亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构
阅读：465发布：2020-05-08
专利汇可以提供亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构，其中亥姆霍兹共振器包括亥姆霍兹共振器本体，亥姆霍兹共振器本体内设置有至少一个内嵌管，亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹在一个所述内嵌管外侧；所有所述内嵌管之间不 接触 。低频宽带吸声降噪结构包括刚性的 框架 ，框架内并列设置有至少两个亥姆霍兹共振器。本发明亥姆霍兹共振器不仅实现了更加优越的低频、宽频的吸声降噪效果，更有效地减少亥姆霍兹共振器的厚度；低频宽带吸声降噪结构现在低频宽带吸声降噪结构中提升每个弱吸声亥姆霍兹共振器的吸声效果，进而利用较薄的低频宽带吸声结构在更宽频的范围内实现较高效的吸声。，下面是亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构专利的具体信息内容。
1.一种亥姆霍兹共振器，其特征在于，包括亥姆霍兹共振器本体，所述亥姆霍兹共振器本体内设置有至少一个内嵌管，所述亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹在一个所述内嵌管外侧；
其中，所有所述内嵌管之间不接触。
2.根据权利要求1所述的亥姆霍兹共振器，其特征在于，所述亥姆霍兹共振器本体内还包括用于对所述亥姆霍兹共振器本体内腔进行分割的隔板，每个所述隔板上贯穿设置有一个内嵌管。
3.根据权利要求1所述的亥姆霍兹共振器，其特征在于，所述亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹的所述内嵌管高度大于等于所述亥姆霍兹共振器本体开口厚度。
4.根据权利要求1所述的亥姆霍兹共振器，其特征在于，贯穿设置于所述隔板上的内嵌管高度大于等于所述隔板厚度。
5.一种基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，包括刚性的框架，所述框架内并列设置有至少两个如权利要求1-4任意一项所述的亥姆霍兹共振器。
6.根据权利要求5所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，所述亥姆霍兹共振器的主要吸声频率的吸声效率在20％-80％之间。
7.根据权利要求6所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，所述框架内设置的所有所述亥姆霍兹共振器长度相同。
8.根据权利要求7所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，在并列设置的所述亥姆霍兹共振器上方预设距离设置有一层微穿孔板，以实现多个所述亥姆霍兹共振器与所述微穿孔板之间的串联耦合。
9.根据权利要求8所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，还包括设置于并列设置的所述亥姆霍兹共振器上表面和所述微穿孔板下表面的吸声海绵层。
亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构
技术领域
[0001] 本发明涉及低频减震降噪技术领域，尤其涉及一种亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构。
背景技术
[0002] 低频噪声一直是噪声控制工程中的重点和难点。在传统噪声控制工程中，声学材料只能对波长与材料尺度相当的噪声进行控制，若要实现对低频噪声的降低，则需设计吸声材料的厚度到分米甚至米量级，该种厚度显然对噪声控制带来了诸多不便，同时吸声棉等传统声学材料还存在低温无法使用，使用寿命不长等问题。
[0003] 为了解决传统噪声控制工程中问题，现有声学穿孔板引入共振特性大幅提升了中低频的吸声特征，其材质也多采用铝、钢等金属材质，具有耐腐蚀、耐低温、可承受高速气流冲击以及适用于高声强等优势；然而由于共振结构自身窄带较窄，因此无论是单层还是双层微穿孔板都无法胜任宽频带的降噪要求，即基于单共振系统构建的吸声降噪结构仅可在共振频率及一定临近带宽内实现较好的吸声效率，无法实现较宽的工作频带。
[0004] 为了解决吸声材料工作频带不够宽的问题，目前主要通过将多个单共振系统进行耦合来拓宽吸声带宽。现在最常用的耦合技术将多个具有不同共振频率的强吸声单元进行耦合，进而拼凑成一个宽频的强吸声降噪结构，该种耦合方式直接且基础。但上述耦合技术忽略了吸声单元排列方式对吸声性能的作用规律以及不同排列方式之间引起的耦合和增强效应，现有耦合方式吸声带宽的扩宽主要依赖于吸声峰的个数，因此在多个吸声峰之间会存在大量的吸声低谷，带来效率的损失；同时现有耦合方式要求每个吸声单元都具有强吸声性能，这种强吸声性能则要求结构具有特定的厚度，导致最终的吸声降噪结构较厚，无法实现更加轻薄的宽带吸声降噪结构。
发明内容
[0005] 本发明所要解决的技术问题是现有噪声控制工程中的低频宽带吸声降噪结构厚度较大，且在对其进行耦合时存在较高的声阻抗设计要求；同时通过现有单体共振器耦合得到的低频宽带吸声降噪结构不仅存在厚度加大的问题，还存在因耦合而导致地低频宽带吸声降噪结构存在多个吸声低谷的问题，严重影响宽带吸声降噪结构的使用效果。
[0006] 为了解决上述技术问题，本发明提供了一种亥姆霍兹共振器，其特征在于，包括亥姆霍兹共振器本体，所述亥姆霍兹共振器本体内设置有至少一个内嵌管，所述亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹在一个所述内嵌管外侧；
[0007] 其中，所有所述内嵌管之间不接触。
[0008] 优选地，所述亥姆霍兹共振器本体内还包括用于对所述亥姆霍兹共振器本体内腔进行分割的隔板，每个所述隔板上贯穿设置有一个内嵌管。
[0009] 优选地，所述亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹的所述内嵌管高度大于等于所述亥姆霍兹共振器本体开口厚度。
[0010] 优选地，贯穿设置于所述隔板上的内嵌管高度大于等于所述隔板厚度。
[0012] 优选地，所述亥姆霍兹共振器的主要吸声频率的吸声效率在20％-80％之间。
[0013] 优选地，所述框架内设置的所有所述亥姆霍兹共振器长度相同。
[0014] 优选地，在并列设置的所述亥姆霍兹共振器上方预设距离设置有一层微穿孔板，以实现多个所述亥姆霍兹共振器与所述微穿孔板之间的串联耦合。
[0015] 优选地，基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构还包括设置于并列设置的所述亥姆霍兹共振器上表面和所述微穿孔板下表面的吸声海绵层。
[0017] 应用本发明实施例提供的亥姆霍兹共振器，通过调节亥姆霍兹共振器本体内部的内嵌管长度及截面积和亥姆霍兹共振器本体空腔的长度及截面积来调节共振器的共振频率，大大提升了亥姆霍兹共振器的声阻抗及吸声系数可调性，可在更加低频实现更加自由的生阻抗调节，使得在对亥姆霍兹共振器进行耦合时可以更大自由度地调节相互之间的耦合作用；同时在合理利用共振器之间的耦合作用的基础上，不仅实现了更加优越的低频、宽频的吸声降噪效果，更有效地减少亥姆霍兹共振器的厚度。同时本发明实施例提供的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构通过将亥姆霍兹共振器进行并联耦合或串并联耦合，实现在低频宽带吸声降噪结构中提升每个亥姆霍兹共振器的吸声效果，进而利用较薄的低频宽带吸声降噪结构在更宽频的范围内实现较高效的吸声。
[0018] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0019] 附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例共同用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
[0020] 图1示出了本发明实施例一亥姆霍兹共振器的结构示意图；
[0021] 图2示出了本发明实施例一亥姆霍兹共振器的内部结构示意图；
[0022] 图3示出了本发明实施例一亥姆霍兹共振器一种示例的剖面结构示意图；
[0023] 图4示出了图3示意的亥姆霍兹共振器的另一种剖面结构示意图；
[0024] 图5示出了本发明实施例二基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的结构示意图；
[0025] 图6示出了本发明实施例二基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的内部结构示意图；
[0026] 图7示出了本发明实施例二中一种并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的声阻抗分析示意图；
[0027] 图8示出了本发明实施例二中一种并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数示意图；
[0028] 图9示出了本发明实施例二中一种串并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的声阻抗分析示意图；
[0029] 图10示出了本发明实施例二中一种串并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数示意图；
[0030] 图11示出了本发明实施例二中一种添加吸声绵的串并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数示意图；
[0031] 图12示出了本发明实施例二中多自由度耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的结构示意图；
[0032] 图13示出了本发明实施例二中多自由度耦合的基于弱吸声亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构在吸声频带内的吸声系数示意图；
[0033] 其中，1为亥姆霍兹共振器本体，2为开口内嵌管，3为隔板，4为内部内嵌管。
具体实施方式
[0034] 以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0035] 低频噪声一直是噪声控制工程中的重点和难点。为了解决传统噪声控制工程中问题，现有声学穿孔板引入共振特性大幅提升了中低频的吸声特征，但共振结构自身窄带较窄，无论是单自由度还是双自由度微穿孔板都无法胜任宽频带的降噪要求，无法实现较宽的工作频带。为了解决吸声材料工作频带不够宽的问题，目前主要通过将多个单共振系统进行耦合来拓宽吸声带宽。现在最常用的耦合技术将多个具有不同共振频率的强吸声单元进行耦合，进而拼凑成一个宽频的强吸声降噪结构，该种耦合方式直接且基础。但上述耦合技术忽略了吸声单元排列方式对吸声性能的作用规律以及不同排列方式之间引起的耦合和增强效应，具体现有耦合方式吸声带宽的扩宽主要依赖于吸声峰的个数，因此在多个吸声峰之间会存在大量的吸声低谷，带来效率的损失；同时现有耦合方式要求每个吸声单元都具有强吸声性能，因此在结构上也有特定的要求，仍然无法实现更加轻薄的宽带吸声降噪结构。
[0036] 实施例一
[0037] 为解决现有技术中存在的技术问题，本发明实施例提供了一种亥姆霍兹共振器。
[0038] 图1示出了本发明实施例一亥姆霍兹共振器的结构示意图；图2示出了本发明实施例一亥姆霍兹共振器的内部结构示意图。参考图1和图2所示，本发明实施例亥姆霍兹共振器包括亥姆霍兹共振器本体1，亥姆霍兹共振器本体1内设置有至少一个内嵌管，亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹在一个内嵌管外侧。
[0039] 将亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹的内嵌管设定为开口内嵌管2，则亥姆霍兹共振器本体1内至少包括开口内嵌管2。需要说明的是，所有的内嵌管均处于亥姆霍兹共振器内部(包括亥姆霍兹共振器开口位置)。亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹住开口内嵌管2的顶端外侧，开口处内嵌管高度最多可从亥姆霍兹共振器本体开口处向亥姆霍兹共振器本体1内腔延伸。进一步需要说明的是，所有的内嵌管均不接触。
[0040] 优选地，亥姆霍兹共振器本体1可由内空的长方型柱构成，长方型柱体上表面开设有与内腔连通的开口，将该开口作为亥姆霍兹共振器本体1的开口。优选地，亥姆霍兹共振器本体开口设置为圆形开口，开口内嵌管2也为内空的圆柱形管。
[0041] 需要说明的是，亥姆霍兹共振器本体1还可为内空的其他截面积状柱体，例如圆柱体和多边形柱体。进一步优选地，亥姆霍兹共振器本体开口也可设置为其他形状开口，例如方形口或多边形口，开口内嵌管2形状可与亥姆霍兹共振器本体开口对应设置。
[0042] 亥姆霍兹共振器本体1内还可以设置有一个或多个隔板3，隔板3的设置目的为了将亥姆霍兹共振器本体1内腔分割成多个腔室。每个隔板3上均设置有一个内嵌管，设定设置在隔板3上的内嵌管为内部内嵌管4，每个内部内嵌管4均贯穿于隔板3设置。优选地，内部内嵌管4可设置为内空的圆柱形管。需要说明的是，内部内嵌管4还可设置为横截面2为方形或多边形的柱形管。内部内嵌管4可从隔板处向上和/或向下延伸到由内部内嵌管4分割的上下腔体内。
[0043] 为了使设计的亥姆霍兹共振器适用于多种地低频吸声降噪结构，可通过对亥姆霍兹共振器的隔板3数量、内嵌管和亥姆霍兹共振器内腔进行调整来得到多种参数不同亥姆霍兹共振器。进一步地，设置开口内嵌管2的高度大于等于亥姆霍兹共振器本体开口厚度，并设置内部内嵌管4的高度大于等于隔板厚度，以确保在对内嵌管进行高度调整时开口内嵌管2和内部内嵌管4调整基本存在。
[0044] 在实际应用中，用户可根据所要达到的目标频率对亥姆霍兹共振器本体1内部的内嵌管长度和直径进行调节，和对亥姆霍兹共振器本体1内空腔的长、宽、高进行调节，以及对隔板在本体1中的位置进行调节。需要说明的是，当亥姆霍兹共振器本体1内没有设置隔板3时，亥姆霍兹共振器为单层结构；当亥姆霍兹共振器本体1内设置一个隔板3时，隔板3将亥姆霍兹共振器分割为双层结构，依次类推，基于目标频率可将亥姆霍兹共振器分割为多层结构。在对内嵌管和亥姆霍兹共振器本体1空腔尺寸进行调节时可分别对多层结构中的内嵌管和腔室进行调节。
[0045] 为了更好地对本发明实施例亥姆霍兹共振器的声阻抗设计进行说明，以下以一个没有设置隔板的亥姆霍兹共振器为例对其阻抗进行计算。
[0046] 图3示出了本发明实施例一亥姆霍兹共振器一种示例的剖面结构示意图，图4示出了图3示意的亥姆霍兹共振器的另一种剖面结构示意图；参考图3和图4所述，w、s、L分别为示例亥姆霍兹共振器的长、宽、高，b分别为亥姆霍兹共振器和开口内嵌管2所用固体材料的壁厚，示例亥姆霍兹共振器内只存在开口内嵌管2，开口内嵌管2高度为la，直径为da；示例亥姆霍兹共振器的阻抗Z可以表示为：
[0047]
[0048] 其中，j是虚数单位，ρ0为空气静态密度，c0为静态空气中声速；γ为空气的比热比，Sc为亥姆霍兹共振器腔体的截面积，Ψha,Ψva为内嵌管中的热传导与黏滞场,其是内嵌管直径da的函数；kca内嵌管中的等效波数；ρcc,ccc,kcc亥姆霍兹共振器腔体中的等效空气密度，等效声速，等效波数；η空气黏滞系数；δΩ内嵌管的辐射抗修正系数；τΩ内嵌管结构中腔体声抗修正系数，Sa＝pi*da^2为内嵌管截面积，A为亥姆霍兹共振器的截面积，其中b是姆霍兹共振器固体材料的壁厚，取决于实际加工工艺精度，可根据实际情况设置。
[0049] 由公式(1)可以看出通过引入内嵌孔可以解放了示例亥姆霍兹共振器的声阻抗设计。当亥姆霍兹共振器中存在一个或多个隔板时，亥姆霍兹共振器可认为进行了串联连接，在公式(1)的基础上实施串联连接方式即可得到有多层隔板的亥姆霍兹共振器的声阻抗。
[0050] 本发明实施例提供的亥姆霍兹共振器，通过调节亥姆霍兹共振器本体内部的内嵌管长度及截面积和亥姆霍兹共振器本体空腔的长度及截面积来调节共振器的共振频率，大大提升了亥姆霍兹共振器的声阻抗及吸声系数可调性，可在更加低频实现更加自由的生阻抗调节，使得在对亥姆霍兹共振器进行耦合时可以更大自由度地调节相互之间的耦合作用；同时在合理利用共振器之间的耦合作用的基础上，不仅实现了更加优越的低频、宽频的吸声降噪效果，更有效地减少亥姆霍兹共振器的厚度。
[0051] 实施例二
[0052] 为解决现有技术中存在的技术问题，本发明实施例提供了一种基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构。
[0053] 图5示出了本发明实施例二基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的结构示意图；图6示出了本发明实施例二基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的内部结构示意图。参考图5和图6所示，本发明实施例基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构包括刚性框架，以及设置于刚性框架内的多个亥姆霍兹共振器。
[0054] 多个亥姆霍兹共振器在刚性框架内并列排列，以使得多个亥姆霍兹共振器达到并联耦合的目的。进一步地，框架内设置的所有亥姆霍兹共振器长度相同，且框架内的所有亥姆霍兹共振器的主要吸声频率的吸声效率均在20％-80％之间。
[0055] 为了更好地对本发明实施例基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构进行说明，以下以25个单层弱吸声的亥姆霍兹共振器并联耦合为例对其阻抗调节及吸声性能进行表征。其中图7示出了本发明实施例二中一种并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的声阻抗分析示意图；低频宽带吸声降噪结构中的25个单层弱吸声亥姆霍兹共振器之间是并联关系，因此在公式(1)的基础上实施并联连接，可得到低频宽带吸声降噪结构的声阻抗 其中Zn代表25个弱吸声亥姆霍兹共振器的阻抗，n＝1～25。由图7可看出并联耦合的低频宽带吸声降噪结构的声阻曲线接近于1，声抗曲线接近于0。图8示出了本发明实施例二中一种并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数示意图；由图8可看出虽然构成低频宽带吸声降噪结构的25个弱吸声亥姆霍兹共振器的吸声系数在所设计频带范围内(297-479赫兹)均小于1，但并联耦合构成的低频宽带吸声降噪结构的结构吸声系数在设计吸声频率范围内(297-479赫兹)是接近于1的。图7和图8所对应的低频宽带吸声降噪结构的厚度为5厘米。
[0056] 进一步地，在并列设置的亥姆霍兹共振器上方预设距离还设置有一层微穿孔板，以实现多个亥姆霍兹共振器与穿孔板之间的串联耦合。更多的耦合类型带来了更高自由度的耦合作用调节，因而也允许我们在更宽频的范围内设计吸声降噪结构。图9示出了本发明实施例二中一种串并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的声阻抗分析示意图；从图9可看出，在设计频率范围内(870-3224赫兹)串并联耦合的低频宽带吸声降噪结构的声阻曲线接近于1，且声抗曲线接近于0。图10示出了本发明实施例二中一种串并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数示意图；由图10可看出在设计频率范围内(870-3224赫兹)，对比同条件下单独使用串并联耦合的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数曲线和单独使用微穿孔板的吸声系数曲线，串并联耦合的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数曲线更接近于1，且也更加平缓。图9和图10所对应的低频宽带吸声降噪结构厚度的厚度为3.9厘米。
[0057] 进一步地，还可在并列设置的亥姆霍兹共振器上表面和微穿孔板下表面分别设置一层吸声绵层，吸声绵层的设置提高了该吸声降噪结构系统的损耗特性，可以在吸声频带几乎不缩减以及厚度不增加的情况下实现平均吸声系数更高的吸声效果。图11示出了本发明实施例二中一种添加吸声绵的串并联耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数示意图；由对比图10和图11可看出，添加吸声绵后的串并联耦合的低频宽带吸声降噪结构的吸声系数曲线更接近于1，也更加平缓。
[0058] 具体由上述图7-图11的结果中可以看出，更高自由度的耦合作用调节可以实现更宽频的吸声设计以及更高效的吸声效率。因此我们进一步将耦合作用的自由度增加，具体将框架内所有并列设置的弱吸声亥姆霍兹共振器更多参数设置可调，包括弱吸声亥姆霍兹共振器中隔板在内腔的位置，开口内嵌管2的截面积及高度，内部内圈管的截面积及在隔板上下腔体中分别的高度，亥姆霍兹共振器腔体的长度和宽度等。更高自由度的耦合作用调节以实现更宽频的吸声设计以及更高效的吸声效率。图5和图6示出了本发明实施例二中多自由度耦合的基于弱吸声亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声结构的结构示意图；图12示出了本发明实施例二中多自由度耦合的基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构的结构示意图。可以看出，多自由度耦合的低频宽带吸声结构可以在300-6400赫兹频率范围内实现高效的吸声特性，该频率范围内的平均吸声系数可达0.93。图12示出的吸声曲线所对应的吸声结构的厚度仅为10厘米。除了可以在指定宽带范围内实现高效的吸声系数。多自由度耦合的吸声结构还展现了吸声系数的高度可调性。图13示出了本发明实施例二中多自由度耦合的基于弱吸声亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构在吸声频带内的吸声系数示意图；由图13可看出通过合理的利用多自由的串并联耦合，本发明实施二中的低频宽带吸声结构可在285-600赫兹，1200-1800赫兹和2400-5000赫兹频率范围内实现高效的吸声特性，而在600-1200赫兹和1800-2400赫兹频率范围内实现较低的吸声系数。该结果表明了多自由度串并联耦合可大幅度提升声阻抗及吸声系数的可调性。
[0059] 本发明实施例提供的基于具有内插空和多层隔板的弱吸声亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声结构，通过将弱吸声亥姆霍兹共振器进行并联耦合或串并联耦合，实现在低频宽带的高效吸声特性，特别地，由于与传统设计宽带吸声结构的观念不同，我们采用的是弱吸声亥姆霍兹共振器，因此对比于传统宽带吸声结构，我们设计的吸声结构具有更高效吸声特性，且结构更加轻薄的优势。值得强调的是，实际的吸声降噪需求通常集中在不同的频率段，但是通过本发明实施例提供的设计理念可针对所需的吸声频率范围实现轻薄低频宽带吸声降噪结构。
[0060] 虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
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