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申请号 专利名称 IPC 专利状态 申请人类型 申请日 更新日 操作
2024103377304 发明 一种基于掺杂引入电子态材料制备日盲紫外探测器的方法 H01L31/101 授权未下证 学校（公示期15天） 2024-03-21 2025-08-22
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2024104452891 发明 Ⅲ族氮化物器件及制备方法 H01L31/101 授权未下证 学校（公示期15天） 2024-04-12 2025-08-22
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2023105952274 发明 一种能带可调的柔性光电探测器 H01L31/101 授权未下证 学校（公示期15天） 2023-05-25 2025-09-08
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2018110297582 发明 一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2018-09-05 2025-09-16
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2019114073316 发明 一种金属化多晶硅红外微测辐射热计及其制备方法 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2019-12-31 2025-09-16
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2019100218216 发明 一种导电特性可调的亚太赫兹波探测器 H01L31/101 已下证 其他 2019-01-10 2026-03-31
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2020800015710 发明 电容器及其制作方法（24年下证） H01L27/01 已下证 企业 2020-03-31 2026-04-02
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2019102809193 发明 一种宽光谱响应的InGaAs单光子雪崩光电二极管及其制造方法 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2019-04-09 2025-05-28
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2022225052753 实用 一种InGaN基探测器 H01L31/102 已下证 企业 2022-09-21 2025-06-24
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2021116436364 发明 一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法 H01L31/105 已下证 学校（公示期15天） 2021-12-30 2025-07-02
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2021116477561 发明 集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法 H01L31/105 已下证 学校（公示期15天） 2021-12-30 2025-07-02
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202321654063X 实用 一种片上集成的微波光子探测器 H01L31/105 已下证 学校（公示期15天） 2023-06-26 2025-08-22
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2023107697792 发明 一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法 H01L31/105 授权未下证 学校（公示期15天） 2023-06-26 2025-08-22
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202211334839X 发明 一种基于硫化镉纳米线阵列/溴铅铯量子点异质结的钙钛矿光电探测器 H01L31/102 授权未下证 学校（公示期15天） 2022-10-28 2025-08-22
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2024100234760 发明 一种AlGaN单极势垒nBn结构日盲紫外光电探测器 H01L31/107 授权未下证 学校（公示期15天） 2024-01-08 2025-08-22
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2023112282987 发明 一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器 H01L31/105 授权未下证 学校（公示期15天） 2023-09-21 2025-08-22
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2023108371969 发明 一种基于硫化镉纳米线阵列/MXene纳米片异质结的光电探测器 H01L31/109 授权未下证 学校（公示期15天） 2023-07-10 2025-08-22
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2022107851451 发明 一种基于非对称势垒能带结构的宽谱响应红外探测器 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2022-07-04 2025-08-22
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2023104155477 发明 一种基于应力调节带隙结构的宽谱响应红外二端探测器 H01L31/102 授权未下证 学校（公示期15天） 2023-04-18 2025-09-08
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2021108175381 发明 从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2021-07-20 2025-09-16
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202210803970X 发明 一种水电解液的水下通信探测器及其制造方法 H01L31/108 已下证 学校（公示期15天） 2022-07-07 2025-11-17
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2021111988645 发明 一种电压调制变波段光电探测器及其制作方法 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2021-10-14 2025-11-17
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2022105211450 发明 一种高性能Ga H01L31/102 已下证 学校（公示期15天） 2022-05-13 2025-11-17
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2018103486541 发明 一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法 H01L31/102 已下证 学校（公示期15天） 2018-04-18 2025-11-17
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2023102051079 发明 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2023-03-06 2025-11-17
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