专利交易
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申请号 专利名称 IPC 专利状态 申请人类型 申请日 更新日 操作
2017111910714 发明 光电探测器安装结构 H01L31/101 授权未下证 企业 2017-11-24 2024-11-29
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2019100624296 发明 一种高转换增益和低串扰的像素探测器 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2019-01-23 2024-10-25
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2020116321582 发明 一种柔性触敏元件及制备方法 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2020-12-31 2024-10-25
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2019100218216 发明 一种导电特性可调的亚太赫兹波探测器 H01L31/101 已下证 其他 2019-01-10 2025-02-15
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2011100518731 发明 一种垂直结构差分集成螺旋电感 H01L27/01 已下证 学校（公示期15天） 2011-03-04 2024-07-11
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2021115331492 发明 具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法 H01L31/111 已下证 学校（公示期15天） 2021-12-15 2024-06-28
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2018112530350 发明 一种电容式光电探测器及制作工艺 H01L31/103 已下证 学校（公示期15天） 2018-10-25 2024-09-06
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202011631978X 发明 有机栅极电化学晶体管生物传感器的构筑 H01L51/10 已下证 学校（公示期15天） 2020-12-31 2024-09-20
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2019108843200 发明 一种氧化镓纳米晶薄膜日盲紫外探测器及其制备方法 H01L31/102 已下证 学校（公示期15天） 2019-09-19 2024-10-25
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2016101570707 发明 基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2016-03-18 2024-10-25
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2017102626600 发明 一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器 H01L31/103 已下证 学校（公示期15天） 2017-04-20 2024-10-25
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2019100163213 发明 一种CMOS SPAD光电器件的等效电路 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2019-01-08 2024-10-25
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2020102995931 发明 基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及其制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2020-04-16 2024-10-25
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2021107543117 发明 一种硫化钼/铌酸锂复合型光收发器件及制备方法 H01L31/103 已下证 学校（公示期15天） 2021-07-02 2024-10-25
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2019102809193 发明 一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管及其制造方法 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2019-04-09 2024-10-25
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2019105734998 发明 一种工作在可见光波段的高带宽CMOS APD光电器件 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2019-06-28 2024-10-25
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2014101228532 发明 一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2014-03-28 2024-10-25
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2022107108242 发明 一种由铁电异质结构成的自驱动偏振光探测器及其制备方法和应用 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2022-06-22 2024-10-25
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2021100624946 发明 基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2021-01-18 2024-10-25
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2019100856819 发明 一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2019-01-29 2024-10-25
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2020109890926 发明 极化增强窄带A1GaNp-i-n型紫外探测器及其制备方法 H01L31/105 已下证 企业 2020-09-18 2025-02-15
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2021104020930 发明 集成有波导的低维材料异质结光电探测器的制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2020-01-17 2024-11-09
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2020100536550 发明 集成有波导的低维材料异质结光电探测器及其制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2020-01-17 2024-11-09
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2021116436364 发明 一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法 H01L31/105 已下证 学校（公示期15天） 2021-12-30 2025-02-15
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2021116477561 发明 集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法 H01L31/105 已下证 学校（公示期15天） 2021-12-30 2025-02-15
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