该申请人涉及专利文献:30502,涉及专利:17609件
覆盖主要的IPC大类包括:G06(10096)、H04(3427)、H01(2773)、G11(1031)、G01(401)、H03(299)、H05(274)、G03(209)、G10(207)、H10(202)
专利类型分布状况:发明公开(17544)、外观设计(54)、发明授权(8)、实用新型(3)
专利不同法律状态数据分布状况:失效专利(9090)、有效专利(4337)、无效专利(3055)、实质审查(1116)、公开(11)
该领域主要的发明人有:程慷果(94)、D·格雷纳(63)、谢瑞龙(62)、朱慧珑(60)、古川俊治(41)、R·K·阿里米利(38)、L·M·古普塔(36)、B·A·安德森(35)、李立(32)、杨智超(32)
详细地址:美国 美国纽约
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 堆叠互补金属氧化物半导体结构 | CN123058054A |
| 发明授权 | 高效发射机 | CN116964996B |
| 发明授权 | 使用衍射分束器的量子位的激光退火 | CN116601649B |
| 发明授权 | 上下文感知异常检测 | CN116235149B |
| 发明授权 | 用合金的超导结构和器件表面终止 | CN116210371B |
| 发明授权 | 动态确定端到端链路的信任级别 | CN116137908B |
| 发明授权 | 促进量子状态测量后端过程的量子状态测量逻辑 | CN116113922B |
| 发明授权 | 用于超导量子位系统的稀释制冷机中的俘获离子架构 | CN115943393B |
| 发明公开 | 与无源器件兼容的自对准背侧接触部 | CN123037012A |
| 发明公开 | 应变欧姆接触高电子迁移率晶体管 | CN123037010A |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 国际商业机器公司 | 30498 |
| 2 | IBM国际商业机器公司 | 2 |
| 3 | 国际商业机器公司(IBM) | 2 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 程慷果 | 94 |
| 2 | D·格雷纳 | 63 |
| 3 | 谢瑞龙 | 62 |
| 4 | 朱慧珑 | 60 |
| 5 | 古川俊治 | 41 |
| 6 | R·K·阿里米利 | 38 |
| 7 | L·M·古普塔 | 36 |
| 8 | B·A·安德森 | 35 |
| 9 | 李立 | 32 |
| 10 | 杨智超 | 32 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 8891 |
| 2 | 北京市中咨律师事务所 | 8403 |
| 3 | 北京市柳沈律师事务所 | 5471 |
| 4 | 北京市金杜律师事务所 | 4465 |
| 5 | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 | 1379 |
| 6 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 1346 |
| 7 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 415 |
| 8 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 87 |
| 9 | 中国专利代理有限公司 | 21 |
| 10 | 上海专利事务所 | 8 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 于静 | 8548 |
| 2 | 李峥 | 2572 |
| 3 | 酆迅 | 2274 |
| 4 | 张亚非 | 2045 |
| 5 | 黄小临 | 1756 |
| 6 | 杨晓光 | 1685 |
| 7 | 邸万奎 | 1397 |
| 8 | 王茂华 | 1014 |
| 9 | 刘薇 | 779 |
| 10 | 付建军 | 763 |
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