1.一种用于生成纳米纤维带或板的工艺，所述工艺包括以下步骤：
(a)布置纳米纤维以提供平行的纳米纤维阵列，在该纳米纤维阵列内具有纤维间连接性，并且在纳米纤维阵列基底处的密度为至少200亿个纳米管/cm2；以及(b)从所述纳米纤维阵列拉伸所述纳米纤维作为带或板，而不对所述带或板加捻，其中所述带或板的宽度为至少1毫米，并且其中所述工艺包括以下的一项或多项：
(i)所述纳米纤维的主要部分的最大厚度小于500nm，
(ii)所述纳米纤维的最小长度－厚度比值至少为100，
(iii)纳米纤维长度对带或板厚度的最小比值大于5。
2.一种用于生成纳米纤维带或板的装置，所述装置包括可操作来执行包括以下步骤的工艺的机构：
(a)布置纳米纤维的机构，用以布置纳米纤维以提供平行的纳米纤维阵列，该纳米纤维阵列在该纳米纤维阵列内具有纤维间连接性，并且在纳米纤维阵列基底处的密度为至少
200亿个纳米管/cm2；以及
(b)拉伸机构，用以从所述纳米纤维阵列拉伸所述纳米纤维作为带或板，而不对所述带或板加捻，其中所述带或板的宽度为至少1毫米，并且其中所述工艺包括以下的一项或多项：
(i)所述纳米纤维的主要部分的最大厚度小于500nm，
(ii)所述纳米纤维的最小长度－厚度比值至少为100，
(iii)纳米纤维长度对带或板厚度的最小比值大于5。
3.一种用于生成纳米纤维带或板的装置，所述装置包括：
(a)平行的纳米纤维阵列，该纳米纤维阵列在该纳米纤维阵列内具有纤维间连接性，并且在纳米纤维阵列基底处的密度为至少200亿个纳米管/cm2；以及
(b)拉伸机构，其中所述拉伸机构可操作来从所述纳米纤维阵列拉伸所述纳米纤维作为带或板，而不对所述带或板加捻，其中所述带或板的宽度为至少1毫米，并且其中所述装置执行的工艺包括以下的一项或多项：
(i)所述纳米纤维的主要部分的最大厚度小于500nm，
(ii)所述纳米纤维的最小长度－厚度比值至少为100，
(iii)纳米纤维长度对带或板厚度的最小比值大于5。
4.根据权利要求1所述的工艺或者根据权利要求2或3所述的装置，还包括在基体上沉积所述带或板。
5.根据权利要求1所述的工艺或者根据权利要求2或3所述的装置，其中
(a)所述纳米纤维的主要部分的最大厚度小于500nm，
(b)所述纳米纤维的最小长度－厚度比值至少为100，并且
(c)纳米纤维长度对带或板厚度的最小比值大于5。
6.根据权利要求1所述的工艺或者根据权利要求2或3所述的装置，其中所述带或板的连续长度为至少1米。
7.根据权利要求1所述的工艺或者根据权利要求2或3所述的装置，其中所述带或板的宽度为至少4厘米。
8.根据权利要求4所述的工艺或装置，其中在基体上沉积所述带或板的操作包括卷绕。
9.根据权利要求4所述的工艺或装置，其中所述基体包括锭子。
10.根据权利要求1所述的工艺或者根据权利要求2或3所述的装置，其中所述纳米纤维的拉伸生成纳米纤维带，并且其中所述纳米纤维带被层叠以形成纳米纤维板。
11.根据权利要求10所述的工艺或装置，其中所述层叠的操作涉及从包括化学结合剂、电子束、热处理、离子束、射频辐射、微波辐射及以上的组合的组中选择的层叠手段。
12.根据权利要求10所述的工艺或装置，其中所述层叠的操作涉及使用有机聚合物。
13.根据权利要求1所述的工艺或者根据权利要求2或3所述的装置，其中所述纳米纤维阵列是纳米纤维林。
14.根据权利要求13所述的工艺或装置，其中所述纳米纤维林由碳纳米管构成。
15.根据权利要求14所述的工艺或装置，其中所述碳纳米管包括多壁碳纳米管。
16.根据权利要求13所述的工艺或装置，其中所述纳米纤维在基体上的炉生长区域中合成为纳米管林，所述基体从所述炉生长区域连续运动到所述纳米管林中的纳米纤维被拉伸成以下形式的区域中，所述形式从包括带、板及以上的组合的组中选择。
17.根据权利要求1所述的工艺或者根据权利要求2或3所述的装置，其中所述纳米纤维阵列是纳米纤维的图案化组件。
18.根据权利要求17所述的工艺或装置，其中生成纳米纤维带，并且所述纳米纤维的图案化组件用于确定纳米纤维带的宽度。
19.根据权利要求17所述的工艺或装置，其中所述纳米纤维的图案化组件通过从包括在用于纳米纤维林生长的基体上图案化沉积催化剂、在纳米纤维阵列中切出图案、以及以上的组合的组中选择的技术提供。
20.根据权利要求17所述的工艺或装置，其中所述纳米纤维的图案化组件中，纳米纤维林的相邻条是平行的，且由通过从包括以下特性的组中选择的特性限定的区域分隔：没有纳米纤维、不同类型的纳米纤维、不同高度的纳米纤维、在是否存在涂层方面或者在涂层类型方面不同的纳米纤维、不同化学处理的纳米纤维、以及以上的组合。
21.一种透明导体，所述透明导体由根据权利要求1所述的工艺制成，所述透明导体包括导电纳米纤维，其中所述透明导体作为电极涂覆在基体上。
22.一种包括根据权利要求21所述的透明导体的器件，其中：
(a)所述器件从包括液晶显示器、发光显示器、太阳能电池、可切换透明度的窗户、激光器、光学调制器、电子场发射器件、电子开关、光学偏振器及以上的组合的组中选择；并且(b)所述透明导体用作从包括电极、偏振光学元件及以上的组合的组中选择的部件。
23.根据权利要求1所述的工艺，还包括：
(a)从包括可弹性变形基体、可电变形基体及以上的组合的组中选择基体；
(b)伸长所述基体以形成变形基体，其中伸长操作从包括弹性伸长、电伸长及以上的组合的组中选择；
(c)将所述纳米纤维板或带粘性涂覆到所述变形基体；以及
(d)在粘性涂覆步骤之后使得所述伸长能够至少部分恢复。
24.根据权利要求1所述的工艺，还包括：
(a)选择第一弹性聚合物板；
(b)弹性伸长所述第一弹性聚合物板以形成变形基体；
(c)将纳米纤维板粘性涂覆到所述变形基体；
(d)在粘性涂覆步骤之后使得所述弹性伸长能够至少部分恢复；
(e)当所述第一弹性聚合物板处于松弛或部分松弛状态时，将用于第二弹性聚合物板的树脂前驱体涂覆到所述纳米纤维板；以及
(f)在所述第一弹性聚合物板处于松弛或部分松弛状态的同时，使所述树脂前驱体固化以形成所述第二弹性聚合物板。
25.一种包括至少两个导电的可变形纳米纤维板或带的器件，所述器件由根据权利要求1所述的工艺制成，其中：
(a)所述器件可操作用于从包括以下的组中选择的功能:(i)用于机电致动，(ii)将机械能转换成电能，(iii)衰减机械振动，以及(iv)以上的组合；
(b)至少两个所述可变形纳米纤维板或带每个都是可弹性变形且导电的纳米纤维板或带；以及
(c)至少两个所述可变形纳米纤维板或带用作用于所述器件的电极。
26.一种用于从纳米纤维林生成纳米纤维带或板的工艺，包括以下步骤：
(a)生成包括纳米纤维的纳米纤维林，其中所述纳米纤维林适合于从所述纳米纤维林拉伸带或板，其中所述带或板的宽度为至少1毫米，并且其中所述纳米纤维林具有侧壁，并且在纳米纤维林基底处的密度为至少200亿个纳米管/cm2；
(b)将附件连接到所述纳米纤维林的侧壁或侧壁附近；以及
(c)通过在所述附件上拉伸而从所述纳米纤维林拉伸所述纳米纤维带或板；
并且其中所述工艺包括以下的一项或多项：
(i)所述纳米纤维的主要部分的最大厚度小于500nm，
(ii)所述纳米纤维的最小长度－厚度比值至少为100，
(iii)纳米纤维长度对带或板厚度的最小比值大于5。
27.根据权利要求26所述的工艺，其中所述纳米纤维林是包括碳纳米管的碳纳米管林。
28.根据权利要求27所述的工艺，其中所述碳纳米管是直径10nm的多壁碳纳米管，并且其中在所述碳纳米管林基底处的林密度是至少200亿个纳米管/cm2。
29.根据权利要求27所述的工艺，其中碳纳米管林基底面积中由纳米管占据的百分比是至少4％。
30.根据权利要求27所述的工艺，其中碳纳米管林基底面积中由纳米管占据的百分比是至多40％。
31.根据权利要求27所述的工艺，其中当在所述碳纳米管林的基底上测量时，所述碳纳米管林中每单位面积的纳米管数量与碳纳米管直径的乘积在0.16和1.6之间的范围中。
32.根据权利要求27所述的工艺，其中所述碳纳米管林中的所述碳纳米管是间断集束的。
33.根据权利要求27所述的工艺，其中在所述碳纳米管林的基底区域开始的碳纳米管中的至少20％延伸到所述碳纳米管林的大体顶部。
34.根据权利要求27所述的工艺，其中所述碳纳米管林的高度为至少50微米。
35.根据权利要求27所述的工艺，其中所述碳纳米管林的高度为至少100微米。
36.根据权利要求26所述的工艺，其中从纳米纤维林侧壁的整个高度同时拉出纳米纤维。
37.根据权利要求27所述的工艺，其中拉伸步骤以每分钟至少5米的速率进行。
38.一种通过根据权利要求27所述的工艺制造的纳米纤维带或板，其中所述纳米纤维带或板是透明且导电的。
39.一种通过根据权利要求27所述的工艺制造的纳米纤维带或板，其中所述纳米纤维带或板是高定向的气凝胶。
40.根据权利要求39所述的纳米纤维带或板，其中所述纳米纤维带或板具有小于10μg/
2
cm的面积密度。
41.一种通过根据权利要求27所述的工艺制造的纳米纤维板，具有至少5cm的宽度。
42.一种通过根据权利要求39所述的工艺制造的纳米纤维带或板，其中所述纳米纤维带或板具有至多0.005g/cm3的密度。
43.根据权利要求39所述的纳米纤维带或板，其中所述纳米纤维带或板附装到基体。
44.根据权利要求43所述的纳米纤维带或板，其中所述基体包括从含塑料、涂有粘性剂的带、玻璃、金属、纸及以上的组合的组中选择的材料。
45.包括根据权利要求27所述的工艺制造的纳米纤维带或板的叠层，其中所述纳米纤维带或板每个都是定向的，但不具有相同的碳纳米管的优先对齐方向。
46.一种用于形成致密化板或带的工艺，包括以下步骤：
(a)生成包括纳米管的碳纳米管林，其中所述碳纳米管林适合于从所述碳纳米管林拉伸带或板，其中所述带或板的宽度至少1毫米，并且其中所述碳纳米管林具有侧壁，并且在碳纳米管林基底处的密度为至少200亿个纳米管/cm2；
(b)将附件连接到所述碳纳米管林的侧壁或侧壁附近；
(c)通过在所述附件上拉伸而从所述碳纳米管林拉伸所述纳米纤维带或板，其中所述带或板是高定向的气凝胶带或板；以及
(d)用液体渗透所述板或带，并随后从所述板或带蒸发所述液体，其中所述渗透和蒸发至少部分致密化所述板或带并形成致密化板或带；
并且其中所述工艺包括以下的一项或多项：
(i)所述纳米纤维的主要部分的最大厚度小于500nm，
(ii)所述纳米纤维的最小长度－厚度比值至少为100，
(iii)纳米纤维长度对带或板厚度的最小比值大于5。
47.通过根据权利要求46所述的工艺制造的致密化板或带，其中所述致密化板或带的厚度为至多100nm。
48.根据权利要求46所述的工艺，其中通过选择性区域输送产生致密化的液体，来对所述纳米纤维带或板提供选择性区域致密化。
49.根据权利要求46所述的工艺，其中利用液体的所述渗透包括从含蒸气凝结、吸收液体、暴露到液体的气凝胶及以上的组合的组中选择的方法。
50.根据权利要求46所述的工艺，其中所述液体包括从含丙酮、乙醇、甲醇、异丙醇、甲苯、氯仿、氯苯、具有相似内聚能密度的液体、及以上的组合的组中选择的物质。
51.根据权利要求46所述的工艺，其中所述液体包括水和表面活性剂。
52.根据权利要求46所述的工艺，其中连接步骤包括使用从含粘性剂、销阵列或以上的组合的组中选择的附装装置。
53.根据权利要求52所述的工艺，其中所述附装装置至少等效于直线阵列，并且其中所述拉伸的方向至少与有效的直线阵列方向正交。
54.根据权利要求53所述的工艺，其中所述附件连接到纳米纤维林的顶部和侧壁附近，其中所述连接包括使用直的粘性条。
55.根据权利要求53所述的工艺，其中所述附件的连接是提供销阵列，所述销阵列穿透到所述纳米纤维林的高度的1/3到3/4之间。
56.根据权利要求55所述的工艺，其中所述销阵列中的不同销穿透到纳米纤维林中的不同深度。
57.根据权利要求1所述的工艺，还包括：
(a)将液体渗透到所述带或板中；以及
(b)从所述带或板蒸发液体以加强所述带或板。
58.一种包括对齐传导通道的阵列的器件，所述器件由根据权利要求1所述的工艺制成，其中：
(a)所述传导通道可操作用于定向传输从包括电子、离子、声子及以上的组合的组中选择的种类；以及
(b)所述传导通道由从包括带、板及以上的组合的组中选择的形式的纳米纤维提供。
59.根据权利要求1所述的工艺，还包括：
(a)提供从包括带、板及以上的组合的组中选择的形式的定向纳米纤维；以及(b)使用所述定向纳米纤维作为传导通道的阵列，以用于定向传输从包括电子、离子、声子及以上的组合的组中选择的种类。
60.一种由根据权利要求1所述的工艺制成的器件，所述器件包括：
(a)阴极，其中所述阴极包括从含带、板及以上的组合的组中选择的形式的纳米纤维；
以及
(b)阳极，其中低气压区域分隔所述阳极和所述阴极。
61.一种由根据权利要求1所述的工艺制成的器件，所述器件包括：
(a)可操作用于场发射的冷阴极，所述冷阴极包括从含带、板及以上的组合的组中选择的形式的纳米纤维，其中所述形式通过包括以下步骤的工艺制成：
(i)将纳米纤维布置成对齐阵列以提供初级组件，所述对齐阵列中具有足够的纤维间互连性；以及
(ii)从所述初级组件拉伸所述纳米纤维作为电极材料；以及
(b)阳极，其中低气压区域分隔所述阳极和所述阴极。
62.根据权利要求1所述的工艺，还包括沿着长度图案化纳米纤维板，所述工艺包括从含以下技术的组中选择的图案化技术：光聚合；光刻；电子束诱导聚合物反应；压力诱导材料转移；液体、气相和等离子体处理以沉积、移除和转化材料；及以上的组合。
63.一种光电子器件，所述光电子器件由根据权利要求1所述的工艺制成，包括：
(a)第一电极，所述第一电极包括从含带、板及以上的组合的组中选择的形式的纳米纤维；
(b)可操作地与所述第一电极相连的活性层；以及
(c)可操作地与所述活性层和所述第一电极相连的第二电极。
64.一种光电子器件，所述光电子器件由根据权利要求1所述的工艺制成，包括：
(a)第一电极，所述第一电极包括从含带、板及以上的组合的组中选择的形式的纳米纤维，其中所述形式通过包括以下步骤的工艺制成：
(i)将所述纳米纤维布置成对齐阵列以提供初级组件，所述对齐阵列中具有足够的纤维间互连性；以及
(ii)从所述初级组件拉伸所述纳米纤维作为电极材料；
(b)可操作地与所述第一电极相连的活性层；以及
(c)可操作地与所述活性层和所述第一电极相连的第二电极。
65.根据权利要求1所述的工艺，还包括：
(a)提供包括以下的部件：
2
(i)将所述带或板用作第一电极，并且其中所述带或板包括大于10m/g的表面积；
(ii)可操作地与所述第一电极相连的活性材料层；和
(iii)可操作地与所述活性材料层和所述第一电极相连的第二电极；和
(b)组装所述部件以可操作地形成光电子器件。