1.一种用于处理基板的设备，其特征在于，所述设备包括：
腔室主体，界定处理容积；
基板支撑件，安置在所述处理容积中，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面；
气源组件，与所述腔室主体的入口流体连通；
排气组件，与所述腔室主体的出口流体连通；以及
侧气体组件，耦接至所述腔室主体的侧壁，其中所述侧气体组件包含指向与所述基板支撑表面的边缘相切的方向的气体入口，以及其中所述气体入口、所述腔室主体的所述入口、和所述腔室主体的所述出口相对于彼此以90°成角度地偏移，以及所述气体入口、所述腔室主体的所述入口、和所述腔室主体的所述出口通过共面相交。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述气源组件与第一气源流体连通。
3.如权利要求2所述的设备，其中所述气源组件进一步与第二气源流体连通，其中所述第一气源在化学成分上与所述第二气源不同。
4.如权利要求2所述的设备，其中所述侧气体组件与在化学成分上不同于所述第一气源的第三气源流体连通，和所述侧气体组件的所述气体入口指向朝向所述基板支撑表面的边缘的方向。
5.如权利要求3所述的设备，其中所述第一气源包含含氧气体，和所述第二气源包含含氢气体。
6.如权利要求4所述的设备，其中所述第一气源包含含氧气体，和所述第三气源包含含氢气体。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述侧气体组件与第三气源流体连通，所述第三气源包含含氧气体或含氢气体和含氧气体的气体混合物，和所述侧气体组件的所述气体入口指向朝向所述基板支撑表面的边缘的方向。
8.如权利要求1所述的设备，其中所述侧气体组件可操作以沿流动路径提供气流，所述流动路径在距平行于所述流动路径的所述基板支撑表面的切线5mm至10mm的距离处。
9.如权利要求1所述的设备，其中所述气体入口组件和所述排气组件安置在所述腔室主体的相对侧上，和所述腔室主体的所述入口和所述出口两者具有等于所述基板支撑件的直径的直线或方位宽度。
10.一种用于热处理基板的设备，其特征在于，所述设备包括：
底座环，具有界定处理容积的侧壁，其中所述底座环具有穿过所述侧壁形成的入口和出口，所述入口和所述出口在所述底座环的相对侧形成；
基板支撑件，安置在所述处理容积中，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面；
热源，可操作以提供热能至所述处理容积；
排气组件，耦接至所述底座环的所述出口；以及
侧气体组件，耦接至所述底座环的侧孔，其中所述侧气体组件包含指向所述基板支撑表面的切线的气体入口，以及所述底座环的所述侧孔、所述入口和所述出口实质上安置在相同高度上。
11.如权利要求10所述的设备，其中所述气体入口是沿朝向所述出口的方向延伸的细长通道。
12.如权利要求10所述的设备，其中所述气体入口是向所述处理容积展开的漏斗状结构。
13.如权利要求10所述的设备，进一步包括：
注射筒体，耦接至所述入口中的所述底座环，其中所述注射筒体与包含含氧气体和含氢气体的第一气源流体连通。
14.如权利要求13所述的设备，其中所述侧气体组件与包含氢自由基的第二气源流体连通。
15.如权利要求10所述的设备，其中所述侧气体组件的所述气体入口指向与所述基板支撑表面的边缘相切的方向。
16.如权利要求10所述的设备，其中所述底座环的所述侧孔、所述入口和所述出口相对于彼此以90°成角度地偏移。