该申请人涉及专利文献:9817,涉及专利:6755件
覆盖主要的IPC大类包括:H01(4766)、C23(1679)、B24(303)、G03(256)、G01(247)、H05(242)、H10(199)、G06(191)、G02(172)、B23(101)
专利类型分布状况:发明公开(6275)、实用新型(328)、外观设计(152)
专利不同法律状态数据分布状况:有效专利(2542)、实质审查(2304)、无效专利(1073)、失效专利(729)、公开(107)
该领域主要的发明人有:约瑟夫·M·拉内什(94)、J·Y·孙(68)、斯蒂芬·莫法特(50)、D·卢博米尔斯基(47)、J·约德伏斯基(47)、V·D·帕科(46)、刘树坤(36)、斯蒂芬·班格特(31)、程睿(30)、克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼(27)
详细地址:美国 美国加利福尼亚州
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 使用无机介电键合的基板支撑装置的制造 | CN121195340A |
| 发明授权 | 用于基板放置最佳化的方法、系统和计算机可读介质 | CN119604973B |
| 发明授权 | 具有改善的高温吸附的半导体基板支撑件 | CN114342060B |
| 发明授权 | 可移动并且可移除的处理配件 | CN109950193B |
| 发明公开 | 使用器件级封装制造串联太阳能电池器件 | CN121153353A |
| 发明公开 | 快速调谐射频(RF)匹配网路 | CN121153100A |
| 发明公开 | 作为用于在沉积中的外部刺激的图案化掩模的无掩模涂层 | CN121152996A |
| 发明公开 | 选择性沉积的表面处理 | CN121137549A |
| 发明公开 | 用于4F2DRAM的自对准位线和存储节点触点 | CN121128332A |
| 发明公开 | 用于氮化硅的降低的粗糙度的离子注入 | CN121127953A |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 约瑟夫·M·拉内什 | 94 |
| 2 | J·Y·孙 | 68 |
| 3 | 斯蒂芬·莫法特 | 50 |
| 4 | D·卢博米尔斯基 | 47 |
| 5 | J·约德伏斯基 | 47 |
| 6 | V·D·帕科 | 46 |
| 7 | 刘树坤 | 36 |
| 8 | 斯蒂芬·班格特 | 31 |
| 9 | 程睿 | 30 |
| 10 | 克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼 | 27 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 5695 |
| 2 | 上海专利商标事务所有限公司 | 3446 |
| 3 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 638 |
| 4 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 19 |
| 5 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 10 |
| 6 | 北京市柳沈律师事务所 | 4 |
| 7 | 永新专利商标代理有限公司 | 3 |
| 8 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 1 |
| 9 | 北京市君合律师事务所 | 1 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 徐金国 | 5681 |
| 2 | 赵静 | 3954 |
| 3 | 侯颖媖 | 2356 |
| 4 | 吴启超 | 1238 |
| 5 | 张鑫 | 693 |
| 6 | 汪骏飞 | 460 |
| 7 | 黄嵩泉 | 345 |
| 8 | 赵飞 | 311 |
| 9 | 陆嘉 | 260 |
| 10 | 杨学春 | 239 |