该申请人涉及专利文献:896,涉及专利:836件
覆盖主要的IPC大类包括:H01(573)、G03(77)、G01(58)、B81(48)、C23(27)、H03(26)、H02(23)、G06(23)、H04(16)、B24(16)
专利类型分布状况:发明公开(636)、发明申请(182)、实用新型(18)
专利不同法律状态数据分布状况:有效专利(366)、无效专利(270)、公开(182)、失效专利(18)
该领域主要的发明人有:吴孝嘉(35)、荆二荣(32)、黄璇(27)、王乐(26)、韩广涛(25)、李健(24)、张硕(22)、钟圣荣(21)、苏佳乐(20)、徐春云(19)
详细地址:中国 江苏省 无锡市 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号申请人无锡华润上华科技有限公司 214028
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | 功率二极管的制备方法 | CN104517832B |
| 发明授权 | 功率半导体器件及其制作方法 | CN104347628B |
| 发明授权 | 硅释放工艺 | CN104134611B |
| 发明授权 | 一种具有载流电子存储层的IGBT的制造方法 | CN104616989B |
| 发明授权 | 双面光刻方法 | CN104808450B |
| 发明公开 | 制作光电二极管的方法、光电二极管及光感应器 | CN106972076A |
| 发明授权 | 半导体器件终端、半导体器件及其制造方法 | CN104332488B |
| 发明授权 | 场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | CN104253151B |
| 发明授权 | 微电子机械系统的加工方法 | CN104058362B |
| 发明公开 | 一种确定半导体器件失效位置的方法 | CN106783651A |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 1078 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 吴孝嘉 | 35 |
| 2 | 荆二荣 | 32 |
| 3 | 黄璇 | 27 |
| 4 | 王乐 | 26 |
| 5 | 韩广涛 | 25 |
| 6 | 李健 | 24 |
| 7 | 张硕 | 22 |
| 8 | 钟圣荣 | 21 |
| 9 | 苏佳乐 | 20 |
| 10 | 徐春云 | 19 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 440 |
| 2 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 282 |
| 3 | 无锡互维知识产权代理有限公司 | 88 |
| 4 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 79 |
| 5 | 北京市磐华律师事务所 | 54 |
| 6 | 北京品源专利代理有限公司 | 26 |
| 7 | 上海翼胜专利商标事务所 | 15 |
| 8 | 上海智信专利代理有限公司 | 10 |
| 9 | 上海光华专利事务所 | 6 |
| 10 | 苏州华博知识产权代理有限公司 | 2 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 邓云鹏 | 186 |
| 2 | 常亮 | 147 |
| 3 | 李辰 | 125 |
| 4 | 何平 | 99 |
| 5 | 李丽 | 79 |
| 6 | 骆苏华 | 47 |
| 7 | 汪洋 | 36 |
| 8 | 高为 | 35 |
| 9 | 王爱伟 | 32 |
| 10 | 高伟 | 32 |