一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法
专利汇可以提供一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，器具如下：电钻、50ml 注射器 、30ml 营养液 塑料瓶和 瓶口 软木塞，配制浓度为0.2%亚硒酸氢盐溶液和浓度为0.2%偏锗酸盐溶液，已发菌的灵芝菌棒若干；操作如下：用注射器量25ml亚硒酸氢盐溶液注入30ml营养液塑料瓶中，塞好瓶口软木塞，用注射器量25ml偏锗酸盐溶液注入30ml营养液塑料瓶中，塞好瓶口软木塞；取已发菌的灵芝菌棒或者已发箘到1/2～2/3的灵芝菌棒，用Ф6.5～7.0mm 钻头 ，靠近边缘钻二个孔，深度为25～30mm，分别插入已注入亚硒酸氢盐溶液和偏锗酸盐溶液的塑料瓶，在瓶底部开通气孔，以便使溶液慢慢流入灵芝菌棒中，再将其移至大棚中下田栽培。，下面是一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法专利的具体信息内容。
1.一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，其特征在于：包括器具如下：电钻、50ml硬质玻璃的注射器、30ml林木营养液专用的塑料瓶和瓶口软木塞；
配制浓度为0.2%的灵芝用的亚硒酸氢盐溶液；
配制浓度为0.2%的灵芝用的偏锗酸盐溶液；
已发菌的灵芝菌棒若干或已发菌到1/2～2/3灵芝菌棒若干；
活性硒、锗灵芝段木栽培方法操作如下：
第一步：用注射器准确量处25ml亚硒酸氢盐溶液注入30ml林木营养液专用的塑料瓶中，并塞好瓶口软木塞；
第二步：用注射器准确量处25ml偏锗酸盐溶液注入30ml林木营养液专用的塑料瓶中，并塞好瓶口软木塞；
第三步：取已发菌的灵芝菌棒或者已发菌到1/2～2/3的灵芝菌棒，用Ф6.5～7.0mm钻头，靠近边缘钻二个孔，深度为25～30mm，分别插入已注入亚硒酸氢盐溶液和偏锗酸盐溶液的塑料瓶，并在瓶的底部开一通气孔，以便使溶液慢慢流入灵芝菌棒中，同时，将其移至大棚中下田栽培；或者取已发菌到1/2～2/3灵芝菌棒，用Ф6.5～7.0mm钻头，靠近边缘钻一个孔，深度为25～30mm，插入已注入亚硒酸氢盐溶液的塑料瓶，并在瓶的底部开一通气孔，待亚硒酸氢盐溶液慢慢吸收完毕后，再用Ф6.5～7.0mm钻头，在灵芝棒边缘再钻一个孔，并插入已注入偏锗酸盐溶液的塑料瓶，同样在其底部开一通气孔，让偏锗酸盐溶液慢慢流入灵芝菌棒中，待灵芝菌发满整个灵芝棒，然后将其移至大棚中下田栽培。
2.如权利要求1所述的一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，其特征在于配制浓度为0.2%亚硒酸氢盐溶液，所述的亚硒酸氢盐为亚硒酸氢钠或亚硒酸氢钾或亚硒酸氢钙，以NaHSeO3为例：
SeO2+NaOH→NaHSeO3
制备10%亚硒酸氢钠原液：
在常温常压下，三口烧瓶中加入水 84.82g，开启搅拌及超声波，投入二氧化硒
11.098g，溶解完全后，慢慢加入氢氧化钠4.0g，加完后，继续在此温度下保温30分钟，得到
10%亚硒酸氢钠原液；
灵芝段木栽培所用的亚硒酸氢盐的最佳浓度为0.2%，为此，将10%浓度稀释后，配成
0.2%浓度的亚硒酸氢盐，才能供灵芝段木栽培时使用，取10%浓度的亚硒酸氢钠原液50ml，加水2500ml，稀释成0.2%浓度的亚硒酸氢钠溶液。
3.如权利要求1所述的一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，其特征在于所述配制浓度为
0.2%的偏锗酸盐溶液：用于制备偏锗酸盐的辅料为人体所需元素包括钾或钠；
二氧化锗（GeO2）含量≥99.995%；
辅料质量为AR级，不能低于CP级；
所用的水达到饮用水标准；
加压时的压力为30.0—70.0 kg/cm2之间；
制备时的温度为200℃—280℃之间；
制备步骤：
准备原料二氧化锗、辅料及水，所述辅料包括氢氧化钾或氢氧化钠的一种；
二氧化锗与辅料配比按化学反应方程式计量调配；
打开高压釜的加料口，投入所配原料与辅料及水，关紧投料口；
打开磁钢冷却水开关，并开起搅拌器，5分钟后，将转速调到150—300转/分；
打开电加热升温开关，缓慢升温；
当温度升到低于预定温度30℃—40℃时，微调加热开关，让温度慢慢升入所需温度；
当压力升到30kg/cm2以上，70kg/cm2以下，温度升到200℃以上，280℃以下时，记录保温时间；
保温5—6小时后，停止加热，自然冷却；
自然冷却15分钟，将高压釜内压力盘管通入冷却水进行强制冷却；
当釜内温度降至70℃以下，压力为零时，打开出料阀门，通入压缩空气，将物料从釜内压出；
出料时，揽拌器转速调至50转/分；
物料全部压出后，停止搅拌。
4.如权利要求3所述的一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，其特征在于所述的偏锗酸盐为偏锗酸钠：
偏锗酸钠Na2GeO3，制备10% Na2GeO3反应式
GeO2 + 2NaOH → Na2GeO3 + H2O
104.63 80 166.63 18
生产10%偏锗酸钠为：
取GeO210.463 Kg，NaOH8.0Kg，水83.33Kg ，投入高压釜混合，开起搅拌器，在温度220～
245℃，压力30～35kg/cm2，保温5～6小时，生产成10%偏锗酸钠溶液（Na2GeO3），取10%浓度的偏锗酸钠溶液50ml，加水2500ml，配制成浓度为0.2%的偏锗酸钠溶液。
5.如权利要求3所述的一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，其特征在于所述的偏锗酸盐为偏锗酸钾：
偏锗酸钾K2GeO3，制备10% K2GeO3反应式
GeO2 + 2KOH → K2GeO3 + H2O
104.63 112 198.63 18
生产10% K2GeO3的投料按重量比为：
GeO2 10.463
KOH 11.20
H2O 80.137
取GeO2 10.463 Kg ，KOH 11.20 Kg，水80.137Kg，投入高压釜混合，开起搅拌器，在温度
220～245℃，压力30～37kg/cm2，保温5～6小时，生产成10%偏锗酸钾溶液（K2GeO3），取10%浓度的偏锗酸钾溶液50ml，加水2500ml，配制成浓度为0.2%的偏锗酸钾溶液。
6.一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法，其特征在于包括器具和原材料如下：电钻，未发菌的灵芝段木若干，10%的灵芝栽培用的亚硒酸氢盐溶液，10%的灵芝栽培用的偏锗酸盐溶液；
活性硒、锗灵芝段木栽培方法操作如下：
取灵芝段木灭菌前，每个灵芝棒取段木二根，用电钻各钻Ф6.5～8.0mm，深6～12CM的孔，不得钻透，分别注入10%的亚硒酸氢盐溶液4～6ml，10%的偏锗酸盐溶液4～6 ml，钻孔口用软木塞紧，按灵芝棒大小比例捆好，每个灵芝棒边缘中各有一根硒和锗原段木，然后灭菌、接种，待灵芝菌发满整个段木，即可移入大棚下田栽培。
一种活性硒、锗灵芝段木栽培方法
技术领域
背景技术
发明内容
配制浓度为0.2%的灵芝用的亚硒酸氢盐溶液；
配制浓度为0.2%的灵芝用的偏锗酸盐溶液；
已发菌的灵芝菌棒若干或已发菌到1/2～2/3灵芝菌棒若干；
活性硒、锗灵芝段木栽培方法操作如下：
第一步：用注射器准确量处25ml亚硒酸氢盐溶液注入30ml林木营养液专用的塑料瓶中，并塞好瓶口软木塞；
第二步：用注射器准确量处25ml偏锗酸盐溶液注入30ml林木营养液专用的塑料瓶中，并塞好瓶口软木塞；
第三步：取已发菌的灵芝菌棒或者已发菌到1/2～2/3的灵芝菌棒，用Ф6.5～7.0mm钻头，靠近边缘钻二个孔，深度为25～30mm，分别插入已注入亚硒酸氢盐溶液和偏锗酸盐溶液的塑料瓶，并在瓶的底部开一通气孔，以便使溶液慢慢流入灵芝菌棒中，同时，将其移至大棚中下田栽培；或者取已发菌到1/2～2/3灵芝菌棒，用Ф6.5～7.0mm钻头，靠近边缘钻一个孔，深度为25～30mm，插入已注入亚硒酸氢盐溶液的塑料瓶，并在瓶的底部开一通气孔，待亚硒酸氢盐溶液慢慢吸收完毕后，再用Ф6.5～7.0mm钻头，在灵芝棒边缘再钻一个孔，并插入已注入偏锗酸盐溶液的塑料瓶，同样在其底部开一通气孔，让偏锗酸盐溶液慢慢流入灵芝菌棒中，待灵芝菌发满整个灵芝棒后，然后将其移至大棚中下田栽培。
制备10%亚硒酸氢钠原液：
在常温常压下，三口烧瓶中加入水 84.82g，开启搅拌及超声波，投入二氧化硒
11.098g，溶解完全后，慢慢加入氢氧化钠4.0g，加完后，继续在此温度下保温30分钟，得到
10%亚硒酸氢钠原液；
灵芝段木栽培所用的亚硒酸氢盐的最佳浓度为0.2%，为此，将10%浓度稀释后，配成
0.2%浓度的亚硒酸氢盐，才能供灵芝段木栽培时使用，取10%浓度的亚硒酸氢钠原液50ml，加水2500ml，稀释成0.2%浓度的亚硒酸氢钠溶液。
辅料质量为AR级，不能低于CP级；
所用的水达到饮用水标准；
加压时的压力为30.0—70.0 kg/cm2之间；
制备时的温度为200℃—280℃之间；
制备步骤：
准备原料二氧化锗、辅料及水，所述辅料包括氢氧化钾或氢氧化钠的一种；
二氧化锗与辅料配比按化学反应方程式计量调配；
打开高压釜的加料口，投入所配原料与辅料及水，关紧投料口；
打开磁钢冷却水开关，并开起搅拌器，5分钟后，将转速调到150—300转/分；
打开电加热升温开关，缓慢升温；
当温度升到低于预定温度30℃—40℃时，微调加热开关，让温度慢慢升入所需温度；
2 2
当压力升到30kg/cm以上，70kg/cm以下，温度升到200℃以上，280℃以下时，记录保温时间；
保温5—6小时后，停止加热，自然冷却；
自然冷却15分钟，将高压釜内压力盘管通入冷却水进行强制冷却；
当釜内温度降至70℃以下，压力为零时，打开出料阀门，通入压缩空气，将物料从釜内压出；
出料时，揽拌器转速调至50转/分；
物料全部压出后，停止搅拌。
GeO2 + 2NaOH → Na2GeO3 + H2O
104.63 80 166.63 18
生产10%偏锗酸钠为：
取GeO210.463 Kg，NaOH8.0Kg，水83.33Kg ，投入高压釜混合，开起搅拌器，在温度220
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～245℃，压力30～35kg/cm，保温5～6小时，生产成10%偏锗酸钠溶液（Na2GeO3），取10%浓度的偏锗酸钠溶液50ml，加水2500ml，配制成浓度为0.2%的偏锗酸钠溶液。
GeO2 + 2KOH → K2GeO3 + H2O
104.63 112 198.63 18
生产10% K2GeO3的投料按重量比为：
GeO2 10.463
KOH 11.20
H2O 80.137
取GeO2 10.463 Kg ，KOH 11.20 Kg，水80.137Kg，投入高压釜混合，开起搅拌器，在温度220～245℃，压力30～37kg/cm2，保温5～6小时，生产成10%偏锗酸钾溶液（K2GeO3），取10%浓度的偏锗酸钾溶液50ml，加水2500ml，配制成浓度为0.2%的偏锗酸钾溶液。
取灵芝段木灭菌前，每个灵芝棒取段木二根，用电钻各钻Ф6.5～8.0mm，深6～12CM的孔，不得钻透，分别注入10%的亚硒酸氢盐溶液4～6ml，10%的偏锗酸盐溶液4～6 ml，钻孔口用软木塞紧，按灵芝棒大小比例捆好，每个灵芝棒边缘中各有一根硒和锗原段木，然后灭菌、接种，待灵芝菌发满整个段木，即可移入大棚下田栽培。
附图说明
图3是营养液塑料瓶和瓶口软木塞示意图。
具体实施方式
配制浓度为0.2%的灵芝用的偏锗酸盐溶液；
已发菌的灵芝菌棒若干或已发菌到1/2～2/3灵芝菌棒若干；
无接种灵芝菌的为段木，将段木5—9根，最好是6—8根，制成一捆，塞入塑料袋内，通过杀菌、接种灵芝菌，并且灵芝发菌后称为灵芝菌棒，所述已发菌的灵芝菌棒是指整个表面都已生长灵芝菌，所述发菌到1/2～2/3的灵芝菌棒，是指整个表面有1/2～2/3生长灵芝菌，以上所述的段木、已发菌的灵芝菌棒和已发菌到1/2～2/3的灵芝菌棒，均向灵芝种植专业基地采购提供，如河南省等地有售，即灵芝菌棒是将6-8根灵芝栽培段木制成一袋，经消毒和接种灵芝菌等工序后，放在制种场内发菌，灵芝菌棒如图1所示，灵芝段木5是将木头锯成一定长度，未杀菌、未接种灵芝菌的木头，段木如图2所示。
第二步：用注射器准确量处25ml已配成0.2%的偏锗酸盐溶液注入30ml林木营养液专用的塑料瓶中，并塞好瓶口软木塞；
第三步：取已发菌的灵芝菌棒或者已发菌到1/2～2/3的灵芝菌棒7，用Ф6.5～7.0mm钻头，靠近边缘钻二个孔，所述的孔为注液孔6，深度为25～30mm，分别插入已注入亚硒酸氢盐溶液和偏锗酸盐溶液的塑料瓶，并在瓶的底部开一通气孔，以便使溶液慢慢流入灵芝菌棒中，同时，将其移至大棚中下田栽培；或者取已发菌到1/2～2/3灵芝菌棒，用Ф6.5～7.0mm钻头，靠近边缘钻一个孔，深度为25～30mm，插入已注入亚硒酸氢盐溶液的塑料瓶，并在瓶的底部开一通气孔，待亚硒酸氢盐溶液慢慢吸收完毕后，再用Ф6.5～7.0mm钻头，在灵芝菌棒边缘再钻一个孔，并插入已注入偏锗酸盐溶液的塑料瓶，同样在其底部开一通气孔，让偏锗酸盐溶液慢慢流入灵芝菌棒中，待灵芝菌发满整个灵芝棒后，然后将其移至大棚中下田栽培。
制备10%亚硒酸氢钠原液：
在常温常压下，三口烧瓶中加入水 84.82g，开启搅拌及超声波，投入二氧化硒
11.098g，溶解完全后，慢慢加入氢氧化钠4.0g，加完后，继续在此温度下保温30分钟，得到
10%亚硒酸氢钠原液；
灵芝段木栽培所用的亚硒酸氢盐的最佳浓度为0.2%，为此，将10%浓度稀释后，配成
0.2%浓度的亚硒酸氢盐，才能供灵芝段木栽培时使用，取10%浓度的亚硒酸氢钠原液50ml，加水2500ml，稀释成0.2%浓度的亚硒酸氢钠溶液。如果配制亚硒酸氢钾溶液或者亚硒酸氢钙溶液，方法与亚硒酸氢钠溶液类同。
辅料质量为AR级，不能低于CP级；
所用的水达到饮用水标准；
加压时的压力为30.0—70.0 kg/cm2之间；
制备时的温度为200℃—280℃之间；
制备步骤：
准备原料二氧化锗、辅料及水，所述辅料包括氢氧化钾或氢氧化钠的一种；
二氧化锗与辅料配比按化学反应方程式计量调配；
制备过程中，化学反应方程式计量为克分子数，如辅料少于克分子数，二氧化锗有部分不溶，如辅料投量超过克分子数，农作物（灵芝）在强碱中会死亡；
打开高压釜的加料口，投入所配原料二氧化锗与辅料及水，关紧投料口；
打开磁钢冷却水开关，并开起搅拌器，约5分钟左右后，将转速调到150—300转/分；
打开电加热升温开关，缓慢升温；
当温度升到低于预定温度30℃—40℃时，微调加热开关，让温度慢慢升入所需温度；
当压力升到30kg/cm2以上，70kg/cm2以下，温度升到200℃以上，280℃以下时，记录保温时间；
保温5—6小时后，停止加热，自然冷却；
自然冷却15分钟左右，将高压釜内压力盘管通入冷却水进行强制冷却；
当釜内温度降至70℃以下，压力为零时，打开出料阀门，通入压缩空气，将物料从釜内压出；
出料时，揽拌器转速调至50转/分左右；
物料全部压出后，停止搅拌。
GeO2 + 2NaOH → Na2GeO3 + H2O
104.63 80 166.63 18
生产10%偏锗酸钠为：
取GeO210.463 Kg，NaOH8.0Kg，水83.33Kg ，投入高压釜混合，开起搅拌器，在温度220～245℃，压力30～35kg/cm2，保温5～6小时，生产成10%偏锗酸钠溶液（Na2GeO3），取10%浓度的偏锗酸钠溶液50ml，加水2500ml，配制成浓度为0.2%的偏锗酸钠溶液。
GeO2 + 2KOH → K2GeO3 + H2O
104.63 112 198.63 18
生产10% K2GeO3的投料按重量比为：
GeO2 10.463
KOH 11.20
H2O 80.137
取GeO2 10.463 Kg ，KOH 11.20 Kg，水80.137Kg，投入高压釜混合，开起搅拌器，在温
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度220～245℃，压力30～37kg/cm ，保温5～6小时，生产成10%偏锗酸钾溶液（K2GeO3），取10%浓度的偏锗酸钾溶液50ml，加水2500ml，配制成浓度为0.2%的偏锗酸钾溶液。
取灵芝段木灭菌前，每个灵芝棒取段木二根，用电钻各钻Ф6.5～8.0mm，深6～12CM的孔，不得钻透，分别注入10%的亚硒酸氢盐溶液4～6ml，10%的偏锗酸盐溶液4～6 ml，钻孔口用软木塞紧，按灵芝棒大小比例捆好，每个灵芝棒边缘中各有一根硒和锗原段木，然后灭菌、接种，待灵芝菌发满整个段木，即可移入大棚下田栽培。
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