专利交易
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申请号 专利名称 IPC 专利状态 申请人类型 申请日 更新日 操作
2016102611615 发明 一种具有吸附性能的BiVO4/RGO晶体及其制备方法 C30B29/30 已下证 学校（公示期15天） 2016-04-25 2026-04-01
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202011137913X 发明 一种单晶NaNbO3立方体及其制备方法和应用 C30B29/30 已下证 学校（公示期15天） 2020-10-22 2026-10-13
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2023207999302 实用 一种氧化炉内惰性气体喷淋装置（半导体制造、气体喷淋、晶片、太阳能电池片、IC芯片氧化、集成电路、精密制造） C30B33/00 已下证 企业 2023-04-12 2026-03-20
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2020111206003 发明 一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法 C30B33/00 已下证 学校（公示期15天） 2020-10-19 2026-10-21
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2021221517437 实用 一种物料不偏离的退火炉 C30B33/02 已下证 企业 2021-09-07 2025-12-10
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2018101582366 发明 一种基于壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物的单晶硅制绒添加剂 C30B33/10 已下证 企业 2018-02-25 2026-03-30
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202510231362X 发明 一种单晶硅刻蚀装置及刻蚀方法 C30B33/10 已下证 企业 2025-02-28 2026-04-10
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2021225608628 实用 一种扩散均匀且高效的扩散炉 C30B31/00 已下证 其他 2021-10-25 2025-12-09
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2021201496654 实用 连接夹具及磊晶生长装置 C30B23/02 已下证 企业 2021-01-19 2025-12-23
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2022111355859 发明 一种高饱和磁化强度锌掺杂镍铁氧体薄膜及其制备方法 C30B23/02 已下证 学校（公示期15天） 2022-09-19 2025-11-17
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202122226371X 实用 一种密封性能好的具有均匀喷淋功能的扩散炉 C30B31/10 已下证 其他 2021-09-15 2025-12-09
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2022205642315 实用 一种隔热效果好的石英炉管用炉帽gss C30B31/10 已下证 企业 2022-03-16 2025-12-09
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2014100694864 发明 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 C30B23/02 已下证 学校（公示期15天） 2014-02-27 2026-04-10
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2022107242928 发明 一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法 C30B29/36 已下证 学校（公示期15天） 2022-06-24 2025-11-17
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2022220276353 实用 一种用于外点火形式扩散炉的DCE进气结构（半导体制造、半导体扩散、掺杂处理、集成电路制造、功率半导体、微电子元件） C30B31/16 已下证 企业 2022-08-03 2026-03-20
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2021114011995 发明 一种高钛、高钒和高含水的紫苏辉石单晶的制备方法 C30B29/34 已下证 科研院所 2021-11-19 2026-06-01
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2021113918098 发明 一种高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶的制备方法 C30B29/34 已下证 科研院所 2021-11-19 2026-10-13
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2021113177391 发明 一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法 C30B29/34 已下证 科研院所 2021-11-09 2026-10-13
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2019105192852 发明 一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构 C30B15/00 已下证 企业 2019-06-17 2026-01-05
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2022208168142 实用 一种直拉单晶硅生产用原料配备装置化工 C30B15/00 已下证 企业 2022-04-11 2026-03-16
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2024115172771 发明 一种单晶炉循环水冷装置 C30B15/00 授权未下证 企业 2024-10-29 2026-04-01
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2016102610985 发明 一种Bi/RGO晶体及其制备方法 C30B29/00 已下证 学校（公示期15天） 2016-04-25 2026-04-01
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2021110349748 发明 一种用于晶圆铸块成形的熔炉设备（半导体集成电路、晶圆加工、硅晶片、多晶硅） C30B11/00 已下证 企业 2021-09-04 2026-03-31
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2023213387017 实用 一种单晶炉小炉盖 C30B15/00 已下证 企业 2023-05-30 2026-06-09
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2020105432967 发明 一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法 C30B29/06 已下证 学校（公示期15天） 2020-06-15 2026-01-04
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