微米；
步骤二、用绝缘层一对芯片除N层与P层电极接触以外的地方进行绝缘包封，绝缘层一材料为SiO2或Si3N4，绝缘层一的厚度为1～2微米；
步骤三、通过溅射与蒸发工艺，制作基板焊接电极引出电路，基板材料采用Si片或者陶瓷片，基板尺寸为2英寸或大于2英寸；
步骤四、将深紫外LED芯片通过表面贴片工艺焊接在基板上，并在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉积绝缘层二，用绝缘层二将基板与深紫外LED芯片进行包封；
步骤五、根据芯片尺寸，对基板进行激光切割。
2.根据权利要求1所述的一种圆片级深紫外LED的封装方式，其特征在于，在步骤一中，所述深紫外LED芯片单元刻蚀到衬底层的外延层边缘宽度为20～50微米。
3.根据权利要求1所述的一种圆片级深紫外LED的封装方式，其特征在于，在步骤四中，所述绝缘层二的沉积方式为在焊接有深紫外LED芯片的基板上整体沉积绝缘层二，或者在已焊接的深紫外LED芯片单元间隙沉积绝缘层二以包裹芯片的四周方式来保护芯片。
一种圆片级深紫外LED的封装方式
技术领域
背景技术
发明内容
步骤二、为避免深紫外LED外延层的n层边缘裸露，用绝缘层一对芯片进行绝缘包封，表面N层与P层裸露，绝缘层一材料为SiO2或Si3N4，绝缘层一的厚度为1～2微米；
步骤三、通过溅射与蒸发工艺，制作基板焊接电极引出的电路，基板材料采用Si片或者陶瓷片，基板尺寸为2英寸或大于2英寸；
步骤四、将深紫外LED芯片通过焊接贴装在基板上，并在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉积绝缘层，绝缘层材料为SiO2，再次用绝缘层将基板与深紫外LED芯片进行包封；
步骤五、根据芯片尺寸，对基板进行激光切割。
图3 为实施方式2中的圆片级深紫外LED的封装方式的结构剖面示意图；
图4为实施方式2中的圆片级深紫外LED阵列封装方式的示意图。
具体实施方式
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