炭素数３以下の飽和炭化水素の吸着方法、分離方法、及び分離装置
本発明は、炭素数が３以下の飽和炭化水素の選択的吸着方法、それを利用した分離方法、並びに分離方法を実施する分離装置に関する。
吸着特性の違いを利用した分離方法としては、吸着剤として一般的に知られている活性炭やゼオライトを用いる方法が知られているが、飽和炭化水素、特に炭素数が３以下の飽和炭化水素を高選択的に吸着することは困難であり、このような飽和炭化水素を高選択的に吸着することができる実用的な吸着方法は提供されてこなかった。 近年、新たな吸着剤として多孔性金属錯体が検討されており、例えば、Ｊ． Ｇａｓｃｏｎ ｅｔ ａｌ． ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． ，２０１０，１３２，Ｐ． １７７０４－１７７０６（非特許文献１）では、特定の多孔性金属錯体において、飽和炭化水素に対する親和性が不飽和炭化水素に対する親和性に比して高いことが見出されている。 しかしながら、このような従来の多孔性金属錯体を吸着剤として用いた場合、吸着されたプロパンを回収して吸着剤を再生するためには、実用上過度の低圧化（例えば、２５℃で１ｋＰａ未満）を要するという問題があった。 他方、例えば、Ｊ． Ｇａｓｃｏｎ ｅｔ ａｌ． ， Ｃｈｅｍ． Ｅｕｒ． Ｊ． ，２０１１，１７，Ｐ． ８８３２－８８４０（非特許文献２）には、プロパンを回収する圧力として比較的高い圧力が記載されているものの、この場合には過度に昇温する必要があるという問題があった。 Ｊ． Ｇａｓｃｏｎ ｅｔ ａｌ． ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． ，２０１０，１３２，Ｐ． １７７０４－１７７０６ Ｊ． Ｇａｓｃｏｎ ｅｔ ａｌ． ， Ｃｈｅｍ． Ｅｕｒ． Ｊ． ，２０１１，１７，Ｐ． ８８３２－８８４０
本発明は、前記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プロピレンとプロパンなどの炭素数が３以下でかつ同じ炭素数の炭化水素であっても混合物中の飽和炭化水素を選択的に吸着することが可能であり、かつ、実用上過度の昇温又は過度の低圧化を要しないで用いることができる温度及び圧力領域（例えば、２５℃で１ｋＰａ以上）において吸着した気体（炭化水素）を回収することができる飽和炭化水素の吸着方法、それを利用した分離方法、並びに分離方法を実施する分離装置を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明をなすに至った。 すなわち、本発明の飽和炭化水素の吸着方法は、下記式（１）：
（式（１）中、ＰはＲ ａ以外の置換基を有していてもよい飽和炭化水素基であり；Ｒ ａは金属イオンに配位性のある官能基であり；ｍは１～４の整数であり；ｍが２以上の整数である場合、複数あるＲ ａは互いに同一であっても異なっていてもよい。）
で表される配位子（以下、「第一の配位子」と記すこともある。）と金属イオンとを含む金属錯体に、炭素数が３以下の飽和炭化水素と不飽和炭化水素とを含む混合物を接触せしめることにより前記飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させる、飽和炭化水素の吸着方法である。 本発明の飽和炭化水素の吸着方法においては、前記第一の配位子のＰが、炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい、環状構造を有する炭素数３～１２の飽和炭化水素基であることが好ましい。 また、本発明の飽和炭化水素の吸着方法においては、前記第一の配位子のＲ ａが、「－ＣＯ ２ － 」、「－ＣＳ ２ － 」、「－Ｃ（＝Ｏ）Ｓ － 」及び「－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ Ａ－ 」からなる群から選択されるいずれかで表される基（ここで、Ｒ Ａは水素原子又は炭素数４以下のアルキル基である。）であることが好ましい。 また、本発明の飽和炭化水素の吸着方法においては、前記金属イオンが、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一つの金属のイオンであることが好ましい。 また、本発明の飽和炭化水素の吸着方法においては、前記金属錯体が、「２原子以上４原子以下のヘテロ原子を含む複素環式化合物である」という条件を満たす第二の配位子をさらに含むことが好ましい。 さらに、前記第二の配位子としては、２原子以上４原子以下のヘテロ原子を含み、かつ、二重結合を含まない複素環式化合物であることがより好ましい。 また、本発明の飽和炭化水素の吸着方法においては、前記金属錯体が、下記式（２）：
（式（２）中、ＱはＲ ａ以外の置換基を有していてもよい不飽和炭化水素基であり；Ｒ ａ及びｍはそれぞれ独立に前記第一の配位子中のＲ ａ及びｍと同義である。）
で表される第三の配位子をさらに含むことが好ましい。 また、本発明の飽和炭化水素の吸着方法においては、前記金属錯体において、［第一の配位子］：［第三の配位子］で表されるｍｏｌ比が１００：０～５：９５の範囲であることが好ましい。 さらに本発明においては、前記金属錯体が、下記式（３）：
（式（３）中、Ｐ １は、ハロゲン原子又は炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい炭素数１２以下の飽和炭化水素基であり、ｍ １は１～２の整数である。）
で表される第一の配位子Ａと、
２原子以上４原子以下のヘテロ原子を含み、かつ、二重結合を含まない複素環式化合物である第二の配位子Ｂと、
下記式（４）：
（式（４）中、Ｑ １は、ハロゲン原子又は炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい炭素数１２以下の不飽和炭化水素基であり；ｍ １は１～２の整数である。）
で表される第三の配位子Ｃと、
クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一つの金属のイオンと、
を含む金属錯体であることが好ましい。 本発明の炭化水素の分離方法は、前記本発明の飽和炭化水素の吸着方法を利用して前記飽和炭化水素と前記不飽和炭化水素とを分離する工程を有する、炭化水素の分離方法である。 このような本発明の炭化水素の分離方法においては、前記金属錯体に、第１の所定圧力の下で前記混合物を接触せしめ、前記飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させる吸着工程と、前記吸着工程の後に、圧力を第２の所定圧力に変化させ、前記金属錯体に吸着している前記飽和炭化水素を脱離させる脱離工程とを含むことが好ましい。 本発明の分離装置は、上記式（１）で表される配位子と金属イオンとを含む金属錯体を備える分離手段と、
前記分離手段に炭素数が３以下の飽和炭化水素と不飽和炭化水素とを含む混合物を導入する導入手段とを備えており、
前記金属錯体に、前記混合物を接触せしめることにより前記飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させ、前記飽和炭化水素と前記不飽和炭化水素とを分離する、炭化水素の分離装置である。 なお、本発明において、「飽和炭化水素を金属錯体に選択的に吸着」するとは、同温、同圧の条件において飽和炭化水素及び不飽和炭化水素をそれぞれ金属錯体に吸着させた場合に、飽和炭化水素の吸着量が不飽和炭化水素の吸着量よりも多くなることをいう。 前記吸着量は、例えば、自動比表面積／細孔分布測定装置（日本ベル株式会社製ＢＥＬＳＯＲＰ－ｍｉｎｉＩＩ）を用いて容量法により測定することができ、その際の温度（吸着温度）条件としては、１７３～３７３Ｋであることが好ましく、圧力（吸着圧力）条件としては、３ｋＰａ～３ＭＰａであることが好ましい。 また、その際の前記不飽和炭化水素としては、前記飽和炭化水素の炭素数と同じ炭素数であることが好ましい。
本発明によれば、プロピレンとプロパンなどの炭素数が３以下でかつ同じ炭素数の炭化水素であっても混合物中の飽和炭化水素を選択的に吸着することが可能であり、かつ、実用上過度の昇温又は過度の低圧化を要しないで用いることができる温度及び圧力領域（例えば、２５℃で１ｋＰａ以上）において吸着した気体（炭化水素）を回収することができる飽和炭化水素の吸着方法、それを利用した分離方法、並びに分離方法を実施する分離装置を提供することが可能となる。
本発明を実施するのに有用な炭化水素の分離装置の好適な一実施形態を示す模式図である。 合成例１で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例２で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例３で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例４で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例５で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例６で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例７で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例８で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例９で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 比較合成例１で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例１で得られた金属錯体を用いて実施例１で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例２で得られた金属錯体を用いて実施例２で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例３で得られた金属錯体を用いて実施例３で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線のうち、２７３Ｋで測定した吸着等温線を示すグラフである。 合成例３で得られた金属錯体を用いて実施例３で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線のうち、３０３Ｋで測定した吸着等温線を示すグラフである。 合成例６で得られた金属錯体を用いて実施例６で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例７で得られた金属錯体を用いて実施例７で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例８で得られた金属錯体を用いて実施例８で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例９で得られた金属錯体を用いて実施例９で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 比較合成例１で得られた金属錯体を用いて比較例１で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例１０で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例１１で得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを示すグラフである。 合成例１０で得られた金属錯体を用いて実施例１０で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例１１で得られた金属錯体を用いて実施例１１で測定したプロパン及びプロピレンの吸脱着等温線を示すグラフである。 合成例３で得られた金属錯体を用いて実施例１２で測定したプロパン、プロピレン及び窒素の混合気体の破過曲線を示すグラフである。 合成例３で得られた金属錯体を用いて実施例１３で測定したプロパン、プロピレン及び窒素の混合気体の破過曲線を示すグラフである。 合成例３で得られた金属錯体を用いて実施例１４で測定したプロパン及びプロピレンの混合気体の破過曲線を示すグラフである。 合成例３で得られた金属錯体を用いて実施例１５で測定したプロパン及びプロピレンの混合気体の破過曲線を示すグラフである。
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。 先ず、本発明の飽和炭化水素の吸着方法について説明する。 本発明の飽和炭化水素の吸着方法は、前記式（１）で表される配位子と金属イオンとを含む金属錯体に、炭素数が３以下の飽和炭化水素と炭素数が３以下の不飽和炭化水素とを含む混合物（本明細書において、「炭素数が３以下の飽和炭化水素と不飽和炭化水素とを含む混合物」と記すこともある。）を接触せしめることにより前記飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させる、飽和炭化水素の吸着方法である。 なお、本明細書において、複数あるものが「互いに同一であっても異なっていてもよい」とは、複数あるものが「すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみが同一であってもよい」ことを意味する。 前記第一の配位子のＰは、Ｒ ａ以外の置換基を有していてもよい飽和炭化水素化合物からｍ個の水素原子を除いてなる基であり、非環式炭化水素基であっても環式炭化水素基であってもよい。 このような第一の配位子のＰとしては、ハロゲン原子又は炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい、炭素数１２以下の飽和炭化水素基であることが好ましい。 また、炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい、環状構造を有する炭素数３～１２の飽和炭化水素基であることがより好ましく、炭素数１～３の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい、環状構造を有する炭素数５～１０の飽和炭化水素基であることがさらに好ましい。 前記ｍ個の水素原子が除かれてＰとなる飽和炭化水素化合物の具体例としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、［２．２．２］－ビシクロオクタン、キュバン、アダマンタンなどが挙げられる。 中でも、得られる金属錯体が飽和炭化水素に対して相対的により高い親和性を示すことが期待できることから、ヘプタン、オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、デカリン、［２．２．２］－ビシクロオクタン、アダマンタンが好ましく、シクロヘキサン、デカリン、［２．２．２］－ビシクロオクタン、アダマンタンがより好ましく、シクロヘキサン、アダマンタンがさらに好ましい。 前記第一の配位子のＲ ａは、金属イオンに配位性のある官能基であればよく、「－ＣＯ ２ － 」、「－ＣＳ ２ － 」、「－Ｃ（＝Ｏ）Ｓ － 」、「－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ Ａ ） － 」、「－ＳＯ ３ － 」、「－ＰＯ ４ （Ｒ Ａ ） － 」、「－Ｃ≡Ｎ」、「－Ｓ － 」、「－Ｏ － 」、「－Ｎ（Ｒ Ａ ） － 」、「ピリジル基」及び「イミダゾール基」からなる群から選択されるいずれかで表される基が例示される。 中でも、得られる金属錯体が秩序だった構造を形成しやすいことから、「－ＣＯ ２ － 」、「－ＣＳ ２ － 」、「－Ｃ（＝Ｏ）Ｓ － 」及び「－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ Ａ ） － 」からなる群から選択されるいずれかで表される基が好ましく、「－ＣＯ ２ － 」又は「－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ Ａ ） － 」で表される基がより好ましく、「－ＣＯ ２ － 」で表される基が特に好ましい。 ここで、Ｒ Ａは、水素原子又は炭素数４以下のアルキル基である。 前記第一の配位子のｍは、１～４の整数であればよいが、低次元の金属錯体（低次元の金属錯体の説明は後述）が得られやすくより良好な選択的吸着特性の発現が期待できることから、好ましくは１～２の整数であり、より好ましくは１である。 なお、ｍが２以上の整数である場合には、複数あるＲ ａは互いに同一であっても異なっていてもよい。 前記第一の配位子のＰは、前記Ｒ ａ以外の置換基を有していてもよく、該置換基の数が２以上である場合には、これら置換基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。 前記Ｒ ａ以外の置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８の飽和炭化水素基が挙げられる。 このような飽和炭化水素基として好ましくはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～６の飽和炭化水素基であり、より好ましくはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～３の飽和炭化水素基であり、さらに好ましくは置換されていない炭素数１～３の飽和炭化水素基である。 前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、中でもフッ素原子、塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。 前記Ｒ ａ以外の置換基がハロゲン原子で置換されていてもよい飽和炭化水素基である場合、前記Ｒ ａ以外の置換基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよく、環状である場合、単環式又は多環式のいずれでもよい。 前記Ｒ ａ以外の置換基のうち、前記炭素数１～６の飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、ｎ－へキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 前記ＰがＲ ａ以外の置換基を有する場合、前記第一の配位子の前駆体の合成がより容易となるので、前記Ｒ ａ以外の置換基はメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－へキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。 前記金属錯体としては、前記第１の配位子のうちの１種を単独で含んでいても２種以上を組み合わせて含んでいてもよく、２種以上を組み合わせて含む場合には、前記第一の配位子のＰが、環状構造を有する炭素数３～１０の飽和炭化水素基（ＰＩ）と環状構造を有する炭素数がＰＩの炭素数よりも多くかつ１２以下の飽和炭化水素基（ＰＩＩ）との組み合わせであることがより好ましい。 また、［ＰＩ］：［ＰＩＩ］で表されるｍｏｌ比が２５：７５～９９：１であることがさらに好ましく、５０：５０～９８：２であることが特に好ましく、７５：２５～９５：５であることがとりわけ好ましい。 前記金属錯体に含まれる金属イオンは、任意の金属元素のイオンでよいが、好ましくは周期表第２族から第１３族から選ばれる金属元素のイオンである。 このような金属イオンとしては、金属錯体の合成が比較的容易であることから、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ストロンチウム、イットリウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、カドミウム、バリウム、ランタン、タンタル及びタングステンからなる群から選択される少なくとも一つの金属のイオンがより好ましい。 前記金属錯体としては、前記金属イオンのうちの１種を単独で含んでいても２種以上を組み合わせて含んでいてもよい。 また、このような金属イオンとしては、原料となる金属塩が比較的安価であることから、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一つの金属のイオンがさらに好ましく、金属錯体の合成が比較的容易であることから、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一つの金属のイオンが特に好ましい。 さらに、このような金属イオンとしては、金属錯体の合成がきわめて容易であることから、銅又は亜鉛のイオンが殊更好ましく、銅のイオンがとりわけ好ましい。 前記金属イオンは、通常、１～７価の陽イオンである。 そして、この陽イオンは、複数の配位子と共に金属錯体を形成する必要があることから、好ましくは２～６価であり、より好ましくは２～４価であり、さらに好ましくは２～３価であり、特に好ましくは２価である。 本発明で用いる前記金属錯体は、前記第一の配位子に加えて、「２原子以上４原子以下のヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ及びＳからなる群より選ばれる少なくとも１種類の原子）を含む複素環式化合物である」第二の配位子をさらに含むことが好ましく、前記第二の配位子としては、二重結合を含まないことが好ましい。 前記第二の配位子は、単環基であっても縮環基であっても、単環基が連結された基であってもよく、具体例としては、トリエチレンジアミン（すなわち、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン）、ピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、３，３'－ビピペリジン、４，４'－ビピペリジン、１，３－ジ－（４－ピペリジル）プロパン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４－ジオキサン、１，４－ジチアンが挙げられ、これらのうちの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。 このような第二の配位子としては、金属錯体の安定性がより高まるので、トリエチレンジアミン、ピペラジン、４，４'－ビピペリジン及びヘキサメチレンテトラミンからなる群から選択される少なくとも一つの化合物であることが好ましく、トリエチレンジアミン、ヘキサメチレンテトラミン又はピペラジンがより好ましく、トリエチレンジアミンがさらに好ましい。 また、本発明で用いる前記金属錯体は、前記第一の配位子に加えて、前記式（２）で表される第三の配位子をさらに含んでいてもよい。 このような第三の配位子を含む場合、前記第一の配位子のＰの構造中の炭素数と、前記第三の配位子のＱの構造中の炭素数との差の絶対値が０～６の整数であることが好ましく、０～４の整数であることがより好ましく、０～２の整数であることがさらに好ましい。 前記第三の配位子のＱは、Ｒ ａ以外の置換基を有していてもよい不飽和炭化水素化合物からｍ個の水素原子を除いてなる基であり、非環式炭化水素基であっても環式炭化水素基であってもよい。 このような第三の配位子のＱとしては、ハロゲン原子又は炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい、炭素数１２以下の不飽和炭化水素基であることが好ましい。 また、ハロゲン原子又は炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい、環状構造を有する炭素数３～１２の不飽和炭化水素基であることがより好ましく、フッ素原子又は炭素数１～３の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい、環状構造を有する炭素数５～１０の不飽和炭化水素基であることがさらに好ましい。 前記ｍ個の水素原子が除かれてＱとなる不飽和炭化水素化合物の具体例としては、ブテン、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロペンタジエン、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンなどが挙げられ、好ましくはシクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロペンタジエン、ベンゼン、ナフタレンであり、より好ましくは、シクロヘキセン、ベンゼン、ナフタレンであり、さらに好ましくは、ベンゼンである。 前記第三の配位子のＱは、前記Ｒ ａ以外の置換基を有していてもよく、その好ましい例は、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）又は前記第一の配位子のＰにおける、Ｒ ａ以外の置換基の好ましい例と同義である。 また、前記金属錯体としては、前記第三の配位子のうちの１種を単独で含んでいても２種以上を組み合わせて含んでいてもよい。 本発明において、前記金属錯体に含まれる前記金属イオン及び前記各配位子との量比に関しては、炭化水素吸着時の飽和炭化水素の選択性がより向上したり、より好適な圧力を吸着した気体の回収に適用できたりするので、それぞれ以下に示す関係を満たしていることが好ましい。 すなわち、先ず、前記金属錯体に含まれる前記金属イオンと前記第一の配位子について、［金属イオン］：［第一の配位子］で表されるｍｏｌ比は、１．０：０．５～１．０：４．０の範囲であることが好ましく、１．０：０．８～１．０：３．０の範囲であることがより好ましく、１．０：１．０～１．０：２．０の範囲であることがさらに好ましい。 また、前記金属錯体が前記第一の配位子に加えて前記第三の配位子をさらに含む場合、前記金属イオンと前記第一の配位子及び前記第三の配位子について、［金属イオン］：［第一の配位子＋第三の配位子］で表されるｍｏｌ比は、１．０：０．５～１．０：４．０の範囲であることが好ましく、１．０：０．８～１．０：３．０の範囲であることがより好ましく、１．０：１．０～１．０：２．０の範囲であることがさらに好ましい。 前記金属錯体における前記第三の配位子の割合は、［第一の配位子］：［第三の配位子］で表されるｍｏｌ比が、１００：０～５：９５の範囲であることが好ましく、１００：０～２０：８０の範囲であることがより好ましく、１００：０～５０：５０の範囲であることがさらに好ましい。 また、飽和炭化水素の選択的吸着特性がより高まることも鑑みると、［第一の配位子］：［第三の配位子］で表されるｍｏｌ比は、８５：１５～５０：５０の範囲であることが特に好ましく、８０：２０～５０：５０の範囲であることが殊更好ましく、８０：２０～６０：４０の範囲であることがとりわけ好ましい。 また、前記金属錯体が前記第一の配位子に加えて前記第二の配位子をさらに含む場合、前記金属錯体に含まれる前記金属イオンと前記第二の配位子について、［金属イオン］：［第二の配位子］で表されるｍｏｌ比は、１．０：０．２～１．０：３．０の範囲であることが好ましく、１．０：０．３～１．０：２．０の範囲であることがより好ましく、１．０：０．５～１．０：１．０の範囲であることがさらに好ましい。 また、本発明においては、炭化水素吸着時の飽和炭化水素の選択性がより向上したり、より好適な圧力を吸着した気体の回収に適用できたりするので、前記金属錯体がイオン結合及び配位結合で連結されることで１次元（直鎖状）又は２次元（面状）の次元性をもつ集積構造を形成している金属錯体であることが好ましく、１次元の集積構造を形成している金属錯体であることがさらに好ましい。 例えば、このような１次元の集積構造は、前記金属錯体が、２価の金属イオンと、金属イオンに配位性のある官能基を１つ有する前記第一の配位子と、ヘテロ原子が２原子である前記第二の配位子とからなる場合、［金属イオン］：［第一の配位子］：［第二の配位子］で表されるｍｏｌ比が、２：４：１となるときに得ることができる傾向にある。 また、例えば、このような１次元の集積構造は、前記金属錯体が、２価の金属イオンと、金属イオンに配位性のある官能基を１つ有する前記第一の配位子と、ヘテロ原子が２原子である前記第二の配位子と、金属イオンに配位性のある官能基を１つ有する前記第三の配位子とからなる場合、［金属イオン］：（［第一の配位子］＋［第三の配位子］）：［第二の配位子］で表されるｍｏｌ比が、２：４：１となるときに得ることができる傾向にある。 本発明においては、前述の金属錯体を形成するために、前記第一の配位子、前記第二の配位子及び前記第三の配位子以外の補助配位子をさらに有していてもよい。 このような補助配位子としては、例えば、トリエチルアミン、水、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルスルホキシド、アセトン、ピリジン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、メチルエチルエーテルが挙げられ、好ましくは水、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミドである。 これらの補助配位子は、一種でも二種以上でもよい。 本発明において用いる金属錯体としては、不飽和炭化水素と飽和炭化水素との分離効率をより高めることができるので、規則構造及び柔軟構造を有することが好ましい。 ここでいう規則構造とは、粉末Ｘ線回折の測定により単位格子に由来するピークが１５°（２θ）以下、好ましくは１２°以下、より好ましくは１０°以下に１つ以上観測されることを特徴とする規則構造であり、前記ピークが３°（２θ）以上であることが好ましく、４°以上であることがより好ましい。 また、ここでいう柔軟構造とは、外部刺激（例えばゲスト分子の吸着）により構造が変化することを特徴とする。 本発明において柔軟構造を有する金属錯体は小分子の吸着に伴い粉末Ｘ線回折パターンが変化する。 また、柔軟構造を有する金属錯体は、吸着した小分子が脱離することで再び構造が変化し、通常、小分子を吸着する前の構造を回復する。 本発明においては、前記金属錯体が、前記式（３）で表される第一の配位子Ａと、
２原子以上４原子以下のヘテロ原子を含み、かつ、二重結合を含まない複素環式化合物である第二の配位子Ｂと、
前記式（４）で表される第三の配位子Ｃと、
クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一つの金属のイオンと、
を含む金属錯体であることが好ましい。 前記配位子ＡのＰ １は、前記第一の配位子のＰのうち、ハロゲン原子又は炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい炭素数１２以下の飽和炭化水素化合物からｍ個の水素原子を除いてなる基であり、好ましい例としては前記第一の配位子において述べたとおりである。 また、前記配位子Ａのｍ １は、前記第一の配位子のｍのうち、１～２の整数であり、低次元化合物が得られやすくより良好な選択的吸着特性が発現するので、好ましくは１である。 前記金属錯体に含まれる金属イオンは、前述の金属イオンのうち、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一つの金属のイオンである。 このような金属イオンとしては、金属錯体の合成がきわめて容易であることから、銅又は亜鉛のイオンが殊更好ましく、銅のイオンがとりわけ好ましい。 また、前記配位子Ｂの好ましい例は、前記第二の配位子の好ましい例と同義である。 前記配位子ＣのＱ １は、前記第三の配位子のＱのうち、ハロゲン原子又は炭素数１～８の飽和炭化水素基によって置換されていてもよい炭素数１２以下の不飽和炭化水素化合物からｍ個の水素原子を除いてなる基であり、好ましい例としては前記第三の配位子において述べたとおりである。 本発明で用いる金属錯体において、前記金属イオン、前記第一の配位子、並びに、必要に応じて前記第二の配位子及び／又は前記第三の配位子の好ましい組み合わせを表１～表７に示す。
また、本発明において用いる金属錯体の製造方法としては、特に限定はないが、前記配位子又はそれらの前駆体（前記第一の配位子の前駆体と、必要に応じて前記第二の配位子及び／又は第三の配位子の前駆体）を、前記金属イオン（並びに必要に応じて、カウンターイオン及び結晶水）からなる金属塩又はその水和物と溶媒中で反応せしめることにより製造することが好ましい。 ここで用いる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、２－プロパノール、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、クロロホルム等の溶媒を使用でき、また、前記溶媒とは別の前記補助配位子をさらに加えてもよい。 なお、前記第一の配位子の前駆体と前記第三の配位子の前駆体における官能基としては、「－ＣＯ ２ Ａ」、「－ＣＳ ２ Ａ」、「－Ｃ（＝Ｏ）ＳＡ」、「－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ Ａ ）Ａ」、「－ＳＯ ２ Ａ」、「－ＰＯ ４ （Ｒ Ａ ）Ａ」、「－Ｃ≡Ｎ」、「－ＳＡ」、「－ＯＡ」及び「－Ｎ（Ｒ Ａ ）Ａ」からなる群から選択されるいずれかで表される基が例示される。 ここで、Ａは、水素原子、アルカリ金属原子又はアルキル基で置換されていてもよいアンモニウムイオンであり、好ましくは水素原子である。 前記金属錯体の製造において、反応せしめる、前記第一の配位子の前駆体、前記第二の配位子、前記第三の配位子の前駆体及び前記金属塩のモル比は、各配位子の配位能力の強弱に従って調節する必要がある。 また、反応せしめる、前記第一の配位子の前駆体と前記第三の配位子の前駆体との好ましい比は、製造しようとする金属錯体に含まれる前記第一の配位子と前記第三の配位子との比に基づいても調節する必要がある。 さらに、反応せしめる配位子又はそれらの前駆体は、金属塩に比して量論比より過剰にすることで、収率を向上させられる場合がある。 また、高濃度で反応を実施することで、過剰に用いる配位子量を削減することができる場合もある。 前記金属塩として好ましくは、弗化物、塩化物、臭化物、硝酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、これらの水和物又はそれらの組み合わせが挙げられる。 入手性がよく、かつカウンターアニオンの配位力が目的とする反応の妨げにならない程度に低いことが好ましいことから、好ましくは硝酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩又はそれらの水和物であり、より好ましくは硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩又はそれらの水和物である。 前記配位子又はそれらの前駆体を前記金属塩と反応せしめる際の反応温度は０℃以上２００℃以下が好ましく、１０℃以上１５０℃以下がより好ましく、１０℃以上１００℃以下がさらに好ましく、２０℃以上６０℃以下が特に好ましい。 係る反応は、０．０１～１０ＭＰａの圧力下で行うことが好ましく、０．０５～１ＭＰａの圧力下で行うことがより好ましく、０．０８～０．１２ＭＰａの圧力下で行うことがさらに好ましく、通常、常圧下で行われる。 反応時間は、通常１分～１週間、好ましくは５分～１２０時間である。 このような反応に用いる反応容器としては、開放型容器でも、オートクレーブなどの密閉型容器でも使用可能である。 反応容器の加熱は、液体又は気体の熱媒を用いたり、マイクロ波や超音波を照射したりすることによって行うことができる。 また、前記反応において溶媒として適切なものを選択すると、生成した金属錯体は沈殿物として反応溶液中に析出する。 析出した金属錯体を濾過などにより捕集した後、反応に用いた溶媒と同じ種類の溶媒、又は反応に用いた溶媒よりも揮発性が高い溶媒を用いて、析出した金属錯体を洗浄することが好ましい。 さらに、得られた金属錯体が多孔性となっている場合は、細孔部に溶媒が吸着していることがあるため、これらを除去するために、金属錯体を乾燥することが好ましい。 係る乾燥としては、室温又は加熱条件下での減圧乾燥が好ましい。 なお、前記第二の配位子を有する金属錯体を得る場合は、前記第一の配位子の前駆体（及び必要に応じて前記第三の配位子の前駆体）と前記金属塩とで予め中間体を合成し、次いで、その中間体に前記第二の配位子を加えて前記金属錯体を得るといった、段階的な合成方法を採用することもできる。 本発明の吸着方法においては、前述の金属錯体に、炭素数が３以下の飽和炭化水素と不飽和炭化水素とを含む混合物を接触せしめることにより、前記飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させるものである。 係る金属錯体は、一種でも、二種以上を含んでいてもよい。 ここでいう飽和炭化水素は、エタン、プロパン、シクロプロパンであり、エタン及びプロパンが好ましい。 また不飽和炭化水素は、エチレン、プロピレン、シクロプロペン、アセチレンが挙げられるが、エチレン及びプロピレンが好ましい。 本発明において前記金属錯体に接触させる飽和炭化水素と飽和炭化水素は、炭素数が３以下の飽和炭化水素と不飽和炭化水素とを含む混合物であり、かかる混合物が気体であることが好ましい。 また、飽和炭化水素及び不飽和炭化水素の炭素数は、同一又は飽和炭化水素の炭素数が多いことが好ましい。 具体例としては、エタン及びエチレンの混合物、プロパン及びエチレンの混合物、並びにプロパン及びプロピレンの混合物が挙げられ、より好ましくプロパン及びプロピレンの混合物である。 本発明の吸着方法を用いることで、前記の飽和炭化水素と不飽和炭化水素との混合物を分離することも可能である。 次に、本発明の炭化水素の分離方法について説明する。 本発明の炭化水素の分離方法は、前記本発明の飽和炭化水素の吸着方法を利用して前記飽和炭化水素と前記不飽和炭化水素とを分離する工程を有する、炭化水素の分離方法である。 本発明の分離方法により分離して得られる飽和炭化水素又は不飽和炭化水素は、組成比が分離前の混合物と異なっていればよいが、分離取得物は、いずれか一方が８０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、９０ｍｏｌ％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましく、９８％以上であることが特に好ましい。 本発明の分離方法において、前記金属錯体をそのまま、あるいは適当に粉砕することで粉末状にして用いることもできるが、適切な成型手段により成型して成型体として用いてもよい。 なお、この成型において成型剤を用いる場合には、成型後に得られる吸着剤の炭化水素ガス吸着特性及び吸着後の炭化水素ガス脱離特性が著しく損なわれないようにして、成型剤の種類及びその使用量を定めることが好ましい。 このような成型手段としてはプレス成型が例示される。 吸着剤として用いる場合の成型体の形状は、吸着剤に要求される強度を維持できるような形状であることが望ましい。 また、炭化水素ガス吸着速度を向上するので、成型品の表面積が大きいことが好ましい。 本発明において前述の金属錯体を用いて前記不飽和炭化水素と前記飽和炭化水素とを分離する具体的プロセスとしては、例えば、圧力スイング吸着法（圧力変動吸着法：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｗｉｎｇ Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ）や温度スイング吸着法（温度変動吸着法：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｗｉｎｇ Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ）や透過分離法（膜分離）が挙げられ、圧力スイング吸着法が好ましい。 圧力スイング吸着法においては、前記金属錯体に、第１の所定圧力（吸着圧力）の下で前記不飽和炭化水素と飽和炭化水素との混合物を接触せしめ、前記飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させる吸着工程を含むことが好ましい。 このような吸着工程においては、前記金属錯体が配置された空間（例えば、吸着槽内）の圧力を事前に所望の吸着圧力まで上昇又は低減させた後、前記混合物をその吸着圧力の下で前記空間に導入し、飽和炭化水素が高選択的に前記金属錯体に吸着されて濃縮され、その炭化水素の減損分と不飽和炭化水素が前記空間から排出される。 また、このような圧力スイング吸着法においては、前記吸着工程の後に、圧力を第２の所定圧力（脱離圧力）に変化させ、前記金属錯体に吸着している炭化水素を脱離させる脱離工程を更に含むことがより好ましい。 このような脱離工程（再生工程）においては、一方の炭化水素を選択的に吸着している金属錯体が配置された空間の圧力を所望の脱離圧力まで低減し、金属錯体に吸着されている前記飽和炭化水素の濃縮分を前記金属錯体から脱離せしめることによって前記空間から排出される。 圧力を第２の所定圧力（脱離圧力）に変化させる前に、少量の飽和炭化水素をフィードすることで、前記空間の不飽和炭化水素を飽和炭化水素に置換してもよい。 なお、このような圧力スイング吸着法では、得られる飽和炭化水素又は不飽和炭化水素の純度が低く、より高純度の前記飽和炭化水素又は前記不飽和炭化水素を得るための工夫が必要な場合には、二段以上とすることができ、その場合は前記吸着工程と前記脱離工程とが二回以上繰り返して行われることになる。 前記の圧力スイング吸着法における吸着条件は、分離対象及び用いる金属錯体によって決定されるが、吸着温度は１７３～３７３Ｋが好ましく、２２３～３５３Ｋがより好ましい。 さらに好ましくは２５３～３５３Ｋであり、より好ましくは２７３～３３３Ｋである。 吸着圧力は実施温度及び用いる金属錯体によって異なるが、３ｋＰａ～３ＭＰａが好ましく、１０ｋＰａ～２ＭＰａがより好ましい。 さらに好ましくは３０ｋＰａ～２ＭＰａであり、特に好ましくは１００ｋＰａ～２ＭＰａである。 また、前記吸着圧力としては、一方の炭化水素の吸着量と他方の炭化水素の吸着量との差が大きくなる圧力が採用され、好ましくは２倍以上、より好ましくは５倍以上、さらに好ましくは１０倍以上になる圧力が採用される。 他方、前記脱離圧力としては、飽和炭化水素の吸着量が、飽和吸着量に対し５０％以下になる圧力が採用され、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下になる圧力が採用される。 前記の圧力スイング吸着法における吸着成分の脱離条件は分離対象及び用いる金属錯体によって決定される。 脱離圧力は分離対象、実施温度及び用いる金属錯体によって異なるが、気体の回収圧力が過度に低い場合、気体の貯蔵或いは利用のためには再圧縮の負荷が必要となることから、比較的高い圧力で回収することが好ましい。 このような圧力としては、２ｋＰａ以上であることが好ましく、５ｋＰａ以上であることがより好ましい。 さらに好ましくは１０ｋＰａ～２ＭＰａであり、特に好ましくは２０ｋＰａ～１．５ＭＰａである。 本発明の飽和炭化水素の吸着方法によれば、このように実用上過度の低圧化を要しないで用いることができる圧力領域において吸着した気体を回収することができる。 また、脱離温度は２２３～３７３Ｋが好ましい。 脱離工程では必ずしも積極的に昇温する必要はないが、脱離に必要な潜熱を補うことは好ましく、温調及び保温の実施は好ましい場合もある。 次に、本発明の分離方法を実施するのに好適な本発明の炭化水素の分離装置について説明する。 かかる分離装置は、前述の金属錯体を備える分離手段と、前記分離手段に炭素数が３以下の飽和炭化水素と不飽和炭化水素とを含む混合物を導入する導入手段と、を備えており、前記金属錯体に前記混合物を接触せしめることにより前記飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させ、前記飽和炭化水素と前記不飽和炭化水素とを分離する装置である。 また、この炭化水素の分離装置においては、前記分離手段において前記金属錯体が配置された空間の圧力を制御する圧力制御手段を更に備えていることが好ましく、前記圧力制御手段により第１の所定圧力の下で前記混合物を前記金属錯体に接触せしめ、一方の炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させることにより、前述の吸着工程が実施できるようになっていることが好ましい。 さらに、その場合、飽和炭化水素を前記金属錯体に選択的に吸着させた後に、前記圧力制御手段により圧力を第２の所定圧力に変化させ、前記金属錯体に吸着している飽和炭化水素を脱離させることにより、前述の脱離工程が実施できるようになっていることが好ましい。 図１に、この炭化水素の分離装置の好適な一実施形態を示す。 図１に示す分離装置（圧力スイング吸着装置の一例）においては、前述の金属錯体が充填された吸着槽（分離手段）１が配置されており、その一端にバルブＶ１を有する導入管Ｐ１を介して圧縮機２（導入手段）が接続され、さらに圧縮機２にはバルブＶ２を有する原料ガス（前記混合物）の導入管Ｐ２とバルブＶ３を有するパージガスの導入管Ｐ３とが接続されている。 また、吸着槽１の他端には、バルブＶ４を有する排出管Ｐ４を介して減圧機３（圧力制御手段）が接続され、さらに減圧機３にはバルブＶ５を有する製品ガス（分離された炭化水素）の排出管Ｐ５とバルブＶ６を有するパージガスの排出管Ｐ６とが接続されている。 さらに、圧縮機２、減圧機３、バルブＶ１～Ｖ６には制御手段４（例えば、ＰＬＣ）が電気的に接続されており、それらの動作を制御することができるように構成されている。 また、本発明の分離装置は、温度を制御できる温度制御手段を更に備えていることが好ましい。 図１に示す分離装置を用いて炭化水素を分離する場合、例えば以下のように制御される。 すなわち、先ず、吸着槽１内に圧縮機２によりパージガスが導入された後、減圧機３により吸着槽１内の圧力が前記第１の所定圧力（吸着圧力）となるように減圧される。 次いで、その圧力の下で吸着槽１内に圧縮機２により原料ガスが導入され、飽和炭化水素が選択的に前記金属錯体に吸着されて濃縮し、その炭化水素の減損分と不飽和炭化水素が第一の製品ガスとして排出される。 次に、減圧機３により吸着槽１内の圧力を前記第２の所定圧力（脱離圧力）まで減圧し、それにより前記金属錯体に吸着されていた飽和炭化水素の濃縮分が金属錯体から脱離して第二の製品ガスとして排出される。 以上、炭化水素の分離装置の好適な一実施形態について説明したが、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、圧縮機と減圧機の一方が導入手段と圧力制御手段とを兼ねる場合はいずれか一方のみでもよい。 また、金属錯体が充填された吸着槽として、複数の吸着槽（吸着塔）が並列又は直列に接続されていてもよい。
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 以下の実施例及び比較例における分析及び評価はそれぞれ次のようにして行った。 （１）粉末Ｘ線回折パターンの測定 粉末Ｘ線装置を用いて、回折角（２θ）＝３～４０°の範囲を走査速度２°／分で走査し、対称反射法で測定した。 測定条件の詳細を以下に示す。
＜測定条件＞
装置：株式会社リガク製ＲＩＮＴ－ＵｌｔｉｍａＩＩＩ
Ｘ線源：ＣｕＫα（λ＝１．５４１８Å） ４０ｋＶ ４０ｍＡ
ゴニオメーター：水平ゴニオメーター検出器：シンチレーションカウンターステップ幅：０．０２°
スリット：発散スリット＝１ｍｍ
発散縦制限スリット＝１０ｍｍ
受光スリット＝開放 散乱スリット＝開放。 （２）元素分析 炭素、水素及び窒素については、炭素・水素・窒素同時測定装置を用いて定量した。 測定条件の詳細を以下に示す。 ＜測定条件＞
≪炭素・水素・窒素≫
装置：株式会社ジェイ・サイエンス・ラボ製ＭＩＣＲＯ ＣＯＲＤＥＲ ＪＭ１０
燃焼温度：９５０℃
燃焼時間：４分。 （３）吸脱着等温線の測定 自動比表面積／細孔分布測定装置を用いて容量法で測定を行った。 このとき、測定に先立って試料を３７３Ｋ、５Ｐａで１６時間乾燥し、吸着水などを除去した。 測定条件の詳細を以下に示す。
＜測定条件＞
装置：日本ベル株式会社製ＢＥＬＳＯＲＰ－ｍｉｎｉＩＩ
圧力プログラム：５ｋＰａ以下→１２０ｋＰａ→１０ｋＰａ以下平衡待ち時間：３００秒。 また、以下の合成例で用いる［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］、［Ｃｕ ２ （ｂｚａ） ４ ］、［Ｃｕ ２ （ａｄｃ） ４ （Ｈ ２ Ｏ） ２ ］、［Ｃｕ ２ （Ｆｂｚａ） ４ ］及び［Ｃｕ ２ （Ｆ５ｂｚａ） ４ ］は、以下の文献：
Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． ，１９６５，Ｐ． ６４６６－６４７７
に記載の方法に準拠して合成した。 ［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］，［Ｃｕ ２ （ｂｚａ） ４ ］、［Ｃｕ ２ （Ｆｂｚａ） ４ ］及び［Ｃｕ ２ （Ｆ５ｂｚａ） ４ ］の構造式を以下に示す。
また、以下の合成例で用いる［Ｃｕ ２ （ａｄｃ） ４ （Ｈ ２ Ｏ） ２ ］の構造式を以下に示す。
（合成例１）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．２５０ｇ（０．３９５ｍｍｏｌ）にメタノール５０ｍＬに加え２９８Ｋで３０分間攪拌した後、この溶液に１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０４７ｇ（０．４１５ｍｍｏｌ）を加えた。 その後、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．２４５４ｇ（収率８３％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図２に示す。 図２に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：４：１であった。
実測値 Ｃ：５２．６８，Ｈ：７．４１，Ｎ：３．２５（％）
理論値 Ｃ：５４．６０，Ｈ：７．５５，Ｎ：３．７５（％）。 なお、合成例１において得られた金属錯体の構造（一次元構造）は、以下の構造式に示す構造であると考えられる。
（合成例２）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．２８４ｇ（０．４５ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液７０ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ｂｚａ） ４ ］０．０３０ｇ（０．０５ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液１０ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０５６ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．３１２９ｇ（収率８３％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図３に示す。 図３に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：ベンゼンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３．６：０．４：１であった。
実測値 Ｃ：５４．４７，Ｈ：７．０４，Ｎ：３．６１（％）
理論値 Ｃ：５４．７８，Ｈ：７．２５，Ｎ：３．７６（％）。 （合成例３）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．２５３ｇ（０．４ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液６０ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ｂｚａ） ４ ］０．０６１ｇ（０．１ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液１５ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０５６ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．２９１３ｇ（収率７８％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図４に示す。 図４に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：ベンゼンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３．２：０．８：１であった。
実測値 Ｃ：５４．６３，Ｈ：６．８９，Ｎ：３．６８（％）
理論値 Ｃ：５４．９６，Ｈ：６．９４，Ｎ：３．７７（％）。 （合成例４）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．１５８ｇ（０．２５０ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液３５ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ｂｚａ） ４ ］０．１５３ｇ（０．２５０ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液３０ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０５６ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．２７３７ｇ（収率７４％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図５に示す。 図５に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：ベンゼンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：２：２：１であった。
実測値 Ｃ：５４．６６，Ｈ：５．８６，Ｎ：３．７４（％）
理論値 Ｃ：５５．５０，Ｈ：６．０３，Ｎ：３．８１（％）。 （合成例５）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．０６３ｇ（０．１ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液１５ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ｂｚａ） ４ ］０．２４５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液６０ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０５６ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．１９３３ｇ（収率５３％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図６に示す。 図６に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：ベンゼンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：０．８：３．２：１であった。
実測値 Ｃ：５５．８６，Ｈ：５．０１，Ｎ：３．８３（％）
理論値 Ｃ：５６．０５，Ｈ：５．０９，Ｎ：３．８５（％）。 （合成例６）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．１９１ｇ（０．３ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液４２ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ａｄｃ） ４ （Ｈ ２ Ｏ） ２ ］０．０８８ｇ（０．１ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが４０：１である溶液１６ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０４５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．２４９１ｇ（収率７７％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図７に示す。 図７に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：アダマンタンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３：１：１であった。
実測値 Ｃ：５６．９１，Ｈ：７．６８，Ｎ：３．３９（％）
理論値 Ｃ：５７．０５，Ｈ：７．５６，Ｎ：３．５０（％）。 （合成例７）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．２１１ｇ（０．３３ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液５４ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ａｄｃ） ４ （Ｈ ２ Ｏ） ２ ］０．０７３ｇ（０．０８３ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが４０：１である溶液１６ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０４６ｇ（０．４１３ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．２２５９ｇ（収率７０％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図８に示す。 図８に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：アダマンタンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３．４：０．６：１であった。
実測値 Ｃ：５６．２３，Ｈ：７．６０，Ｎ：３．６５（％）
理論値 Ｃ：５６．１１，Ｈ：７．５５，Ｎ：３．６０（％）。 （合成例８）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．２２２ｇ（０．３５ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液４８ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ａｄｃ） ４ （Ｈ ２ Ｏ） ２ ］０．０４４ｇ（０．０５ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが４０：１である溶液８ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０４５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．２６３２ｇ（収率８５％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図９に示す。 図９に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：アダマンタンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３．６：０．４：１であった。
実測値 Ｃ：５５．４５，Ｈ：７．５９，Ｎ：３．５９（％）
理論値 Ｃ：５５．６２，Ｈ：７．５５，Ｎ：３．６４（％）。 （合成例９）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．２３８ｇ（０．３７５ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液５４ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ａｄｃ） ４ （Ｈ ２ Ｏ） ２ ］０．０２２ｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが４０：１である溶液４ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０４５ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルムで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．２４２５ｇ（収率７９％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図１０に示す。 図１０に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：アダマンタンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３．８：０．２：１であった。
実測値 Ｃ：５４．７２，Ｈ：７．５１，Ｎ：３．５１（％）
理論値 Ｃ：５５．１２，Ｈ：７．５５，Ｎ：３．６９（％）。 （合成例１０）
大気下、［Ｃｕ ２ （Ｆｂｚａ） ４ ］０．１３７ｇ（０．２０ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液２８ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ａとした。 続いて、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．５０９ｇ（０．８０ｍｍｏｌ）にクロロホルム：メタノールが５：１である溶液１１２ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、これを溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで１０分間攪拌した後１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．１１２ｇ（１．０ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、クロロホルム：メタノールが５：１である溶液で洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．６３９１ｇ（収率８４％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図２１に示す。 図２１に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：フルオロベンゼンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３．２：０．８：１であった。
実測値 Ｃ：５３．６５，Ｈ：６．７１，Ｎ：３．６５（％）
理論値 Ｃ：５３．９１，Ｈ：６．７１，Ｎ：３．７０（％）。 （合成例１１）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｃｈｃ） ４ ］０．２５４ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）と［Ｃｕ ２ （Ｆ５ｂｚａ） ４ ］０．０９７ｇ（０．１０ｍｍｏｌ）に脱水ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）２５ｍＬを加え２９８Ｋで１０分間攪拌して溶解させ、溶液Ａとした。 続いて、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．１１２ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）に脱水アセトン２５ｍＬを加え２９８Ｋで１０分間攪拌して溶解させ、溶液Ｂとした。 溶液Ｂを溶液Ａに加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、脱水アセトンで洗浄し、さらに２９８Ｋ、５Ｐａで２時間乾燥し、目的の金属錯体０．３５０ｇ（収率８６％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図２２に示す。 図２２に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：シクロヘキサンカルボキシレートイオン：ペンタフルオロベンゼンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：３．２：０．８：１であった。
実測値 Ｃ：５０．５８，Ｈ：６．５０，Ｎ：３．５２（％）
理論値 Ｃ：５０．１０，Ｈ：５．８４，Ｎ：３．４４（％）。 （比較合成例１）
大気下、［Ｃｕ ２ （ｂｚａ） ４ ］０．２４５ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）にメタノール５０ｍＬを加え２９８Ｋで５分間攪拌して溶解させ、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．０４７ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）を加え、２９８Ｋで２４時間攪拌した。 析出した金属錯体を吸引濾過により回収した後、メタノールで洗浄し、さらに３７３Ｋ、５Ｐａで３．５時間乾燥し、目的の金属錯体０．２４８４ｇ（収率８５％）を得た。 得られた金属錯体の粉末Ｘ線回折パターンを図１１に示す。 図１１に示した結果から、得られた金属錯体は規則構造を有することが確認された。 また、元素分析を行った結果、その組成比（モル比）は、銅イオン：ベンゼンカルボキシレートイオン：１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン＝２：４：１であった。
実測値 Ｃ：５６．０７，Ｈ：４．５３，Ｎ：３．７７（％）
理論値 Ｃ：５６．４３，Ｈ：４．４６，Ｎ：３．８７（％）。 （実施例１）
合成例１で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２９８Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図１２に示すが、２００～４００ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で３倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、７０ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例２）
合成例２で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図１３に示すが、４０～９０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で４倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、１７ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例３）
合成例３で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋ及び３０３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図１４、図１５に示す。 ２７３Ｋでの測定においては、２０～３０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回った。 ３０３Ｋでの測定においては、８０～１２０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で２５倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、１３ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例４）
合成例４で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２９８Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定すると、一定の圧力範囲においてプロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、吸着特性に選択性があることが確認される。 また、減圧することで、吸着したプロパンを１ｋＰａ以上で回収できることが確認される。 （実施例５）
合成例５で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２９８Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定すると、一定の圧力範囲においてプロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、吸着特性に選択性があることが確認される。 また、減圧することで、吸着したプロパンを１ｋＰａ以上で回収できることが確認される。 （実施例６）
合成例６で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図１６に示すが、６０～１２０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で４倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、３０ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例７）
合成例７で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図１７に示すが、４２～６０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で２０倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、２５ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例８）
合成例８で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図１８に示すが、３５～５５ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で２３倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、２５ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例９）
合成例９で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図１９に示すが、３２～５０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で３５倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、２４ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例１０）
合成例１０で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図２３に示すが、２０～６０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で２８倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、５ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例１１）
合成例１１で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図２４に示すが、８０～１２０ｋＰａの範囲において、プロパン吸着量はプロピレン吸着量を上回り、プロパン吸着量／プロピレン吸着量の値は最大で５倍程度を示したことから、吸着特性に選択性があることが確認された。 また、２０ｋＰａまで減圧することで、吸着したプロパンを該圧力で回収できることが確認された。 （実施例１２）
合成例３と同様にして得られた金属錯体を４０℃で１５時間減圧した後、内径１６．５ｍｍの筒に１１．４ｇを充填した。 筒内をアルゴン置換した後、容量比がプロパン：プロピレン：窒素＝３８：３４：２８である混合気体を１８ｍＬ／分で導入し、２７８Ｋ、２．０×１０ ２ ｋＰａで分離性能を測定した。 筒から流出する気体をガスクロマトグラフ装置（検出器：ＴＣＤ、キャリアガス：Ａｒ）で分析したところ、プロパン（Ｃ３）、プロピレン（Ｃ３'）及び窒素（Ｎ２）の流出ガスの濃度をそれぞれの導入ガスの濃度で除した値は成分ごとに時間依存性が異なり、図２５に示す曲線が得られた。 （実施例１３）
導入する混合気体として、容量比がプロパン：プロピレン：窒素＝１５：６０：２５である混合気体を２１ｍＬ／分で導入する以外は実施例１２と同じ条件で分離性能を測定したところ、図２６に示す曲線が得られた。 （実施例１４）
合成例３と同様にして得られた金属錯体を４０℃で１５時間減圧した後、内径１６．５ｍｍの筒に１１．４ｇを充填した。 筒内を窒素置換した後、容量比がプロパン：プロピレン＝１９：８１である混合気体を１２ｍＬ／分で導入し、３０３Ｋ、２．０×１０ ２ ｋＰａで分離性能を測定した。 筒から流出する気体をガスクロマトグラフ装置（検出器：ＴＣＤ、キャリアガス：Ａｒ）で分析したところ、プロパン及びプロピレンの流出ガスの濃度をそれぞれの導入ガスの濃度で除した値は成分ごとに時間依存性が異なり、図２７に示す曲線が得られた。 （実施例１５）
導入する混合気体として、容量比がプロパン：プロピレン：窒素＝７９：２１である混合気体を１２ｍＬ／分で導入する以外は実施例１４と同じ条件で分離性能を測定したところ、図２８に示す曲線が得られた。 （比較例１）
比較合成例１で得られた金属錯体について、プロパン及びプロピレンの２７３Ｋにおける吸脱着等温線を容量法によりそれぞれ測定した。 結果を図２０に示すが、吸着特性に有意な差が確認されなかった。
以上説明したように、本発明によれば、プロピレンとプロパンなどの炭素数が３以下でかつ同じ炭素数の炭化水素であっても混合物中の飽和炭化水素（マイナー成分であっても）を選択的に吸着することが可能であり、かつ、実用上過度の昇温又は過度の低圧化を要しないで用いることができる温度及び圧力領域（例えば、２５℃で１ｋＰａ以上）において吸着した気体（炭化水素）を回収することができる飽和炭化水素の吸着方法、それを利用した分離方法、並びに分離方法を実施する分離装置を提供することが可能となる。 したがって、本発明は、炭素数が３以下の飽和炭化水素を分離するための装置の小型化や分離するためのエネルギーの省力化などのための技術として非常に有用である。
１…吸着槽（分離手段）、２…圧縮機（導入手段）、３…減圧機（圧力制御手段）、４…制御手段、Ｖ１～Ｖ６…バルブ、Ｐ１～Ｐ６…配管。
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