Electrode section structure of electronic device and manufacture thereof
专利汇可以提供Electrode section structure of electronic device and manufacture thereof专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To prevent the disconnection of electrodes at the time of etching so as to connect the electrodes in an excellent state when the electrode wiring of an electronic device is formed by utilizing photolithography. CONSTITUTION:Projecting sections 2 having widths narrower than those of the upper-layer thin film patterns 4 of an electrode section are formed along the patterns 4 on the side face section of the base film pattern 3 of the electrode section. The electrode section is simultaneously formed with the projecting sections 2 on the side face section of the base film thin film pattern 3 and the patterns 4 are formed on the pattern 3 including the sections 2.，下面是Electrode section structure of electronic device and manufacture thereof专利的具体信息内容。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス全般の電極部構造に関し、特に半導体製造及び、その製造方法を利用して製造される電子デバイスのフォトリソグラフィ−によるパタ−ン配線形成時に利用される。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子デバイスの電極部は、図５
（ａ）のように電極配線基板（１）上に、単に下地膜パタ−ン（３）を設け、さらにその上に電極となる上層薄膜パタ−ン（４）を形成していた。 しかし、図５（ｂ）
のようにフォトリソグラフィ−技法によって、下地の膜パタ−ン（３）の段差部分上に、新たに薄膜パタ−ン（４）を形成しようとした場合、エッチャントの染み込みにより、段差部分にそってくさび形状の断線が発生していた。
【０００３】この原因は、上層に成膜した膜の段差部分のステップカバレッジが悪く、空孔部分（１５）ができ、この部分にフォトレジスト（１４）が入り込まないためといわれており、これを解決するために、半導体プロセスでは、下地膜パタ−ンとなるシリコン酸化物のエッチング時にその段差部分が傾斜するようにエッチャントを含むプロセスを制御していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子デバイスの電極部においては、前述したように下地となるシリコン酸化物のエッチング時に段差が傾斜するようにエッチャントを制御しなければならず、このため下地機能膜を変更するたびに、その膜の材料に合わせた段差部分の傾斜を達成するエッチャント組成の開発が必要であり、安定に傾斜を達成するためのエッチャントの開発が容易ではなく、さらに材料によっては、それが不可能となっていた。
【０００５】本発明は、電子デバイスのフォトリソグラフィ−を利用した電極配線形成において、エッチング時に電極断線を防止し、良好な接続を可能にすることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明は図１，２のように、電極部の下地膜パタ−
ン（３）の側面部に、該電極部の上層薄膜パタ−ン（４）にそって、前記上層薄膜パタ−ン（４）の幅よりも幅の狭い突起部（２）を形成している。
【０００７】そして、本発明の製造方法においては、フォトリソグラフィ−によって、下地膜パタ−ン（３）を形成する際に、この下地膜パタ−ン（３）と同時に、突起部（２）を形成し、さらに該突起部（２）を含めた下地薄膜パタ−ン（３）上に、前記上層薄膜パタ−ン（４）を設けている。
【０００８】これにより本発明は、フォトリソグラフィ−によるパタ−ン配線形成時に生じる不具合を解消している。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の電子デバイスの電極部の構成図、図２は本発明の突起物を形成した下地膜パタ−ン図、そして図３、４は、本発明の電極配線を用いたサ−
マルヘッドの実施例を示す図面である。
【００１０】図１、２に示されているように、本発明は、基板（１）上に下地膜パタ−ン（３）を設け、その上に更に上層薄膜パタ−ン（４）を形成しようとした場合に、単に薄膜パタ−ンを重ね合わせるのではなくて、
上層薄膜パタ−ン（４）の形成される位置にそって、下地膜パタ−ン（３）の側面部に前述した上層薄膜パタ−
ン（４）の幅よりも幅の狭い突起部（２）を同時に形成し、この突起部（２）を含めた下地膜パタ−ン（３）上に上層薄膜パタ−ン（４）を設けている。 なお、突起部（２）の幅Ｗ２は、上層薄膜パタ−ン（４）の幅Ｗ１より狭ければよいが、マスク合わせ時のズレを考慮すると、Ｗ２はＷ１の１／３程度が好ましい。
【００１１】その際、突起部（２）の長さｌは、下地膜パタ−ン（３）の膜厚の１０倍以上が好ましく、本実施例では、膜厚１μm に対して１０μm 程度としたが、スペ−スの制限がなければ、さらに長くすることもできる。
【００１２】ここで、これらの膜パタ−ンは、フォトリソグラフィ−により形成がなされ、具体的には、まず下地となる膜の表面にフォトレジストを塗布し、そして突起配線パタ−ン（２）の描かれたフォトマスクを、この上に載せて紫外線を照射する。 これによって、フォトレジストが選択的に除去され、下地膜パタ−ン（３）の側面部に突起物を設けたパタ−ンを残している。 それからエッチング液でエッチングすることによって、図２に示すように、突起部を備えた下地膜パタ−ン（３）を形成している。 次にこの突起物を含めた下地膜パタ−ン（３）上に、新たに薄膜を付着させ、薄膜の表面に再びフォトレジストを塗布して、今度は上層薄膜パタ−ンの描かれたフォトマスクを載せる。 そして前述と同じ操作を繰り返し、電子デバイスの電極部を形成している。
【００１３】次に図３、４は、この発明をサ−マルヘッドの電極配線部に応用した実施例であるが、その図３においては、サ−マルヘッドの概略図が示され、ヒ−トシンク（５）上にアルミナ基板（６）とＰＣＢ基板（７）
を載せ、前者のアルミナ基板（６）上には、発熱抵抗体（８）とリ−ド線（９）を設け、後者のＰＣＢ基板（７）上には、駆動用ＩＣ（１０）が具備されている。
そしてこのリ−ド線（９）と駆動用ＩＣ（１０）、そして駆動用ＩＣ（１０）とＰＣＢ基板（７）の電気的接続は、ワイヤボンディング（１１）によって接続され、保護樹脂（１２）で覆われている。
【００１４】ここで本発明の電極配線を用いた実施例として、このワイヤボンディング（１１）をリ−ド線（９）に接続する際に必要なパッド部（１３）について以下説明する。
【００１５】図４（ａ）、図４（ｂ）は、図３のパッド部（１３）の拡大図であるが、パッド部（１３）の下地膜パタ−ン（３）の側面部に、発熱抵抗体（８）につながるリ−ド線（９）の幅よりも幅の狭い突起部（２）を下地膜パタ−ン（３）形成と同時に設け、その上に、そのリ−ド線（９）となる上層薄膜パタ−ンを形成している。
【００１６】この場合もそれぞれの膜パタ−ンは、フォトリソグラフィ−によって形成されるが、図４（ａ）は下地膜パタ−ン（３）上に、上層薄膜パタ−ン（４）のフォトマスクを合わせた状態を示し、図４（ｂ）はエッチングした後の状態を示しており、上層薄膜パタ−ン（４）であるリ−ド線（９）と下地膜パタ−ン（３）とが、同じアルミニウム等の金属からなっているため、エッチングを行うと下地膜パターン（３）もリ−ド線（９）のある部分以外は、除去されてしまっている。
【００１７】これにより、リ−ド部（９）よりも膜厚が厚いパッド部が形成される。
【００１８】
【発明の効果】以上に述べた如く本発明によれば、下地膜に上層薄膜パタ−ン（４）の幅よりも狭い幅の突起部（２）を下地膜パタ−ン（３）形成と同時に設けているため、フォトリソグラフィ−によって電極配線を形成する際に生じていた、エッチング時の下地段差部分のエッチャント染み込みによる電極断線を防止することを可能としている。
【００１９】また、各種下地材料の段差部分に傾斜を設けるエッチング方法をとる必要がなく、しかも、下地材料の変更に対して新たなプロセス開発をする手間がかからないので、従来までの電極断線を防止するのに考えられていた製造プロセスよりも簡略化でき、さらに電極断線による不良品も削減できるので、歩留りの向上にもつながる。
【図１】本発明の電子デバイスの電極部の構成図である。
【図２】本発明の突起部を形成した下地膜パタ−ン図である。
【図３】本発明の電極構造を用いたサ−マルヘッドの概略図である。
【図４】本発明の電極構造を用いたサ−マルヘッドのパッド部の拡大図である。 （ａ）フォトマスクを合わせた状態 （ｂ）エッチングした後の状態
【図５】従来までの電子デバイスの電極部である。 （ａ）構成図 （ｂ）側面図
１、基板 ２、下地膜パタ−ンの突起部 ３、下地膜パタ−ン ４、上層薄膜パタ−ン ５、ヒ−トシンク ６、アルミナ基板 ７、ＰＣＢ基板 ８、発熱抵抗体 ９、リ−ド線 １０、駆動用ＩＣ １１、ワイヤボンディング １２、保護樹脂 １３、パッド部 １４、フォトレジスト １５、フォトレジストの空孔部
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