专利交易
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申请号 专利名称 IPC 专利状态 申请人类型 申请日 更新日 操作
2019109312209 发明 一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2019-09-29 2023-06-29
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2015104966222 发明 一种石墨烯‑ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)紫外探测器及其制备方法 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2015-08-13 2024-01-10
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2019100218216 发明 一种导电特性可调的亚太赫兹波探测器 H01L31/101 已下证 其他 2019-01-10 2024-04-12
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2020116321582 发明 一种柔性触敏元件及制备方法 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2020-12-31 2024-04-18
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2019100624296 发明 一种高转换增益和低串扰的像素探测器 H01L31/101 已下证 学校（公示期15天） 2019-01-23 2024-04-18
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2011100518731 发明 一种垂直结构差分集成螺旋电感 H01L27/01 已下证 学校（公示期15天） 2011-03-04 2023-08-04
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2021115331492 发明 具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法 H01L31/111 已下证 学校（公示期15天） 2021-12-15 2024-04-09
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2018110118648 发明 CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管及制备方法 H01L31/105 已下证 学校（公示期15天） 2018-08-31 2023-06-24
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2019209946962 实用 一种窄光谱响应的热电子光电探测器 H01L31/108 已下证 学校（公示期15天） 2019-06-28 2023-06-24
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2018103230376 发明 基于多巴胺的自聚电存储材料及其制备方法与在电存储器件中的应用 H01L51/10 已下证 学校（公示期15天） 2018-04-11 2023-06-29
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2018115812486 发明 基于杂化型等离子共振增强的红外探测器 H01L31/108 已下证 学校（公示期15天） 2018-12-24 2023-06-29
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2020111979482 发明 一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器及其制备方法 H01L31/102 已下证 学校（公示期15天） 2020-10-30 2023-06-29
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2017114634627 发明 红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2017-12-28 2023-07-03
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2016109769916 发明 一种雪崩光电二极管及其制备方法 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2016-11-07 2023-07-31
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2021102496497 发明 一种深紫外探测器件及其制备方法 H01L31/102 已下证 学校（公示期15天） 2021-03-08 2023-08-30
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202110406886X 发明 一种雪崩二极管及其制备方法 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2021-04-15 2023-12-04
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2017102626600 发明 一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器 H01L31/103 已下证 学校（公示期15天） 2017-04-20 2023-09-27
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2018101299822 发明 改进的垂直结构光电探测器的制造方法 H01L31/105 已下证 学校（公示期15天） 2018-02-08 2023-09-18
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2021102496497 发明 一种深紫外探测器件及其制备方法 H01L31/102 已下证 学校（公示期15天） 2021-03-08 2023-11-15
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2023106008966 发明 一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2023-05-25 2023-12-11
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2021105262335 发明 一种量子阱雪崩光电二极管 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2021-05-14 2023-12-11
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2021105268312 发明 一种高响应度的雪崩光电二极管结构 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2021-05-14 2023-12-11
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2016109769916 发明 一种雪崩光电二极管及其制备方法 H01L31/107 已下证 学校（公示期15天） 2016-11-07 2023-12-19
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2016107820458 发明 基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法 H01L31/109 已下证 学校（公示期15天） 2016-08-30 2024-01-30
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2018112530350 发明 一种电容式光电探测器及制作工艺 H01L31/103 已下证 学校（公示期15天） 2018-10-25 2024-04-07
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