该申请人涉及专利文献:10086,涉及专利:6916件
覆盖主要的IPC大类包括:H01(4795)、C23(1711)、B24(319)、H10(300)、G03(259)、G01(257)、H05(242)、G06(195)、G02(190)、B23(105)
专利类型分布状况:发明公开(6434)、实用新型(328)、外观设计(154)
专利不同法律状态数据分布状况:有效专利(2591)、实质审查(2287)、无效专利(1124)、失效专利(790)、公开(124)
该领域主要的发明人有:约瑟夫·M·拉内什(95)、J·Y·孙(68)、斯蒂芬·莫法特(50)、V·D·帕科(49)、D·卢博米尔斯基(47)、J·约德伏斯基(47)、刘树坤(37)、斯蒂芬·班格特(31)、克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼(27)、R·巴贾杰(26)
详细地址:美国 美国加利福尼亚州
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 用于处理腔室的包括开口的升降杆以及相关的部件和腔室套件 | CN122056135A |
| 发明公开 | 钼整体物理气相沉积靶 | CN122055481A |
| 发明公开 | 具有解耦膜位置控制的抛光头 | CN122029004A |
| 发明公开 | 化学机械抛光中在平台间寻找基板上的基板凹槽 | CN122029003A |
| 发明授权 | 纳米结构光学装置的气隙封装 | CN116075766B |
| 发明公开 | 无保持环的化学机械抛光(CMP)工艺 | CN122003312A |
| 发明公开 | 冷液体抛光控制 | CN122003311A |
| 发明授权 | 用于光刻应用的光刻胶层上碳的选择性沉积 | CN115516604B |
| 发明公开 | 半导体元件之晶粒背侧轮廓 | CN121986591A |
| 发明公开 | 用于基板厚度的抛光前修改的高速喷嘴 | CN121986012A |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 约瑟夫·M·拉内什 | 95 |
| 2 | J·Y·孙 | 68 |
| 3 | 斯蒂芬·莫法特 | 50 |
| 4 | V·D·帕科 | 49 |
| 5 | D·卢博米尔斯基 | 47 |
| 6 | J·约德伏斯基 | 47 |
| 7 | 刘树坤 | 37 |
| 8 | 斯蒂芬·班格特 | 31 |
| 9 | 克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼 | 27 |
| 10 | R·巴贾杰 | 26 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 5875 |
| 2 | 上海专利商标事务所有限公司 | 3535 |
| 3 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 638 |
| 4 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 19 |
| 5 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 10 |
| 6 | 北京市柳沈律师事务所 | 4 |
| 7 | 永新专利商标代理有限公司 | 3 |
| 8 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 1 |
| 9 | 北京市君合律师事务所 | 1 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 徐金国 | 5861 |
| 2 | 赵静 | 4013 |
| 3 | 侯颖媖 | 2445 |
| 4 | 吴启超 | 1357 |
| 5 | 张鑫 | 708 |
| 6 | 汪骏飞 | 467 |
| 7 | 黄嵩泉 | 366 |
| 8 | 赵飞 | 311 |
| 9 | 陆嘉 | 260 |
| 10 | 杨学春 | 241 |
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