专利交易
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申请号 专利名称 IPC 专利状态 申请人类型 申请日 更新日 操作
2019104142644 发明 一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法 C30B30/00 已下证 学校（公示期15天） 2019-05-17 2025-07-31
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2021109300853 发明 一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用 C30B29/30 已下证 学校（公示期15天） 2021-08-13 2025-09-16
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2016102611615 发明 一种具有吸附性能的BiVO4/RGO晶体及其制备方法 C30B29/30 已下证 学校（公示期15天） 2016-04-25 2026-01-04
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2025109090567 发明 一种增强铁电单晶热释电性能的方法 C30B33/00 授权未下证 学校（公示期15天） 2025-07-02 2025-09-15
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2023103547724 发明 一种基于p-GaAs衬底上的InN纳米柱的钝化方法、钝化终产物复合结构及其应用 C30B33/00 已下证 学校（公示期15天） 2023-04-04 2025-09-28
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2018104910108 发明 一种晶圆的生产工艺 C30B33/10 已下证 企业 2018-05-21 2025-02-15
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2024113870196 发明 一种Fe（Se,Te）超导薄膜及其退火方法 C30B33/02 授权未下证 学校（公示期15天） 2024-09-30 2025-09-11
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2021221517437 实用 一种物料不偏离的退火炉 C30B33/02 已下证 企业 2021-09-07 2025-12-10
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2018101582366 发明 一种基于壳聚糖-聚2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸钠共聚物的单晶硅制绒添加剂 C30B33/10 已下证 企业 2018-02-25 2026-02-04
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2024107610952 发明 一种单晶金刚石的等离子体刻蚀方法 C30B33/12 授权未下证 学校（公示期15天） 2024-06-13 2025-09-11
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2025104797482 发明 一种可在溶剂中自剥离及规模化制备的二维材料 C30B35/00 授权未下证 学校（公示期15天） 2025-04-17 2025-09-15
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2024222911612 实用 一种籽晶诱导区域熔炼提纯锗的设备 C30B13/00 已下证 学校（公示期15天） 2024-09-19 2025-09-15
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2021225608628 实用 一种扩散均匀且高效的扩散炉 C30B31/00 已下证 其他 2021-10-25 2025-12-09
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2021115488836 发明 (010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用 C30B31/08 已下证 学校（公示期15天） 2021-12-17 2025-09-16
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2023101556396 发明 一种n型半导体金刚石材料的制备方法 C30B31/02 已下证 学校（公示期15天） 2023-02-23 2025-09-19
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2024107522557 发明 一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法 C30B23/02 授权未下证 学校（公示期15天） 2024-06-12 2025-08-22
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2021201496654 实用 连接夹具及磊晶生长装置 C30B23/02 已下证 企业 2021-01-19 2025-12-23
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2022111355859 发明 一种高饱和磁化强度锌掺杂镍铁氧体薄膜及其制备方法 C30B23/02 已下证 学校（公示期15天） 2022-09-19 2025-11-17
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2022205642315 实用 一种隔热效果好的石英炉管用炉帽gss C30B31/10 已下证 企业 2022-03-16 2025-12-09
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202122226371X 实用 一种密封性能好的具有均匀喷淋功能的扩散炉 C30B31/10 已下证 其他 2021-09-15 2025-12-09
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2014100694864 发明 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 C30B23/02 已下证 学校（公示期15天） 2014-02-27 2026-01-12
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2016100642939 发明 一种Y2Si2O7晶须及其制备方法 C30B29/34 已下证 学校（公示期15天） 2016-01-29 2025-05-07
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2021114080393 发明 高温高压下高镍、高锌和高含水的透辉石单晶的制备方法 C30B29/34 已下证 科研院所 2021-11-19 2025-05-26
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2024119879940 发明 一种α-Al2Mo3O12纳米片及其制备方法和应用 C30B29/32 授权未下证 学校（公示期15天） 2024-12-31 2025-09-15
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2022107242928 发明 一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法 C30B29/36 已下证 学校（公示期15天） 2022-06-24 2025-11-17
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